JPS63133536A - 超精密研磨装置 - Google Patents
超精密研磨装置Info
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- JPS63133536A JPS63133536A JP28133686A JP28133686A JPS63133536A JP S63133536 A JPS63133536 A JP S63133536A JP 28133686 A JP28133686 A JP 28133686A JP 28133686 A JP28133686 A JP 28133686A JP S63133536 A JPS63133536 A JP S63133536A
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- polishing
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- polishing liquid
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、超精密研磨装置に関する。 ・［従来の技術
］ シリコンウェハー等の表面を研磨する精密研磨装置とし
ては、物理研磨装置、化学研磨装置が知られている。
］ シリコンウェハー等の表面を研磨する精密研磨装置とし
ては、物理研磨装置、化学研磨装置が知られている。
ところで、上記従来の研磨装置は、面精度に限界があり
、０ 、５ ｐｍ程度の面精度しか得ることができない
、しかし、ＬＳＩ等に使用するシリコンウェハーには、
それ以上の面精度である光学的面精度が要求されるが、
上記従来装置はその要求に応えることができないという
問題がある。
、０ 、５ ｐｍ程度の面精度しか得ることができない
、しかし、ＬＳＩ等に使用するシリコンウェハーには、
それ以上の面精度である光学的面精度が要求されるが、
上記従来装置はその要求に応えることができないという
問題がある。
一方、導電性の被研磨物を陽極にし、この陽極を電解液
の中につけ、別に設けた陰極との間に直流電圧を印加し
、このようにした電解研磨装置が知られているが、この
装置においては、研磨することができる物質は導電物に
限定されてしまうという問題がある。
の中につけ、別に設けた陰極との間に直流電圧を印加し
、このようにした電解研磨装置が知られているが、この
装置においては、研磨することができる物質は導電物に
限定されてしまうという問題がある。
［発明の目的］
本発明は、上記従来装置の問題点に着目してなされたも
ので、導電物質以外の被研磨物質を、光学的面精度（５
００ｎｍ程度）以上の面精度を得ることができる超精密
研磨装置を提供することを目的とするものである。
ので、導電物質以外の被研磨物質を、光学的面精度（５
００ｎｍ程度）以上の面精度を得ることができる超精密
研磨装置を提供することを目的とするものである。
〔発明の実施例］
図は、本発明の一実施例を示す縦断面図である。
この実施例において、シリコンウェハー７０等の被研磨
物質に合せて組成された研磨液１ｏの中に、陽極２０と
陰極３０とシリコンウェハー７０とを設置し、これらが
研磨槽５０の中に入れられている。シリコウェハー７０
は、陽極２０．ｐ１極３０と独立して設けられている。
物質に合せて組成された研磨液１ｏの中に、陽極２０と
陰極３０とシリコンウェハー７０とを設置し、これらが
研磨槽５０の中に入れられている。シリコウェハー７０
は、陽極２０．ｐ１極３０と独立して設けられている。
一方、陽極２０および陰極３０には、直流電源としての
バッテリー４０が印加され、研磨液ｌ。
バッテリー４０が印加され、研磨液ｌ。
は、攪拌装置の一例としての羽根６１がモータ６０によ
って回転されるようになっている。
って回転されるようになっている。
研磨液１０は、種々の液組成が考えられるが、上記実施
例においては、少量の弗素炭酸カルシウム（約１％）と
、酸化アルミナと、緩衝剤としての有機系粉体と、純水
とが含まれていれる。
例においては、少量の弗素炭酸カルシウム（約１％）と
、酸化アルミナと、緩衝剤としての有機系粉体と、純水
とが含まれていれる。
また、陽極２０は、高硬度のカーボンまたはチタンで構
成され、陰極３０としては鉛を使用している。なお、陽
極２０が摩耗すると直ちに研磨液１０の寿命が短くなる
ので、液組成によっては、電極２０の素材を変える必要
がある。
成され、陰極３０としては鉛を使用している。なお、陽
極２０が摩耗すると直ちに研磨液１０の寿命が短くなる
ので、液組成によっては、電極２０の素材を変える必要
がある。
次に、上記実施例の作用について説明する。
まず、研磨槽５０の中に陽極２０と陰極３ｏと所定の研
磨液１０とを入れ、陽極２ｏと陰極３゜とにバッテリー
４０を接続し、研磨液１ｏの中にシリコンウェハー７０
を入れる。そして、モーター６０を回転することによっ
て羽根６１を回転し、研磨液ｌＯが攪拌される。
磨液１０とを入れ、陽極２ｏと陰極３゜とにバッテリー
４０を接続し、研磨液１ｏの中にシリコンウェハー７０
を入れる。そして、モーター６０を回転することによっ
て羽根６１を回転し、研磨液ｌＯが攪拌される。
陽極２０および陰極３０が直流電圧を印加されることに
よって、弗素炭酸カルシウムがイオン化し弗素イオン１
１が発生する。この弗素イオンはマイナスイオンである
ので、陰極３ｏから陽極２０に向ってその連索イオンが
移動する。この移動の途中で、弗素イオン１１がシリコ
ンウェハー７０の表面に衝突する。このときに、シリコ
ンウェハー７０の表面の突起が削られ、研磨が行なわれ
る。この場合、５００ｎｍ以下の突起をも削ることがで
きる。
よって、弗素炭酸カルシウムがイオン化し弗素イオン１
１が発生する。この弗素イオンはマイナスイオンである
ので、陰極３ｏから陽極２０に向ってその連索イオンが
移動する。この移動の途中で、弗素イオン１１がシリコ
