JPS63133568A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS63133568A JPS63133568A JP61280109A JP28010986A JPS63133568A JP S63133568 A JPS63133568 A JP S63133568A JP 61280109 A JP61280109 A JP 61280109A JP 28010986 A JP28010986 A JP 28010986A JP S63133568 A JPS63133568 A JP S63133568A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はラテラル・オーバフロードレイン（ｌａｔｅｒ
ａｌ ｏｖｅｒｆｌｏｗ ｄｒａｉｎ）構造（以下、Ｌ
−ＱＦＤ構造という）を有する固体撮像装置に関する。
ａｌ ｏｖｅｒｆｌｏｗ ｄｒａｉｎ）構造（以下、Ｌ
−ＱＦＤ構造という）を有する固体撮像装置に関する。
本発明は、Ｌ−ＯＦＤ構造を有する固体撮像装置、即ち
、半導体基板の表面側に電荷蓄積領域とオーバフローコ
ントロールゲート領域とオーバフロードレイン領域とを
設ける固体撮像装置において、オーバフローコントロー
ルゲート領域を電荷蓄積領域側に部分的に張り出させて
オーバフロードレ。
、半導体基板の表面側に電荷蓄積領域とオーバフローコ
ントロールゲート領域とオーバフロードレイン領域とを
設ける固体撮像装置において、オーバフローコントロー
ルゲート領域を電荷蓄積領域側に部分的に張り出させて
オーバフロードレ。
イン領域の変調を受けない幅を有する幅広部を形成する
と共にこの幅広部の表面側にオーバフローコントロール
ゲート領域と異なる導電型の領域を形成し、この領域を
介して電荷蓄積領域に生ずる過剰電荷をオーバフロード
レイン領域に掃き出させる様にしたことにより、オーバ
フローコントロールゲート領域の幅広部以外の部分につ
いて、その線幅の狭小化を行い、高密度化、高集積化を
図った場合において、オーバフローコントロールゲート
領域の幅広部以外の部分の線幅にバラツキが生じたとし
ても、各電荷蓄積領域の取扱電荷量の均一化を図ること
ができる様にし、良好な高解像度画像を得ることができ
る様にしたものである。
と共にこの幅広部の表面側にオーバフローコントロール
ゲート領域と異なる導電型の領域を形成し、この領域を
介して電荷蓄積領域に生ずる過剰電荷をオーバフロード
レイン領域に掃き出させる様にしたことにより、オーバ
フローコントロールゲート領域の幅広部以外の部分につ
いて、その線幅の狭小化を行い、高密度化、高集積化を
図った場合において、オーバフローコントロールゲート
領域の幅広部以外の部分の線幅にバラツキが生じたとし
ても、各電荷蓄積領域の取扱電荷量の均一化を図ること
ができる様にし、良好な高解像度画像を得ることができ
る様にしたものである。
従来、固体撮像装置として、半導体基板、例えばＰ型シ
リコン基板の表面側にＮ型領域からなる電荷蓄積領域を
形成すると共に同じくこのＰ型シリコン基板の表面側に
この電荷蓄積領域に隣接して不純物濃度が比較的高いＮ
型領域からなるオーバフロードレイン（ｏｖｅｒｆｌｏ
ｗ ｄｒａｉｎ）領域（以下、ＯＦＤ領域という）をＰ
型頭域からなるオーバフローコントロールゲート（ｏｖ
ｅｒｆｌｏｓｖ ｃｏｎｔｒｏｌ ｇａｔｅ）領域（以
下、０ＦＣＧ領域という）を介して形成する様にしたも
のが提案されている。
リコン基板の表面側にＮ型領域からなる電荷蓄積領域を
形成すると共に同じくこのＰ型シリコン基板の表面側に
この電荷蓄積領域に隣接して不純物濃度が比較的高いＮ
