JPS6313241B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はレコード盤の改質方法に関するもので
ある。 現在、塩化ビニル系樹脂製特に塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体樹脂製のレコード盤が広く生産
されているが、これはくり返しの使用に対する耐
摩耗性に劣るほか、帯電しやすいためじんあい等
の付着蓄積により表面が汚れ易く、これらの結果
ノイズの発生が顕著になるという問題点がある。 このため、上記のような塩化ビニル系樹脂製レ
コード盤についてはその表面の改質が要望されて
おり、従来からその表面強度特に耐摩耗性を向上
させる目的で、化学的な種々の表面処理方法が提
案されてきた。しかしながら大巾なコスト上昇を
ともなうという経済的な理由を含めて満足し得る
効果が達成される処理方法はいまだ開発されてい
ない。 また帯電（静電気の蓄積）を防止するための方
法としては、成形品の表面に帯電防止剤を塗布す
るとかあるいは成形品製造の際に帯電防止剤を練
り込むなどの方法が知られているが、前者の塗布
する方法には速効的な効果が得られるが持久性に
乏しく、また塗布面がベトツクとかブロツキング
の問題点があり、他方後者の方法には持久性の点
では前者の方法よりもすぐれているが帯電防止の
効果が不十分で、これを補うために帯電防止剤の
添加量を増加すると成形品表面にベトツキ感が現
れ、ブルーミング、ブロツキングの問題点を生じ
るほか、耐熱性が低下し、加工性が悪くなり、成
形品表面が着色し汚れ易くなるという不利があ
る。 本発明者らはこのような観点から比較的簡便な
方法でその表面強度、耐摩耗性を向上させると共
に帯電防止性を飛躍的に向上させることができ、
これによりレコードのノイズ発生を抑制すること
ができる処理方法を開発すべく鋭意検討の結果、
本発明を完成したもので、これはレコード盤の表
面を、15トル以上の酸素ふん囲気中もしくは酸素
分圧が15トル以上の混合気体中で、200nｍ以下
の波長域をもつ紫外光で処理することを特徴とす
るレコード盤の改質方法に関するものである。 本発明は塩化ビニル系樹脂製レコード盤の表面
特性改質を目的とするものであるが、このレコー
ド盤製造に使用される塩化ビニル系樹脂としては
ポリ塩化ビニルのほか塩化ビニルを主体とする各
種の共重合体が包含され、この共重合体のコモノ
マーとしては酢酸ビニル、エチレン、プロピレ
ン、アクリル酸もしくはメタクリル酸またはそれ
らのエステルが例示される。なお、これらの共重
合体には該コモノマーが同時に２種以上使用され
たものならびに塩化ビニルを主体とする各種のグ
ラフト共重合体はもちろん包含される。 これらの塩化ビニル系樹脂からレコード盤を得
るにあたつては、必要に応じ可塑剤、帯電防止
剤、安定剤、滑剤等の各種添加剤が配合される。
可塑剤としてはフタル酸エステル、脂肪族二塩基
酸エステル、グリコールエステル、脂肪族エステ
ル、リン酸エステル、クエン酸エステル系の可塑
剤、さらにはエポキシ系可塑剤、ポリエステル系
可塑剤、ウレタン系可塑剤、あるいは反応性可塑
剤等が例示され、また帯電防止剤としては第一ア
ミン化合物、第三アミン化合物、第四アンモニウ
ム化合物、ピリジン誘導体よりなるカチオン系界
面活性剤、石けん、硫酸化油、硫酸化エステル
油、硫酸化アミド油、オレフインの硫酸エステル
塩類、脂肪族アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ル硫酸エステル塩、脂肪酸エチルスルホン酸塩、
アルキルスルホン酸塩、アルキルナフタレンスル
ホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、コハ
ク酸エステルスルホン酸、リン酸エステル等より
なるアニオン界面活性剤、多価アルコールの脂肪
酸エステル、脂肪族アルコールのエチレンオキサ
イド付加物、脂肪酸のエチレンオキサイド付加
物、脂肪族アミノ化合物もしくは脂肪族アミド化
合物のエチレンオキサイド付加物、アルキルフエ
ノールのエチレンオキサイド付加物、アルキルナ
フトールのエチレンオキサイド付加物、多価アル
