JPS63134662A - 高硬度窒化硼素の合成法 - Google Patents
高硬度窒化硼素の合成法Info
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- JPS63134662A JPS63134662A JP27936086A JP27936086A JPS63134662A JP S63134662 A JPS63134662 A JP S63134662A JP 27936086 A JP27936086 A JP 27936086A JP 27936086 A JP27936086 A JP 27936086A JP S63134662 A JPS63134662 A JP S63134662A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は高硬度な立方晶窒化硼素の合成法に係り、詳
しくは非常に高硬度を有するだけでなく、熱伝導率に富
み、化学的に安定で加えてダイヤモンドとは異なり、鉄
族金属に対する耐性にもすぐれていることから切削工具
、耐摩工具などの工具材料、さらにはヒートシンクなど
の電子材料として用いられる立方晶窒化硼素を気相より
基材表面に析出させる方法に関するものである。
しくは非常に高硬度を有するだけでなく、熱伝導率に富
み、化学的に安定で加えてダイヤモンドとは異なり、鉄
族金属に対する耐性にもすぐれていることから切削工具
、耐摩工具などの工具材料、さらにはヒートシンクなど
の電子材料として用いられる立方晶窒化硼素を気相より
基材表面に析出させる方法に関するものである。
〈従来の技術〉
従来、窒化硼素の製造法としては、
＋１１ １１１ｆ４を含有する蒸発源から基体上に硼素
分子を蒸着させるとともに、少なくとも窒素を含むイオ
ン種を発生せしめるイオン発生源から基体上に該イオン
種を照射して、該基体上に窒化硼素を析出せしめる窒化
ｔＩｌ素膜の製造方法（特公昭６０−１８１２６２号公
報）。
分子を蒸着させるとともに、少なくとも窒素を含むイオ
ン種を発生せしめるイオン発生源から基体上に該イオン
種を照射して、該基体上に窒化硼素を析出せしめる窒化
ｔＩｌ素膜の製造方法（特公昭６０−１８１２６２号公
報）。
＋２１ Ｎ２ ＋ Ｎ２プラズマによるＩＩＩ素の化
学輸送を行なうことによって立方晶窒化硼素を生成させ
る方法（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｌ１ａｔｅｒｉａｌ
５ｃｉｅｎｃｅ １ｅｔｔｅｒｓ ４、（１９８５）
、Ｐ５１〜５４）。
学輸送を行なうことによって立方晶窒化硼素を生成させ
る方法（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｌ１ａｔｅｒｉａｌ
５ｃｉｅｎｃｅ １ｅｔｔｅｒｓ ４、（１９８５）
、Ｐ５１〜５４）。
＋３１ ＨＣＤ ｏｕｎで硼素を蒸発させながら、Ｉ
ｌｏｌｌｏｗＡｎｏｄｅからＮ２をイオン化して基板に
放射し、基板には高周波を印加して５ｅｌｆ ｂｉａｓ
効果をもたせて立方晶窒化硼素を生成する方法（Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎ９．９ ｔｈ、 ５ｙｎｐｏｓｉｕｎ ｏ
ｎ Ｉｏｎ ５ｏｕｒｃｅ Ｉｏｎ ＡｓｉｓｔｅｄＴ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｎｏｄｅ ８５ 、Ｔｏｋｙｏ
（１９８５））。
ｌｏｌｌｏｗＡｎｏｄｅからＮ２をイオン化して基板に
放射し、基板には高周波を印加して５ｅｌｆ ｂｉａｓ
効果をもたせて立方晶窒化硼素を生成する方法（Ｐｒｏ
ｃｅｅｄｉｎ９．９ ｔｈ、 ５ｙｎｐｏｓｉｕｎ ｏ
ｎ Ｉｏｎ ５ｏｕｒｃｅ Ｉｏｎ ＡｓｉｓｔｅｄＴ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｎｏｄｅ ８５ 、Ｔｏｋｙｏ
（１９８５））。
