JPS63127150A - 湿度センサ - Google Patents
湿度センサInfo
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- JPS63127150A JPS63127150A JP61273593A JP27359386A JPS63127150A JP S63127150 A JPS63127150 A JP S63127150A JP 61273593 A JP61273593 A JP 61273593A JP 27359386 A JP27359386 A JP 27359386A JP S63127150 A JPS63127150 A JP S63127150A
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、相対湿度の変化を、素子の電気的特性の変化
として検出する湿度センサに関する。
として検出する湿度センサに関する。
近年、湿度制御を必要とする分野が増加し%湿度センサ
の1安性が認められるようになった。
の1安性が認められるようになった。
相対湿度の変化を素子の電気的特性の変化として検出す
る湿度センサには、電解質糸、高分子系金属系、セラミ
ック系があり、それぞれいろいろな系が研究されている
が、現在実用化されているものは、高分子系およびセラ
ミック系の湿度センサである。いずれも、水の吸着によ
り、素子のインピーダンスが、湿度の増加に伴い、指数
関数的に減少する性質を利用したものである。
る湿度センサには、電解質糸、高分子系金属系、セラミ
ック系があり、それぞれいろいろな系が研究されている
が、現在実用化されているものは、高分子系およびセラ
ミック系の湿度センサである。いずれも、水の吸着によ
り、素子のインピーダンスが、湿度の増加に伴い、指数
関数的に減少する性質を利用したものである。
しかし、前述の従来技術では、高分子系は60℃以上の
高温では使用できず、高分子系、セラミック系共に、低
湿度域で極めてインピーダンスが高くなシ稲度が悪化す
るという欠点があった。また、セラミック系湿度センサ
の中には、一定時間ごとに数100℃まで加熱してリフ
レッシュしなければ使用できないものかあシ、この様な
湿度センサは、可燃性蒸気、ガスの存在する所では使用
できない、さらに、いずれの湿度センサも、高温多湿の
環境で長時間使用すると劣化してしまうものが多い。
高温では使用できず、高分子系、セラミック系共に、低
湿度域で極めてインピーダンスが高くなシ稲度が悪化す
るという欠点があった。また、セラミック系湿度センサ
の中には、一定時間ごとに数100℃まで加熱してリフ
レッシュしなければ使用できないものかあシ、この様な
湿度センサは、可燃性蒸気、ガスの存在する所では使用
できない、さらに、いずれの湿度センサも、高温多湿の
環境で長時間使用すると劣化してしまうものが多い。
そこで本発明はこの嵌な間倣点を解決するもので、その
目的とするところは、過酷な環境に耐え、広範囲の湿度
を精度良く測定することができる湿度センサを提供する
ところにある。
目的とするところは、過酷な環境に耐え、広範囲の湿度
を精度良く測定することができる湿度センサを提供する
ところにある。
本発明の湿度センナは、金属アルコキシドを加水分解し
たゾルに、導電性粒子を分散させ、該ゾルをゲル化、乾
燥、焼結することを特徴とする。
たゾルに、導電性粒子を分散させ、該ゾルをゲル化、乾
燥、焼結することを特徴とする。
金属アルコキシドは、過酷な環境での使用や。
長期安定性から、焼結後に石英ガラスになるものが望ま
しく、シリコンアルコキシド(昭(OR) 49R:ア
ルキル基)が望ましい、具体的には、テトラメトキシシ
ラン(Eli(QC:H3) 4 )lテトラエトキシ