型領域からなるオーバフロードレイン（ｏｖｅｒｆｌｏ
ｗ ｄｒａｉｎ）領域（以下、ＯＦＤ領域という）をＰ
型頭域からなるオーバフローコントロールゲート（ｏｖ
ｅｒｆｌｏｓｖ ｃｏｎｔｒｏｌ ｇａｔｅ）領域（以
下、０ＦＣＧ領域という）を介して形成する様にしたも
のが提案されている。
斯る固体撮像装置は一般にＬ−ＯＦＤ構造の固体撮像装
置と呼ばれ、強い光が照射した場合に電荷蓄積領域に生
ずる過剰電荷を０ＦＣＧ領域を介してＯＦＤ領域に掃き
出し得る様にしたものであり、斯るＬ−ＯＦＤ構造を採
用するときは、所謂プルーミングを良好に抑制すること
が可能となる。
置と呼ばれ、強い光が照射した場合に電荷蓄積領域に生
ずる過剰電荷を０ＦＣＧ領域を介してＯＦＤ領域に掃き
出し得る様にしたものであり、斯るＬ−ＯＦＤ構造を採
用するときは、所謂プルーミングを良好に抑制すること
が可能となる。
ところで、近年、斯る固体撮像装置においては、高密度
化、高集積化を図り、即ち各ユニットセルの面積を減少
し、画素数の増加を図り、高解像度の画像を得ることが
できる様にすることが強く要請されている。
化、高集積化を図り、即ち各ユニットセルの面積を減少
し、画素数の増加を図り、高解像度の画像を得ることが
できる様にすることが強く要請されている。
この場合、ある程度の感度とある程度のダイナミックレ
ンジとを確保するために、電荷蓄積領域と垂直レジスタ
部については、その面積を減少するに限界がある。そこ
で、上述の要請に応えるためには、０ＦＣＧ領域、ＯＦ
Ｄ領域及びチャンネルストッパ領域の面積を減少させる
必要がある。
ンジとを確保するために、電荷蓄積領域と垂直レジスタ
部については、その面積を減少するに限界がある。そこ
で、上述の要請に応えるためには、０ＦＣＧ領域、ＯＦ
Ｄ領域及びチャンネルストッパ領域の面積を減少させる
必要がある。
ここに０ＦＣＧ領域の線幅を狭くすると、例えば１．６
μ鋼程度まで狭くすると、０ＦＣＧ領域のポテンシャル
はＯＦＤ領域による変調を大きく受ける様になる。即ち
、ｏｐｃｃ領域におけるポテンシャルレベルはその線幅
に依存し、線幅の広狭によってポテンシャルレベルが大
きく相違する様になる。このため、各ユニットセルにお
いて０ＦＣＧ領域の線幅にバラツキが生ずると各電荷蓄
積領域における取扱電荷量にバラツキが生じてしまう。
μ鋼程度まで狭くすると、０ＦＣＧ領域のポテンシャル
はＯＦＤ領域による変調を大きく受ける様になる。即ち
、ｏｐｃｃ領域におけるポテンシャルレベルはその線幅
に依存し、線幅の広狭によってポテンシャルレベルが大
きく相違する様になる。このため、各ユニットセルにお
いて０ＦＣＧ領域の線幅にバラツキが生ずると各電荷蓄
積領域における取扱電荷量にバラツキが生じてしまう。
例えば０ＦＣＧ領域の線幅を１．６μｍとした場合に、
この線幅に±０．１μｍのバラツキが生ずると取扱電荷
量のバラツキは電圧に変換して±１００ｍＶのバラツキ
となってしまう。そこで０ＦＣＧ領域の線幅を狭くする
場合には、その線幅のバラツキによって生ずる各電荷蓄
積領域の取扱電荷量のバラツキを保証するため、垂直レ
ジスタ部の面積を大きくする必要が生じ、このことが固
体撮像装置を高密度化、高集積化する上で大きな障害と
なっていた。
この線幅に±０．１μｍのバラツキが生ずると取扱電荷
量のバラツキは電圧に変換して±１００ｍＶのバラツキ
となってしまう。そこで０ＦＣＧ領域の線幅を狭くする
場合には、その線幅のバラツキによって生ずる各電荷蓄
積領域の取扱電荷量のバラツキを保証するため、垂直レ
ジスタ部の面積を大きくする必要が生じ、このことが固
体撮像装置を高密度化、高集積化する上で大きな障害と
なっていた。
本発明は、斯る点に鑑み、各電荷蓄積領域における取扱
