JPS63129301A - 光学式デイスク用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｉｉ五Δ札１分国 本発明は、デジタルオーディオディスク、ビデオディス
ク、メモリーディスクなど（以下光学式ディスク）にお
ける基板材料として、極性基置換ノルボルネンの開環重
合体を用いることによりすぐれた光学特性を有する光学
式ディスクに関する。

従来の技術 現在までディスク材料として、多数の樹脂が開発され、
実用に供されている。たとえば、照隠ガラス、ポリメチ
ルメタクリレート（以下ｒ　ＰＭｆ’ｌ八」と略記する
）、ポリスチレン、ポリカーボネート樹脂などがあげら
れるが、ディスク材料しての物性を総合的に評価すると
いずれも一長一短があり、必ずしも満足出来るものでは
ない。

無機ガラスの場合、吸湿性が少ないために、記録膜への
悪影響が少ない長所があるが重量が重く、しかも割れ易
い。さらに、ガラスの゛隋密加工が高価である等の欠点
がある。他方樹脂材料は無限ガラスに比べ上記した如き
比重割れ成形性などの点ではすぐれているが、寸法安定
性などを含めたディスク材料としての総合的性能は未だ
充分でない。

叩ち、ＰＭＭＡの場合、耐熱性、吸水性、耐衝撃性など
の点で問題がある。また、ポリカーボネート樹脂では、
上記の特性についてはすぐれているものの、光弾性係数
が大きいため、これに基因して複屈折が大きくなりディ
スクに記録された情報の読み取り感度が低下するという
難点がある。

発明が解決しようとする問題点 本発明者らは、上記の如き欠点のない光学式ディスクを
得るべく鋭意検討した結果、極性基置換ノルボルネンの
開環重合体を素材として使用することにより、耐熱性、
機械的強度、光学的性質の優れた光学式ディスクが提供
出来ることを見い出し、本発明に到達した。

鼠Ｂ力」」υ１し影隘凶ΩＪ１けりμｄ１肚本類本発明
前記した従来技術の欠点がなく、光学式ディスク素材と
して、（ｉ）ニトリル基、エステル基、塩素原子、酸無
水物基およびイミド基からなる群から選ばれた少なくと
も一種の極性基もしくは該極性基を含有する炭素数が多
くとも２０個の炭化水素残基を有するノルボルネン誘導
体を開環重合して得られる開環重合体並びに（ｉｉ　）
該ノルボルネン誘導体と多くとも５０モル％のシクロオ
レフィン系化合物もしくは芳香族炭化水素基、エーテル
基、アミド基及び臭素原子からなる群から選ばれた少な
くとも一つの基を有するノルボルネン誘導体からなる混
合物を開環重合して得られる開環重合体のうちの少なく
ともいづれかを主成分とする樹脂組成物を使用すること
を特徴とする。

本発明において単量体として用いられる極性基または極
性基を含有する置換基を有するノルボルネン誘導体は、
ニトリル系ノルボルネン誘導体、エステル系ノルボルネ
ン誘導体、塩素系ノルボルネン誘導体、酸無水物系ノル
ボルネン誘導体、イミド系ノルボルネン誘導体、更には
万言族系ノルボルネン誘導体、エーテル系ノルボルネン
誘導体、アミド系ノルボルネン誘導体、臭素系ノルボル
ネン誘導体である。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て用いられるニトリル系ノルボルネン誘導体のうち、代
表的なものの一般式は下式（（Ｉ））式で示されるもの
である。

〔ただし、Ｗｌ　、Ｘｉ　、Ｙ’　、およびＺｌは同一
でも異種でもよく、水素原子、シアノ基（ニトリル基）
、シアン基で置換された炭素数が多くとも２０ｆｌｌの
アルキル基、シクロアルキル基、アルケ”ニル基および
アリール（ａｒｙｌ）基からなる群・からえらばれた炭
化水素基または炭素、数が多くとも２０ｆ［Ｉのアルキ
ル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール（ａ
ｒｙｌ）基およびアラルキル基からなる群からえらばれ
た炭化水素基であるが、Ｗｌ　、Ｘ’、ＹｌおよびＺｌ
のうち、少くとも１個はシアノ基またはシアノ基で置換
された炭化水素基である〕上記の（１）式における炭化
水素基どしては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基
、イソブチル基、ｎ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル
基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデ
シル基、エイコシル基、フェニル基、ナフチル基、トリ
ル基、シクロヘキシル基、１−メチルシクロヘキシル基
および２−オクテニル基などがあげら、れる。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用されるニトリル系ノルボルネン誘導体のうち、代
表的なものとしては、５−シアノ−ビシクロ（２，２，
１）−へブテン−２，３，５−ジシアノー−ビシクロ（
２，２，１）−へブテン−２，５，６−ジシアツービシ
クロ（２，２，１）−へブテン−２，５−シアノ−５−
メチル−ビシクロ。

（２，２，１）−へブテン−２，５−シアノ−６−メチ
ル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５−シア
ノ−５−エチル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−
２，５−シアノ−５−オクチル−ビシクロ（２，２，１
）−へブテン−２，５−シアノ−６−フェニル−ビシク
ロ（２，２，１）−へブテン−２，５−シアノ５，６−
シメチルービシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５
−シアノメチル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−
２，５−ω−シアノヘプチル−ビシクロ［２，２，１）
　−ヘフテン−２，５−シアノ−６−シクロヘキシル−
ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２および５−ω−
シアノ−３−デセニル−ビシクロ（２，２，１）−へブ
テン−２があげられる。さらに、本発明において単量体
として用いられるニトリル系ノルボルネン誘導体の他の
代表例は特開昭４９−６７９９９号公報に記載されてい
るものがあげられる。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用されるエステル系ノルボルネン誘導体のうち、代
表的なもののうち一例としては前記（［）式および下式
〔（■）式〕の一般式で示されるものである。

（ｎ） 〔ただし、Ｗｌ、×１、Ｙｌ、およびＺｌならびに〜Ｖ
２　、Ｘ２　、Ｙ２およびＺ２は水素１顎子、エステル
基〔一般式が一〇〇ＯＲ１または一〇ＣＯＲ’（ただし
、Ｒ１は炭素数が多（とも２０個の炭化水素基）で示さ
れる〕、エステル基で置換された炭化水素基〔一般式が
−Ｒ２Ｃ０ＯＲ’またはＲ２０ＣＯＲ’　　（ただし、
Ｒ１は上記炭化水素基（Ｒ’に同じ）、Ｒ２は炭素数が
多（とも２０個の二価の水素基であり、Ｗｌ、×１、Ｙ
ｌ、およびＺｌまたは、Ｗ２　、Ｘ２　、Ｙ２およびＺ
２のうち、少なくとも一個はエステル基またはエステル
基で置換された炭化水素基である〕 また、本発明において開環重合体を製造するために単量
体として使用されろエステル系ノルボルネン誘導体のう
ち、代表的なもののうち、池の一例としては下式〔（■
）式および（ＩＶ）式〕の一般式で示されるものである
。