コールの部分的脂肪酸エステルのエチレンオキサ
イド付加物、ポリエチレングリコール等のノニオ
ン界面活性剤、カルボン酸誘導体、イミダゾリン
誘導体等の両性界面活性剤が例示される。 さらに安定剤としてはステアリン酸カルシウ
ム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カドミウ
ム、ステアリン酸鉛、ステアリン酸バリウム等の
金属石けん類、ジブチルすずジラウレート、ジ−
ｎ−オクチルすずジマレエート、ジ−ｎ−オクチ
ルすずメルカブタイドのような有機すず化合物
類、三塩基性硫酸塩、二塩基性亜リン酸鉛のよう
な鉛系安定剤、および各種の複合安定剤が、また
滑剤としてはブチルステアレートのようなエステ
ル系、エチレンビスステアロアマイドのような脂
肪族アミド、高級脂肪酸およびそのエステル、あ
るいはポリエチレンワツクスがそれぞれ例示され
る。 また、その他塩化ビニル系樹脂の成形に使用さ
れる各種添加剤たとえば充てん剤、抗酸化剤、紫
外線吸収剤、無滴剤、顔料、染料、架橋助剤等が
配合されることも差支えない。 なお、帯電防止剤は塩化ビニル系樹脂100重量
部に対し0.03〜１重量部添加することにより帯電
防止の効果を得ることができる。 本発明の方法は従来公知の方法により製造した
レコード盤の表面を波長200nｍ以下の紫外光で
処理することにより、その表面特性を改質するも
のであるが、紫外光の光源としては200nｍ以下
の輝線または連続光を発生するものであればよ
く、光源の種類に特に制限はないが、一般には低
圧水銀ランプなどが好適である。200nｍをこえ
る紫外光処理ではレコード盤に帯電防止性、耐摩
耗性を付与することが困難であり、レコードノイ
ズの発生を減らすことはできない。ランプの窓材
としては200nｍ以下の紫外光を通すことが必要
であり、石英、スプラジールガラス、人造サフア
イア等が例示される。 つぎに本発明の紫外光処理は酸素分圧15トル以
上好ましくは50トル以上の混合ガスまたは酸素15
トル以上好ましくは50トル以上のふん囲気下で行
うことが必要とされ、酸素分圧または酸素15トル
未満においての紫外光処理ではレコード盤の耐摩
耗性は向上するが、ほとんど帯電防止性を付与す
ることができず、結果としてレコードノイズ発生
は十分に改良されない。実用的には大気圧下、空
気中で処理を行うのが最も容易であり、レコード
盤の帯電防止性、耐摩耗性等の改質効果も顕著で
ある。 通常、紫外光ランプ等によつて塩化ビニル系樹
脂成形品を照射処理し改質する際には、被処理体
の光源からの距離が長くなるにしたがつて光エネ
ルギーが衰退するので、処理効率の上から被処理
体はランプ等の光源に操作上問題がない程度まで
できる限り近づけるが、本発明におけるレコード
盤の処理の場合、レコード盤を光源に近づけすぎ
ると、帯電防止性付与の効果がかえつて小さくな
るほか、ノイズが増加するようになる。この現象
は照射処理レコードの断面の電子顕微鏡写真等か
ら推定して表面層の好ましくない破壊が起ること
によるものと考えられる。 紫外光ランプの光源とレコード盤との具体的照
射距離は、ランプの種類、大きさ等に応じ適切な
距離を選択すべきであり、たとえば50W低圧水銀
ランプではおおむね0.5〜50cmの距離とされる。
また照射時間はランプの種類、照射距離等によつ
て異なるが、一般の場合おおむね数十秒〜数十分
とすればよい。 照射処理したレコード盤をさらに界面活性剤溶
液で処理すると、帯電防止性、耐摩耗性の効果が
一層向上され、ノイズ発生が顕著に少なくなるほ
か、特に帯電防止性が長期間にわたり持続すると
いう効果がもたらされる。 上記において使用される界面活性剤としては、
硫酸化油、金属石けん、硫酸化エステル油、硫酸
化アミド油、オレフインの硫酸エステル塩、脂肪
族アルコールの硫酸エステル塩、アルキル硫酸エ
ステル塩、脂肪酸エチルスルホン酸塩、アルキル
スルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸
塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、ナフタレン
スルホン酸とホルマリンの反応物、コハク酸エス
テルスルホン酸塩、りん酸エステル塩等のアニオ
