JPS6314404B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレコード盤の改質方法に関するもので
ある。 現在、塩化ビニル系樹脂製特に塩化ビニル―酢
酸ビニル共重合体樹脂製のレコード盤が広く生産
されているが、これはくり返しの使用に対する耐
摩耗性に劣るほか、じんあい等の付着蓄積により
表面が汚れ易く、これらの結果ノイズの発生が顕
著になるという問題点がある。 このため、上記のような塩化ビニル系樹脂製レ
コード盤については、その表面の改質が要望され
ており、従来からその表面強度特に耐摩耗性を向
上させる目的で、化学的な種々の表面処理方法が
提案されてきた。しかしながら大巾なコスト上昇
をともなうという経済的な理由を含めて満足し得
る効果が達成される処理方法はいまだ開発されて
いない。 また、塩化ビニル系樹脂製レコード盤は著しく
帯電しやすいため、じんあいの付着による外観の
汚れ、ノイズの発生がもたらされる問題がある。 この帯電(静電気の蓄積)を防止するための方
法としては、成形品の表面に帯電防止剤を塗布す
るとかあるいは成型品製造の際に帯電防止剤を練
り込むなどの方法が知られているが、前者の塗布
する方法には速効的な効果が得られるが持久性に
乏しく、また塗布面がベトツクとかブロツキング
の問題点があり、他方後者の方法には持久性の点
では前者の方法よりもすぐれているが帯電防止の
効果が不十分で、これを補うために帯電防止剤の
添加量を増加すると成型品表面にベトツキ感が現
れ、ブルーミング、ブロツキングの問題点を生じ
るほか、耐熱性が低下し、加工性が悪くなり、成
形品表面が着色し汚れ易くなるという不利があ
る。 本発明者らはこのような観点から比較的簡便な
方法で、その表面強度を上げ耐摩耗性を向上させ
ることができ、同時に帯電防止性を飛躍的に向上
させることによりレコードのノイズ発生を抑制す
る処理方法を検討の結果、本発明を完成したもの
で、これは塩化ビニル系樹脂製レコード盤の表面
を10トル以下の無機ガスの低温プラズマで処理
し、ついでこの処理面をハロゲンまたはハロゲン
化水素と接触させることを特徴とするレコード盤
の改質方法に関するものである。 以下本発明を詳細に説明する。 本発明は塩化ビニル系樹脂製レコード盤の表面
特性改質を目的とするものであるが、このレコー
ド盤製造に使用される塩化ビニル系樹脂としては
ポリ塩化ビニルのほか塩化ビニルを主体とする各
種の共重合体が包含され、この共重合体のコモノ
マーとしては酢酸ビニル、エチレン、プロピレ
ン、アクリル酸もしくはメタクリル酸またはそれ
らのエステルが例示される。なお、これら共重合
体には該コモノマーが同時に2種以上使用された
ものならびに塩化ビニルを主体とする各種のグラ
フト共重合体はもちろん包含される。 これらの塩化ビニル系樹脂からレコード盤を得
るにあたつては、必要に応じ可塑剤、帯電防止
剤、安定剤、滑剤等の各種添加剤が配合される。
可塑剤としてはフタル酸エステル、脂肪族二塩基
酸エステル、グリコールエステル、脂肪酸エステ
ル、リン酸エステル、クエン酸エステル系の可塑
剤、さらにはエポキシ系可塑剤、ポリエステル系
可塑剤、ウレタン系可塑剤、あるいは反応性可塑
剤等が例示され、また帯電防止剤としては第一ア
ミン化合物、第三アミン化合物、第四アンモニウ
ム化合物、ピリジン誘導体よりなるカチオン系界
面活性剤、石けん、硫酸化油、硫酸化エステル
油、硫酸化アミド油、オレフインの硫酸エステル
塩類、脂肪族アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ル硫酸エステル塩、脂肪酸エチルスルホン酸塩、
アルキルスルホン酸塩、アルキルナフタレンスル
ホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、コハ
ク酸エステルスルホン酸、リン酸エステル等より
なるアニオン界面活性剤、多価アルコールの脂肪
酸エステル、脂肪族アルコールのエチレンオキサ
イド付加物、脂肪酸のエチレンオキサイド付加
物、脂肪族アミノ化合物もしくは脂肪族アミド化
合物のエチレンオキサイド付加物、アルキルフエ
ノールのエチレンオキサイド付加物、アルキルナ