シラン(日1(QC2” S ) 4 ) 等が利用
しやすい。
しく、シリコンアルコキシド(昭(OR) 49R:ア
ルキル基)が望ましい、具体的には、テトラメトキシシ
ラン(Eli(QC:H3) 4 )lテトラエトキシ
シラン(日1(QC2” S ) 4 ) 等が利用
しやすい。
もちろん、これらに添加物を加えても良い。
4電性粒子としては、過酷な環境での使用や、長期安定
性から、炭素粒子が望ましい、もちろん白金、パラジウ
ム、金、銀、銅、ステンレス等の金属粒子でも良い。
性から、炭素粒子が望ましい、もちろん白金、パラジウ
ム、金、銀、銅、ステンレス等の金属粒子でも良い。
金属アルコキシドをカロ水分解したゾルに、導電性粒子
とともに絶縁性粒子を分散させると、焼結体の強度や、
細孔状転を変化させることができる。
とともに絶縁性粒子を分散させると、焼結体の強度や、
細孔状転を変化させることができる。
したがって、金属アルコキシドと4逝性粒子の種類によ
っては、絶縁性粒子を加えると、焼結体の強度が増した
シ、感湿特性が良くなったシする。
っては、絶縁性粒子を加えると、焼結体の強度が増した
シ、感湿特性が良くなったシする。
もちろん、絶縁性粒子は加えなくても良い、絶縁性粒子
としては、アルミナ粒子、シリカ粒子、酸化マグネシウ
ム粒子、炭化ケイ素粒子の他に炭化チタン、炭化硼素等
、窒化ケイ素粒子の他に窒化アルミ、窒化硼素、窒化チ
タンさらには、スビネ/119のA、11.203Mg
0. MgCr04 、 Fe3O4など等利用でキ、
金属アルコキシドとしてシリコンアルコキシドを用いる
場合は、シリカ粒子が使い易い、金属アルコキシドとし
てシリコンアルコキシド、絶縁性粒子としてシリカ粒子
(sho、 ) 6用いる場合、8z(OR) 4 と
sio 、CD % /I/比が、−シ四」−85(O
R)ン5であ い。
としては、アルミナ粒子、シリカ粒子、酸化マグネシウ
ム粒子、炭化ケイ素粒子の他に炭化チタン、炭化硼素等
、窒化ケイ素粒子の他に窒化アルミ、窒化硼素、窒化チ
タンさらには、スビネ/119のA、11.203Mg
0. MgCr04 、 Fe3O4など等利用でキ、
金属アルコキシドとしてシリコンアルコキシドを用いる
場合は、シリカ粒子が使い易い、金属アルコキシドとし
てシリコンアルコキシド、絶縁性粒子としてシリカ粒子
(sho、 ) 6用いる場合、8z(OR) 4 と
sio 、CD % /I/比が、−シ四」−85(O
R)ン5であ い。
湿度センサは、皮膜状に成形した方が、応答性。
量産性が優れていることが多い1本発明の湿度センサは
、絶縁基板とに皮膜状にゲル化させることによシ、極め
て容易に皮膜状に成形することができる、また、応答特
性も、絶嶽基板上に皮膜状に成形したものは浸れている
。絶縁基板としては、アルiす基板、ガラス基板炭化硅
素基板、窒化アルミ基板等が利用でき、金属アルコキシ
ドとしてシリコンアルコキシドを用いる場合は、過酷な
環境での使用や、長期安定性から、絶縁基板として石英
ガラスを用いることが望ましい。
、絶縁基板とに皮膜状にゲル化させることによシ、極め
て容易に皮膜状に成形することができる、また、応答特
性も、絶嶽基板上に皮膜状に成形したものは浸れている
。絶縁基板としては、アルiす基板、ガラス基板炭化硅
素基板、窒化アルミ基板等が利用でき、金属アルコキシ
ドとしてシリコンアルコキシドを用いる場合は、過酷な
環境での使用や、長期安定性から、絶縁基板として石英
ガラスを用いることが望ましい。
ゾルをゲル化させる際、ゾルに塩基を加えて炉1直を調
整することにより、ゾルがゲル化するまでの時間を制御
することができる。pHf直が7付近では、はぼ瞬時に
ゲル化するmpH直が3以下では、ゲル化するまで1日
