JPS63137163A - レ−ザ蒸着式複合膜形成装置 - Google Patents
レ−ザ蒸着式複合膜形成装置Info
- Publication number
- JPS63137163A JPS63137163A JP28372286A JP28372286A JPS63137163A JP S63137163 A JPS63137163 A JP S63137163A JP 28372286 A JP28372286 A JP 28372286A JP 28372286 A JP28372286 A JP 28372286A JP S63137163 A JPS63137163 A JP S63137163A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- irradiated
- laser
- composite film
- laser beam
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は1例えばC02レーザを用いて、異種類のセ
ラミックス等を基材に蒸着させ複合膜を形成させるレー
ザ蒸着式複合膜形成装置に関するものである。
ラミックス等を基材に蒸着させ複合膜を形成させるレー
ザ蒸着式複合膜形成装置に関するものである。
基材に膜を形成させる技術としては、物理蒸着(PVD
)法、化学蒸着(CV D) B、 mMiLなど様々
な方法があり2例えば特開昭59−116373号公報
に、レーザ蒸着装置について記載されている。これらの
成膜法で、2種以上の物質を複合して膜形成を行う方法
としては、成膜後熱処理を施し拡散による複合膜を形成
する方法、成膜したい2種以上の物質を同時に基板に供
給する方法がある。
)法、化学蒸着(CV D) B、 mMiLなど様々
な方法があり2例えば特開昭59−116373号公報
に、レーザ蒸着装置について記載されている。これらの
成膜法で、2種以上の物質を複合して膜形成を行う方法
としては、成膜後熱処理を施し拡散による複合膜を形成
する方法、成膜したい2種以上の物質を同時に基板に供
給する方法がある。
成膜後熱処理を施す場合、膜中の原子と、他の膜あるい
は基板中の原子とが十分に相互拡散して混ざり合うこと
ができる温度域に保持することにより、複合膜を形成さ
せることができる。
は基板中の原子とが十分に相互拡散して混ざり合うこと
ができる温度域に保持することにより、複合膜を形成さ
せることができる。
成膜したい2種以上の物質を同時に基板に供給する場合
は蒸着物質供給源を、2種以上の物質の混合物として、
同時に蒸発させ、基板上に供給する方法、2つ以上の蒸
発物質供給源を用いて2種以上の物質を別々に蒸発させ
、これらを基板上に同時に供給する方法があり、同時に
供給する物質の比率を制御することによって任意の複合
膜を形成させることができる。
は蒸着物質供給源を、2種以上の物質の混合物として、
同時に蒸発させ、基板上に供給する方法、2つ以上の蒸
発物質供給源を用いて2種以上の物質を別々に蒸発させ
、これらを基板上に同時に供給する方法があり、同時に
供給する物質の比率を制御することによって任意の複合
膜を形成させることができる。
上記のような方法のうち、成膜後熱処理を施す方法では
、膜及び基材を原子の相互拡散が所要な範囲でSこり得
る高温域(セラミックスρjえばTiCであれば130
0’c程度)に保持する必要があり、膜及び基材の質(
例えば結晶構造)や特性(例えば強度〕などが変化して
しまう場合がある。
、膜及び基材を原子の相互拡散が所要な範囲でSこり得
る高温域(セラミックスρjえばTiCであれば130
0’c程度)に保持する必要があり、膜及び基材の質(
例えば結晶構造)や特性(例えば強度〕などが変化して
しまう場合がある。
また、できた複合膜の組成や組成分布を制御できない。
成膜したい2種以上の物質を、同時に基板に供給する方
法では、蒸着物質供給源を2種以上の物質の混合物とし
た場合、所要の組成及び膜質の複合膜を得られる様に蒸
着物質供給源の混合物を組成を変えて作らなければなら
ない。
法では、蒸着物質供給源を2種以上の物質の混合物とし
た場合、所要の組成及び膜質の複合膜を得られる様に蒸
着物質供給源の混合物を組成を変えて作らなければなら
ない。
これらの方法に比べて、基板に蒸着したい物質を同時に
保給する方法のうち、2つ以上の蒸発物質供給源を用い
て、蒸発したい物質を別々に蒸発させ、これらを基板上
に同時に供給する方法は。
保給する方法のうち、2つ以上の蒸発物質供給源を用い
て、蒸発したい物質を別々に蒸発させ、これらを基板上
に同時に供給する方法は。
蒸発物質供給源の物質が単一組成で良いこと、成膜後の
熱処理が必要でなく、蒸発速度や供給速度を制御すれば
組性及び組成分布が制御できることから、複合膜の形成
方法としては最も膜質を制御できる方法である。
熱処理が必要でなく、蒸発速度や供給速度を制御すれば
組性及び組成分布が制御できることから、複合膜の形成
方法としては最も膜質を制御できる方法である。
しかしながら、2種以上の蒸着物質供給源を1つのチャ
ンバー内に設置すると、装!構成が複雑かつ高コストに
なり、蒸着条件9例えば蒸着雰囲気の制御が複雑になる
。蒸着させることができる物質が蒸発物質の生成法及び
蒸着雰囲気によって制限される。適時、任意の比率で蒸