フトールのエチレンオキサイド付加物、多価アル
コールの部分的脂肪酸エステルのエチレンオキサ
イド付加物、ポリエチレングリコール等のノニオ
ン界面活性剤、カルボン酸誘導体、イミダゾリン
誘導体等の両性界面活性剤が例示される。 さらに安定剤としてはステアリン酸カルシウ
ム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カドミウ
ム、ステアリン酸鉛、ステアリン酸バリウム等の
金属石けん類、ジブチルすずジラウレート、ジ―
n―オクチルすずジマレエート、ジ―n―オクチ
ルすずメルカプタイドのような有機すず化合物
類、三塩基性硫酸塩、二塩基性亜リン酸鉛のよう
な鉛系安定剤、および各種の複合安定剤が、滑剤
としてはブチルステアレートのようなエステル
系、エチレンビスステアロアマイドのような脂肪
族アミド、高級脂肪酸およびそのエステル、ある
いはポリエチレンワツクスがそれぞれ例示され
る。 またその他塩化ビニル系樹脂の成形に使用され
る各種添加剤がたとえば充てん剤、抗酸化剤、紫
外吸収剤、帯電防止剤、無滴剤、顔料、染料、架
橋助剤等が配合されることも差支えない。 また塩化ビニル系樹脂製レコード盤を得る方法
は従来採用されている成形手段によればよく、特
に制限はない。 つぎにこのレコード盤を低温プラズマにて処理
するが、この処理方法としては10トル以下の無機
ガスの低温プラズマで該成形品を処理する手段に
よればよく、この際のプラズマ発生条件としては
たとえば電極間に13.56MHz、10ワツトから数キ
ロワツトの電力を印加すればよく、放電は有極放
電、無電極放電のいずれでも十分な結果が得られ
る。プラズマ処理時間は印加電圧によつても相違
するが、一般には数秒から数十分とすることで充
分である。 なお、プラズマ処理には上記の方法以外にも
種々あり、たとえば放電周波数帯としては低周
波、マイクロ波、直流などを用いることができ、
また電極も外部電極のほか内部電極、コイル型な
ど容量結合、誘導結合のいずれでもよい。しか
し、どのような方法をとつても放電熱によりレコ
ード盤表面が変質しないようにしなければならな
い。 無機ガスとしてはヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、窒素、亜酸化窒素、二酸化窒素、酸素、空
気、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、シアン化臭
素、亜硫酸ガス、硫化水素などが例示され、これ
らのガスは単独または混合して使用される。これ
らガスのプラズマ発生装置内におけるガス圧力は
0.001トル〜10トル(好ましくは0.05〜5トル)
とすることにより目的のプラズマを良好に発生さ
せることができる。 本発明においては前述したような低温プラズマ
処理を塩化ビニル系樹脂製レコード盤に行つた
後、このレコード盤表面をハロゲンまたはハロゲ
ン化水素と接触させるのであるが、その際該ハロ
ゲンまたはハロゲン化水素はガス状もしくは液状
のいずれでもよい。 ガス状で接触させる場合は、臭素、ヨウ素等に
ついては加熱および/または減圧でガス状とした
後接触操作を行えばよく、他方液状で接触させる
場合は、フツ素、フツ化水素、塩素、塩化水素、
臭化水素、ヨウ化水素等については低温下およ
び/または高圧下で液状とした後接触操作を行え
ばよい。 接触操作および接触完了後の余分な接触物の除
去を考慮するとガス状接触いわゆるドライ処理が
望ましい。またこの場合の接触圧力は10トル以上
であることが処理効率上好ましく、接触時間は圧
力、ガス温度、成形品表面の温度等によつて異な
るが、通常は数十秒から数十分とすることで目的
とする帯電防止性、耐摩耗性が得られる。 つぎに具体的実施例をあげる。 比較例 1 塩化ビニル―酢酸ビニル共重合体(SC―
400G、信越化学工業製商品名)100重量部、エポ
キシ変性大豆油1重量部、ジブチルすずメルカプ
タイド1.5重量部、カーボンブラツク0.1重量部か
らなる配合物をレコード成型機によりプレヒート
140℃、プレス温度165℃でレコード盤を作製し
た。 このレコード盤をプラズマ発生装置内にセツト
し、減圧下にアルゴンガスを通気しながら圧力を
1トルに調整保持し、13.56MHz、500Wの高周