電荷量を均一化し、高密度化、高集積化を図ることがで
きる様にした固体撮像装置を提供することを目的とする
。
電荷量を均一化し、高密度化、高集積化を図ることがで
きる様にした固体撮像装置を提供することを目的とする
。
本発明に依る固体撮像装置は、例えば第１図及び第２図
に示す様に、半導体基板（１）の表面側に電荷蓄積領域
（２）と０ＦＣＧ領域（３）とＯＦＤ領域（４）とを設
ける固体撮像装置において、ｏｐｃｃ領域（３）を電荷
蓄積領域（２）側に部分的に張り出させてＯＦＤ領域（
４）の変調を受けない幅を有する幅広部（３Ａ）を形成
すると共にこの幅広部（３Ａ）の表面側に０ＦＣＧ領域
（３）と異なる導電型の領域（５）を形成し、この領域
（５）を介して電荷蓄積領域（２）に生ずる過剰電荷を
ＯＦＤ領域（４）に掃き出させる様にしたものである。
に示す様に、半導体基板（１）の表面側に電荷蓄積領域
（２）と０ＦＣＧ領域（３）とＯＦＤ領域（４）とを設
ける固体撮像装置において、ｏｐｃｃ領域（３）を電荷
蓄積領域（２）側に部分的に張り出させてＯＦＤ領域（
４）の変調を受けない幅を有する幅広部（３Ａ）を形成
すると共にこの幅広部（３Ａ）の表面側に０ＦＣＧ領域
（３）と異なる導電型の領域（５）を形成し、この領域
（５）を介して電荷蓄積領域（２）に生ずる過剰電荷を
ＯＦＤ領域（４）に掃き出させる様にしたものである。
斯る本発明に依れば、領域（５）は０ＦＣＧ領域（３）
と異なる導電型で形成されているので、この領域（５）
のポテンシャルレベルは０ＦＣＧ領域（３）のポテンシ
ャルレベルよりも低くなり、電荷蓄積領域（２）に生ず
る過剰電荷はこの領域（５）を介してＯＦＤ領域（４）
に掃き出される。従って、電荷蓄積領域（２）の取扱電
荷量は領域（５）のポテンシャルレベルと電荷蓄積領域
（２）のポテンシャルレベルとの差により決定される。
と異なる導電型で形成されているので、この領域（５）
のポテンシャルレベルは０ＦＣＧ領域（３）のポテンシ
ャルレベルよりも低くなり、電荷蓄積領域（２）に生ず
る過剰電荷はこの領域（５）を介してＯＦＤ領域（４）
に掃き出される。従って、電荷蓄積領域（２）の取扱電
荷量は領域（５）のポテンシャルレベルと電荷蓄積領域
（２）のポテンシャルレベルとの差により決定される。
ここに領域（５）はＯＦＤ領域（４）の変調を受けない
幅を有する幅広部（３Ａ）の表面側に形成されているの
で、０ＦＣＧ領域（３）の幅広部以外の部分（３Ｂ）に
ついて、その線幅の狭小化を行い、高密度化、高集積化
を図った場合において、叶ＣＧ領域（３）の幅広部以外
の部分（３Ｂ）の線幅にバラツキが生じたとじても、各
電荷蓄積領域（２）における取扱電荷量を一定とするこ
とができる。
幅を有する幅広部（３Ａ）の表面側に形成されているの
で、０ＦＣＧ領域（３）の幅広部以外の部分（３Ｂ）に
ついて、その線幅の狭小化を行い、高密度化、高集積化
を図った場合において、叶ＣＧ領域（３）の幅広部以外
の部分（３Ｂ）の線幅にバラツキが生じたとじても、各
電荷蓄積領域（２）における取扱電荷量を一定とするこ
とができる。
以下、第１図及び第２図を参照して本発明固体撮像装置
の一実施例につき本発明をインクライン転送方式を採用
する固体撮像装置に適用した場合を例にして説明しよう
。
の一実施例につき本発明をインクライン転送方式を採用
する固体撮像装置に適用した場合を例にして説明しよう
。
この第１図及び第２図において、（１）はＰ型不純物、
例えばホウ素を低濃度に含んで成るＰ型シリコン基板を
示し、本例においては、このＰ型シリコン基板（１）の
表面側全面に亘ってＮ型不純物、例えばリンを低濃度に
含んで成るＮ−型領域（６）を例えばイオン注入法によ
って形成する。
例えばホウ素を低濃度に含んで成るＰ型シリコン基板を