発物質を基板上に供給させる制御法が複雑になるといっ
た問題点があった。
ンバー内に設置すると、装!構成が複雑かつ高コストに
なり、蒸着条件9例えば蒸着雰囲気の制御が複雑になる
。蒸着させることができる物質が蒸発物質の生成法及び
蒸着雰囲気によって制限される。適時、任意の比率で蒸
発物質を基板上に供給させる制御法が複雑になるといっ
た問題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、簡略かつ低コストで、多種類の複合膜が容易に制御
良く形成できるレーザ蒸着式複合膜形成装置を得ること
を目的とする。
で、簡略かつ低コストで、多種類の複合膜が容易に制御
良く形成できるレーザ蒸着式複合膜形成装置を得ること
を目的とする。
この発明のレーザ蒸着式複合膜形成装置は、真空雰囲気
中で被照射材にレーザビームを集光照射し、被照射材の
粒子を蒸発さ電その粒子が蒸着される位置に配置した基
材に、その粒子の蒸着膜を形成させるものに8いて、異
種類の被照射材をレーザビームによってそれぞれ蒸発さ
せ、同時に蒸着することによって複合膜を形成するよう
にしたことを特徴とするものである。
中で被照射材にレーザビームを集光照射し、被照射材の
粒子を蒸発さ電その粒子が蒸着される位置に配置した基
材に、その粒子の蒸着膜を形成させるものに8いて、異
種類の被照射材をレーザビームによってそれぞれ蒸発さ
せ、同時に蒸着することによって複合膜を形成するよう
にしたことを特徴とするものである。
この発明においては、レーザビームを、同時に蒸着させ
たい被照射材に集光照射することにより。
たい被照射材に集光照射することにより。
複合膜の種類を制御することができ、装置が極めて簡略
となる。
となる。
また、被照射材としては高融点のセラミックスを含む広
い範囲の物質を使うことができることにより1例えば金
属とセラミックス、セラミックスとセラミックスといっ
た広い種類の複合膜の形成が可能になる。
い範囲の物質を使うことができることにより1例えば金
属とセラミックス、セラミックスとセラミックスといっ
た広い種類の複合膜の形成が可能になる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は、この発明の一実施例の構成図であり図に2い
てfil +21は、別々の発振B(ダ1えばco2レ
ーザ発振器)より発振されたレーザ光、 +31141
はレーザ光fll+21を集光する集光レンズ、 1F
51f61は+31 +41で集光されたレーザ光を真
空チャンバG[l内に導く透過窓、 +71+81は(
51161により導かれた集光されたレーザ光を照射さ
れる各々異種類の第1.第2被照射材、(9)はレーザ
光の集光照射により(7)(8)より蒸発した粒子を付
着・堆積させる基材である。
てfil +21は、別々の発振B(ダ1えばco2レ
ーザ発振器)より発振されたレーザ光、 +31141
はレーザ光fll+21を集光する集光レンズ、 1F
51f61は+31 +41で集光されたレーザ光を真
空チャンバG[l内に導く透過窓、 +71+81は(
51161により導かれた集光されたレーザ光を照射さ
れる各々異種類の第1.第2被照射材、(9)はレーザ
光の集光照射により(7)(8)より蒸発した粒子を付
着・堆積させる基材である。
上記のように構成されたレーザ蒸着式複合膜形成装置に
おいては例えばtOtorrに排気された真空雰囲気中
で、レーザ光(11は集光レンズ(3)により集光され
、透過窓(5)より真空チャンバーα〔内に導かれ第1
被照射材(7)に集光照射され、第1被照射材(7)の
粒子が蒸発する。同様にレーザ光(2)は集光レンズ1
4)により集光され透過窓(6)より真空チャンバー0
1内に導かれ、第2被照射材(81に集光照射され、第
2被照射材(8)の粒子が蒸発する。第1被照射材(7
)及び第2被照射材(8)は、蒸発する粒子が基材(9
)の方向へ向かう様な角変に傾けてあり、蒸発した粒子
は基材(9)上に同時に蒸着される。
おいては例えばtOtorrに排気された真空雰囲気中
で、レーザ光(11は集光レンズ(3)により集光され
、透過窓(5)より真空チャンバーα〔内に導かれ第1
被照射材(7)に集光照射され、第1被照射材(7)の
粒子が蒸発する。同様にレーザ光(2)は集光レンズ1
4)により集光され透過窓(6)より真空チャンバー0
1内に導かれ、第2被照射材(81に集光照射され、第
2被照射材(8)の粒子が蒸発する。第1被照射材(7
)及び第2被照射材(8)は、蒸発する粒子が基材(9
)の方向へ向かう様な角変に傾けてあり、蒸発した粒子
は基材(9)上に同時に蒸着される。
蒸発する粒子の蒸発j!(蒸発速腐)は、第1゜第2被
照射材tel [81に集光照射するレーザ光の出力。
照射材tel [81に集光照射するレーザ光の出力。
すなわちレーザ光(1)(2)の出力を制御することに
より、適時、変えることができる。よって、レーザ光f
l++21の出力比、すなわち蒸発する粒子の蒸発量(
蒸発速度〕比を適時変えることにより、蒸着複合膜の組
成を一定にすることも、変化させていくこともできるの
で、膜組成が自由に制御可能である。
より、適時、変えることができる。よって、レーザ光f
l++21の出力比、すなわち蒸発する粒子の蒸発量(
蒸発速度〕比を適時変えることにより、蒸着複合膜の組
