JPS6313328A - 化合物半導体素子の製造方法 - Google Patents
化合物半導体素子の製造方法Info
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- JPS6313328A JPS6313328A JP61157339A JP15733986A JPS6313328A JP S6313328 A JPS6313328 A JP S6313328A JP 61157339 A JP61157339 A JP 61157339A JP 15733986 A JP15733986 A JP 15733986A JP S6313328 A JPS6313328 A JP S6313328A
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- insulating film
- electrode
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- compound semiconductor
- protective insulating
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、〔概 要〕
本発明は光電変換素子等の化合物半導体素子の製造方法
にお６ζで、ｐ導電型領域を有するＩＩｇＣｄＴｅ等の
化合物半導体基板上の電極形成予定部を除く表面に、該
基板結晶の構成元素を含む絶縁被膜（陽極酸化膜、また
は陽極硫化膜）を形成した後、該電極形成予定部に電極
を設けると共に、該電極を含む前記絶縁被膜上に保護絶
縁膜を形成すると共に、この保護絶縁膜に電極に達する
電極接続用開口部と、該開口部に接続電極を形成するこ
とにより、該絶縁被膜がエツチング剤で侵されることが
なく、該絶縁被膜と基板との良好な界面特性を安定に維
持すると共に、保護絶縁膜に電極に達する所定形状の開
口部及び接続電極を再現性良く形成し得るようにしたも
のである。
にお６ζで、ｐ導電型領域を有するＩＩｇＣｄＴｅ等の
化合物半導体基板上の電極形成予定部を除く表面に、該
基板結晶の構成元素を含む絶縁被膜（陽極酸化膜、また
は陽極硫化膜）を形成した後、該電極形成予定部に電極
を設けると共に、該電極を含む前記絶縁被膜上に保護絶
縁膜を形成すると共に、この保護絶縁膜に電極に達する
電極接続用開口部と、該開口部に接続電極を形成するこ
とにより、該絶縁被膜がエツチング剤で侵されることが
なく、該絶縁被膜と基板との良好な界面特性を安定に維
持すると共に、保護絶縁膜に電極に達する所定形状の開
口部及び接続電極を再現性良く形成し得るようにしたも
のである。
本発明は化合物半導体素子の製造方法に係り、特に水銀
・カドミウム・テルル（ＨｇＣｄＴｅ）等の化合物半導
体による光電変換素子の製造工程において、ｐｎ接合部
を有する基板上に界面特性の安定化に有効な該基板結晶
の構成元素を含む陽極酸化膜、または陽極硫化膜からな
る絶縁被膜を介在して形成された保護絶縁膜に、該絶縁
被膜を浸食させることなく電極接続用の開口部を再現性
良く形成する方法に関するものである。
・カドミウム・テルル（ＨｇＣｄＴｅ）等の化合物半導
体による光電変換素子の製造工程において、ｐｎ接合部
を有する基板上に界面特性の安定化に有効な該基板結晶
の構成元素を含む陽極酸化膜、または陽極硫化膜からな
る絶縁被膜を介在して形成された保護絶縁膜に、該絶縁
被膜を浸食させることなく電極接続用の開口部を再現性
良く形成する方法に関するものである。
ＨｇＣｄＴｅ等からなる化合物半導体による光電変換素
子の製造工程において、イオン注入法により形成された
ｐｎ接合部を有する化合物半導体基板上に保護絶縁膜を
設け、この保護絶縁膜に電極接続用の開口部を形成する
素子構成にあっては、該基板と接する保護絶縁膜との界
面特性を安定化させるために、例えば前記基板面に予め
その基板結晶の構成光を含む陽極酸化膜、または陽極硫
化膜からなる絶縁被膜を設け、その上面に保護絶縁膜を
形成していることから、該絶縁被膜を含む保護絶縁膜に
電極接続用の開口部を選択エツチング法により形成する
際に、前記絶縁被膜、または陽極硫化膜が必要以上に浸
食される。このため、該絶縁被膜を浸食させることなく
、保護絶縁膜に電極接続用の開口部を再現性良く形成し
得る方法が必要とされている。
子の製造工程において、イオン注入法により形成された
ｐｎ接合部を有する化合物半導体基板上に保護絶縁膜を
設け、この保護絶縁膜に電極接続用の開口部を形成する
素子構成にあっては、該基板と接する保護絶縁膜との界
面特性を安定化させるために、例えば前記基板面に予め
その基板結晶の構成光を含む陽極酸化膜、または陽極硫
化膜からなる絶縁被膜を設け、その上面に保護絶縁膜を
形成していることから、該絶縁被膜を含む保護絶縁膜に