ンウェハー７０の表面に衝突する。このときに、シリコ
ンウェハー７０の表面の突起が削られ、研磨が行なわれ
る。この場合、５００ｎｍ以下の突起をも削ることがで
きる。
そして、弗素イオン１１がシリコンウェハー７０の表面
に衝突した後、陽極２ｏに向う間に、羽ｆｆ１６１によ
って攪拌され、シリコンウェハー７０の図中左側に戻さ
れ、その戻された弗素イオン１１が再び、シリコンウェ
ハー７０の表面に衝突する。また、研磨液１０を浮遊し
ている連索イオンは、羽根６１で攪拌されている間に、
その攪拌力によっても、シリコウェハー７０の表面に衝
突し、その突起を削る。
に衝突した後、陽極２ｏに向う間に、羽ｆｆ１６１によ
って攪拌され、シリコンウェハー７０の図中左側に戻さ
れ、その戻された弗素イオン１１が再び、シリコンウェ
ハー７０の表面に衝突する。また、研磨液１０を浮遊し
ている連索イオンは、羽根６１で攪拌されている間に、
その攪拌力によっても、シリコウェハー７０の表面に衝
突し、その突起を削る。
上記動作を繰り返すことによって、シリコンウェハー７
０が次第に超精密に研磨される。
０が次第に超精密に研磨される。
ところで、上記装置は、研磨能力が非常に細かい傷等を
取ることができるので、大きな凹凸を削るには、非常に
長い研磨時間を必要とし、したがって、予め物理研磨に
よって光学的面精度（５００ｎｍ）程度の前加工を必要
とする。また、羽根６１による攪拌は速度が速ければ速
いほど良い結果を得られるが、研磨液１０の中に空気が
混入すると、気泡を生じ、この場合、研磨液１０の中の
電流分布を乱し、分極作用を起すので、攪拌の速度は所
定速度以下に押える必要がある。
取ることができるので、大きな凹凸を削るには、非常に
長い研磨時間を必要とし、したがって、予め物理研磨に
よって光学的面精度（５００ｎｍ）程度の前加工を必要
とする。また、羽根６１による攪拌は速度が速ければ速
いほど良い結果を得られるが、研磨液１０の中に空気が
混入すると、気泡を生じ、この場合、研磨液１０の中の
電流分布を乱し、分極作用を起すので、攪拌の速度は所
定速度以下に押える必要がある。
なお、上記実施例においては、被研磨物質としてシリコ
ンウェハー７０を使用しているが、この代りに、他のシ
リコン系、セラミック系、ガラス系等の他の非導電物を
使用することができる。
ンウェハー７０を使用しているが、この代りに、他のシ
リコン系、セラミック系、ガラス系等の他の非導電物を
使用することができる。
また、上記研磨液１０は、弗素炭酸カルシウムを含む物
であるが、他の物質であってイオン化する物質を、研磨
液１０の中に含むようにしてもよい。
であるが、他の物質であってイオン化する物質を、研磨
液１０の中に含むようにしてもよい。
［発明の効果］
末完１１によれば、導電物質以外の被研磨物質について
、光学的面精度以上の面精度を得ることができるという
効果を有する。
、光学的面精度以上の面精度を得ることができるという
効果を有する。
図は、本発明の一実施例を示す縦断面図である。
１０・・・研磨液
２０・・・陽極、
３０・・・陰極、
７０・・・シリコンウェハー。
Claims (2)
- （１）被研磨物質に合わせて組成された研磨液と； 陽極および陰極と； これら陽極および陰極に直流電圧を印加する直流電源と
； 前記研磨液と前記陽極および陰極と前記被研磨物質とを
入れる研磨槽と； 前記研磨液を攪拌する攪拌手段と； を有することを特徴とする超精密研磨装置。 - （２）特許請求の範囲第１項において、 前記研磨物質がシリコン系、セラミック系、ガラス系の
物質であり、前記研磨液が弗素炭酸カルシウムを含むも
のであることを特徴とする超精密研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28133686A JPS63133536A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 超精密研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28133686A JPS63133536A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 超精密研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133536A true JPS63133536A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17637686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28133686A Pending JPS63133536A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 超精密研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106077659A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-11-09 | 北京工业大学 | 一种3d打印金属件表面抛光方法 |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP28133686A patent/JPS63133536A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106077659A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-11-09 | 北京工业大学 | 一种3d打印金属件表面抛光方法 |
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