ン界面活性剤；多価アルコールの脂肪酸エステ
ル、脂肪族アルコールのエチレンオキサイド付加
物、脂肪酸のエチレンオキサイド付加物、脂肪族
アミンもしくは脂肪酸アミドのエチレンオキサイ
ド付加物、アルキルフエノールのエチレンオキサ
イド付加物、アルキルナフトールのエチレンオキ
サイド付加物、多価アルコールの部分脂肪酸エス
テルのエチレンオキサイド付加物、ポリエチレン
グリコール等のノニオン界面活性剤；カルボン酸
型（ペタイン型等）、硫酸エステル塩（ヒドロキ
シエチルイミダゾリン硫酸エステル等）、スルホ
ン酸型（タウリン縮合コハク酸エステル、イミダ
ゾリンスルホン酸等）等の両性界面活性剤がそれ
ぞれ例示される。 上記した界面活性剤は通常水溶液として処理に
供するが、この溶媒としての水にはアルコール、
ケトン、エステル等の有機溶剤を混合してもよ
い。照射処理されたレコード盤をこの界面活性剤
溶液で処理する方法は、塗布処理、浸漬処理、ス
プレーがけ処理等の方法によればよく、処理後は
必要に応じ水洗し、ついで乾燥する。 つぎに、本発明の実施例および比較例をあげる
（実験No.１〜13）。 実験１ 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（SC−
400G：信越化学社製商品名）100重量部、エポキ
シ変性大豆油0.8重量部、キヤタナツクSN（アメ
リカンシアナミド社製商品名、第４アンモニウム
化合物系界面活性剤）0.2重量部、ジブチルスズ
メルカプタイド1.5重量部、カーボンブラツク0.1
重量部からなる配合物をレコード成型機によりプ
レヒート140℃、プレス温度165℃でレコード盤を
作製した。成形レコード盤は、表面を木綿布で30
秒間摩擦し（摩擦速度12.5回／秒）表面の摩擦帯
電圧を測定した。これを表−１に示す。つぎにこ
のレコード盤について初期のSN比と100回摩擦後
のSN比を測定した。これを表−１に示す。 実験２ 実験１と同じレコード盤をスプラジールガラス
管中に水銀とアルゴンとの蒸気を封じ込んだ20W
低圧水銀ランプ（輝線スペクトル、185nｍ、
254nｍ、313nｍ、365nｍ）により、大気圧下空
気中で、ランプより２cm離れた位置で10分間照射
処理した。処理後のレコード盤について実験１と
同じ方法で摩擦帯電圧、初期SN比、摩耗後SN比
を測定した。これを表−１に示す。 実験３ 実験１と同じレコード盤をスプラージルガラス
管中に水銀とアルゴンとの蒸気を封じ込んだ20W
低圧水銀ランプにより大気圧下空気中でランプよ
り２cm離れた位置で10分間照射処理した。その際
ランプとレコード盤の間にバイコールガラス製フ
イルターを置いて200nｍ以下の紫外光がレコー
ド盤に到達しないようにした。処理後のレコード
盤について実験１と同じ方法で摩擦帯電圧、初期
SN比、摩耗後SN比を測定した。これを表−１に
示す。 実験４ 実験１と同じレコード盤をスプラジールガラス
管中に水銀とアルゴンとの蒸気を封じ込んだ
500W低圧水銀ランプにより大気圧下空気中でラ
ンプより30cm離れた位置で５分間照射処理した。
処理後のレコード盤について実験１と同じ方法で
摩擦帯電圧、初期SN比、摩耗後SN比を測定し
た。これを表−１に示す。 実験５ 実験１と同じレコード盤をスプラジールガラス
管中に水銀とアルゴンとの蒸気を封じ込んだ
500W低圧水銀ランプにより大気減圧下、酸素分
圧50トルでランプより70cm離れた位置で15分間照
射処理した。処理後のレコード盤について実験１
と同じ方法で摩擦帯電圧、初期SN比、摩耗後SN
比を測定した。これを表−１に示す。 実験６ 実験１と同じレコード盤をスプラジールガラス
管中に水銀とアルゴンとの蒸気を封じ込んだ50W
低圧水銀ランプにより大気減圧下、酸素分圧10ト
ル中でランプより２cm離れた位置で５分間照射処
理した。処理後のレコード盤について実験１と同
じ方法で摩擦帯電圧、初期SN比、摩耗後SN比を
測定した。これを表−１に示す。 実験７ 実験１と同じレコード盤をスプラジールガラス
管中に水銀とアルゴンとの蒸気を封じ込んだ50W
低圧水銀ランプにより大気減圧下、酸素分圧100
トル中でランプより0.5cm離れた位置で５分間照
射処理した。処理後のレコード盤について実験１