〔ただし、Ａは−Ｃｏｏ−Ｒ３−００Ｇ−または−ＣＯ
ＯＲ’　−（ただし、Ｒ３およびＲ４は炭素数が多くと
も２０個のアルキレン基）であり、ｗ３およびＺ３なら
びにＷ”　、Ｘ４　、Ｙ４およびＺ４は同一でも異種で
もよく、水素原子または前記エステル基、エステル基を
含有する炭化水素基もしくは炭化水素基であり、Ｗ４　
、Ｘ４　、Ｙ４およびＺ４のうち、少なくとも一個はエ
ステル基またはエステル基で置換された炭化水素基であ
る〕本発明を実施するにあたり、上記の一般式で示され
るエステル系ノルボルネン誘導体のうち、特に、（１）
式で示されるエステル系ノルボルネン誘導体が望ましく
、その代表的なものとしては、５−メトキシカルボニル
−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５−エトキ
シカルボニル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２
，５−プロポキシカルボニル−ビシクロ（２，２，１）
−へブテン−２，５−アリロキシカルボニル−ビシクロ
〔２゜２．１）−へブテン−２，５−メチル−５−メト
キシカルボニル−ビシクロＣ２，２，１）−へブテン−
２，５−へキシロキシカルボニル−６−メチル−ビシク
ロ（２，２，１）−へブテン−２，５−エトキシカルボ
ニル−６−フェニルービシクロ（２，２，１）−へブテ
ン−２，５−へブチル−６−オクチロキジカルポニルー
ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５−メトキシ
カルボニル−６−メトキジカルボニルメチル−ビシクロ
（２，２，１３−へブテン−２，５，６−シメトキシカ
ルポニルービシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５
，６−ジニトキシカルボニルービシクロ（２，２，ｌ　
）−へブテン−２，５，５−ジブトキシカルボニル−ビ
シクロ（２，２，１）−へブテン−２，５−メチル−６
，６−シメトキシカルボニルービシクロ（２，２゜１〕
−へブテン−２，５−ω−メトキシカルボニルへブチル
−６−オクチル−ビシクロ（２，２，１）−一・ブテン
−２，５−ω−メ［・キシカルボニル−２−デセニル−
６−ペンチル−ビシクロ（２，２゜１〕−ヘプテン−２
，５−ω−メトキシカルボニルへブチル−６−２−オク
テニル−ビシクロ〔２゜２．１〕−へブテン−２，５−
アセトキシメチル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン
−２，５−アセトキシ−ビシクロ（２，２，１）−へブ
テン−２，５−プロポキシメチル−ビシクロ（２，２，
１）−ヘプテン−２および５−ステアロキシメチル−ビ
シクロ（２，２，１）−へブテン−２があげられる。

（ＩＩ）式、（ＩＩＩ）式および（■）式で示されろエ
ステル系ノルボルネン誘導体についても、上記と同様に
代表例を示すことができる。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用されるエーテル系ノルボルネン誘導体のうち、代
表的なものの一般式は前記（Ｉ）式、（ＩＩ）式および
（１）式で示されるものである。

〔ただし、Ｗｌ、Ｘｌ、ＹｌおよびＺｌならびにＷｌ、
Ｘ２、Ｙ２およびＺｌならびにＷ３およびＺ３は同一で
も異種でもよく、水素原子、エーテル基、エーテル基を
含有する炭化水素基〔一般式が−Ｒ２０Ｒ１−（ただし
、Ｒ１は前記Ｒ１に同じ、Ｒ２は炭素数が多（とも２０
個の二個の炭化水素基）で示される〕または前記炭化水
素基であり、Ｗｌ　、Ｘｉ　、ＹｌおよびＺｌならびに
Ｗｌ、Ｘ２、Ｙ２およびＺｌのうち、少なくとも一個は
エーテル基またはエーテル基で置換された炭化水素基で
あり、Ａは、一般式が−Ｒ３０Ｒ’−または−Ｒ５０−
（ただし、Ｒ３、Ｒ’およびＲ５は同一でも異種でもよ
く、炭素数が多くとも２０個のの炭化水素基である）で
示されるものである〕 本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用されるエーテル系ノルボルネン誘導体のうち、特
に（Ｉ）式で示されるエーテル系ノルボルネン誘導体が
好ましく、その代表的なものとしては、５−メトキシ−
ビシクロ（２，２，１１−へブテン−２，５−エトキシ
−ビシクロ（２，２゜■〕−へブテン−２，５−ｎ−プ
ロポキシ−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５
−インプロポキシ−ビシクロ（２，２，Ｌ　３−へブテ
ン−２，５−ｎ−ブトキシ−ビシクロ（２，２，１）−
へブテン−２，５−オクトキシ−ビシクロ（２，２，１
）−へブテン−２，５−シクロヘキソキシ−ビシクロ（
２，２，１）−へブテン−２，５−メトキシメチル−ビ
シクロ（２，２，１３−へブテン−２，５−イソブトキ
シメチル−ビシクロ（２，２，１）　−ヘプテン−２，
５−メトキシ−６−メドキシメチルービシクロ（２，２
，１）−へブテン−２および５−フェノキシ−ビシクロ
（２，２，４）−へブテン−２があげられる。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て用いられるアミド系ノルボルネン誘導体のうち、代表
的なものの一般式は前記（Ｉ）式、（ｎ）式および（Ｉ
ｎ）式で示されるものである。

ただし、（１）式および（Ｉ［［）式において、Ｗｌ、
ｘｔ　、ｙｔおよびＺｌならびにＷｌ　、Ｘ２　、ｙ２
およびＺｌならびにＷ３およびＺ３は同一でも異アミド
基で置換された炭化水素基（−Ｒ３ＣＯＮＹ１およびＺ
ｌまたはＷｌ、Ｘ２、Ｙ２およびＺｌのうち、少なくと
も一個は該アミド基またはアミド基で置換された炭化水
素基である。Ｒ１およびＲ２は同一でも異種でもよく、
炭素数が多くとも２０個の炭化水素であり、Ｒ３は、炭
素数が多くとも２０個の二価の炭化水素基である。Ａは
、一般式−（ただし、Ｒ４、Ｒ３およびＲ６は同一でも
異種でもよく、炭素数が多くとも２０個のアルキレン基
である）で示される基である。