波電力を与えてグロー放電させることにより発生
する低温プラズマで1分間処理を行つた。 このようにして処理したレコード盤について下
記の方法により、タバコ灰吸着距離および摩擦帯
電圧を調べると共に初期SN比および100回摩耗後
のSN比を測定した。 これらの結果を表―1に示した。 タバコ灰吸着距離: 試料表面を木綿布にて10回摩擦後、タバコ灰
に近づけ、タバコ灰が付着しはじめる距離を
測定 測定条件……25℃、60%RH 摩擦帯電圧: 興亜商会製ロータリースタテイツクテスター
により測定 測定条件……木綿布、200g荷重、750rpm、
30秒 実施例 1 比較例1と同様にして成形して得たレコード盤
を比較例1と同じ条件で低温プラズマ処理を行つ
た。これを真空装置内で50トルまで減圧した後、
塩素を導入して200トルとし5分間保持すること
によりレコード盤表面に塩素を接触させた。 このようにして処理したレコード盤について、
タバコ灰吸着距離および摩擦帯電圧を調べると共
に初期SN比および100回摩耗後のSN比を測定し
た。 これらの結果を表―1に示した。 実施例 2 比較例1と同様にして成形して得たレコード盤
をプラズマ発生装置内にセツトし減圧下にアルゴ
ンガスを通気しながら圧力を2トルに調整保持
し、13.56MHz300Wの高周波電力を与えてグロ
ー放電させることにより発生する低温プラズマで
2分間処理を行つた。 この低温プラズマ処理レコード盤を真空装置内
で100トルまで減圧した後塩素ガスを導入して1
気圧とした。この状態で1分間放置しレコード盤
表面に塩素を接触させた。 このようにして処理したレコード盤について、
タバコ灰吸着距離および摩擦帯電圧を調べると共
に初期SN比および100回摩耗後のSN比を測定し
た。 これらの結果を表―1に示した。 比較例 2 塩化ビニル―酢酸ビニル共重合体(SC―
400G)50重量部、塩化ビニル樹脂(TK―700、
信越化学工業製商品名)50重量部、エポキシ化大
豆油1重量部、ジブチルすずマレエート2重量
部、カルシウムステアレート0.3重量部、カーボ
ンブラツク0.2重量部からなる配合物をレコード
成形機によりプレヒート150℃、プレス温度170℃
でレコード盤を作製した。 このレコード盤をプラズマ発生装置内にセツト
し、減圧下にアルゴンと窒素との混合(容量比
1:1)ガスを通気しながら圧力を0.1トルに調
整保持し、13.56MHz100Wの高周波電力を与え
てグロー放電させることにより発生する低温プラ
ズマで10分間処理を行つた。 この低温プラズマ処理レコード盤について、比
較例1と同様にして諸物性を測定した。 これらの結果を表―1に示した。 実施例 3 比較例2で得た低温プラズマ処理レコード盤を
真空装置内で1トルまで減圧した後、塩化水素ガ
スを導入して30トルとした後10分間放置し、レコ
ード盤表面に塩化水素ガスを接触させた。 このようにした処理したレコード盤について、
比較例1と同様にして諸物性を測定した。 これらの結果を表―1に示した。 【表】
ある。 現在、塩化ビニル系樹脂製特に塩化ビニル―酢
酸ビニル共重合体樹脂製のレコード盤が広く生産
されているが、これはくり返しの使用に対する耐
摩耗性に劣るほか、じんあい等の付着蓄積により
表面が汚れ易く、これらの結果ノイズの発生が顕
著になるという問題点がある。 このため、上記のような塩化ビニル系樹脂製レ
コード盤については、その表面の改質が要望され
ており、従来からその表面強度特に耐摩耗性を向
上させる目的で、化学的な種々の表面処理方法が
提案されてきた。しかしながら大巾なコスト上昇
をともなうという経済的な理由を含めて満足し得
る効果が達成される処理方法はいまだ開発されて
いない。 また、塩化ビニル系樹脂製レコード盤は著しく
帯電しやすいため、じんあいの付着による外観の
汚れ、ノイズの発生がもたらされる問題がある。 この帯電(静電気の蓄積)を防止するための方
法としては、成形品の表面に帯電防止剤を塗布す
るとかあるいは成型品製造の際に帯電防止剤を練
り込むなどの方法が知られているが、前者の塗布
する方法には速効的な効果が得られるが持久性に
乏しく、また塗布面がベトツクとかブロツキング
の問題点があり、他方後者の方法には持久性の点