示し、本例においては、このＰ型シリコン基板（１）の
表面側全面に亘ってＮ型不純物、例えばリンを低濃度に
含んで成るＮ−型領域（６）を例えばイオン注入法によ
って形成する。
また、このＮ−型領域（６）の表面側にＮ型領域からな
る電荷蓄積領域（２）、Ｐ＋型領域からなる０ＦＣＧ領
域（３）、Ｎ１型領域からなるＯＦＤ領域（４）及びＰ
１型領域からなるチャンネルストッパ領域け）を夫々例
えばイオン注入法によって形成する。
る電荷蓄積領域（２）、Ｐ＋型領域からなる０ＦＣＧ領
域（３）、Ｎ１型領域からなるＯＦＤ領域（４）及びＰ
１型領域からなるチャンネルストッパ領域け）を夫々例
えばイオン注入法によって形成する。
この場合、電荷蓄積領域（２）は水平及び垂直方向に行
列的に例えば５１０Ｘ ４９２個形成し、０ＦＣＧ領域
（３）、ＯＦＤ領域（４）及びチャンネルス） −／パ
領域（７）は共通する列の電荷蓄積領域（２）の−側に
帯状に形成する。ここに０ＦＣＧ領域（３）は不純物濃
度を比較的高（し、そのポテンシャルレベルが高くなる
様にすると共に幅狭部（３Ｂ）と幅広部（３八）とを有
する様に形成する。この場合、幅広部（３Ａ）は０ＦＣ
Ｇ領域（３）が電荷蓄積領域（２）と接する隅部におい
て張り出させ、その側面（３Ａ１）及び（３Ａ２）が電
荷蓄積領域（２）に接し、側面（３＾３）がＮ−型領域
（６）に接する様にし、また、その線幅が例えば３μｍ
となる様にする。
列的に例えば５１０Ｘ ４９２個形成し、０ＦＣＧ領域
（３）、ＯＦＤ領域（４）及びチャンネルス） −／パ
領域（７）は共通する列の電荷蓄積領域（２）の−側に
帯状に形成する。ここに０ＦＣＧ領域（３）は不純物濃
度を比較的高（し、そのポテンシャルレベルが高くなる
様にすると共に幅狭部（３Ｂ）と幅広部（３八）とを有
する様に形成する。この場合、幅広部（３Ａ）は０ＦＣ
Ｇ領域（３）が電荷蓄積領域（２）と接する隅部におい
て張り出させ、その側面（３Ａ１）及び（３Ａ２）が電
荷蓄積領域（２）に接し、側面（３＾３）がＮ−型領域
（６）に接する様にし、また、その線幅が例えば３μｍ
となる様にする。
また本例におい才は、この幅広部（３Ａ）の表面側に電
荷Ｍ積領域（２）からＯＦＤ領域（４）に連なるＮ＋型
領領域５）を形成し、この部分のポテンシャルレベルが
０ＦＣＧ領域（３）の幅広部（３Ａ）及び幅狭部（３Ｂ
）のポテンシャルレベルよりも低くなる様にし、このＮ
＋型領領域５）を介して電荷蓄積領域（２）に１する過
剰電荷をＯＦＤ領域（４）に掃き出し得る様にする。
荷Ｍ積領域（２）からＯＦＤ領域（４）に連なるＮ＋型
領領域５）を形成し、この部分のポテンシャルレベルが
０ＦＣＧ領域（３）の幅広部（３Ａ）及び幅狭部（３Ｂ
）のポテンシャルレベルよりも低くなる様にし、このＮ
＋型領領域５）を介して電荷蓄積領域（２）に１する過
剰電荷をＯＦＤ領域（４）に掃き出し得る様にする。
この場合、このＮ＋型領領域５）は幅広部（３Ａ）の側
面（３＾２）の幅よりも狭い幅を有し、その側面（５＾
）が幅広部（３Ａ）及びＯＦＤ領域（４）に接し、側面
（５Ｂ）がＮ−型領域（６）、幅狭部（３Ｂ）及びＯＦ
Ｄ領域（４）に接する様にする。ここに幅広部（３Ａ）
の線幅は例えば３μｍとされ、そのＯＦＤ領域側はＯＰ
Ｄ領域（４）による変調を受けるとしても、その電荷蓄
積領域側はＯＦＤ領域（４）による変調をうけない様に
なされており、Ｎ＋型領領域５）はその電荷蓄積領域側
をこの幅広部（３Ａ）とＮ−型領域（６）とで挟持され
る様になされているので、このＮ中型領域（５）の電荷
蓄積領域側のポテンシャルレベルは０ＦＣＧ領域（３）
の幅狭部（３Ｂ）の線幅の広狭に拘らず、一定値となる
。
面（３＾２）の幅よりも狭い幅を有し、その側面（５＾