電極接続用の開口部を選択エツチング法により形成する
際に、前記絶縁被膜、または陽極硫化膜が必要以上に浸
食される。このため、該絶縁被膜を浸食させることなく
、保護絶縁膜に電極接続用の開口部を再現性良く形成し
得る方法が必要とされている。
従来、光電変換素子等の化合物半導体素子の製造におい
て、イオン注入法により形成されたｐｎ接合部を有する
化合物半導体基板上に設けられた界面特性の安定化に有
効な該基板結晶の構成元素を含む陽極酸化膜、または陽
極硫化膜からなる絶縁被膜（以下絶縁被膜と称する）を
含む保護絶縁膜に電極接続用の開口部と、その開口部に
接続電極を形成するには、先ず、第５図に示すようにイ
オン注入法によりｐ導電型領域２が形成された、例えば
ＨｇＣｄＴｅ等からなるｐ導電型の化合物半導体基板１
表面に、陽極酸化法、または陽極硫化法等により絶縁被
膜３を形成し、引続き該絶縁被膜３上に引続き５ｉ０２
． Ｓｉ３ Ｎ ４等からなる保護絶縁膜４を形成する
。
て、イオン注入法により形成されたｐｎ接合部を有する
化合物半導体基板上に設けられた界面特性の安定化に有
効な該基板結晶の構成元素を含む陽極酸化膜、または陽
極硫化膜からなる絶縁被膜（以下絶縁被膜と称する）を
含む保護絶縁膜に電極接続用の開口部と、その開口部に
接続電極を形成するには、先ず、第５図に示すようにイ
オン注入法によりｐ導電型領域２が形成された、例えば
ＨｇＣｄＴｅ等からなるｐ導電型の化合物半導体基板１
表面に、陽極酸化法、または陽極硫化法等により絶縁被
膜３を形成し、引続き該絶縁被膜３上に引続き５ｉ０２
． Ｓｉ３ Ｎ ４等からなる保護絶縁膜４を形成する
。
次に第６図に示すように前記絶縁液１１ｍ！３を含む保
護絶縁膜４の所定部分に、該基板１面に達する電極接続
用の開口部５を選択エンチング工程により形成すると共
に、第７図に示すようにその開口部５にｐ導電型の基板
１やｐ導電型領域２と接続する金（Ａｕ）、またはイン
ジウム（Ｉｎ）などからなる接続電極６を、例えばスバ
フタ法及びフォトリソグラフィ工程等によって形成して
いる。
護絶縁膜４の所定部分に、該基板１面に達する電極接続
用の開口部５を選択エンチング工程により形成すると共
に、第７図に示すようにその開口部５にｐ導電型の基板
１やｐ導電型領域２と接続する金（Ａｕ）、またはイン
ジウム（Ｉｎ）などからなる接続電極６を、例えばスバ
フタ法及びフォトリソグラフィ工程等によって形成して
いる。
ところでこのような従来の製造方法では、第６図に示す
ように前記絶縁被膜３を含む保護絶縁膜４の所定部分に
基板１面に達する電極接続用の開口部５を選択エンチン
グ工程により形成する場合に、該絶縁被膜３は保護絶縁
膜４の酸系エツチング剤で過度にエツチングされる性質
があるため、絶縁被膜３部分の開口部分が必要以上に広
がるばかりでなく、基板１との界面方向に浸食が進み、
かつ汚染して界面状態を悪くする問題がある。従って、
素子特性が劣化する欠点があった。
ように前記絶縁被膜３を含む保護絶縁膜４の所定部分に
基板１面に達する電極接続用の開口部５を選択エンチン
グ工程により形成する場合に、該絶縁被膜３は保護絶縁
膜４の酸系エツチング剤で過度にエツチングされる性質
があるため、絶縁被膜３部分の開口部分が必要以上に広
がるばかりでなく、基板１との界面方向に浸食が進み、
かつ汚染して界面状態を悪くする問題がある。従って、
素子特性が劣化する欠点があった。
本発明は上記のような従来の欠点に鑑み、基板上に形成
された絶縁被膜を含む保護絶縁膜の所定部分に基板面に
達する電極接続用の開口部を形成する方法において、絶
縁被膜をエツチング剤によって浸食させないようにして
、所定形状の開口部を再現性良く形成すると共に、基板
と絶縁被膜との界面特性の安定化を図った新規な化合物
半導体素子の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
された絶縁被膜を含む保護絶縁膜の所定部分に基板面に
達する電極接続用の開口部を形成する方法において、絶
縁被膜をエツチング剤によって浸食させないようにして
、所定形状の開口部を再現性良く形成すると共に、基板
と絶縁被膜との界面特性の安定化を図った新規な化合物
半導体素子の製造方法を提供することを目的とするもの
である。
本発明は上記目的を達成するため、異種導電型領域が形
成された化合物半導体基板上の、電極形成予定面以外の
基板面に、その基板結晶の構成元素を含む陽極酸化膜等
からなる絶縁被膜を形成した後、前記電極形成予定領域
に電極を形成する。
成された化合物半導体基板上の、電極形成予定面以外の
基板面に、その基板結晶の構成元素を含む陽極酸化膜等
からなる絶縁被膜を形成した後、前記電極形成予定領域
に電極を形成する。
引続き該電極及び絶縁被膜上に保護絶縁膜を形成してそ
の保護絶縁膜の電極対応部分に、該電極に達する開口部