さらに、本発明においては、前記（Ｉ）式においてＷｌ
　、Ｘｉ　、ＹｌおよびＺｌのうち、少なく炭素数が多
くとも２０個のアルキレン基）で示されるアミド系ノル
ボルネン誘導体を単量体として使用することもできる。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て用いられるアミド系ノルポルぶン誘導体のうち、代表
的なものとしては、Ｎ、Ｎ−ジメチル−ビシクロ（２，
２，１）−へブテン−２−カルボンアミド−５、Ｎ、Ｎ
−ジエチル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２−
カルボンアミド−５、Ｎ、Ｎ−ジブチル−ビシクロ（２
，２，１）　−ヘプテン−２−カルボンアミド−５、Ｎ
−メチル−Ｎ−オクチル−ビシクロ（２，２，１）−へ
ブテン−２−カルボンアミド−５、Ｎ−メチル−Ｎ−シ
クロヘキシル−ビシクロ［２，２，１）−へブテン−２
−カルボンアミド−５、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル−ビ
シクロ（２，２，１）−へブテン−２−カルボンアミド
−５、Ｎ５Ｎ−ジシクロヘキシル−ビシクロ（２，２，
１）−へブテン−２−カルボンアミド−５、Ｎ、Ｎ−ジ
ヘンジルービシクロ（２，２，１）−へブテン−２−カ
ルボンアミド−５、Ｎ、Ｎ−ジメチル−５−メチル−ビ
シクロ（２，２，ｌ　）−へブテン−２−カルボンアミ
ド−５、Ｎ、Ｎ−ジエチル−６−メチル−ビシクロ（２
，２，１）−へブテン−２−カルボンアミド−５、Ｎ、
Ｎ−ジメチル−６−フェニル−ビシクロ（２，２，ｌ　
）−へブテン−２−カルボンアミド−５、Ｎ、Ｎ、Ｎ”
、　Ｎ゛　−テトラメチル−ビシクロ（２，２，１）−
へブテン−２−ジカルボンアミド−５、およびＮ、Ｎ、
Ｎ’　　、Ｎ’　　−テトラエチル−ビシクロ（２，２
，１）−へブテン−２−ジカルボンアミド−５，６があ
げられる。さらに、本発明において単量体として使用さ
れるアミド系ノルボルネン誘導体の他の代表例は特願昭
４９−６１８５１号明細書に記載されている。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用される塩素系ノルボルネン誘導体のうち、代表的
なものの一般式は前記（Ｉ）式およびＣＩ＋）式で示さ
れるものである。

ただし、（Ｉ）式および（ＩＩ）式において、Ｗｌ、Ｘ
ｉ、ＹｌおよびＺｌならびにＷｌ、Ｘ２、ＹｌおよびＺ
ｌは同一でもよく、水素原子、塩素原子、臭崇原子、少
なくとも一個の塩素原子で置換された炭素数が多くとも
２０個の炭化水素基または炭素数が多くとも２０個の炭
化水素基であり、ｗｔ、ｘｔ、ＹｌおよびＺｌまたはＷ
ｌ、ｘ２、ＹｌおよびＺｌのうち、少なくとも一個は塩
素原子で置換された炭化水素基である。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用される塩素系ノルボルネン誘導体のうち、代表的
なものとしては、５−クロル−ビシクロ（２，２，１）
−へブテン−２，５−クロル−５−メチル−ビシクロ（
２，２，１）−へブテン−２，５−クロル−６−メチル
−ビシクロ〔２，２，１〕−へブテン−２，５−クロル
メチル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５，
５−ジクロル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２
，５，６−ジクロル−ビシクロ（２，２，ｌ　）−へブ
テン−２，５，５−ビスクロルメチルービシクロ（２，
２，Ｌ　）−へブテン−２，５，６−ピスタロルメチル
ービシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５，５−ジ
クロル−６−メチル−ビシクロ（２，２，ｌ　）−へブ
テン−２，５−クロル−６−クロルメチルーヒンクロ（
２，２，１）−へブテン−２，５，６−ジクロル−５−
メチル−ビシクロ（２，２，Ｌ　）−へブテン−２，５
−（α、β−ジクロルエチル）−ビシクロ（２，２，１
）−へブテン−２，５−クロル−５−メチル−６−クロ
ルメチル−ビシクロ（２，２゜ｌ〕−へブテン−２，５
−クロルメチル−５−メチル−６−クロル−ビシクロ（
２，２，ｌ　）−ヘプテン−２，５，５，６−）リクロ
ルービシクロ〔２゜２．１〕−へブテン−２および５．
５＋　６．６−チトラクロルービシクロ（２，２，１）
−へブテン−２があげられる。

さらに、本発明において単量体として使用される塩素系
ノルボルネン誘導体の他の代表例は特願昭４９−６１８
５１号および同４９−１２９５８１号の各明細書に記載
されている。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用される臭素系ノルボルネン誘導体のうち、代表的
なものの一般式は前記（１）式および（ｎ）式で示され
るものである。

ただし、（１）式および（ＩＩ）式において、〜ｖ１、
Ｘｉ、ＹｌおよびＺｌならびにＷ２、×２、Ｙ２および
Ｚ２は同一でもよく、水素原子、塩素原子、臭素原子、
少なくとも一個の臭素原子で置換された炭素数が多くと
も２０個の炭化水素基または炭素数が多くとも２０個の
炭化水素基であり、Ｗｌ、Ｘｌ、ＹｌおよびＺｌまたは
Ｗ２　、Ｘ２　、Ｙ２およびＺ２のうち、少なくとも一
個は臭素原子で置換された炭化水素基である。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用される臭素系ノルボルネン誘導体のうち、代表的
なものとしては、５−ブロム−ビシクロ（２，２，１）
−へブテン−２，５−ブロム−５−メチル−ビシクロ（
２，２，１）−へブテン−２，５−ブロム−６−メチル
−ビシクロ（２，２゜ｌ〕−へブテン−２，５−ブロム
メチル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５，
５−ジブロム−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２
，５，６−ジブロム−ビシクロ（２，２，１）−へブテ
ン−２，５，５−ビスブロムメチル−ビシクロ（２，２
，１）−へブテン−２，５，６−ビスブロムメチル−ビ
シクロ（２，２，１）−へブテン−２，５，５−ジブロ
ム−６−メチル−ビシクロ（２，２，ｌ　）−へブテン
−２，５−ブロム−６−ブロムメチル−ビシクロ（２，
２，１）−へブテン−２，５，６−ジプロムー５−メチ
ル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５−（α
、β−ジブロムエチル）−ビシクロ（２，２，１）−へ
ブテン−２，５−ブロム−５−メチル−６−ブロムメチ
ル−ビシクロ（２，２゜１〕−へブテン−２，５−ブロ
ムメチル−５−メチル−６−ブロム−ビシクロ（２，２
，１３−へブテン−２，５，５，６−）リブロム−ビシ
クロ〔２゜２．１〕−へブテン−２および５．５．６．
６−チトラブロムービシクロ（２，２，１）−へ７’テ
ア−２があげられる。

さらに、本発明において単量体として使用される臭素系
ノルボルネン誘導体の他の代表例は特願昭４９−６Ｌ８
５１号および同４９−１２９５８１号の各明細書に記載
されている。

さらに、本発明において単量体として用いられる酸無水
物系ノルボルネン誘導体のうち、代表的なものの一般式
は下式〔（Ｖ）式および（ＶＩ）式〕で示されるもので
ある。