＋４＋ ｉｌｌ素原子含有固体にＥ８を当てることに
より、硼素を蒸発させ、それに窒素原子含有ガスを流し
こみ、硼素および窒素を同時にイオン化することにより
、基材表面に立方晶窒化硼素を生成する方法（真空、第
２８巻、第７号、１９８５）。
より、硼素を蒸発させ、それに窒素原子含有ガスを流し
こみ、硼素および窒素を同時にイオン化することにより
、基材表面に立方晶窒化硼素を生成する方法（真空、第
２８巻、第７号、１９８５）。
などが知られている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、上記、（１）の方法はイオンビームを発
生する装置および集束装置が高価であることが欠点とさ
れ、（２）の方法は高出力のＲＦプラズマを成膜に利用
していることにより、反応系からの不純物が混入しやす
い。（３）の方法は（１）の方法と同じくイオンビーム
を発生する装置およびその集束装置が高価であることと
、不活性ガスの原子が析出した窒化硼素に取り込まれる
欠点がある。また（４）の方法においては、硼素は融点
と沸点が近いため、Ｅ８を当てることにより、突沸しや
すく制御が困難であるという欠点を有しているのである
。
生する装置および集束装置が高価であることが欠点とさ
れ、（２）の方法は高出力のＲＦプラズマを成膜に利用
していることにより、反応系からの不純物が混入しやす
い。（３）の方法は（１）の方法と同じくイオンビーム
を発生する装置およびその集束装置が高価であることと
、不活性ガスの原子が析出した窒化硼素に取り込まれる
欠点がある。また（４）の方法においては、硼素は融点
と沸点が近いため、Ｅ８を当てることにより、突沸しや
すく制御が困難であるという欠点を有しているのである
。
く問題点を解決するための手段〉
この発明は上記した従来法の欠点を解消した窒化硼素の
合成法を得るべく検討の結果見出されたものである。
合成法を得るべく検討の結果見出されたものである。
即ち、この発明は団ｌＡ原子含有ガス、窒素原子含有ガ
スをエキシマレーザ−ＣＶＤ法にて分解、励起状態とし
たのち、高周波プラズマ中を通過せしめることにより３
００〜２０００℃に加熱した基板表面に導入して立方晶
窒化１素を析出させることを特徴とする高硬度窒化硼素
の合成法を提供することを目的とするものである。
スをエキシマレーザ−ＣＶＤ法にて分解、励起状態とし
たのち、高周波プラズマ中を通過せしめることにより３
００〜２０００℃に加熱した基板表面に導入して立方晶
窒化１素を析出させることを特徴とする高硬度窒化硼素
の合成法を提供することを目的とするものである。
く作用〉
この発明においては、硼素原子含有ガスおよび窒素原子
含有ガスの混合ガスをエキシマレーザ−中を通過せしめ
ることにより分解、励起し、励起状の硼素原子および窒
素原子を生成せしめる。かつその励起状の硼素原子およ
び窒素原子をさらに高周波プラズマ中を通過させること
により、より高次のエネルギーを有し、加熱した基板上
において立方晶窒化ｉ木を生成する。
含有ガスの混合ガスをエキシマレーザ−中を通過せしめ
ることにより分解、励起し、励起状の硼素原子および窒
素原子を生成せしめる。かつその励起状の硼素原子およ
び窒素原子をさらに高周波プラズマ中を通過させること
により、より高次のエネルギーを有し、加熱した基板上
において立方晶窒化ｉ木を生成する。
このように、この発明においては成膜プロセスとしてエ
キシマレーザ−および高周波プラズマを使用する。
キシマレーザ−および高周波プラズマを使用する。
上記において、エキシマレーザ−のみ、あるいは高周波
プラズマのみを成膜手段として用いた場合、原料源であ
る硼素原子と窒素原子を互いにｓ ｐ ３結合を行なわ
せるには反応エネルギーが不足するため、非晶質窒化硼
素や六方晶窒化硼素を作成しやすい。
プラズマのみを成膜手段として用いた場合、原料源であ
る硼素原子と窒素原子を互いにｓ ｐ ３結合を行なわ
せるには反応エネルギーが不足するため、非晶質窒化硼
素や六方晶窒化硼素を作成しやすい。
これに対して、エキシマレーザ−と高周波プラズマの２