では前者の方法よりもすぐれているが帯電防止の
効果が不十分で、これを補うために帯電防止剤の
添加量を増加すると成型品表面にベトツキ感が現
れ、ブルーミング、ブロツキングの問題点を生じ
るほか、耐熱性が低下し、加工性が悪くなり、成
形品表面が着色し汚れ易くなるという不利があ
る。 本発明者らはこのような観点から比較的簡便な
方法で、その表面強度を上げ耐摩耗性を向上させ
ることができ、同時に帯電防止性を飛躍的に向上
させることによりレコードのノイズ発生を抑制す
る処理方法を検討の結果、本発明を完成したもの
で、これは塩化ビニル系樹脂製レコード盤の表面
を10トル以下の無機ガスの低温プラズマで処理
し、ついでこの処理面をハロゲンまたはハロゲン
化水素と接触させることを特徴とするレコード盤
の改質方法に関するものである。 以下本発明を詳細に説明する。 本発明は塩化ビニル系樹脂製レコード盤の表面
特性改質を目的とするものであるが、このレコー
ド盤製造に使用される塩化ビニル系樹脂としては
ポリ塩化ビニルのほか塩化ビニルを主体とする各
種の共重合体が包含され、この共重合体のコモノ
マーとしては酢酸ビニル、エチレン、プロピレ
ン、アクリル酸もしくはメタクリル酸またはそれ
らのエステルが例示される。なお、これら共重合
体には該コモノマーが同時に2種以上使用された
ものならびに塩化ビニルを主体とする各種のグラ
フト共重合体はもちろん包含される。 これらの塩化ビニル系樹脂からレコード盤を得
るにあたつては、必要に応じ可塑剤、帯電防止
剤、安定剤、滑剤等の各種添加剤が配合される。
可塑剤としてはフタル酸エステル、脂肪族二塩基
酸エステル、グリコールエステル、脂肪酸エステ
ル、リン酸エステル、クエン酸エステル系の可塑
剤、さらにはエポキシ系可塑剤、ポリエステル系
可塑剤、ウレタン系可塑剤、あるいは反応性可塑
剤等が例示され、また帯電防止剤としては第一ア
ミン化合物、第三アミン化合物、第四アンモニウ
ム化合物、ピリジン誘導体よりなるカチオン系界
面活性剤、石けん、硫酸化油、硫酸化エステル
油、硫酸化アミド油、オレフインの硫酸エステル
塩類、脂肪族アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ル硫酸エステル塩、脂肪酸エチルスルホン酸塩、
アルキルスルホン酸塩、アルキルナフタレンスル
ホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、コハ
ク酸エステルスルホン酸、リン酸エステル等より
なるアニオン界面活性剤、多価アルコールの脂肪
酸エステル、脂肪族アルコールのエチレンオキサ
イド付加物、脂肪酸のエチレンオキサイド付加
物、脂肪族アミノ化合物もしくは脂肪族アミド化
合物のエチレンオキサイド付加物、アルキルフエ
ノールのエチレンオキサイド付加物、アルキルナ
フトールのエチレンオキサイド付加物、多価アル
コールの部分的脂肪酸エステルのエチレンオキサ
イド付加物、ポリエチレングリコール等のノニオ
ン界面活性剤、カルボン酸誘導体、イミダゾリン
誘導体等の両性界面活性剤が例示される。 さらに安定剤としてはステアリン酸カルシウ
ム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カドミウ
ム、ステアリン酸鉛、ステアリン酸バリウム等の
金属石けん類、ジブチルすずジラウレート、ジ―
n―オクチルすずジマレエート、ジ―n―オクチ
ルすずメルカプタイドのような有機すず化合物
類、三塩基性硫酸塩、二塩基性亜リン酸鉛のよう
な鉛系安定剤、および各種の複合安定剤が、滑剤
としてはブチルステアレートのようなエステル
系、エチレンビスステアロアマイドのような脂肪
族アミド、高級脂肪酸およびそのエステル、ある
いはポリエチレンワツクスがそれぞれ例示され
る。 またその他塩化ビニル系樹脂の成形に使用され
る各種添加剤がたとえば充てん剤、抗酸化剤、紫
外吸収剤、帯電防止剤、無滴剤、顔料、染料、架
橋助剤等が配合されることも差支えない。 また塩化ビニル系樹脂製レコード盤を得る方法
は従来採用されている成形手段によればよく、特
に制限はない。 つぎにこのレコード盤を低温プラズマにて処理
するが、この処理方法としては10トル以下の無機