収とかかる。したがって7) Hfiは3〜7が望まし
い、塩基としては、焼結体中に塩基の成分が残ってほし
くない場合は、アンモニア水のように、焼結中に揮発す
るものが良い、焼結体中に塩基の成分が残っても良い場
合は、水酸化ナトリウム等の、水酸化アルカリ、水酸化
アルカリ土類を用いれば良い。
整することにより、ゾルがゲル化するまでの時間を制御
することができる。pHf直が7付近では、はぼ瞬時に
ゲル化するmpH直が3以下では、ゲル化するまで1日
収とかかる。したがって7) Hfiは3〜7が望まし
い、塩基としては、焼結体中に塩基の成分が残ってほし
くない場合は、アンモニア水のように、焼結中に揮発す
るものが良い、焼結体中に塩基の成分が残っても良い場
合は、水酸化ナトリウム等の、水酸化アルカリ、水酸化
アルカリ土類を用いれば良い。
なお、ゾルを絶縁基板とに皮膜とにゲル化させる場合は
pH直の調整は行わなくても良い。
pH直の調整は行わなくても良い。
乾燥温度は、40℃以下では、乾燥時間が長くなり、1
00℃以上では、乾燥速度が速すぎゲルが割れてしまう
ので、40〜100℃が望ましい。
00℃以上では、乾燥速度が速すぎゲルが割れてしまう
ので、40〜100℃が望ましい。
導電性粒子として炭素粒子を用いた場合、焼結中に炭素
粒子が焼失してしまわないように、焼結雰囲気は、真空
中、窒素ガス中、ヘリウム又はアルゴン等の不活性ガス
中のよりに、非酸化性雰囲気で行うことが望ましい、焼
結温度は、金属アルコキシドとして、シリコンアルコキ
シドを用いた場合には、500℃以下ではこれらが石英
ガラスにならず、1500℃以上に加熱しても、何らメ
リットがないので、500〜1500℃が望ましい。
粒子が焼失してしまわないように、焼結雰囲気は、真空
中、窒素ガス中、ヘリウム又はアルゴン等の不活性ガス
中のよりに、非酸化性雰囲気で行うことが望ましい、焼
結温度は、金属アルコキシドとして、シリコンアルコキ
シドを用いた場合には、500℃以下ではこれらが石英
ガラスにならず、1500℃以上に加熱しても、何らメ
リットがないので、500〜1500℃が望ましい。
この様に、金属アルコキシドとして、シリコンアルコキ
シドを用い、導電性粒子として炭素粒子を用いたものは
、焼結後には、石英ガラス中に炭素粒子を分散させた多
孔質体となり、過酷な環境で長期間使用しても安定であ
υ、また炭素粒子の含有tにより、導電率を自由に変え
ることができる。したがって、従来の素子では、低湿度
域は高インピーダンスになるため精度良く測定できなか
ったが1本発明の湿度センサは、低湿度域でも測定しや
すいインピーダンスであるため、精度良く測定すること
ができる。
シドを用い、導電性粒子として炭素粒子を用いたものは
、焼結後には、石英ガラス中に炭素粒子を分散させた多
孔質体となり、過酷な環境で長期間使用しても安定であ
υ、また炭素粒子の含有tにより、導電率を自由に変え
ることができる。したがって、従来の素子では、低湿度
域は高インピーダンスになるため精度良く測定できなか
ったが1本発明の湿度センサは、低湿度域でも測定しや
すいインピーダンスであるため、精度良く測定すること
ができる。
炭素粒子の含有量は、焼結後のS1口2とCのモルlO
ではインピーダンスが低くなりすぎ測定が困難=0.1
〜H1が望ましい。
ではインピーダンスが低くなりすぎ測定が困難=0.1
〜H1が望ましい。
なお、本発明と似た系に、シリコーンポリマーに、炭素
粉末、シリカ粉末を添加した焼結体を用いた湿度センサ
(特願昭56−155962)があるが、本発明の湿度
センナは、金属アルコキシドを加水分解したゾル全原料
としているため、金属アルコキシドとしてシリコンアル
コキシドを用いた場合は、焼結体は、完全に石英ガラス
とすることができる。また、ゾルは任意の形にゲル化さ