つの成膜手段を組合せて利用した場合、硼素原子と窒素
原子が互いにｓ ｐ ３結合を起こすのに充分な反応エ
ネルギーが得られるのである。
つの成膜手段を組合せて利用した場合、硼素原子と窒素
原子が互いにｓ ｐ ３結合を起こすのに充分な反応エ
ネルギーが得られるのである。
上記においてエキシマレーザ−出力は１〜１００Ｗの範
囲が好適である。これは１Ｗより小さいと、成膜速度が
非常に小さくなり、かつ原料源を励起するのに不足し、
また１００Ｗより大きいと、媒質ガスの寿命が短くなる
ため、出力減衰が顕著となり、安定した出力を得ること
はできない。
囲が好適である。これは１Ｗより小さいと、成膜速度が
非常に小さくなり、かつ原料源を励起するのに不足し、
また１００Ｗより大きいと、媒質ガスの寿命が短くなる
ため、出力減衰が顕著となり、安定した出力を得ること
はできない。
次に高周波プラズマの出ツノは１００ｗ以上が好ましい
。これは１００Ｗより小さいと、励起硼素原子と励起窒
素原子を互いにｓ ｐ３結合を行なわせるにはエネルギ
ーが不足するためである。
。これは１００Ｗより小さいと、励起硼素原子と励起窒
素原子を互いにｓ ｐ３結合を行なわせるにはエネルギ
ーが不足するためである。
基板温度は３００℃より低いと、励起状態の硼素原子と
窒素原子が互いにｓ ｐ ３結合する熱エネルギーとし
て不足し、また２０００℃より高くなると、成膜する窒
化硼素膜から窒素が抜は出てしまうため、３００〜２０
００℃が好ましい。
窒素原子が互いにｓ ｐ ３結合する熱エネルギーとし
て不足し、また２０００℃より高くなると、成膜する窒
化硼素膜から窒素が抜は出てしまうため、３００〜２０
００℃が好ましい。
この発明において、使用するエキシマレーザ−の媒質ガ
スとしてはＡｒＦ、 ￥−ｒＦ、Ｆ２ガスなどが用い
られる。
スとしてはＡｒＦ、 ￥−ｒＦ、Ｆ２ガスなどが用い
られる。
硼素原子含有ガス中の硼素原子数および窒素原子含有ガ
ス中の窒素原子数の比はＢ／Ｎ＝ ０．１〜１０の範囲
が好ましい。これはＢ／Ｎ＜０．１の時は非晶質状の窒
化硼素の膜が析出されやすく、Ｂ／Ｎ〉１００時は硼素
が過剰となり、非晶質状の硼素が形成されやすいためで
ある。
ス中の窒素原子数の比はＢ／Ｎ＝ ０．１〜１０の範囲
が好ましい。これはＢ／Ｎ＜０．１の時は非晶質状の窒
化硼素の膜が析出されやすく、Ｂ／Ｎ〉１００時は硼素
が過剰となり、非晶質状の硼素が形成されやすいためで
ある。
硼素原子含有ガスとしてＢ２ＨいＢＣｌ３、ＢＢｒ＊、
Ｂ、Ｎ、Ｈ６などが挙げられ、窒素原子含有ガスとじて
はＮ２、Ｎ ８３等が用いられる。
Ｂ、Ｎ、Ｈ６などが挙げられ、窒素原子含有ガスとじて
はＮ２、Ｎ ８３等が用いられる。
なおこの発明で高硬度窒化硼素合成に際しては、第１図
あるいは第２図に概略図として示す製造装置を使用する
。そして第１図は基板をヒーターにて加熱するタイプで
あり、第２図は高周波プラズマ中に基板が位置している
のでプラズマ強度によって基板温度を調節できるタイプ
である。
あるいは第２図に概略図として示す製造装置を使用する
。そして第１図は基板をヒーターにて加熱するタイプで
あり、第２図は高周波プラズマ中に基板が位置している
のでプラズマ強度によって基板温度を調節できるタイプ
である。
両図におりて、１は硼素原子含有ガス供給装置、２は窒
素原子含有ガス供給装置、３はエキシマレーザ−発生装
置、４は反応室、５はエキシマレーザ−ガイド、６はエ
キシマレーザ−１７は基板、８は基板支持台、９はヒー
ター、１０は高周波コイル、１１は高周波電源、１２は
コック、１３は排気装置、１４は排気口である。
素原子含有ガス供給装置、３はエキシマレーザ−発生装
置、４は反応室、５はエキシマレーザ−ガイド、６はエ
キシマレーザ−１７は基板、８は基板支持台、９はヒー
ター、１０は高周波コイル、１１は高周波電源、１２は
コック、１３は排気装置、１４は排気口である。
〈実施例〉