ガスの低温プラズマで該成形品を処理する手段に
よればよく、この際のプラズマ発生条件としては
たとえば電極間に13.56MHz、10ワツトから数キ
ロワツトの電力を印加すればよく、放電は有極放
電、無電極放電のいずれでも十分な結果が得られ
る。プラズマ処理時間は印加電圧によつても相違
するが、一般には数秒から数十分とすることで充
分である。 なお、プラズマ処理には上記の方法以外にも
種々あり、たとえば放電周波数帯としては低周
波、マイクロ波、直流などを用いることができ、
また電極も外部電極のほか内部電極、コイル型な
ど容量結合、誘導結合のいずれでもよい。しか
し、どのような方法をとつても放電熱によりレコ
ード盤表面が変質しないようにしなければならな
い。 無機ガスとしてはヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、窒素、亜酸化窒素、二酸化窒素、酸素、空
気、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、シアン化臭
素、亜硫酸ガス、硫化水素などが例示され、これ
らのガスは単独または混合して使用される。これ
らガスのプラズマ発生装置内におけるガス圧力は
0.001トル〜10トル(好ましくは0.05〜5トル)
とすることにより目的のプラズマを良好に発生さ
せることができる。 本発明においては前述したような低温プラズマ
処理を塩化ビニル系樹脂製レコード盤に行つた
後、このレコード盤表面をハロゲンまたはハロゲ
ン化水素と接触させるのであるが、その際該ハロ
ゲンまたはハロゲン化水素はガス状もしくは液状
のいずれでもよい。 ガス状で接触させる場合は、臭素、ヨウ素等に
ついては加熱および/または減圧でガス状とした
後接触操作を行えばよく、他方液状で接触させる
場合は、フツ素、フツ化水素、塩素、塩化水素、
臭化水素、ヨウ化水素等については低温下およ
び/または高圧下で液状とした後接触操作を行え
ばよい。 接触操作および接触完了後の余分な接触物の除
去を考慮するとガス状接触いわゆるドライ処理が
望ましい。またこの場合の接触圧力は10トル以上
であることが処理効率上好ましく、接触時間は圧
力、ガス温度、成形品表面の温度等によつて異な
るが、通常は数十秒から数十分とすることで目的
とする帯電防止性、耐摩耗性が得られる。 つぎに具体的実施例をあげる。 比較例 1 塩化ビニル―酢酸ビニル共重合体(SC―
400G、信越化学工業製商品名)100重量部、エポ
キシ変性大豆油1重量部、ジブチルすずメルカプ
タイド1.5重量部、カーボンブラツク0.1重量部か
らなる配合物をレコード成型機によりプレヒート
140℃、プレス温度165℃でレコード盤を作製し
た。 このレコード盤をプラズマ発生装置内にセツト
し、減圧下にアルゴンガスを通気しながら圧力を
1トルに調整保持し、13.56MHz、500Wの高周
波電力を与えてグロー放電させることにより発生
する低温プラズマで1分間処理を行つた。 このようにして処理したレコード盤について下
記の方法により、タバコ灰吸着距離および摩擦帯
電圧を調べると共に初期SN比および100回摩耗後
のSN比を測定した。 これらの結果を表―1に示した。 タバコ灰吸着距離: 試料表面を木綿布にて10回摩擦後、タバコ灰
に近づけ、タバコ灰が付着しはじめる距離を
測定 測定条件……25℃、60%RH 摩擦帯電圧: 興亜商会製ロータリースタテイツクテスター
により測定 測定条件……木綿布、200g荷重、750rpm、
30秒 実施例 1 比較例1と同様にして成形して得たレコード盤
を比較例1と同じ条件で低温プラズマ処理を行つ
た。これを真空装置内で50トルまで減圧した後、
塩素を導入して200トルとし5分間保持すること
によりレコード盤表面に塩素を接触させた。 このようにして処理したレコード盤について、
タバコ灰吸着距離および摩擦帯電圧を調べると共
に初期SN比および100回摩耗後のSN比を測定し
た。 これらの結果を表―1に示した。 実施例 2 比較例1と同様にして成形して得たレコード盤
をプラズマ発生装置内にセツトし減圧下にアルゴ
ンガスを通気しながら圧力を2トルに調整保持
し、13.56MHz300Wの高周波電力を与えてグロ
ー放電させることにより発生する低温プラズマで