せることかでき、成形のなめに添加物を用いる必要がな
い、したがって、本発明の金属アルコキシドとしてシリ
コンアルコキシドを用い、導電性粒子として炭素粒子を
用いた場合、焼結体は石英ガラスと炭素粒子のみからな
る多孔質体とすることができ、過酷な環境で長期間使用
しても極めて安定である。また、炭素粉末の含有量によ
り、導電率を自由に変えることができる。さらに、ゾル
は流動性が良く、添加物も必要ないため、製造工程は単
純であり、量産性は極めて高い、したがって本発明によ
れば、高精度高信頼度の湿度センサを量産性良く製造す
ることができる。
粉末、シリカ粉末を添加した焼結体を用いた湿度センサ
(特願昭56−155962)があるが、本発明の湿度
センナは、金属アルコキシドを加水分解したゾル全原料
としているため、金属アルコキシドとしてシリコンアル
コキシドを用いた場合は、焼結体は、完全に石英ガラス
とすることができる。また、ゾルは任意の形にゲル化さ
せることかでき、成形のなめに添加物を用いる必要がな
い、したがって、本発明の金属アルコキシドとしてシリ
コンアルコキシドを用い、導電性粒子として炭素粒子を
用いた場合、焼結体は石英ガラスと炭素粒子のみからな
る多孔質体とすることができ、過酷な環境で長期間使用
しても極めて安定である。また、炭素粉末の含有量によ
り、導電率を自由に変えることができる。さらに、ゾル
は流動性が良く、添加物も必要ないため、製造工程は単
純であり、量産性は極めて高い、したがって本発明によ
れば、高精度高信頼度の湿度センサを量産性良く製造す
ることができる。
〔実施列1〕
テトラエトキシシラン(57(OC2H5) 4 )
200m#に0.02N塩酸65m!を加え、1時間攪
拌し、テトラエトキシシランを加水分解したところ、透
明で均一なゾルが得られた。このゾルに活性炭21.6
2(む(。fHs)<= 2)を加え亀加分間攪拌し1
活性炭を分散させたところ、黒色で均一なゾルが得られ
た。このゾルに0.I Nアンモニア水を滴下してpH
直を5に調整したところ1時間後にゲル化した。このゲ
ルをω℃で3日間乾燥したところ。
200m#に0.02N塩酸65m!を加え、1時間攪
拌し、テトラエトキシシランを加水分解したところ、透
明で均一なゾルが得られた。このゾルに活性炭21.6
2(む(。fHs)<= 2)を加え亀加分間攪拌し1
活性炭を分散させたところ、黒色で均一なゾルが得られ
た。このゾルに0.I Nアンモニア水を滴下してpH
直を5に調整したところ1時間後にゲル化した。このゲ
ルをω℃で3日間乾燥したところ。
乾燥ゲルが得られた。この乾燥ゲルを焼結炉に入れ、ヘ
リウムガスを流しながら1000℃に加熱し、1000
℃で5時間保持したところ1石英ガラス中に炭素粒子が
分散した多孔質焼結体が得られた。
リウムガスを流しながら1000℃に加熱し、1000
℃で5時間保持したところ1石英ガラス中に炭素粒子が
分散した多孔質焼結体が得られた。
この焼結体から1辺が5u′の立方体を切り出し、電極
を付け、第1図に示す湿度センサを製作した。
を付け、第1図に示す湿度センサを製作した。
第1図において、1は焼結体、2は電極、3はリード線
である1水湿度センサについて、感湿特性を測定した結
果を第2図に示す、測定周波数は100H2である。第
2図より、相対湿度に対するインピーダンスの対数の直
線性が良く、また、低湿度域でも測定しやすいインピー
ダンスであるため、高精度な湿度センサとして使用でき
ることがわかる。
である1水湿度センサについて、感湿特性を測定した結
果を第2図に示す、測定周波数は100H2である。第
2図より、相対湿度に対するインピーダンスの対数の直
線性が良く、また、低湿度域でも測定しやすいインピー
ダンスであるため、高精度な湿度センサとして使用でき