を形成した後、該開口部に前記電極と接続する接続電極
を形成するようにする。
の保護絶縁膜の電極対応部分に、該電極に達する開口部
を形成した後、該開口部に前記電極と接続する接続電極
を形成するようにする。
本発明の化合物半導体素子の製造方法における電極接続
用開口部の形成では、化合物半導体基板上の電極形成予
定面以外の基板面に前記絶縁被膜を形成し、該電極形成
予定面に電極を形成した後、該電極を含む絶縁被膜上に
更に保護絶縁膜を形成してその保護絶縁膜の電極対応部
分に開口部を形成しているため、該絶縁被膜の開口部分
が保護絶縁膜の開口部形成用エツチング剤によって浸食
されることがなく、かつ基板と絶縁被膜との界面特性を
劣化させずに、所定形状の開口部を再現性良く形成する
ことが可能となる。
用開口部の形成では、化合物半導体基板上の電極形成予
定面以外の基板面に前記絶縁被膜を形成し、該電極形成
予定面に電極を形成した後、該電極を含む絶縁被膜上に
更に保護絶縁膜を形成してその保護絶縁膜の電極対応部
分に開口部を形成しているため、該絶縁被膜の開口部分
が保護絶縁膜の開口部形成用エツチング剤によって浸食
されることがなく、かつ基板と絶縁被膜との界面特性を
劣化させずに、所定形状の開口部を再現性良く形成する
ことが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図乃至第４図は本発明に係る化合物半導体素子の製
造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である。
造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図である。
先ず、第１図に示すようにイオン注入法等によりｐ導電
型領域２２が形成された、例えばＨｇＣｄＴｅ等からな
るｐ導電型の化合物半導体基板２１表面に、既定の電極
形成予定面のみをマスクするレジストマスクパターン２
３を形成する。
型領域２２が形成された、例えばＨｇＣｄＴｅ等からな
るｐ導電型の化合物半導体基板２１表面に、既定の電極
形成予定面のみをマスクするレジストマスクパターン２
３を形成する。
次に第２図に示すように該レジストマスクパターン２３
によるマスク領域以外の基板２１面に、陽極酸化法、或
いは陽極硫化法によって該基板２１の結晶構成元素を含
む陽極酸化膜、または陽極硫化膜からなる界面−特性の
安定化に有効な絶縁被膜２４を形成する。
によるマスク領域以外の基板２１面に、陽極酸化法、或
いは陽極硫化法によって該基板２１の結晶構成元素を含
む陽極酸化膜、または陽極硫化膜からなる界面−特性の
安定化に有効な絶縁被膜２４を形成する。
次に第３図に示すように該前記レジストマスクパターン
２３を除去して露出した電極形成予定領域にリフトオフ
法等によりｐ導電型の基板２１及びｐ導電型領域２２と
接続する金（Ａｕ）、またはインジウム（Ｉｎ）などか
らなる電極２５を形成した後、該電極２５を含む前記絶
縁被膜２４上に引続き、例えば比較的低温で膜形成が可
能な電子サイクロトロン共鳴励起プラズマＣＶＤ法など
により５ｉ０２、Ｓｉ３ Ｎ ４等からなる保護絶縁１
！５！２６を形成する。
２３を除去して露出した電極形成予定領域にリフトオフ
法等によりｐ導電型の基板２１及びｐ導電型領域２２と
接続する金（Ａｕ）、またはインジウム（Ｉｎ）などか
らなる電極２５を形成した後、該電極２５を含む前記絶
縁被膜２４上に引続き、例えば比較的低温で膜形成が可
能な電子サイクロトロン共鳴励起プラズマＣＶＤ法など
により５ｉ０２、Ｓｉ３ Ｎ ４等からなる保護絶縁１
！５！２６を形成する。
しかる後、第４図に示すように前記電極２５上に対応す
る保護絶縁膜２６部分に選択エンチング工程により該電
極２５に達する開口部２７を形成し、更に該開口部２７
にスパッタ法及びフォトリソグラフィ工程等によって前
記電極２５と接続する金（Ａｕ）、またはインジウム（
Ｉｎ）などからなる接続電極２８を形成する かくすれば、陽極酸化膜、または陽極硫化膜からなる絶
縁被膜２４がエツチング剤によって侵されることがない
ので、前記基板２１と絶縁被膜２４との界面特性を損な
うことな（、保護絶縁膜２６に所定形状の開口部２７を
再現性良く形成することができる。
る保護絶縁膜２６部分に選択エンチング工程により該電
極２５に達する開口部２７を形成し、更に該開口部２７
にスパッタ法及びフォトリソグラフィ工程等によって前
記電極２５と接続する金（Ａｕ）、またはインジウム（
Ｉｎ）などからなる接続電極２８を形成する かくすれば、陽極酸化膜、または陽極硫化膜からなる絶
縁被膜２４がエツチング剤によって侵されることがない
ので、前記基板２１と絶縁被膜２４との界面特性を損な
うことな（、保護絶縁膜２６に所定形状の開口部２７を