と同じ方法で摩擦帯電圧、初期SN比、摩耗後SN
比を測定した。これを表−１に示す。 実験８ 実験１と同じレコード盤をスプラジールガラス
管中に水銀とアルゴンとの蒸気を封じ込んだ50W
低圧水銀ランプにより大気減圧下、酸素分圧100
トル中でランプより２cm離れた位置で５分間照射
処理した。処理後のレコード盤について実験１と
同じ方法で摩擦帯電圧、初期SN比、摩耗後SN比
を測定した。これを表−１に示す。 実験９ 実験１と同じレコード盤をスプラジールガラス
管中に水銀とアルゴンとの蒸気を封じ込んだ50W
低圧水銀ランプにより大気減圧下、酸素分圧100
トル中でランプより0.2cm離れた位置で５分間照
射処理した。処理後のレコード盤について実験１
と同じ方法で摩擦帯電圧、初期SN比、摩耗後SN
比を測定した。これを表−１に示す。 実験10 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（SC−
500T：信越化学社製商品名）100重量部、エポキ
シ変性大豆油１重量部、ジブチルスズメルカプタ
イド１重量部、ステアリン酸カルシウム0.2重量
部、ステアリン酸バリウム0.2重量部からなる配
合物を、レコード成形機によりプレヒート145℃、
プレス温度170℃でレコード盤を作製した。この
レコード盤をスプラジールガラス管中に水銀とア
ルゴンとの蒸気を封じ込んだ20W低圧水銀ランプ
によりランプより５cm離れた位置で15分間照射処
理を行つた。その際該紫外光ランプとレコード盤
は真空容器内に設置されており、処理に先立つて
系内は0.001トルまでいつたん減圧した後、酸素
を導入し、系内を20トルにした後、紫外光ランプ
を点灯させた。処理後のレコード盤について実験
１と同じ方法で摩擦帯電圧、初期SN比、摩耗後
SN比を測定した。これを表−１に示す。

【表】

【表】 実験11 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（SC−
400G：信越化学社製商品名）100重量部、エポキ
シ変性大豆油１重量部、ジブチルスズメルカプタ
イド0.8重量部、ステアリン酸カルシウム0.5重量
部、カーボンブラツク0.1重量部からなる配合物
をレコード成型機によりプレヒート140℃、プレ
ス温度160℃でレコード盤を作製した。この成形
レコード盤をスプラジールガラス管中に水銀とア
ルゴンとの蒸気を封じ込んだ20W低圧水銀ランプ
で大気圧下空気中でランプより２cm離れた位置で
10分間照射処理した。処理後直ちにカチオン系界
面活性剤キヤタナツクSN2％溶液（アメリカンシ
アナミド社製商品名）を表面に塗布し、塗布後直
ちに水洗し、乾燥させた。これを25℃湿度60％下
に放置し１ケ月、３ケ月、６ケ月後実験１と同じ
方法で摩擦帯電圧を測定し、表−２にその結果を
示す。 実験12 実験11において紫外光処理のみを行い界面活性
剤で後処理を行わないレコード盤についても同様
に摩擦帯電圧を測定し、表−２にその結果を示
す。 実験13 実験11と同じレコード盤をスプラジールガラス
管中に水銀とアルゴンとの蒸気を封じ込んだ50W
低圧水銀ランプで大気減圧下、酸素分圧70トル下
でランプより５cm離れた位置で10分間照射処理し
た。処理後直ちにアニオン系界面活性剤エマール
TD（花王アトラス社製商品名）の１％水溶液を
表面にスプレーし、その後直ちに水洗し乾燥させ
た。これを25℃湿度60％下に放置し１ケ月、３ケ
月、６ケ月後実験１と同じ方法で摩擦帯電圧を測
定し、表−２にその結果を示す。

【表】

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ レコード盤の表面を、15トル以上の酸素ふん
   囲気中もしくは酸素分圧が15トル以上の混合気体
   中で、200nｍ以下の波長域をもつ紫外光で照射
   処理することを特徴とするレコード盤の改質方
   法。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の方法において、
   紫外光で照射処理したレコード盤の表面をさらに
   界面活性剤溶液で処理することを特徴とするレコ
   ード盤の改質方法。