以下余白 〔ただし、Ｗ３およびＺ３ならびにＷ６およびＸ６は同
一でも異種でもよく、水素原子または炭素数が多（とも
２０＋［１ｉ１の炭化水素基であり、Ｂは、炭素数が４
〜２０個の四価の炭化水素基であり、Ｄは酸素であり、
！およびｍは独立に０．１または２であり、ｑはＯまた
は１である〕 上記の（Ｖ）および（Ｖ［）式において、ｑが０の場合
には、ノルポル名ン環の炭素と酸無水物含有基は単環を
形成する。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用される酸無水物系ノルボルネン誘導体のうち、代
表的なものとしては、３，６−メチレン−Ｌ　２．３．
６−チトラヒドローシスーフクルＨ無水物、５−　（５
−カルボキシ−ビシクロ〔２゜２．１〕−ヘプタ−２−
エニル）酢酸無水物、２−オキサ−１，３−ジオキソ−
５，８−メタノ−１８２゜３、４．４ａ、　５．８．８
ａ−オクタヒドロナフタレン、５．８−メタノ−Ｌ　２
．３．４．４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタ
レン−２，３−ジカルボン酸無水物、１、４：　５＋　
８−ジメタノ−Ｌ　２．３．４．４ａ、　５．８゜８ａ
−オクタヒドロナフタレン−２，３−ジカルボン酸無水
物、２−オキサ−１，３−ジオキソ−５，８：９．１０
−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ、
　９゜９ａ、　１０．１０ａ−ドデカヒドロアントラセ
ン、３．６−メタノ−１−メチル−１，２，３，６−チ
トラヒドローシスーフクル酸無水物、３．６−メタツー
プチルー１−１．２．３．６−チトラヒドローシスーフ
タル酸無水物および３，６−メタノ−１−オクチル−１
゜２、３．６−チトラヒドローシスーフクル酸無水物が
あげられる。その上、本発明において単量体として用い
られる酸無水物系ノルボルネン誘導体の他の代表例は特
開昭５０−５８２００号公報に記載されている。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て用いられるイミド系ノルボルネン誘導体のうち、代表
的なものの一般式のうち、−例としては前記（Ｖ）式お
よび（Ｖｌ）式で示されるものである。

ただし、式中、Ｄは、その一般式が＞Ｎ−Ｒ’で示され
るものである（ただし、Ｒ１は、炭素数が多くとも２０
個の炭化水素基またはエステル基を含有する基）、ただ
し、Ｂ　％　１２　、ｍおよびｑは前記酸無水物系ノル
ボルネン誘導体の場合と同様である。

他のイミド系ノルボルネン誘導体の一般式は下式〔（■
）式〕示されるものである。

〔ただし、Ｗ７　、Ｙ”およびＺ７は同一でも異種でも
よく、水素原子または炭素数が多くとも２０個の炭化水
素基であり、Ｒ２は、炭素数が２〜６（固のアルキレン
基、アルケニレン基またはアリレン基であり、ｎは０、
ｌまたは２である）本発明において開環重合体を製造す
るために単量体として用いられるイミド系ノルボルネン
誘導体のうち、代表的なものとしては、Ｎ−メチル−３
，６−メチレン−Ｌ　２．３．６−チトラヒドローシス
ーフタルイミド、Ｎ−エチル−３，６−メチレン−１，
２，３，６−チトラヒドローシスーフタルイミド、Ｎ−
プロピル−３，６−メチレン−１，２，３，６−チトラ
ヒドローシスーフタルイミド、Ｎ−ｎ−ブチル−３，６
−メチレン−Ｌ　２．３．６−チトラヒドローシスーフ
タルイミド、Ｎ−オクチル−３，６−メチレン−１，２
，３，６−チトラヒドローシスーフタルイミド、Ｎ−シ
クロへキシル−３，６−メチレン−１，２，３，６−チ
トラヒドローシスーフタルイミド、Ｎ−フェニル−３，
６−メチレン−１，２゜３．６−チトラヒドローシスー
フタルイミド、Ｎ−メトキシカルボニルメチル−３，６
−メチレン−１゜２、３．６−チトラヒドローシスーフ
タルイミド、Ｎ−エトキシカルボニル−３，６−メチレ
ン−１，２゜３、６−チトラヒドローシスーフタルイミ
ド、Ｎ−ブトキシカルボニル−３，６−メチレン−１，
２，３゜６−チトラヒドローシスーフタルイミド、Ｎ−
ブチル−３，６−メチレン−１−メチル−１，２，３，
６−チトラヒドローシスーフタルイミド、Ｎ−ブチル−
３，６−メチレン−１−ブチル−Ｌ　２．３．６−チト
ラヒドローシスーフタルイミド、−ビシクロ（２，２，
１）−へブタ−２−エン−５−スピロー３−Ｎ−プチル
サクシンイミド、２−ブチル−２−アザ−１，３−ジオ
キソ−５，８−メタノ−１，２゜３、４．４ａ、　５．
８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、Ｎ−オクチル−１
，４：　ｓ、　８−ジメタノ−１，２，３゜４、４ａ、
　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン−２，３−ジ
カルボキシイミド、５−マレイミドタチルービシクロ（
２，２，ｌ　）−へブテン−２，５−シトラコインミド
メチルービシクロ（２，２，１）　−ヘプテン−２，５
−グルクコンイミドメチルービシクロ（２，２，１）−
へブテン−２，５−サクシンイミドメチルービシクロ（
２，２，１）−へブテン−２および５−フタルイミドメ
チル−ビシクロＣ２ｒ　２＋　１　）−へブテン−２が
あげられる。また本発明において単量体として使用され
るイミド系ノルボルネン誘導体の一般式およびそれらの
製造方法、イミド系ノルボルネン誘導体のＮ−置換−３
，６メチレンー１．２．３．６−チトラヒドローシスー
フタルイミド系化合物およびＮ−（ω−（５−ノルボル
ナ−２−エニル）置換マレイミド系、化合物の代表例な
らびにその他のイミド系ノルボルネン誘導体のうちの代
表的な一般式は特開昭５０−７５３００号公報に記載さ
れている。