ることがわかる。
〔実施列2〕
テトラエトキシシラン(’B(OCiHs)+ 33m
Aに0.02N塩酸232fn7’iz加え、1時間攪
拌し、テトラエトキシシランを加水分解したところ、透
明で均一なゾルが得られた。このゾルに、シリカ粒し、
シリカ粒子:活性炭を分散させたところ、黒色で均一な
ゾルが得られた。このゾルに0.INアンモニア水を滴
下して%pH直’fr:3に調整したところ、1日後に
ゲル化した。このゲルを閏℃で1日乾燥したところ、乾
燥ゲルが得られた。この乾燥ゲルを焼結炉に入れ、
I Torr 以下の真空度で1500℃に加熱し、1
500℃で1時間保持した・i得られた焼結体から、1
辺が3藷の立方体を切シ出し、電極を付け、第1図に示
す湿度セ/すを製作した1水湿度センサの感湿特性を第
3因に示す。
Aに0.02N塩酸232fn7’iz加え、1時間攪
拌し、テトラエトキシシランを加水分解したところ、透
明で均一なゾルが得られた。このゾルに、シリカ粒し、
シリカ粒子:活性炭を分散させたところ、黒色で均一な
ゾルが得られた。このゾルに0.INアンモニア水を滴
下して%pH直’fr:3に調整したところ、1日後に
ゲル化した。このゲルを閏℃で1日乾燥したところ、乾
燥ゲルが得られた。この乾燥ゲルを焼結炉に入れ、
I Torr 以下の真空度で1500℃に加熱し、1
500℃で1時間保持した・i得られた焼結体から、1
辺が3藷の立方体を切シ出し、電極を付け、第1図に示
す湿度セ/すを製作した1水湿度センサの感湿特性を第
3因に示す。
〔実施列3〕
実施例2において、テトラエトキシシラン、塩酸、シリ
カ粒子、活性炭を同時に混合し、1時間攪拌しても、全
く同様な黒色で均一なゾルが得られ、以後実施列2と同
様に製作し之湿度センサは、実施例2と同様の感湿特性
が得られた。
カ粒子、活性炭を同時に混合し、1時間攪拌しても、全
く同様な黒色で均一なゾルが得られ、以後実施列2と同
様に製作し之湿度センサは、実施例2と同様の感湿特性
が得られた。
テトラエトキシシラン25 m A、 0.02N塩酸
24した以外はすべて実施列2と同様に湿度センサを製
作したが、焼結体は脆く、実用にならなかった。
24した以外はすべて実施列2と同様に湿度センサを製
作したが、焼結体は脆く、実用にならなかった。
とするのは好ましくないことがわかる。
〔実施列4〕
テトラエトキシシラン(5i(OCzHs)a ) 2
001ni。
001ni。
0.02N塩酸65 mノ、カーボンブラック2.22
(siCOCIls )4 = ”2)”混合し、1時
間攪拌したところ、黒色で均一なゾルが得られた。この
ゾルに0.INアンモニア水を滴下してpH呟f、約7
にしたところ瞬時にゲル化した。このゲルヲ40℃でl
O日間乾燥した。得られた乾燥ゲルを焼結炉に入れ、窒
素ガスを流しながら500℃に加熱し。
(siCOCIls )4 = ”2)”混合し、1時
間攪拌したところ、黒色で均一なゾルが得られた。この
ゾルに0.INアンモニア水を滴下してpH呟f、約7
にしたところ瞬時にゲル化した。このゲルヲ40℃でl
O日間乾燥した。得られた乾燥ゲルを焼結炉に入れ、窒
素ガスを流しながら500℃に加熱し。
500℃で11時間保持した。
得られた焼結体から、1辺が2uの立方体を切シ出し、
電極を付け、第1図に示す湿度センサを製作した1水湿
度センサの感湿特性を第4図に示す。
電極を付け、第1図に示す湿度センサを製作した1水湿
度センサの感湿特性を第4図に示す。
〔実施列5〕
テトラエトキシシランC8i(OCiHs)4) 20
0mA 。
0mA 。
0.02N塩酸657X、#、活性炭54 f (8i
(。。a”’−5)4÷5)を混合し、1時間攪拌した
ところ、黒色で均一なゾルが得られた。このゾルに0.