）が幅広部（３Ａ）及びＯＦＤ領域（４）に接し、側面
（５Ｂ）がＮ−型領域（６）、幅狭部（３Ｂ）及びＯＦ
Ｄ領域（４）に接する様にする。ここに幅広部（３Ａ）
の線幅は例えば３μｍとされ、そのＯＦＤ領域側はＯＰ
Ｄ領域（４）による変調を受けるとしても、その電荷蓄
積領域側はＯＦＤ領域（４）による変調をうけない様に
なされており、Ｎ＋型領領域５）はその電荷蓄積領域側
をこの幅広部（３Ａ）とＮ−型領域（６）とで挟持され
る様になされているので、このＮ中型領域（５）の電荷
蓄積領域側のポテンシャルレベルは０ＦＣＧ領域（３）
の幅狭部（３Ｂ）の線幅の広狭に拘らず、一定値となる
。
また本例においては、電荷蓄積領域（２）の他側にＰ−
型領域からなる読み出しゲート領域（８）とＮ型領域か
らなる電荷転送領域（９）とを形成する。この場合、こ
れら読み出しゲート領域（８）及び電荷転送領域（９）
の下方にスミアを防止するためのＰ型領域（１０）を形
成する。また本例においては、読み出しゲート領域（８
）をなすＰ−型領域を電荷蓄積領域（２） ＜２）間に
まで延在し、この部分（１１）については電荷蓄積領域
（２） （２１間のチャンネルストッパ領域として機能
させる。
型領域からなる読み出しゲート領域（８）とＮ型領域か
らなる電荷転送領域（９）とを形成する。この場合、こ
れら読み出しゲート領域（８）及び電荷転送領域（９）
の下方にスミアを防止するためのＰ型領域（１０）を形
成する。また本例においては、読み出しゲート領域（８
）をなすＰ−型領域を電荷蓄積領域（２） ＜２）間に
まで延在し、この部分（１１）については電荷蓄積領域
（２） （２１間のチャンネルストッパ領域として機能
させる。
また、後述する受光部（１２）となる部分を除き、５ｉ
０２からなる絶縁層（１３）及び５ｉＪ４からなる絶縁
層（１４）を介して転送電極（１５Ａ） （１５Ｂ）
（１５Ｃ）（１５０）を形成し、電荷転送領域（９）と
で垂直レジスタ部（１６）を構成し、信号電荷を４相駆
動方式により水平レジスタ部に転送できる様にする。こ
の場合、転送電極（１５＾’Ｉ （１５Ｂ） （１５Ｃ
） （１５０）は不純物をドープして低抵抗化させた多
結晶シリコンにより構成する。また転送電極（１５Ｂ）
（１５０）は読み出しゲート部（１７） の読み出し
ゲート電極を兼ねる様にする。
０２からなる絶縁層（１３）及び５ｉＪ４からなる絶縁
層（１４）を介して転送電極（１５Ａ） （１５Ｂ）
（１５Ｃ）（１５０）を形成し、電荷転送領域（９）と
で垂直レジスタ部（１６）を構成し、信号電荷を４相駆
動方式により水平レジスタ部に転送できる様にする。こ
の場合、転送電極（１５＾’Ｉ （１５Ｂ） （１５Ｃ
） （１５０）は不純物をドープして低抵抗化させた多
結晶シリコンにより構成する。また転送電極（１５Ｂ）
（１５０）は読み出しゲート部（１７） の読み出し
ゲート電極を兼ねる様にする。
また５ｉＯｚよりなる絶縁層（１８）及び（１９）を介
して前面に不純物をドープして低抵抗化された多結晶シ
リコンよりなる透明前方電極（２０）を被着形成し、電
荷蓄積領域（２）、Ｎ＋型領領域５）、０ＦＣＧ領域（
３）の一部及びＯＦＤ領域（４）の一部を含んでなる受
光部（１２）を構成する。
して前面に不純物をドープして低抵抗化された多結晶シ
リコンよりなる透明前方電極（２０）を被着形成し、電
荷蓄積領域（２）、Ｎ＋型領領域５）、０ＦＣＧ領域（
３）の一部及びＯＦＤ領域（４）の一部を含んでなる受
光部（１２）を構成する。
尚、水平レジスタ部及び出力部については、図示せずも
・、従来周知の様に構成する。
・、従来周知の様に構成する。
斯る本例の固体撮像装置においては、０ＦＣＧ領域（３
）の幅広部（３Ａ）の表面側に形成されたＮ′″型領域