さらに、本発明において開環重合体を製造するために単
量体として使われる芳香族系ノルボルネン誘導体の一般
式は前記（１）式および（ＩＩ）式のＷｌ　、ＸＩ　、
ＹｌおよびＺｌならびにＷｌ、Ｘ２、Ｙ２およびＺ２は
同一でも異種でもよく、水素原子、炭素数が多くとも２
０個のアルキル基、シクロアルキル基、もしくはアルケ
ニル基またはそれ以外の炭化水素基（その炭素数の総和
は多くとも３０個）によって１換された芳香族環の総和
が３個でである芳香族炭化水素基であるが、Ｗｌ　、Ｘ
ｌ、ＹｌおよびＺｌま仁ばＷｌ、Ｘ２、Ｙ２るよびＺ２
のうち、少なくとも一関は芳香族炭化水素基として示さ
れるものである。これらの芳香族炭化水素基の構造式お
よび該芳香族炭化水素基に置換した炭化水素基の代表例
は特開昭４９−６１８５１号および同４９−６９２４３
号の各明細書に明示されている。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用される芳香族系ノルボルネン誘導体の代表例とし
ては、５−フェニル−ビシクロ（２，２，Ｌ　）−へブ
テン−２，５−メチル−５−フェニル−ビシクロ（２，
２，１３−へブテン−２，５−エチル−５−フェニル−
ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２，５−ｎ−ブチ
ル−６−フェニル−ビシクロ（２，２，１）−へブテン
−２，５−ｐ−トリル−ビシクロ（２，２，１）−へブ
テン−２，５，５−ジフェニル−ビシクロ（２，２，１
）−へブテン−２，５，６−シフエニルービシクロ（２
，２゜１〕−へブテン−２，５−α−ナフチル−ビシク
ロ（２，２，１）−へブテン−２，５−アントリル−ビ
シクロＬ２１２．ｉ　）−へブテン−２，２−フェニル
−１，４：　５．８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ
。

５、８．８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−メチル−
２−フェニル−１，４：５．８−ジメタノ−１，２゜３
、４．４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフタレン
、２−ｐ−）リルー１．４：　５．８−ジメタノ−１，
２゜３、４．４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒドロナフ
タレンおよび２，３−ジフェニル−１，４：　ｓ、　８
−ジメタノ−１、２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−
オクタヒドロナフタレンがあげられる。本発明において
単量体として用いられる他の芳香族系ノルボルネン誘導
体の代表例は特願昭４９−６１８５１号および同４９−
６９２４３号の各明細書に記載されている。

本発明において開環重合体を製造するために単量体とし
て使用される芳香族系ノルボルナジェン誘導体とは、ビ
シクロ（２，２，１）　−ヘア’テア　−２（ノルボル
ネン）がその５位と６位の炭素原子を芳香族環状化合物
の隣接する２１ｉ１の炭素原子と共有する化合物であり
、その一般式は下式〔（■）式および（ＩＸ）式〕で表
わされるものである。

（Ｖｌ）　　　　　　　　　　　（Ｗ）〔ただし、Ｅｌ
、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５およびＥ６は同一でも異種で
もよく、水素原子、炭素数が多くとも１０個のアルキル
基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリル（ａｒｙ
ｌ）基およびアラルキル基からなる群からえらばれた炭
化水素基またはシアン基、ハロゲン原子ならびに炭素数
が多くとも１０個のエステル基およびエーテル基からな
る群からえらばれた極性基もしくは該極性基で置換され
た上記炭化水素基である〕 本発明において単量体として用いられる芳香族系ノルボ
ルナジェン誘導体の代表例としては、１゜４−ジヒドロ
−１，４−メタノナフタレン、１．４−ジヒドロ−１，
４−メタノ−６−メチルナフタレン、１．４−ジヒドロ
−１，４−メタノ−６−メドキシカルポニルナフタレン
、５，８−ジアセトキシ−１，４−ジヒドロ−１，４−
メタノナフタレン、５．８−ジアセトキシ−６，７−ジ
シアツーＬ　４−ジヒドロ−１，４−メタノナフタレン
、５，８−ジアセトキシ＝６．７−シメチルー１．４−
ジヒドロ−１，４−メタノナフタレン、５，８−ジアセ
トキシ−６，７−ジクロル−１，４−ジヒドロ−１，４
−メタノナフタレン、１、４−ジヒドロ−１，４−メタ
ノアントラセンおよび９，１０−ジアセトキシ−１，４
−ジヒドロ−１，４−メタノアントラセンがあげられる
。本発明において単量体として使用される芳香族系ノル
ボルナジェン銹導体の他の代表例は特開昭５０−６１５
００号公報に記載されている。