成を一定にすることも、変化させていくこともできるの
で、膜組成が自由に制御可能である。
なお、上記実施例では、被照射材の蒸発度(蒸発速度)
比はレーザ光fi+ 121の出力比を変えることによ
って変えているが、集光レンズ+31 +41の位置を
移動し、被照射材に照射されるレーザ光のパワー密度(
W/7)を変えることにより蒸発粒子の蒸発量を制御す
ることもできる。第2図は、この発明の他の実施例のレ
ーザ蒸着式複合膜形成装置の構成図であり、上記−例で
あり、集光レンズ+31 +41が上下に可動になって
Sす、この位置を変えることにより、レーザ光の焦点位
置を変え、被照射材上でのレーザ光のパワー密II’
(W/c7It)を制御する。
比はレーザ光fi+ 121の出力比を変えることによ
って変えているが、集光レンズ+31 +41の位置を
移動し、被照射材に照射されるレーザ光のパワー密度(
W/7)を変えることにより蒸発粒子の蒸発量を制御す
ることもできる。第2図は、この発明の他の実施例のレ
ーザ蒸着式複合膜形成装置の構成図であり、上記−例で
あり、集光レンズ+31 +41が上下に可動になって
Sす、この位置を変えることにより、レーザ光の焦点位
置を変え、被照射材上でのレーザ光のパワー密II’
(W/c7It)を制御する。
また、上記実施例では、2本のビームは別々の発振器よ
り得ているが、第2図に示すように、1基のレーザ発振
503. F!IIえばC02レーザ発振器より発振さ
れたレーザ光0着を、ビームスプリッタ−03によりレ
ーザ光il+及びレーザ光(2)に分光し。
り得ているが、第2図に示すように、1基のレーザ発振
503. F!IIえばC02レーザ発振器より発振さ
れたレーザ光0着を、ビームスプリッタ−03によりレ
ーザ光il+及びレーザ光(2)に分光し。
透過させた方のレーザ光(IIは9反射鏡allで光路
転換して、2本のレーザ光を真空チャンバー内に導くよ
うにしてもよい。この方法を用いれば、ビームスプリッ
タ−を使って1本のレーザ光をい(っにも分光できるの
で、1基のレーザ発振器だけで2種以上の被照射材をい
くつでも同時に蒸発させることができるため、複合膜形
成装置として極めて合理的である。
転換して、2本のレーザ光を真空チャンバー内に導くよ
うにしてもよい。この方法を用いれば、ビームスプリッ
タ−を使って1本のレーザ光をい(っにも分光できるの
で、1基のレーザ発振器だけで2種以上の被照射材をい
くつでも同時に蒸発させることができるため、複合膜形
成装置として極めて合理的である。
なお、レーザ光としては、co2レーザ以外にYAGレ
ーザ等を用いてもよい。
ーザ等を用いてもよい。
又、被照射材としては9例えば種々のセラミックスおよ
び種々の金属等広い種類の材料を用いることができる。
び種々の金属等広い種類の材料を用いることができる。
この発明は9以上説明したと8つ、真空雰囲気中で被照
射材にレーザビームを集光照射し、被照射材の粒子を蒸
発さ電その粒子が蒸着される位置に配置した基材に、そ
の粒子の蒸着膜を形成させるものにおいて、異種類の被
照射材をレーザビームによってそれぞれ蒸発させ、同時
に蒸着することによって複合膜を形成するようにしたこ
とを特徴とするものを用いることにより、簡略かつ低コ
ストで、多種類の複合膜が容易に制御長(形成できるレ
ーザ蒸着式複合膜形成装置を得ることができる。
射材にレーザビームを集光照射し、被照射材の粒子を蒸
発さ電その粒子が蒸着される位置に配置した基材に、そ
の粒子の蒸着膜を形成させるものにおいて、異種類の被
照射材をレーザビームによってそれぞれ蒸発させ、同時
に蒸着することによって複合膜を形成するようにしたこ
とを特徴とするものを用いることにより、簡略かつ低コ
ストで、多種類の複合膜が容易に制御長(形成できるレ
ーザ蒸着式複合膜形成装置を得ることができる。
第1図はこの発明の一実施例の構成図、第2図はこの発
明の他の実施例の構成図である。 図において、 +II、 +21はレーザ光、(7ン、
(8)は第1゜第2被照射材、(9)は基材、αQは真
空チャンバーである。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
明の他の実施例の構成図である。 図において、 +II、 +21はレーザ光、(7ン、
(8)は第1゜第2被照射材、(9)は基材、αQは真
空チャンバーである。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (11真空雰囲気中で被照射材にレーザビームを集光照
射し、被照射材の粒子を蒸発さ電その粒子が蒸着される
位置に配置した基材に、その粒子の蒸着膜を形成させる
ものにおいて、異種類の被照射材をレーザビームによつ
てそれぞれ蒸発させ、 同時に蒸着することによつて複合膜を形成するようにし
たことを特徴とするレーザ蒸着式複合膜形成装置。 (2)それぞれの被照射材に照射するレーザビーム密度
を制御することにより、それぞれの被照射材の蒸発量の
比率を制御する特許請求の範囲第1項記載のレーザ蒸着
式複合膜形成装置。 (3)レーザビームの密度の制御は、レーザビームの焦
点位置を制御することにより行なう特許請求の範囲第2