2分間処理を行つた。 この低温プラズマ処理レコード盤を真空装置内
で100トルまで減圧した後塩素ガスを導入して1
気圧とした。この状態で1分間放置しレコード盤
表面に塩素を接触させた。 このようにして処理したレコード盤について、
タバコ灰吸着距離および摩擦帯電圧を調べると共
に初期SN比および100回摩耗後のSN比を測定し
た。 これらの結果を表―1に示した。 比較例 2 塩化ビニル―酢酸ビニル共重合体(SC―
400G)50重量部、塩化ビニル樹脂(TK―700、
信越化学工業製商品名)50重量部、エポキシ化大
豆油1重量部、ジブチルすずマレエート2重量
部、カルシウムステアレート0.3重量部、カーボ
ンブラツク0.2重量部からなる配合物をレコード
成形機によりプレヒート150℃、プレス温度170℃
でレコード盤を作製した。 このレコード盤をプラズマ発生装置内にセツト
し、減圧下にアルゴンと窒素との混合(容量比
1:1)ガスを通気しながら圧力を0.1トルに調
整保持し、13.56MHz100Wの高周波電力を与え
てグロー放電させることにより発生する低温プラ
ズマで10分間処理を行つた。 この低温プラズマ処理レコード盤について、比
較例1と同様にして諸物性を測定した。 これらの結果を表―1に示した。 実施例 3 比較例2で得た低温プラズマ処理レコード盤を
真空装置内で1トルまで減圧した後、塩化水素ガ
スを導入して30トルとした後10分間放置し、レコ
ード盤表面に塩化水素ガスを接触させた。 このようにした処理したレコード盤について、
比較例1と同様にして諸物性を測定した。 これらの結果を表―1に示した。 【表】
Claims (1)
- 1 塩化ビニル系樹脂製レコード盤の表面を10ト
ル以下の無機ガスの低温プラズマで処理し、つい
でこの処理面をハロゲンまたはハロゲン化水素と
接触させることを特徴とするレコード盤の改質方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3011880A JPS56127902A (en) | 1980-03-10 | 1980-03-10 | Reforming method of recording disk |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3011880A JPS56127902A (en) | 1980-03-10 | 1980-03-10 | Reforming method of recording disk |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56127902A JPS56127902A (en) | 1981-10-07 |
JPS6314404B2 true JPS6314404B2 (ja) | 1988-03-30 |
Family
ID=12294861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3011880A Granted JPS56127902A (en) | 1980-03-10 | 1980-03-10 | Reforming method of recording disk |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS56127902A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5013594A (en) * | 1987-09-25 | 1991-05-07 | Hitachi Maxwell, Ltd. | Optical information recording medium and its production |
-
1980
- 1980-03-10 JP JP3011880A patent/JPS56127902A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56127902A (en) | 1981-10-07 |
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