JPS63127150A - 湿度センサ - Google Patents

湿度センサ

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Publication number
JPS63127150A
JPS63127150A JP61273593A JP27359386A JPS63127150A JP S63127150 A JPS63127150 A JP S63127150A JP 61273593 A JP61273593 A JP 61273593A JP 27359386 A JP27359386 A JP 27359386A JP S63127150 A JPS63127150 A JP S63127150A
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JP
Japan
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humidity sensor
particles
sol
humidity
sensor according
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Pending
Application number
JP61273593A
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English (en)
Inventor
Masahisa Ikejiri
昌久 池尻
Michio Yanagisawa
通雄 柳澤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、相対湿度の変化を、素子の電気的特性の変化
として検出する湿度センサに関する。
〔従来の技術〕
近年、湿度制御を必要とする分野が増加し%湿度センサ
の1安性が認められるようになった。
相対湿度の変化を素子の電気的特性の変化として検出す
る湿度センサには、電解質糸、高分子系金属系、セラミ
ック系があり、それぞれいろいろな系が研究されている
が、現在実用化されているものは、高分子系およびセラ
ミック系の湿度センサである。いずれも、水の吸着によ
り、素子のインピーダンスが、湿度の増加に伴い、指数
関数的に減少する性質を利用したものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前述の従来技術では、高分子系は60℃以上の
高温では使用できず、高分子系、セラミック系共に、低
湿度域で極めてインピーダンスが高くなシ稲度が悪化す
るという欠点があった。また、セラミック系湿度センサ
の中には、一定時間ごとに数100℃まで加熱してリフ
レッシュしなければ使用できないものかあシ、この様な
湿度センサは、可燃性蒸気、ガスの存在する所では使用
できない、さらに、いずれの湿度センサも、高温多湿の
環境で長時間使用すると劣化してしまうものが多い。
そこで本発明はこの嵌な間倣点を解決するもので、その
目的とするところは、過酷な環境に耐え、広範囲の湿度
を精度良く測定することができる湿度センサを提供する
ところにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の湿度センナは、金属アルコキシドを加水分解し
たゾルに、導電性粒子を分散させ、該ゾルをゲル化、乾
燥、焼結することを特徴とする。
金属アルコキシドは、過酷な環境での使用や。
長期安定性から、焼結後に石英ガラスになるものが望ま
しく、シリコンアルコキシド(昭(OR) 49R:ア
ルキル基)が望ましい、具体的には、テトラメトキシシ
ラン(Eli(QC:H3) 4 )lテトラエトキシ
シラン(日1(QC2” S ) 4 )  等が利用
しやすい。
もちろん、これらに添加物を加えても良い。
4電性粒子としては、過酷な環境での使用や、長期安定
性から、炭素粒子が望ましい、もちろん白金、パラジウ
ム、金、銀、銅、ステンレス等の金属粒子でも良い。
金属アルコキシドをカロ水分解したゾルに、導電性粒子
とともに絶縁性粒子を分散させると、焼結体の強度や、
細孔状転を変化させることができる。
したがって、金属アルコキシドと4逝性粒子の種類によ
っては、絶縁性粒子を加えると、焼結体の強度が増した
シ、感湿特性が良くなったシする。
もちろん、絶縁性粒子は加えなくても良い、絶縁性粒子
としては、アルミナ粒子、シリカ粒子、酸化マグネシウ
ム粒子、炭化ケイ素粒子の他に炭化チタン、炭化硼素等
、窒化ケイ素粒子の他に窒化アルミ、窒化硼素、窒化チ
タンさらには、スビネ/119のA、11.203Mg
0. MgCr04 、 Fe3O4など等利用でキ、
金属アルコキシドとしてシリコンアルコキシドを用いる
場合は、シリカ粒子が使い易い、金属アルコキシドとし
てシリコンアルコキシド、絶縁性粒子としてシリカ粒子
(sho、 ) 6用いる場合、8z(OR) 4 と
sio 、CD % /I/比が、−シ四」−85(O
R)ン5であ い。
湿度センサは、皮膜状に成形した方が、応答性。
量産性が優れていることが多い1本発明の湿度センサは
、絶縁基板とに皮膜状にゲル化させることによシ、極め
て容易に皮膜状に成形することができる、また、応答特