項記載のレーザ蒸着式複合膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28372286A JPS63137163A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | レ−ザ蒸着式複合膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28372286A JPS63137163A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | レ−ザ蒸着式複合膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63137163A true JPS63137163A (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=17669240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28372286A Pending JPS63137163A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | レ−ザ蒸着式複合膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63137163A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS648266A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Laser beam vapor deposition method |
JPH03191055A (ja) * | 1989-12-13 | 1991-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高エネルギー源を用いた付着方法 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP28372286A patent/JPS63137163A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS648266A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Laser beam vapor deposition method |
JPH03191055A (ja) * | 1989-12-13 | 1991-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高エネルギー源を用いた付着方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02310363A (ja) | レーザ蒸着装置 | |
JPS63137163A (ja) | レ−ザ蒸着式複合膜形成装置 | |
JPH04232258A (ja) | パルスレーザビームを用いる基板上の層の形成方法 | |
JPH02270962A (ja) | スパッタリング方法 | |
JP3351477B2 (ja) | 固体レーザー結晶薄膜作成方法および固体レーザー結晶薄膜作成装置 | |
JPH04295851A (ja) | フォトマスク修正装置 | |
JPH03122283A (ja) | 基板表面の被覆装置 | |
Kreutz et al. | Large area pulsed laser deposition of ceramic films | |
JPS63145769A (ja) | レ−ザコ−テイング装置 | |
JPH0248627B2 (ja) | Hakumakukeiseibuhinnoseizohohooyobisochi | |
JPH03174306A (ja) | 酸化物超電導体の製造方法 | |
KR100403799B1 (ko) | 고온 초전도 박막 제조장치 | |
JPH03142921A (ja) | 3―5族化合物半導体薄膜製造装置 | |
JPH04182317A (ja) | 酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
JPH07331422A (ja) | レーザ・アブレーション装置 | |
US20090087581A1 (en) | Manufacturing diffractive optical elements | |
JPS60241219A (ja) | レ−ザ利用薄膜形成方法 | |
JPS62224669A (ja) | レ−ザセラミツクスコ−テイング方法 | |
JPH02221120A (ja) | 超伝導薄膜の製造方法 | |
JPH01208454A (ja) | レーザー光加熱による真空蒸着膜の形成法 | |
JPH02104658A (ja) | Co↓2レーザ蒸着方法における酸化物超電導皮膜の形成方法 | |
JPH01208455A (ja) | レーザ真空蒸着装置 | |
JPH0575825B2 (ja) | ||
JPS6353258A (ja) | Pvd方法および装置 | |
JPH03199372A (ja) | レーザ蒸着用ターゲットおよびレーザ蒸着方法と装置 |