INアンモニア水を滴下してpal直を4に調整した後
、lO×110X1の石英ガラス板上に皮膜とにゲル化
させた。これを100℃で1日乾燥した後焼結炉に入れ
、アルゴンガスを流しながら800℃に加熱し、800
℃で3時間保持した。得られた石英ガラス板上の皮膜に
電極を付け、第5図に示す湿度センサを!R作した。第
5図において、1は焼結皮膜、2は電極%3はリード線
、4は石英ガラス板である1水湿度センサの感湿特性を
第6図、応答特性を第7図に示す。
(。。a”’−5)4÷5)を混合し、1時間攪拌した
ところ、黒色で均一なゾルが得られた。このゾルに0.
INアンモニア水を滴下してpal直を4に調整した後
、lO×110X1の石英ガラス板上に皮膜とにゲル化
させた。これを100℃で1日乾燥した後焼結炉に入れ
、アルゴンガスを流しながら800℃に加熱し、800
℃で3時間保持した。得られた石英ガラス板上の皮膜に
電極を付け、第5図に示す湿度センサを!R作した。第
5図において、1は焼結皮膜、2は電極%3はリード線
、4は石英ガラス板である1水湿度センサの感湿特性を
第6図、応答特性を第7図に示す。
通常湿度センサは交流で測定される。これは、直流で測
定すると分極が起こり、素子が劣化してしまうからであ
る。しかし、もし直流で測定できれば、測定回路は極め
て簡単になう、メリットは大きい1水湿度センサは、直
流でも極めて安定に測定でき、直流での感湿特性は第6
図と同様であった。また、第7図から1水湿度センサの
応答は、十分に速いことがわかる。
定すると分極が起こり、素子が劣化してしまうからであ
る。しかし、もし直流で測定できれば、測定回路は極め
て簡単になう、メリットは大きい1水湿度センサは、直
流でも極めて安定に測定でき、直流での感湿特性は第6
図と同様であった。また、第7図から1水湿度センサの
応答は、十分に速いことがわかる。
〔実施列6〕
実施例5において、謂:=lO,15となるように、活
性炭を1Of、1629とした以外はす゛べて実施例5
と同様に湿度センサを製作した。
性炭を1Of、1629とした以外はす゛べて実施例5
と同様に湿度センサを製作した。
第 1 表
Ro:相対湿度O1sの時のインピーダンスR1oo:
相対湿度100%の時のインピーダンス第1表より明ら
かなように、B i (。。IHl1)4≦IOのもの
は湿度センサとして十分に実用になり、町(。CaH2
)t” 10のものは湿度センサとして実用にならない
ことがわかる。
相対湿度100%の時のインピーダンス第1表より明ら
かなように、B i (。。IHl1)4≦IOのもの
は湿度センサとして十分に実用になり、町(。CaH2
)t” 10のものは湿度センサとして実用にならない
ことがわかる。
〔実施列7〕
テトラエトキシシラン(”j(OCsHs)* ) 2
00mJ、 0.02N塩酸130 m A 、シリカ
粒子54?拌したところ、黒色で均一なゾルが得られた
。このゾル’((、IUXIOXlamの石英ガラス板
とに皮膜状にゲル化させた。これ’i100℃で1日乾
燥した後焼結炉に入れ、1 ’Xorr 以下の真望
度で1200℃まで7111熱し、1200℃で1時間
保持した。
00mJ、 0.02N塩酸130 m A 、シリカ
粒子54?拌したところ、黒色で均一なゾルが得られた
。このゾル’((、IUXIOXlamの石英ガラス板
とに皮膜状にゲル化させた。これ’i100℃で1日乾
燥した後焼結炉に入れ、1 ’Xorr 以下の真望
度で1200℃まで7111熱し、1200℃で1時間
保持した。
得られた石英ガラス板上の皮膜に電極を付け、第5図に
示す湿度センサを製作した1水湿度センサの感湿特性を
第8図、応答特性を第9図に示す。
示す湿度センサを製作した1水湿度センサの感湿特性を
第8図、応答特性を第9図に示す。
水湿度センサ’I関℃、相対湿度80チの恒温恒湿槽中
に(イ)日間放置した後感湿特性を測定したところ、第
8図と同様であった。さらに1本湿度センサ1f:60
℃、水とエタノールの蒸気で飽和した雰囲気中に閉口間
放置した後感湿特性を測定したところ、第8図と同様で
あった。このように、本湿度センサは過酷な環境でも極
めて安定であり、経時変化も極めて小さいことがわかる
。したがりて、本湿度センサは、従来の湿度センサでは
測定できなかった過酷な環境での測定ができ、従来のセ
ラミック系湿度センサに必要であった加熱リフレッシュ
が不要になるため、電気回路は簡単になシ。
に(イ)日間放置した後感湿特性を測定したところ、第
8図と同様であった。さらに1本湿度センサ1f:60
℃、水とエタノールの蒸気で飽和した雰囲気中に閉口間
放置した後感湿特性を測定したところ、第8図と同様で
あった。このように、本湿度センサは過酷な環境でも極
めて安定であり、経時変化も極めて小さいことがわかる
。したがりて、本湿度センサは、従来の湿度センサでは