性も、絶嶽基板上に皮膜状に成形したものは浸れている
。絶縁基板としては、アルiす基板、ガラス基板炭化硅
素基板、窒化アルミ基板等が利用でき、金属アルコキシ
ドとしてシリコンアルコキシドを用いる場合は、過酷な
環境での使用や、長期安定性から、絶縁基板として石英
ガラスを用いることが望ましい。
ゾルをゲル化させる際、ゾルに塩基を加えて炉1直を調
整することにより、ゾルがゲル化するまでの時間を制御
することができる。pHf直が7付近では、はぼ瞬時に
ゲル化するmpH直が3以下では、ゲル化するまで1日
収とかかる。したがって7) Hfiは3〜7が望まし
い、塩基としては、焼結体中に塩基の成分が残ってほし
くない場合は、アンモニア水のように、焼結中に揮発す
るものが良い、焼結体中に塩基の成分が残っても良い場
合は、水酸化ナトリウム等の、水酸化アルカリ、水酸化
アルカリ土類を用いれば良い。
なお、ゾルを絶縁基板とに皮膜とにゲル化させる場合は
pH直の調整は行わなくても良い。
乾燥温度は、40℃以下では、乾燥時間が長くなり、1
00℃以上では、乾燥速度が速すぎゲルが割れてしまう
ので、40〜100℃が望ましい。
導電性粒子として炭素粒子を用いた場合、焼結中に炭素
粒子が焼失してしまわないように、焼結雰囲気は、真空
中、窒素ガス中、ヘリウム又はアルゴン等の不活性ガス
中のよりに、非酸化性雰囲気で行うことが望ましい、焼
結温度は、金属アルコキシドとして、シリコンアルコキ
シドを用いた場合には、500℃以下ではこれらが石英
ガラスにならず、1500℃以上に加熱しても、何らメ
リットがないので、500〜1500℃が望ましい。
この様に、金属アルコキシドとして、シリコンアルコキ
シドを用い、導電性粒子として炭素粒子を用いたものは
、焼結後には、石英ガラス中に炭素粒子を分散させた多
孔質体となり、過酷な環境で長期間使用しても安定であ
υ、また炭素粒子の含有tにより、導電率を自由に変え
ることができる。したがって、従来の素子では、低湿度
域は高インピーダンスになるため精度良く測定できなか
ったが1本発明の湿度センサは、低湿度域でも測定しや
すいインピーダンスであるため、精度良く測定すること
ができる。
炭素粒子の含有量は、焼結後のS1口2とCのモルlO
ではインピーダンスが低くなりすぎ測定が困難=0.1
〜H1が望ましい。
なお、本発明と似た系に、シリコーンポリマーに、炭素
粉末、シリカ粉末を添加した焼結体を用いた湿度センサ
(特願昭56−155962)があるが、本発明の湿度
センナは、金属アルコキシドを加水分解したゾル全原料
としているため、金属アルコキシドとしてシリコンアル
コキシドを用いた場合は、焼結体は、完全に石英ガラス
とすることができる。また、ゾルは任意の形にゲル化さ
せることかでき、成形のなめに添加物を用いる必要がな
い、したがって、本発明の金属アルコキシドとしてシリ
コンアルコキシドを用い、導電性粒子として炭素粒子を
用いた場合、焼結体は石英ガラスと炭素粒子のみからな
る多孔質体とすることができ、過酷な環境で長期間使用
しても極めて安定である。また、炭素粉末の含有量によ
り、導電率を自由に変えることができる。さらに、ゾル
は流動性が良く、添加物も必要ないため、製造工程は単
純であり、量産性は極めて高い、したがって本発明によ
れば、高精度高信頼度の湿度センサを量産性良く製造す
ることができる。
〔実施列1〕 テトラエトキシシラン(57(OC2H5) 4 ) 
200m#に0.02N塩酸65m!を加え、1時間攪
拌し、テトラエトキシシランを加水分解したところ、透
明で均一なゾルが得られた。このゾルに活性炭21.6
2(む(。fHs)<= 2)を加え亀加分間攪拌し1
活性炭を分散させたところ、黒色で均一なゾルが得られ
た。このゾルに0.I Nアンモニア水を滴下してpH
直を5に調整したところ1時間後にゲル化した。このゲ
ルをω℃で3日間乾燥したところ。
乾燥ゲルが得られた。この乾燥ゲルを焼結炉に入れ、ヘ
リウムガスを流しながら1000℃に加熱し、1000
℃で5時間保持したところ1石英ガラス中に炭素粒子が
分散した多孔質焼結体が得られた。
この焼結体から1辺が5u′の立方体を切り出し、電極
を付け、第1図に示す湿度センサを製作した。
第1図において、1は焼結体、2は電極、3はリード線
である1水湿度センサについて、感湿特性を測定した結
果を第2図に示す、測定周波数は100H2である。第
2図より、相対湿度に対するインピーダンスの対数の直
線性が良く、また、低湿度域でも測定しやすいインピー
ダンスであるため、高精度な湿度センサとして使用でき
ることがわかる。
〔実施列2〕 テトラエトキシシラン(’B(OCiHs)+ 33m
Aに0.02N塩酸232fn7’iz加え、1時間攪
拌し、テトラエトキシシランを加水分解したところ、透
明で均一なゾルが得られた。このゾルに、シリカ粒し、
シリカ粒子:活性炭を分散させたところ、黒色で均一な
ゾルが得られた。このゾルに0.INアンモニア水を滴
下して%pH直’fr:3に調整したところ、1日後に
ゲル化した。このゲルを閏℃で1日乾燥したところ、乾
燥ゲルが得られた。この乾燥ゲルを焼結炉に入れ、  
I Torr 以下の真空度で1500℃に加熱し、1
500℃で1時間保持した・i得られた焼結体から、1
辺が3藷の立方体を切シ出し、電極を付け、第1図に示
す湿度セ/すを製作した1水湿度センサの感湿特性を第