また、本発明において開環重合体を製造するために単量
体として用いられるエステル系ノルボルナジェン誘導体
の代表例は下式〔（×）式〕で表わされるものである。

Ｙ’ （Ｘ） 〔ただし、Ｘ８およびＹ８は同一でも異種でもよく、水
素原子、炭素原子が多くとも２０個の炭化水素または一
般式が−（ＣＨ２）ｍ　Ｃｏ○Ｒ゛および−（ＣＨ２）
ｎ　０ＣＲＯ”　（ただし、ＲｏおよびＲＩ　＋は、炭
素数が多くとも２０個の炭化水素基、ｍおよびｎはＯま
たは１〜１０の整数）で示されるエステル基またはエス
テル基を含有する基であるが、Ｘ８およびＹ８のうち、
少なくとも一つはエステル基またはエステル基を含有す
る基である〕本発明において単量体として使用されるエ
ステル系ノルボルナジェン誘導体の代表例としては、２
−メトキシカルボニル−ビシクロ（２，２，１）−へブ
タ−２，５−ジエン、２−エトキシカルボニル−ビシク
ロ（２，２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２−ｎ−
プロポキシカルボニル−ビシクロ（２，２，１）−へブ
タ−２，５−ジエン、２−イソプロポキシカルボニル−
ビシクロ（２，２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２
−ブトキシカルボニル−ビシクロＣ２，２，１）−へブ
タ−２，５−ジエン、２−ペンチルオキシカルボニル−
ビシクロ（２，２，１）−ヘプター２．５−ジエン、２
−へキシルオキシカルボニル−ビシクロ（２，２，１）
−へブタ−２，５−ジエン、２−オクチルオキシカルボ
ニル−ビシクロ（２，２，１）−へブタ−２，５−ジエ
ン、２−デシルオキシカルボニル−ビシクロ（２，２，
１）−へブタ−２，５−ジエン、２−メトキシカルボニ
ル−３−メチル−ビシクロ（２，２，１）　　−へブタ
−２，５−ジエン、２−メトキシカルボニル−３−エチ
ル−ビシクロ（２，２゜１〕−へブタ−２，５−ジエン
、２−メトキシカルボニル−３−ｎ−ブチル−ビシクロ
（２，２，ｌ　’］−へブタ−２，５−ジエン、２−メ
トキシカルボニル−３−ヘキシル−ビシクロ（２，２，
１）−ヘプター２．５−ジエン、２−メトキンカルボニ
ル−３−デシル−ビシクロ　（２，２，ｌ　’］　−へ
ブタ−２，５−ジエン、２メトキシカルボニル−３−シ
クロヘキシル−ビシクロ　Ｃ２，２，Ｌ　）　−ヘア”
ター２．５−ジエン、２−メトキシカルボニル−３−フ
ェニル−ビシクロＣ２，２，１）−ヘプター２．５−ジ
エン、２，３−ジメトキシカルボニル−ビシクロ〔２，
２，１〕−へブタ−２，５−ジエン、２−メトキシカル
ボニル−３−エトキシカルボニル−ビシクロ（２，２，
ｌ　）−へブタ−２，５−ジエン、２．３−ジェトキシ
カルボニル−ビシクロ（２，２，１）−へブタ−２，５
−ジエン、２−エトキシカルボニルー３−メチルービシ
クロ（２，２゜ｌ〕−へブタ−２，５−ジエン、２，３
−ジプロポシカルボニルービシクロ（２，２，１）−へ
ブタ−２，５−ジエン、２，３−ジブトキシカルボニル
−ビシクロ（２，２，１）−へブタ−２，５−ジエン、
２−メトキシカルボニル−３−ブチロキシカルボニル−
ビシクロ（２，２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２
．３−ジベンチロキシカルポニルービシクロ（２，２，
Ｌ　）−へブタ−２，５−ジエン、２−ニトキシ力ルボ
ニル−３−ヘキシロキシカルボニル−ビシクロ（２，２
，１）−へブタ−２，５−ジエン、２．３−ジヘキシロ
キシ力ルポニルービシクロ（２，２，１）−へブタ−２
，５−ジエン、２−アセトキシメチル−ビシクロ（２，
２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２−プロピオニロ
キシメチル−ビシクロ（２，２，１）−へブタ−２，５
−ジエン、２−ブチリルオキシメチル−ビシクロ（２，
２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２−バレリルオキ
シメチル−ビシクロ（２，２，１）−へブタ−２，５−
ジエン、２−カプロイルオキシ−ビシクロ（２，２，１
）−へブタ−２，５−ジエン、２．３−ジ（アセトキシ
メチル）−ビシクロ（２，２゜１〕−へブタ−２，５−
ジエン、２，３−ジ（プロピオニルオキシメチル）−ビ
シクロ（２，２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２，
３−ジ（ブチリルオキシメチル）−ビシクロ（２，２，
１）−へブタ−２，５−ジエン、２−メトキシカルボニ
ルメチル−ビシクロ（２，２，１）−へブタ−２，５−
ジエン、２−エトキシカルボニルメチル−ビシクロ（２
，２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２−プロポキシ
カルボニルメチル−ビシクロ（２，２，１）−へブタ−
２，５−ジエン、２−アセトキシメチル−３−メチル−
ビシクロ　Ｃ２，２，ｌ　）−ヘプター２．５−ジエン
、２−アセトキシメチル−３−二チルービシクロ（２，
２，１］−へ］ブター２５−ジエン、２−アセトキシ−
３−シクロヘキシル−ビシクロ（２，２，１）−へブタ
−２，５−ジエーン、２−アセトキシメチル−３−フェ
ニル−ビシクロ（２，２，１）−ヘプター２．５−ジエ
ン、２−プロピオニルオキシメチル−３−ヘキシル−ビ
シクロ（２，２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２−
プロピオニルオキシメチル−３−フェニル−ビシクロ（
２，２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２−プロピオ
ニルオキシメチル−３−シクロヘキシル−ビシクロ（２
，２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２−バレリルオ
キシ−３−メチル−ビシクロ（２，２，１３−ヘプタ−
２，５−ジエン、２−バレリルオキシ−３−ペンチル−
ビシクロ〔２゜２、ｌ〕−へブタ−２，５−ジエン、２
−バレリルオキシメチル−３−シクロヘキシル−ビシク
ロ（２，２，１）−へブタ−２，５−ジエン、２−バレ
リルオキシメチル−デシル−ビシクロ（２，２゜１〕−
へブタ−２，５−ジエン、および２−バレリルオキシメ
チル−３−フェニル−ビシクロ〔２゜２．１〕−へブタ
−２，５−ジエンがあげられる。

本発明において前記したニトリル系、エステル系、塩素
系、酸無水物系及び／又はイミド系ノルボルネン誘導体
と場合によっては共重合するためにコモノマーとして使
用されるシクロオレフィン系化合物は、単環式モノオレ
フィン系化合物、非共役環状ポリエン系化合物および多
環式オレフィン系化合物に大別される。

コモノマーとして使用される単環式モノオレフィン系化
合物の一般式は下式（（ＸＩ）式〕で表わされるもので
ある。

（ただし、ｎは３〜２０の整数） コモノマーとして使用される単環式モノオレフィン系化
合物の代表例としては、シクロペンテン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテン、シクロデセンおよびシクロドデセ
ンならびにこれらの単環式モノオレフィン系化合物のメ
チレン炭素に一個以上の炭素数が多くとも１０ｔｌｌの
アルキル基、アルケニル基およびアリール（ａｒｙｌ）
基からなる群からえらばれた炭化水素基によって置換さ
れた単環式モノオレフィン系化合物があげられる。

また、本発明においてコモノマーとして用いられる非共
役環状ポリエン系化合物の一般式は下式（（ＸＩ）およ
び（ＸＩ［ｌ）式〕で表わされるものである。

（ただし、■はＯまたは１〜２０の整数、ｍおよびｎは
２〜２０の整数） コモノマーとして用いられる非共役環状ポリエン系化合
物の代表例としては、１，５−シクロオクタジエンおよ
び１．５．９−シクロオクタジエンがあげられる。さら
に、上記（ＸＩＩ）および（ＸＩＩ［）式で表わされる
非共役環状ポリエン系化合物に１個以上の上記炭化水素
および／またはハロゲン原子によって置換された非共役
環状ポリエン系化合物（たとえば、１−クロロ−１，５
−シクロオクタジエンおよび１−メチル−１，５−シク
ロオクタジエン）も用いることができる。

さらに、本発明においてコモノマーとして使用される単
環式オレフィン系化合物は環を２〜１０（固有し、炭素
−炭素二重結合を１〜５個有する化合物であり、その代
表例としては、ビシクロ（２，２゜１〕−へブテン−２
（ノルボルネン）、５−メチル−ビシクロ（２，２，１
）−へブテン−２，５−ビニル−ビシクロ（２，２，１
）−へブテン−２，５−エチリデン−ビシクロ（２，２
，１３−へブテン−２，５−イソプロペニル−ビシクロ
（２，２゜１〕−へブテン−２、ジシクロペンタジェン
、ビシクロ（２，２，１）−へブタ−２，５−ジエン（
ノルボルナジェン）およびＬ　４；　５＋　８−ジメタ
ノ−１，２，３，４，４ａ、　５．８．８ａ−オクタヒ
ドロナフタレンがあげられる。

上記の単量体のうち、ニトリル系ノルボルネン誘導体、
エステル系ノルボルネン誘導体、エーテル系ノルボルネ
ン誘導体、アミド系ノルボルネン誘導体、塩素系ノルボ
ルネン誘導体、酸無水物系ノルボルネン誘導体、臭素系
ノルボルネン誘導体、芳香族系ノルボルネン誘導体、芳
香族性窒素含有複素環系ノルボルネン誘導体およびシク
ロオレフィン系化合物の一部（たとえば、５−メチル−
ビシクロ（２，２，１）−へブテン−２）は、いずれも
その置換基についてはエンド（ｅｎｄｏ）型およびエキ
ソ（ｅｘａ）型を有する異性体があるが、本発明におい
て開環重合体を製造するにさいしては、これらの異性体
は精密蒸留方法および再結晶法のごとき分離方法で分離
して用いてもよいが、分離しないでそのまま使用しても
よい（すなわち、異性体の混合物のままで使ってもよい
）。