以下実施例によりこの発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図に示す製造装置を用い、シリコンウェハーを基板
として使用し、原料ガスとしてジボランおよび窒素を夫
々２０ｃｃ／ｌ１ｉｎ、 １０ｃｃ／ｍ１ｎｔした。
として使用し、原料ガスとしてジボランおよび窒素を夫
々２０ｃｃ／ｌ１ｉｎ、 １０ｃｃ／ｍ１ｎｔした。
反応管内圧力は０． ＩＴｏｒｒに調整し、基板温度を
９００℃とした。エキシマレーザ−としてＡｒ Ｆレー
ザーを使用し、レーザー出力は２０ｗとした。高周波周
波数は１３．５６ Ｍ ｌ−１ｚ 、高周波出力は５０
０Ｗとし、成膜時間は４時間とした。
９００℃とした。エキシマレーザ−としてＡｒ Ｆレー
ザーを使用し、レーザー出力は２０ｗとした。高周波周
波数は１３．５６ Ｍ ｌ−１ｚ 、高周波出力は５０
０Ｗとし、成膜時間は４時間とした。
成膜終了後、６μ而面度の窒化硼′ｉＡ膜が析出され、
Ｘ１１回折で評価したところ、２０ ＝ ４３．２度付
近に鋭いピークを検出し、立方晶窒化硼素であると固定
した。
Ｘ１１回折で評価したところ、２０ ＝ ４３．２度付
近に鋭いピークを検出し、立方晶窒化硼素であると固定
した。
実施例２
第２図に示す製造装置を用い、シリコンウェハーを基板
として使用し、原料ガスとして塩化硼素、窒素を夫々８
ｃｃ／ｎｔｎ、 １６ｃｃ／ｎ１ｎｉした。
として使用し、原料ガスとして塩化硼素、窒素を夫々８
ｃｃ／ｎｔｎ、 １６ｃｃ／ｎ１ｎｉした。
反応管内圧力は０．３Ｔｏｒｒに調整し、基板温度を１
１００℃とした。エキシマレーザ−としてに、Ｆレーザ
ーを使用し、レーザー出力は３０ｗとした。高周波周波
数は１３．５６ Ｍ ＨＺ 、高周波出力は１ｋｗとし
、成膜時間は７時間とした。
１００℃とした。エキシマレーザ−としてに、Ｆレーザ
ーを使用し、レーザー出力は３０ｗとした。高周波周波
数は１３．５６ Ｍ ＨＺ 、高周波出力は１ｋｗとし
、成膜時間は７時間とした。
成膜終了後、１２μｍ程度の窒化硼Ｘ膜が析出され、ラ
マン分析で評価したところ１３１０ｃ、−１と１０５５
ｃＪ＋−１付近に鋭いピークを検出し、立方晶窒化硼素
と同定できた。
マン分析で評価したところ１３１０ｃ、−１と１０５５
ｃＪ＋−１付近に鋭いピークを検出し、立方晶窒化硼素
と同定できた。
実施例３
第１図に示す製造装置を使用した。
モリブデンを基板として用い、原料ガスとしてフッ化硼
素、アンモニアを夫々１０ｃｃ／１ｎ、 ３０ｃｃ／１
ｎ流した。反応管内圧力は０．２Ｔｏｒｒに調整し、基
板温度を８００℃とした。成膜手段としてエキシマレー
ザ−は使用せず、高周波プラズマのみとし、高周波周波
数１３．５６ Ｍ ＨＺ 、高周波出力を４００ｗとし
、成膜時間を５時間とした。
素、アンモニアを夫々１０ｃｃ／１ｎ、 ３０ｃｃ／１
ｎ流した。反応管内圧力は０．２Ｔｏｒｒに調整し、基
板温度を８００℃とした。成膜手段としてエキシマレー
ザ−は使用せず、高周波プラズマのみとし、高周波周波
数１３．５６ Ｍ ＨＺ 、高周波出力を４００ｗとし
、成膜時間を５時間とした。
成膜修了後、５μ乳程度の窒化硼素膜が析出され、Ｘ８
回折で評価したところ、２θ＝ ２６．７度および４３
．２度付近に夫々広いピークを検出し、六方晶窒化ｌＩ
Ｉ素および立方晶窒化ｉｓの混在した薄膜であることが
認められた。
回折で評価したところ、２θ＝ ２６．７度および４３
．２度付近に夫々広いピークを検出し、六方晶窒化ｌＩ
Ｉ素および立方晶窒化ｉｓの混在した薄膜であることが
認められた。
実施例４
上記実施例１〜３の条件を用いてＷＣＣ超超硬合金ある
ＴＮＭＧ４３２をチップとして用いて該チップ上にコー
ティングを行ない、切削テストを行なりた。
ＴＮＭＧ４３２をチップとして用いて該チップ上にコー
ティングを行ない、切削テストを行なりた。
比較としてコーティングを行なわないチップおよびＣＶ
Ｉ）法にてＴ、Ｎコーティングを行なったチップの切削
テストをも行なった。
Ｉ）法にてＴ、Ｎコーティングを行なったチップの切削
テストをも行なった。
コーティングは何れも被覆層厚３μｍとした。