（５）を介して電荷Ｍ積領域（２）に生ずる過剰電荷を
ＯＦＤ領域（４）に掃き出す様にし、電荷蓄積領域（２
）における取扱電荷量をＮ＋型領領域５）のポテンシャ
ルレベルと電荷蓄積領域（２）のポテンシャルレベルと
の差によって決定される様になされているが、このＮ＋
型領領域５）のポテンシャルレベルは０ＦＣＧｆｌｌ域
（３）の幅狭部（３Ｂ）の線幅の広狭に拘らず一定値と
なる様になされているので、各電荷蓄積領域（２）にお
ける取扱電荷量は均一化される。
）の幅広部（３Ａ）の表面側に形成されたＮ′″型領域
（５）を介して電荷Ｍ積領域（２）に生ずる過剰電荷を
ＯＦＤ領域（４）に掃き出す様にし、電荷蓄積領域（２
）における取扱電荷量をＮ＋型領領域５）のポテンシャ
ルレベルと電荷蓄積領域（２）のポテンシャルレベルと
の差によって決定される様になされているが、このＮ＋
型領領域５）のポテンシャルレベルは０ＦＣＧｆｌｌ域
（３）の幅狭部（３Ｂ）の線幅の広狭に拘らず一定値と
なる様になされているので、各電荷蓄積領域（２）にお
ける取扱電荷量は均一化される。
この様に本例の固体撮像装置においては、０ＦＣＧ領域
（３）の幅狭部（３Ｂ）の線幅を狭小化し高密度化、高
集積化を図る様にした場合において、この０ＦＣＧ領域
（３）の幅狭部（３Ｂ）の線幅にバラツキが生じたとし
ても、各電荷蓄積領域（２）における取扱電荷量は一定
となる様になされているので、電荷転送領域（９）の面
積を必要以上に大きくする必要がなく、また良好な高解
像度の画像を得ることができるという利益がある。
（３）の幅狭部（３Ｂ）の線幅を狭小化し高密度化、高
集積化を図る様にした場合において、この０ＦＣＧ領域
（３）の幅狭部（３Ｂ）の線幅にバラツキが生じたとし
ても、各電荷蓄積領域（２）における取扱電荷量は一定
となる様になされているので、電荷転送領域（９）の面
積を必要以上に大きくする必要がなく、また良好な高解
像度の画像を得ることができるという利益がある。
尚、上述実施例においては、ｏｐｃｃ領域（３）の幅広
部（３Ａ）を電荷蓄積領域（２）の隅部において張り出
させて、Ｎ＋型領領域５）を形成する場合につき述べた
が、この代わりに、第３図に示す様に、０ＦＣＧ領域（
３）が電荷蓄積領域（２）と接する中央部において張り
出させて幅広部（３Ａ）を形成し、Ｎ＋型領領域５）を
その−側及び他側がこの幅広部（３Ａ）に接する様に形
成しても良く、この場合にも上述同様の作用効果を得る
ことができる。
部（３Ａ）を電荷蓄積領域（２）の隅部において張り出
させて、Ｎ＋型領領域５）を形成する場合につき述べた
が、この代わりに、第３図に示す様に、０ＦＣＧ領域（
３）が電荷蓄積領域（２）と接する中央部において張り
出させて幅広部（３Ａ）を形成し、Ｎ＋型領領域５）を
その−側及び他側がこの幅広部（３Ａ）に接する様に形
成しても良く、この場合にも上述同様の作用効果を得る
ことができる。
また上述実施例においては、本発明をインクライン転送
方式を採用する固体撮像装置に通用した場合につき述べ
たが、この代わりにフレーム転送方式を採用する固体撮
像装置に適用することもでき、この場合にも上述同様の
作用効果を得ることができる。
方式を採用する固体撮像装置に通用した場合につき述べ
たが、この代わりにフレーム転送方式を採用する固体撮
像装置に適用することもでき、この場合にも上述同様の
作用効果を得ることができる。
また本発明は、上述実施例に限らず、本発明の要旨を進
展することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿
論である。
展することなく、その他種々の構成が取り得ることは勿
論である。
本発明に依れば、０ＦＣＧ領域（３）の幅広部以外の部
分（３Ｂ）について、その線幅の狭小化を行い、高密度