測定できなかった過酷な環境での測定ができ、従来のセ
ラミック系湿度センサに必要であった加熱リフレッシュ
が不要になるため、電気回路は簡単になシ。
可燃性蒸気又はガスの存在する所でも測定することがで
きる。
きる。
〔実施列8〕
実施列7において、8.(。C,ヨ、)4ヤiτ、=0
.1゜0.05 となるように、カーボンブラックe
2.2 F、 1.1 fとした以外はすべて実施列
7と同様に湿度センサを製作した。
.1゜0.05 となるように、カーボンブラックe
2.2 F、 1.1 fとした以外はすべて実施列
7と同様に湿度センサを製作した。
第 2 表
Ro :相対湿度Oチの時のインピーダンスRIQO:
相対湿度100%の時のインピーダンス 第2表よシ明らかなように、5Z(Oc2Hs) 4
+ 8i。2≧0.1のものは湿度センサとして十分に
実用になり% l:Iz(0゜5Hs)4+sjJ (
””のものは湿度センナとして実用にならないことがわ
かる。
相対湿度100%の時のインピーダンス 第2表よシ明らかなように、5Z(Oc2Hs) 4
+ 8i。2≧0.1のものは湿度センサとして十分に
実用になり% l:Iz(0゜5Hs)4+sjJ (
””のものは湿度センナとして実用にならないことがわ
かる。
以と述べたように本発明の湿度センサは、全組アルコキ
シドを加水分解したゾルに、導電性粒子を分散させ、該
ゾルをゲル化、乾燥、焼結するので、過酷な環境で長期
間使用しても安定であり、導電性粒子の含有量によシ導
電率を自由に変えることができ、低湿度域でも測定しや
すいインピーダンスであるため、低湿度域も精肛良く側
足することができる。さらに、加熱りフレッシュが不要
なため、可燃性蒸気やガスの存在下でも使用でき、加熱
リフレッシュ回路が不要であり、直流でも測定できるこ
とから、電気回路を簡略化することができる。したがっ
て、高精度、高信頼性湿度センサとして利用することが
できる。
シドを加水分解したゾルに、導電性粒子を分散させ、該
ゾルをゲル化、乾燥、焼結するので、過酷な環境で長期
間使用しても安定であり、導電性粒子の含有量によシ導
電率を自由に変えることができ、低湿度域でも測定しや
すいインピーダンスであるため、低湿度域も精肛良く側
足することができる。さらに、加熱りフレッシュが不要
なため、可燃性蒸気やガスの存在下でも使用でき、加熱
リフレッシュ回路が不要であり、直流でも測定できるこ
とから、電気回路を簡略化することができる。したがっ
て、高精度、高信頼性湿度センサとして利用することが
できる。
第1図、第5図は、本発明の湿度センサの(1;成u1
を示す側視図である。 1−・・焼結体又は焼結嘆 2・oo電極 3 ・ ― ・ リ − ド線4−会・石英ガ
ラス仮 第2図、第3図、第4図、第6図、第8図に、本発明の
湿度センサの感湿%上図である。 第7図、第9図は、本発明の湿度センサの応答特性図で
ある。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第1図 第2図 0 50 1(X1 18対21iL(φ) 第3図 第41!1 第5図 第6図 層内(切 第7図 相対湿j!Lr外) 第8図 第9図
を示す側視図である。 1−・・焼結体又は焼結嘆 2・oo電極 3 ・ ― ・ リ − ド線4−会・石英ガ
ラス仮 第2図、第3図、第4図、第6図、第8図に、本発明の
湿度センサの感湿%上図である。 第7図、第9図は、本発明の湿度センサの応答特性図で
ある。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第1図 第2図 0 50 1(X1 18対21iL(φ) 第3図 第41!1 第5図 第6図 層内(切 第7図 相対湿j!Lr外) 第8図 第9図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)金属アルコキシドを加水分解したゾルに、導電性粒
子を分散させ、該ゾルをゲル化、乾燥、焼結することを
特徴とする湿度センサ。 2)金属アルコキシドとして、シリコンアルコキシド(
Si(OR)_4、R:アルキル基)を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 3)導電性粒子として炭素粒子を用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 4)金属アルコキシドを加水分解したゾルに、導電性粒
子とともに絶縁性粒子を分散させることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 5)絶縁性粒子としてシリカ粒子を用いることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 6)金属アルコキシドとしてシリコンアルコキシド(S
i(OR)_4)、絶縁性粒子としてシリカ粒子(Si