切削テスト条件は第１表に示した。また切削テストの結
果は第２表に示した。
果は第２表に示した。
第 １ 表
第 ２ 表
上表から立方晶窒化硼素を被覆層としてチップに使用し
た場合、この発明の実施例は全て耐摩耗性にすぐれてい
ることが認められた。
た場合、この発明の実施例は全て耐摩耗性にすぐれてい
ることが認められた。
また、この発明で得たＣＢＮコートチップの鋼旋削にお
ける切削性能を切削速度と寿命時間との関係で調べたと
ころ第３図の結果を得、さらに鋳鉄切削における欠損ま
での切削時間と衝撃回数との関係を調べたところ第４図
の結果を得た。
ける切削性能を切削速度と寿命時間との関係で調べたと
ころ第３図の結果を得、さらに鋳鉄切削における欠損ま
での切削時間と衝撃回数との関係を調べたところ第４図
の結果を得た。
〈発明の効果〉
以上説明したように、この発明は耐熱衝撃性、熱伝導性
、硬度、耐摩耗性および高温における鉄族金属に対する
耐性にもすぐれる立方品窒化硼素膿を気相から析出する
新規な合成法であり、切削部材、耐摩耗部材および耐熱
部品の被覆膜として用いた場合、第２図および第３図に
示すように多大な効果を示すことが認められた。
、硬度、耐摩耗性および高温における鉄族金属に対する
耐性にもすぐれる立方品窒化硼素膿を気相から析出する
新規な合成法であり、切削部材、耐摩耗部材および耐熱
部品の被覆膜として用いた場合、第２図および第３図に
示すように多大な効果を示すことが認められた。
第１図および第２図はこの発明の方法にて用いる製造装
置の概略説明図、第３図および第４図はこの発明の方法
で得られる立方晶窒化ｌ１１素を被覆膜としたチップの
切削性能を示す図表である。 １・・・硼素原子含有ガス供給装置 ２・・・窒素原子含有ガス供給装置 ３・・・エキシマレーザ−発生装置 ４・・・反応室 ６・・・エキシマレーザ−
７・・・基板 ９・・・ヒーター１０・・
・高周波コイル １１・・・高周波電源出願人代理
人 弁理士 和 １）昭第１図 第３図 第２図 第４＠
置の概略説明図、第３図および第４図はこの発明の方法
で得られる立方晶窒化ｌ１１素を被覆膜としたチップの
切削性能を示す図表である。 １・・・硼素原子含有ガス供給装置 ２・・・窒素原子含有ガス供給装置 ３・・・エキシマレーザ−発生装置 ４・・・反応室 ６・・・エキシマレーザ−
７・・・基板 ９・・・ヒーター１０・・
・高周波コイル １１・・・高周波電源出願人代理
人 弁理士 和 １）昭第１図 第３図 第２図 第４＠
Claims (2)
- （１）硼素原子含有ガスおよび窒素原子含有ガスをエキ
シマレーザーＣＶＤ法にて分解、励起状態としたのち、
高周波プラズマ中を通過せしめることにより３００〜２
０００℃に加熱した基板表面に導入し、立方晶窒化硼素
を析出させることを特徴とする高硬度窒化硼素の合成法
。 - （２）硼素原子含有ガス中の硼素原子数と窒素原子含有
ガス中の窒素原子数との比較をＢ／Ｎ＝０．１〜１０の
範囲として反応ガスに水素を用いない特許請求の範囲第
１項記載の高硬度窒化硼素の合成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279360A JPH0819523B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | 高硬度窒化硼素の合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279360A JPH0819523B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | 高硬度窒化硼素の合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63134662A true JPS63134662A (ja) | 1988-06-07 |