化、高集積化を図る様にした場合において、このｏｐｃ
ｃ領域（３）の幅広部以外の部分（３Ｂ）の線幅にバラ
ツキが生じたとしても、各電荷蓄積領域（２）における
取扱電荷量の均一化を図ることができ、良好な高解像度
の画像を得ることができるという利益がある。
分（３Ｂ）について、その線幅の狭小化を行い、高密度
化、高集積化を図る様にした場合において、このｏｐｃ
ｃ領域（３）の幅広部以外の部分（３Ｂ）の線幅にバラ
ツキが生じたとしても、各電荷蓄積領域（２）における
取扱電荷量の均一化を図ることができ、良好な高解像度
の画像を得ることができるという利益がある。
第１図は本発明固体撮像装置の一実施例の要部を示す概
略的平面図、第２図は第１図のｎ−ｎ’線断面図、第３
図は本発明の他の実施例の要部を示す概略的平面図であ
る。 （１）はＰ型シリコン基板、（２）は電荷蓄積領域、（
３）はオーバフローコントロールゲート領域、（３Ａ）
は幅広部、（３Ｂ）は幅狭部、（４）はオーバフロード
レイン領域、（７）はチャンネルストッパ領域、（９）
は電荷転送領域、（１５Ａ） （１５Ｂ） （１５Ｃ）
及び（１５０）は夫々転送電極である。 第１図 １１１ｉｌｌｌ ｎ ＩＦ−１［ｍ１ｌｔ面図第２図
略的平面図、第２図は第１図のｎ−ｎ’線断面図、第３
図は本発明の他の実施例の要部を示す概略的平面図であ
る。 （１）はＰ型シリコン基板、（２）は電荷蓄積領域、（
３）はオーバフローコントロールゲート領域、（３Ａ）
は幅広部、（３Ｂ）は幅狭部、（４）はオーバフロード
レイン領域、（７）はチャンネルストッパ領域、（９）
は電荷転送領域、（１５Ａ） （１５Ｂ） （１５Ｃ）
及び（１５０）は夫々転送電極である。 第１図 １１１ｉｌｌｌ ｎ ＩＦ−１［ｍ１ｌｔ面図第２図
Claims (1)
- 半導体基板の表面側に電荷蓄積領域とオーバフローコ
ントロールゲート領域とオーバフロードレイン領域とを
設ける固体撮像装置において、上記オーバフローコント
ロールゲート領域を上記電荷蓄積領域側に部分的に張り
出させて上記オーバフロードレイン領域の変調を受けな
い幅を有する幅広部を形成すると共に該幅広部の表面側
に上記オーバフローコントロールゲート領域と異なる導
電型の領域を形成し、該領域を介して上記電荷蓄積領域
に生ずる過剰電荷を上記オーバフロードレイン領域に掃
き出させる様にしたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61280109A JPS63133568A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61280109A JPS63133568A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133568A true JPS63133568A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17620445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61280109A Pending JPS63133568A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133568A (ja) |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP61280109A patent/JPS63133568A/ja active Pending
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