3因に示す。
〔実施列3〕 実施例2において、テトラエトキシシラン、塩酸、シリ
カ粒子、活性炭を同時に混合し、1時間攪拌しても、全
く同様な黒色で均一なゾルが得られ、以後実施列2と同
様に製作し之湿度センサは、実施例2と同様の感湿特性
が得られた。
〔比較列〕
テトラエトキシシラン25 m A、 0.02N塩酸
24した以外はすべて実施列2と同様に湿度センサを製
作したが、焼結体は脆く、実用にならなかった。
とするのは好ましくないことがわかる。
〔実施列4〕 テトラエトキシシラン(5i(OCzHs)a ) 2
001ni。
0.02N塩酸65 mノ、カーボンブラック2.22
(siCOCIls )4 = ”2)”混合し、1時
間攪拌したところ、黒色で均一なゾルが得られた。この
ゾルに0.INアンモニア水を滴下してpH呟f、約7
にしたところ瞬時にゲル化した。このゲルヲ40℃でl
O日間乾燥した。得られた乾燥ゲルを焼結炉に入れ、窒
素ガスを流しながら500℃に加熱し。
500℃で11時間保持した。
得られた焼結体から、1辺が2uの立方体を切シ出し、
電極を付け、第1図に示す湿度センサを製作した1水湿
度センサの感湿特性を第4図に示す。
〔実施列5〕 テトラエトキシシランC8i(OCiHs)4) 20
0mA 。
0.02N塩酸657X、#、活性炭54 f (8i
(。。a”’−5)4÷5)を混合し、1時間攪拌した
ところ、黒色で均一なゾルが得られた。このゾルに0.
INアンモニア水を滴下してpal直を4に調整した後
、lO×110X1の石英ガラス板上に皮膜とにゲル化
させた。これを100℃で1日乾燥した後焼結炉に入れ
、アルゴンガスを流しながら800℃に加熱し、800
℃で3時間保持した。得られた石英ガラス板上の皮膜に
電極を付け、第5図に示す湿度センサを!R作した。第
5図において、1は焼結皮膜、2は電極%3はリード線
、4は石英ガラス板である1水湿度センサの感湿特性を
第6図、応答特性を第7図に示す。
通常湿度センサは交流で測定される。これは、直流で測
定すると分極が起こり、素子が劣化してしまうからであ
る。しかし、もし直流で測定できれば、測定回路は極め
て簡単になう、メリットは大きい1水湿度センサは、直
流でも極めて安定に測定でき、直流での感湿特性は第6
図と同様であった。また、第7図から1水湿度センサの
応答は、十分に速いことがわかる。
〔実施列6〕 実施例5において、謂:=lO,15となるように、活
性炭を1Of、1629とした以外はす゛べて実施例5
と同様に湿度センサを製作した。
第   1   表 Ro:相対湿度O1sの時のインピーダンスR1oo:
相対湿度100%の時のインピーダンス第1表より明ら
かなように、B i (。。IHl1)4≦IOのもの
は湿度センサとして十分に実用になり、町(。CaH2
)t” 10のものは湿度センサとして実用にならない
ことがわかる。
〔実施列7〕 テトラエトキシシラン(”j(OCsHs)* ) 2
00mJ、 0.02N塩酸130 m A 、シリカ
粒子54?拌したところ、黒色で均一なゾルが得られた
。このゾル’((、IUXIOXlamの石英ガラス板
とに皮膜状にゲル化させた。これ’i100℃で1日乾
燥した後焼結炉に入れ、1 ’Xorr  以下の真望
度で1200℃まで7111熱し、1200℃で1時間
保持した。
得られた石英ガラス板上の皮膜に電極を付け、第5図に
示す湿度センサを製作した1水湿度センサの感湿特性を
第8図、応答特性を第9図に示す。
水湿度センサ’I関℃、相対湿度80チの恒温恒湿槽中
に(イ)日間放置した後感湿特性を測定したところ、第
8図と同様であった。さらに1本湿度センサ1f:60
℃、水とエタノールの蒸気で飽和した雰囲気中に閉口間
放置した後感湿特性を測定したところ、第8図と同様で
あった。このように、本湿度センサは過酷な環境でも極
めて安定であり、経時変化も極めて小さいことがわかる
。したがりて、本湿度センサは、従来の湿度センサでは
測定できなかった過酷な環境での測定ができ、従来のセ
ラミック系湿度センサに必要であった加熱リフレッシュ
が不要になるため、電気回路は簡単になシ。
可燃性蒸気又はガスの存在する所でも測定することがで
きる。
〔実施列8〕 実施列7において、8.(。C,ヨ、)4ヤiτ、=0
.1゜0.05  となるように、カーボンブラックe
 2.2 F、 1.1 fとした以外はすべて実施列
7と同様に湿度センサを製作した。
第   2   表 Ro :相対湿度Oチの時のインピーダンスRIQO:
相対湿度100%の時のインピーダンス 第2表よシ明らかなように、5Z(Oc2Hs) 4 
+ 8i。2≧0.1のものは湿度センサとして十分に
実用になり% l:Iz(0゜5Hs)4+sjJ (
””のものは湿度センナとして実用にならないことがわ
かる。
〔発明の効果〕
以と述べたように本発明の湿度センサは、全組アルコキ
シドを加水分解したゾルに、導電性粒子を分散させ、該
ゾルをゲル化、乾燥、焼結するので、過酷な環境で長期
間使用しても安定であり、導電性粒子の含有量によシ導
電率を自由に変えることができ、低湿度域でも測定しや
すいインピーダンスであるため、低湿度域も精肛良く側
足することができる。さらに、加熱りフレッシュが不要
なため、可燃性蒸気やガスの存在下でも使用でき、加熱