| JPH0819523B2 JPH0819523B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=17610080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61279360A Expired - Lifetime JPH0819523B2 (ja) | 1986-11-22 | 1986-11-22 | 高硬度窒化硼素の合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0819523B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263549A (ja) * | 1988-08-27 | 1990-03-02 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマ反応方法及び装置 |
| US5463901A (en) * | 1991-09-27 | 1995-11-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Stacked piezoelectric surface acoustic wave device with a boron nitride layer in the stack |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063372A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 高硬度窒化ホウ素薄膜の製造方法 |
| JPS6184379A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Kyocera Corp | 高硬度窒化ホウ素膜の製法 |
| JPS61224318A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Hitachi Ltd | 気相薄膜形成装置及び方法 |
-
1986
- 1986-11-22 JP JP61279360A patent/JPH0819523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063372A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 高硬度窒化ホウ素薄膜の製造方法 |
| JPS6184379A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-28 | Kyocera Corp | 高硬度窒化ホウ素膜の製法 |
| JPS61224318A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Hitachi Ltd | 気相薄膜形成装置及び方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263549A (ja) * | 1988-08-27 | 1990-03-02 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマ反応方法及び装置 |
| US5463901A (en) * | 1991-09-27 | 1995-11-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Stacked piezoelectric surface acoustic wave device with a boron nitride layer in the stack |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0819523B2 (ja) | 1996-02-28 |
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