以上の単量体において、（１）式で示される単量体は、
一般には、それに相当する二重結合を一個を有する化合
物（たとえば、アクリロニトリル、メチルメタクリレー
ト、酢酸ビニル、塩化ビニル、塩化ヒニリデン、スチレ
ン）とシクロペンタジェンまたはジシクロペンタジェン
とをディールス・アルダ−反応させることによって製造
されるが、（ＩＩ）式で示される単量体も得られる〔該
反応において、（Ｉ）式および（ｎ）式で示される単量
体の生成割合は反応条件によって異なる〕。また、（ｎ
）式で示される単量体は（Ｉ）で示される単量体とシク
ロペンタジェンまたはシクロベタジエンとをディールス
・アルダ−反応させることによって得られるが、この場
合においても原料である（１）式で示される単量体が未
反応のままで残存していることがある。上記のいずれの
場合において（１）式で示される単量体と（Ｉ［）式で
示される単量体との混合物として得られる場合には、こ
れらの単量体を精密蒸留方法および再結晶方法のごとき
分離方法によって分離することができる。

本発明を実施するにあたり、これらの単量体を分離して
使用してもよいが、分離しないで用いてもよい。

本発明を実施するにあたり、単量体（コモノマーとして
用いられるシクロオレフィン系化合物も含む）はそれぞ
れ一種のみを使用してもよく、二種以上を併用してもよ
い。

また、共重合成分であるシクロオレフィン系化合物の共
重合割合は多くとも５０モル％であり、４５モル％以下
が好ましく、とりわけ、４０モル％以下が好適である。

本発明は、前述したノルボルネン誘導体又は該ノルボル
ネン誘導体、ノルボルナジェン誘導体または該化合物と
多くとも５０モル％のシクロオレフィン系化合物および
／もしくはノルボルネンとを適当な触媒系で開環重合す
ることにより、その目的を達成することができる。

本発明において用いられる触媒系を得るために用いられ
る触媒としては、例えば特公昭５０−２３７２０号公報
と開示されている有機金属化合物及び遷移金属化合物と
金属の水酸化化物との共粉砕処理物から得られる触媒系
をあげることができる。更に、特開昭５２−３６２００
号公報、同５２−３７９９８号公報、同５２−４０６０
０号公報、同５２−４２６００号公報及び同５２−４４
８９９号公報に開示されているものも使用できる。

本発明において開環重合に使用される触媒系はその種類
なΣにより異なるが、例えば単量体は１０００モルに対
し、遷移金属化合物の使用割合は、一般には、０．００
１〜１００モルであり、ｏ、ｏｏｓ〜５０モルが好まし
く、特に、０．１〜１０モルが好適である。

単量体１０００モルに対して遷移金属化合物の使用割合
が　０．００１モル以下では、充分な重合活性が得られ
ない、一方、１００モル以上の遷移金属化合物を使用し
た場合、触媒の除去などに多大な労力を費したり、得ら
れる開環重合体が着色するなどの欠点が出てくるため好
ましくない。

本発明は前記した単量体を有機金属化合物ならびに遷移
金属化合物との金属の水酸化物とを共粉砕することによ
り得られる共粉砕処理物あるいはこれらと第三成分とか
ら得られる触媒系を使用して不活性有機溶媒の不存在下
で開環重合を行なってもよい（すなわち、塊状重合）が
、不活性を機溶媒中で開環重合を行なってもよい。該有
機溶媒は本発明において使用される触媒系を被毒しない
ものであり、かつ本発明において用いられる単量体とは
反応しないものでなければならないことはもちろんであ
る。特に、その融点が３０℃以下のものが好ましく、２
０℃以下のものが好適であり、特に、１０℃以下のもの
が好適である。その上、その沸点が５００℃以下のもの
が望ましく、４００℃以下のものが好適であり、とりわ
け、３００℃以下のものが好適である。

融点が３０℃以上では、常温で固体であるからその取り
扱いが困難である。また、沸点が５００℃以上では、該
有機溶媒を得られる開環重合体から取り除いたり、該溶
媒を精製するのに余分のエネルギーを必要とするため好
ましくない。

不活性有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタンおよびデカンのごとき脂肪族炭化水素、シ
クロベンクンおよびシクロヘキサンのごとき脂環族炭化
水素、ベンゼン、トルエン、およびキシレンのごとき芳
香族炭化水素、塩化メチレン、エチルクロライド、１．
１−ジクロルエタン、１１２−ジクロルエタン、１．２
−ジクロルエチレン、１−クロロプロパン、２−クロロ
プロパン、■−クロロブタン、２−クロロブタン、１−
クロロ−２−メチルプロパン、１−クロロペンタン、ク
ロベンゼン、Ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベン
ゼンおよびＰ−ジクロロベンゼンのごときハロゲン化炭
化水素ならびにジエチルエーテルおよびテトラヒドロフ
ランのごときエーテル類があげられる０本発明を不活性
有機溶媒中において行なうにさいし、これらの不活性有
機を単独で使用してもよく、また二種以上の混合液とし
て用いてもよい。該有機溶媒中で開環重合するにあたり
、単量体１容量部に対して該有機溶媒の使用割合は、一
般には、多くとも２０容量部であり、特に、１ｏ容量部
以下が好ましい、単量体１容量部に対して該有機溶媒の
使用割合が２０容量部以上では、重合終了後、得られる
開環重合体を回収するさいに面倒になる。また、使用し
た有機溶剤を回収することが大変である。

重合温度は、一般には一１００〜＋２００℃であり、特
に、−５０〜＋１５０℃が好ましく、とりわけ、０〜１
２０℃が好適である。重合温度が−１００’Ｃ以下では
充分な重合活性がないため、重合速度が非常に遅く、し
たがって、開環重合に長時間を必要とする。さらに、単
量体または単量体と前記不活性有機溶媒の混合物が固化
する場合がある。一方、重合温度が２００℃以上では、
重合を充分に制御することがしばしば困難となる。該開
環重合はアルゴンまたは窒素のごとき不活性ガスの雰囲
気で行なうことが望ましい。重合系内に酸素および湿気
（水分）が存在すると、本発明において用いられる触媒
系の一部または全部が変質するため、再現性のある結果
を期待することができない。

得られるグラフト物、ブロック重合物は不飽和重合体の
不存在下で開環重合することにより得られる開環重合体
に比べて、単量体に対する不飽和重合体の使用割合によ
って異なるけれども、耐衝撃性がすぐれているから、と
りわけ、耐衝撃性が望まれる分野において有望である。