リフレッシュ回路が不要であり、直流でも測定できるこ
とから、電気回路を簡略化することができる。したがっ
て、高精度、高信頼性湿度センサとして利用することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第5図は、本発明の湿度センサの(1;成u1
を示す側視図である。 1−・・焼結体又は焼結嘆 2・oo電極 3  ・  ―  ・  リ − ド線4−会・石英ガ
ラス仮 第2図、第3図、第4図、第6図、第8図に、本発明の
湿度センサの感湿%上図である。 第7図、第9図は、本発明の湿度センサの応答特性図で
ある。 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第1図 第2図 0     50     1(X1 18対21iL(φ) 第3図 第41!1 第5図 第6図 層内(切 第7図 相対湿j!Lr外) 第8図 第9図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)金属アルコキシドを加水分解したゾルに、導電性粒
    子を分散させ、該ゾルをゲル化、乾燥、焼結することを
    特徴とする湿度センサ。 2)金属アルコキシドとして、シリコンアルコキシド(
    Si(OR)_4、R:アルキル基)を用いることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 3)導電性粒子として炭素粒子を用いることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 4)金属アルコキシドを加水分解したゾルに、導電性粒
    子とともに絶縁性粒子を分散させることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 5)絶縁性粒子としてシリカ粒子を用いることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 6)金属アルコキシドとしてシリコンアルコキシド(S
    i(OR)_4)、絶縁性粒子としてシリカ粒子(Si
    O_2)を用い、Si(OR)_4とSiO_2のモル
    比が、SiO_2/Si(OR)_4≦5であることt
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 7)金属アルコキシドとしてシリコンアルコキシド(S
    i(OR)_4)、導電性粒子として炭素粒子(C)を
    用い、Si(OR)_4とCのモル比がC/Si(OR
    )_4=0.1〜10(シリカ粒子(SiO_2)を加
    える場合は、C/(Si(OR)_4+SiO_2)=
    0.1〜10)であることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の湿度センサ。 8)ゾルを絶縁基板上に皮膜状にゲル化させることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 9)絶縁基板として石英ガラスを用いることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 10)ゾルをゲル化させる際、ゾルに塩基を加えてpH
    値を3〜7に調整することを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の湿度センサ。 11)塩基としてアンモニア水を用いることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 12)40〜100℃で乾燥を行うことを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の湿度センサ。 13)真空中又は窒素ガス中又は不活性ガス中で、50
    0〜1500℃で焼結を行うことを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の湿度センサ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5348761A (en) * 1989-08-29 1994-09-20 E + E Elektronik Gesellschaft M.B.H. Use of a swellable plastic and process for making a resistive moisture sensor
JPH08327577A (ja) * 1995-05-31 1996-12-13 Ngk Spark Plug Co Ltd 感湿素子及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5348761A (en) * 1989-08-29 1994-09-20 E + E Elektronik Gesellschaft M.B.H. Use of a swellable plastic and process for making a resistive moisture sensor
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