JPS63144622U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS63144622U JPS63144622U JP3627988U JP3627988U JPS63144622U JP S63144622 U JPS63144622 U JP S63144622U JP 3627988 U JP3627988 U JP 3627988U JP 3627988 U JP3627988 U JP 3627988U JP S63144622 U JPS63144622 U JP S63144622U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- interface
- light
- curvature
- index
- superlattice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3511—Self-focusing or self-trapping of light; Light-induced birefringence; Induced optical Kerr-effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
- G02F1/3536—Four-wave interaction
- G02F1/3538—Four-wave interaction for optical phase conjugation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
第1図は理想的な超格子における第1ブリユア
ン・ゾーンのkスペース対伝導帯エネルギのプロ
ツト図、第2図は第1ミニゾーンに及び、伝熱帯
の最低エネルギ・バンドだけを含む第1図の一部
拡大図、第3図は本考案による、非線形素子とし
て選択された超格子を含む線形/非線形インター
フエイス光学スイツチング・デバイスの説明図で
、このデバイスが“オフ”状態である時の図、第
4図は第3図のデバイスの“オン”状態を示すも
ので、制御ビームを含んだ第3図のデバイスの変
形例図、第5図は第3図のデバイスの作動が制限
された場合を示す図、第6図は第4図のデバイス
のための出力光強さ対入力光強さの定性プロツト
図、第7図は第3図のデバイスの作動がさらに制
限された場合を示す図、第8図は超格子を用いる
フアブリー・ペロー・エタロンを示す図、第9図
は第8図のエタロンの出力パワー対光路長のプロ
ツト図、第10図は双安定光学デバイスとしての
使用例を説明する第8図の出力光強さ対入力光強
さのプロツト図、第11図は超格子を用いる位相
共役ミラーの略図である。 26……光学スイツチング・デバイス、28…
…インターフエイス、30……線形光学領域(屈
曲率n1)、32……非線形光学領域(屈折率n
2)、34,36……交互層。
ン・ゾーンのkスペース対伝導帯エネルギのプロ
ツト図、第2図は第1ミニゾーンに及び、伝熱帯
の最低エネルギ・バンドだけを含む第1図の一部
拡大図、第3図は本考案による、非線形素子とし
て選択された超格子を含む線形/非線形インター
フエイス光学スイツチング・デバイスの説明図で
、このデバイスが“オフ”状態である時の図、第
4図は第3図のデバイスの“オン”状態を示すも
ので、制御ビームを含んだ第3図のデバイスの変
形例図、第5図は第3図のデバイスの作動が制限
された場合を示す図、第6図は第4図のデバイス
のための出力光強さ対入力光強さの定性プロツト
図、第7図は第3図のデバイスの作動がさらに制
限された場合を示す図、第8図は超格子を用いる
フアブリー・ペロー・エタロンを示す図、第9図
は第8図のエタロンの出力パワー対光路長のプロ
ツト図、第10図は双安定光学デバイスとしての
使用例を説明する第8図の出力光強さ対入力光強
さのプロツト図、第11図は超格子を用いる位相
共役ミラーの略図である。 26……光学スイツチング・デバイス、28…
…インターフエイス、30……線形光学領域(屈
曲率n1)、32……非線形光学領域(屈折率n
2)、34,36……交互層。
Claims (1)
- 第1の屈曲率を有する線形光学領域と;その線
形光学領域とのインターフエイスを有するととも
に、受ける照射がある条件下にあるときは前記第
1の屈曲率よりも小さい、第2の屈曲率を有する
超格子領域と;前記線形光学領域の方から前記イ
ンターフエイスを光で照射する照射手段であつて
、少くともその光の強度が或る値にあるときは、
前記インターフエイスで全反射されるような角度
で、その光を前記インターフエイスに入射させる
照射手段とを備えた光学デバイス。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US43216782A | 1982-10-01 | 1982-10-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63144622U true JPS63144622U (ja) | 1988-09-22 |
Family
ID=23715030
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18292983A Pending JPS5991425A (ja) | 1982-10-01 | 1983-09-30 | 非線形領域として超格子を用いた光学デイバイス |
JP3627988U Pending JPS63144622U (ja) | 1982-10-01 | 1988-03-18 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18292983A Pending JPS5991425A (ja) | 1982-10-01 | 1983-09-30 | 非線形領域として超格子を用いた光学デイバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPS5991425A (ja) |
CA (1) | CA1248381A (ja) |
DE (1) | DE3335318A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0171192A1 (en) * | 1984-07-11 | 1986-02-12 | Hitachi, Ltd. | Optical bistable device |
JPH0719001B2 (ja) * | 1984-12-06 | 1995-03-06 | 日本電気株式会社 | 半導体光スイツチ |
US4834511A (en) * | 1985-08-06 | 1989-05-30 | Plessey Overseas Limited | Optical resonant assembly |
JPH0711656B2 (ja) * | 1986-02-17 | 1995-02-08 | 日本電気株式会社 | 光双安定素子 |
JPH0727148B2 (ja) * | 1986-06-17 | 1995-03-29 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 光システム |
US4896931A (en) * | 1988-08-18 | 1990-01-30 | North American Philips Corp. | Frequency doubling device |
JP2513309B2 (ja) * | 1989-04-13 | 1996-07-03 | 日本電気株式会社 | 半導体積層構造 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4163238A (en) * | 1978-06-09 | 1979-07-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Infrared semiconductor device with superlattice region |
US4208667A (en) * | 1978-06-09 | 1980-06-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Controlled absorption in heterojunction structures |
JPS5795690A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated type photo bistable element |
-
1983
- 1983-08-17 CA CA000434816A patent/CA1248381A/en not_active Expired
- 1983-09-29 DE DE19833335318 patent/DE3335318A1/de not_active Withdrawn
- 1983-09-30 JP JP18292983A patent/JPS5991425A/ja active Pending
-
1988
- 1988-03-18 JP JP3627988U patent/JPS63144622U/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4163238A (en) * | 1978-06-09 | 1979-07-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Infrared semiconductor device with superlattice region |
US4208667A (en) * | 1978-06-09 | 1980-06-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Controlled absorption in heterojunction structures |
JPS5795690A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated type photo bistable element |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3335318A1 (de) | 1984-04-05 |
CA1248381A (en) | 1989-01-10 |
JPS5991425A (ja) | 1984-05-26 |
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