O_2)を用い、Si(OR)_4とSiO_2のモル
比が、SiO_2/Si(OR)_4≦5であることt
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 7)金属アルコキシドとしてシリコンアルコキシド(S
i(OR)_4)、導電性粒子として炭素粒子(C)を
用い、Si(OR)_4とCのモル比がC/Si(OR
)_4=0.1〜10(シリカ粒子(SiO_2)を加
える場合は、C/(Si(OR)_4+SiO_2)=
0.1〜10)であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の湿度センサ。 8)ゾルを絶縁基板上に皮膜状にゲル化させることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 9)絶縁基板として石英ガラスを用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 10)ゾルをゲル化させる際、ゾルに塩基を加えてpH
値を3〜7に調整することを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の湿度センサ。 11)塩基としてアンモニア水を用いることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 12)40〜100℃で乾燥を行うことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 13)真空中又は窒素ガス中又は不活性ガス中で、50
0〜1500℃で焼結を行うことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の湿度センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61273593A JPS63127150A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 湿度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61273593A JPS63127150A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 湿度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63127150A true JPS63127150A (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=17529943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61273593A Pending JPS63127150A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 湿度センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63127150A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5348761A (en) * | 1989-08-29 | 1994-09-20 | E + E Elektronik Gesellschaft M.B.H. | Use of a swellable plastic and process for making a resistive moisture sensor |
JPH08327577A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 感湿素子及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP61273593A patent/JPS63127150A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5348761A (en) * | 1989-08-29 | 1994-09-20 | E + E Elektronik Gesellschaft M.B.H. | Use of a swellable plastic and process for making a resistive moisture sensor |
JPH08327577A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 感湿素子及びその製造方法 |
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