再現性良く形成することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る化合物半
導体素子の製造方法によれば、基板上に直接的に接する
陽極酸化膜、または陽極硫化膜からなる絶縁被膜がエツ
チング剤と接触することがないので、該絶縁被膜と基板
との良好な界面特性が安定に維持されると共に、保護絶
縁膜に電極に達する所定形状の開口部及び接続電極を再
現性良く形成することが可能となる優れた利点を有し、
素子特性が著しく向上する。従って、この種の化合物半
導体素子の製造に通用して極めて有利である。
導体素子の製造方法によれば、基板上に直接的に接する
陽極酸化膜、または陽極硫化膜からなる絶縁被膜がエツ
チング剤と接触することがないので、該絶縁被膜と基板
との良好な界面特性が安定に維持されると共に、保護絶
縁膜に電極に達する所定形状の開口部及び接続電極を再
現性良く形成することが可能となる優れた利点を有し、
素子特性が著しく向上する。従って、この種の化合物半
導体素子の製造に通用して極めて有利である。
第１図乃至第４図は本発明に係る化合物半導体、
素子の製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図
、 第５図乃至第７図は従来の化合物半導体素子の製造方法
を工程順に説明するための要 部断面図である。 第１図乃至第４図において、 ２１は基板、２２はｐ導電型領域、２３はレジストマス
クパターン、２４は絶縁被膜、２５は電極、２６は保護
絶縁膜、２７は開口部、２８は接続電極棒をそれぞれ示
す。 ４；ＥａＦＩＱＬ；’ｌｌ−７Ｚ７バクーシ形ｒｘ’ｒ
ｘｒｈ第１図 第２図 ＄＄８− ｔｉｎ 、 イｆｆ１ｉ４シｔｈ＃ｊ！Ｆｊ
ＲＴ＃ｔｍ第４図
素子の製造方法の一実施例を工程順に示す要部断面図
、 第５図乃至第７図は従来の化合物半導体素子の製造方法
を工程順に説明するための要 部断面図である。 第１図乃至第４図において、 ２１は基板、２２はｐ導電型領域、２３はレジストマス
クパターン、２４は絶縁被膜、２５は電極、２６は保護
絶縁膜、２７は開口部、２８は接続電極棒をそれぞれ示
す。 ４；ＥａＦＩＱＬ；’ｌｌ−７Ｚ７バクーシ形ｒｘ’ｒ
ｘｒｈ第１図 第２図 ＄＄８− ｔｉｎ 、 イｆｆ１ｉ４シｔｈ＃ｊ！Ｆｊ
ＲＴ＃ｔｍ第４図
Claims (2)
- （１）異種導電型領域（２２）が形成された化合物半導
体基板（２１）上に、既定の電極形成予定面のみをマス
クするレジストマスクパターン（２３）を形成すると共
に、該レジストマスクパターン（２３）より露出する前
記基板（２１）面に、その基板結晶の構成元素を含む絶
縁被膜（２４）を形成する工程と、該レジストマスクパ
ターン（２３）を除去した電極形成予定領域に電極（２
５）を形成する工程と、該電極（２５）及び絶縁被膜（
２４）上に保護絶縁膜（２６）を形成し、その保護絶縁
膜（２６）の電極対応部分に開口部（２７）を形成する
工程を行った後、該開口部（２７）に前記電極（２５）
と接続する接続電極（２８）を形成することを特徴とす
る化合物半導体素子の製造方法。 - （２）上記絶縁被膜（２４）が陽極酸化法により形成さ
れる陽極酸化膜、または陽極硫化法により形成される陽
極硫化膜であることを特徴とする特 許請求の範囲第（１）項に記載した化合物半導体素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157339A JPS6313328A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 化合物半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61157339A JPS6313328A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 化合物半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313328A true JPS6313328A (ja) | 1988-01-20 |
Family
ID=15647526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61157339A Pending JPS6313328A (ja) | 1986-07-03 | 1986-07-03 | 化合物半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6313328A (ja) |
-
1986
- 1986-07-03 JP JP61157339A patent/JPS6313328A/ja active Pending
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