開環重合終了後、得られる重合体はいくつかの方法によ
り回収することができる。その回収方法の一例としては
、イソプレンおよびブタジェンなどの溶液重合において
一般に行なわれている触媒除去および重合体の回収の方
法を通用すればよい。

たとえば、低級アルコール（たとえば、メチルアルコー
ル、エチルアルコール）または少量の塩酸を含有する該
アルコールに開環重合することにより得られる開環重合
体、未反応の単量体および触媒残渣などを含む溶媒を注
ぎ込むことにより、触媒残渣が除去されると同時に、得
られる開ＩＭｍ合体を析出させる方法、得られる開環重
合体、未反応の単量体および触媒残渣などを含有する有
機溶媒と水と混合しない不活性有機溶媒（たとえば、塩
化メチレン）とを均−状にした後、キレート剤（たとえ
ば、エチレンジアミンテトラ酢酸、ニトリロトリ酢酸）
を含んだ水で処理し、ついで触媒除去を行なった後、有
機溶媒を除去する方法などがあげられる。

以上のごとく、本発明により得られる開環重合体は透明
性、耐衝撃性、耐熱性、加工性などの特性に優れている
からそのまま使用することもできるが、さらに、開環重
合体ならびにグラフト物および／またはブロック重合物
と相溶性のある塩化ビニル系重合体、スチレン単重合体
、スチレン、７クリロニトリルおよびメチルメタクリレ
ートのうち、少なくとも二種を共重合することにより得
られる共重合体、後記のゴム状物にスチレン、アクリロ
ニトリル、塩化ビニル、メチルメタクリレートなどの単
量体のうち少なくとも一種をグラフト重合することによ
り得られるグラフト物などの樹脂状物ならびにブタジェ
ンを主成分とするブタジェン系ゴム状物、塩素化ポリエ
チレン系ゴム状物、アクリル酸エステル系ゴム状物、エ
チレン−酢酸ビニル共重合ゴム状物、クロロプレン系ゴ
ム状物のうち、一種または二種以上を配合して使用する
こともできる。さらに、一般の合成樹脂に添加して使用
されている光（し外線）、熱、酸素およびオゾンに対す
る安定剤、難燃化剤、滑剤、充堪剤、補強剤、耐衝撃性
改良剤（たとえば、カルボン酸の金属塩）、着色剤、帯
電防止剤ならびに発泡剤のごとき添加剤を配合すること
により、一層その効果を発揮することができ、これらの
配合物も本発明に包含される。

本発明に従った光学式ディスク用基板は、例えば上のよ
うにして得られた樹脂組成物を用いて、この分野におい
て通常行なわれている方法、例えば射出成形方法によっ
て製造することができる。

実施例 以下、本発明の詳細な説明するが、本発明の範囲をこれ
らの実施に限定するものでないことはいうまでもない。

実施例１ く開環重合体の製造〉 完全に窒素置換した５０２のオートクレーブに、２５１
の１．２−ジクロルエタン、１５１の５−シアノ−ビシ
クロ（２，２，１）−へブテン−２（単量体として１２
５モル）およびジエチルアルミニウムクロライド（有機
金属化合物として）の濃度が１．０モル／ｌの１．２−
ジクロルエタン溶液１００−を仕込み、室温にて均−状
になるように攪拌した。次にカルベン錯体としてフェニ
ルエトキシカルベンペンタカルポニルタングステンの濃
度が０．１モル／ｌのトルエン溶液３００ｄを加えた０
反応系を７５℃に昇温させた後、この温度において６０
分間攪拌しながら重合を行なった０重合終了後、２．６
−ジー第三級−ラチルーＰ−クレゾールを約１．０重量
％を含有する１、　２−ジクロルエタンとメチルアルコ
ールとの混合溶液（容量にて約４：１）約５１を加えて
重合を停止し、得られた重合体を多量のメチルアルコー
ルを用いて沈澱させ、この重合体をろ別した後、メチル
アルコールを使って重合体を充分に洗滌し、ついで約５
０℃において減圧下で約２４時間乾燥を行なった。その
結果１１．７ｋｇの重合体が得られた。この重合体の還
元粘度（ηｓｐ／Ｃ）をジメチルホルムアミド中（濃度
０．１ｇ／／ｊ）で３０℃で測定したところ、０．２１
であった。

く円盤の射出成形〉 得られた開通重合体池貝鉄鋼社製３０ＩＩＩｍφ同方向
２軸押出機を使って（シリンダー設定温度２４０℃）ペ
レット化した。

ペレットを下記の射出成形機を使い薄肉円盤状に成形し
光学的性質等を評価した。

・成形品　　　厚さ１．２ｍｍｘ直径１２０ｍｍの円盤
ゲートはセンターのダイレクト ゲート（ゲート径６１ＩＩＩＩＩφ） ・射出成形機　住友重機社製 号イキャソプＭｌ１１　１６５／７５ 型締圧　７５ＴＯＮ ・成形条件　　金型温度　１００（’Ｃ）シリンダー設
定温度 ＮＨＨ４Ｈ３Ｈ２Ｈ ２５０２６０２５０２３０２００（’Ｃ）射出スピード
　１００ｍｍ／分 保持圧力　　５０呟／ｃ！１ サイクル　　射出（保圧含む） ５（ｓｅｃ） 冷却　　１０　（ｓｅｃ　） く成形品の評価〉 第１表 単位　値 屈折率　諾　　　　　　−１，５４ 光　光線透過率７８０ＩＩＩ１１　　　　　％　　８５
．７学　　　　　　　　　８３０ｍｍ　　　　　　％　
　　８６．３的　複屈折　　　ゲートからの平均距離耐
熱性（１２０℃Ｘ　１　ｈｒ）　　　−寸法変化変形　
なし 衝撃性（２００ｇｒの鋼球を　　−割れず５０Ｃ１１か
ら落下） 本発明により、優れた光学式ディスクが得られることが
、上記の表よりわかる。

実施例　２−５ 実施例１で使用した５−シアノ−ビシクロ〔２゜２．１
〕−へブテン−２の開環重合体のかわりに、下記の開環
重合体を用いて実施例１と同様のテストを行なった。

結果は下記に示す通りであった。

以下余白

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（ｉ）ニトリル基、エステル基、塩素原子、酸無水
   物基およびイミド基からなる群から選ばれた少なくとも
   一種の極性基もしくは該極性基を含有する炭素数が多く
   とも２０個の炭化水素残基を有するノルボルネン誘導体
   を開環重合して得られる開環重合体並びに （ｉｉ）該ノルボルネン誘導体と多くとも５０モル％の
   シクロオレフィン系化合物もしくは芳香族炭化水素基、
   エーテル基、アミド基及び臭素原子からなる群から選ば
   れた少なくとも一つの基を有するノルボルネン誘導体と
   からなる混合物を開環重合して得られる開環重合体のう
   ちの少なくともいずれかを主成分とする樹脂組成物から
   成形してなる光学式ディスク用基板。