JPS63124524A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63124524A JPS63124524A JP27114886A JP27114886A JPS63124524A JP S63124524 A JPS63124524 A JP S63124524A JP 27114886 A JP27114886 A JP 27114886A JP 27114886 A JP27114886 A JP 27114886A JP S63124524 A JPS63124524 A JP S63124524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- substrate
- photoresist
- atmospheric pressure
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 10
- 102100027340 Slit homolog 2 protein Human genes 0.000 abstract description 2
- 101710133576 Slit homolog 2 protein Proteins 0.000 abstract description 2
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造方法に関し、特に半導体装置表面へ
の液体塗布方法に関する。
の液体塗布方法に関する。
従来、半導体装置の製造工程で、半導体表面へ液体を塗
布する工程、例えばホトレジスト工程は第２図（ａ）、
（ｂ）に示す様な方法で行なわれている。
布する工程、例えばホトレジスト工程は第２図（ａ）、
（ｂ）に示す様な方法で行なわれている。
まず、第２図（ａ＞に示すように、半導体基板２１を真
空チャック２２を有した塗布台２３の上に固定し、半導
体基板２１表面上にホトレジスト２４を滴下する。次い
で第２図（ｂ）に示すように滴下されたホトレジスト２
４を半導体基板２１の表面全体に拡げるため塗布台２３
を回転する。
空チャック２２を有した塗布台２３の上に固定し、半導
体基板２１表面上にホトレジスト２４を滴下する。次い
で第２図（ｂ）に示すように滴下されたホトレジスト２
４を半導体基板２１の表面全体に拡げるため塗布台２３
を回転する。
しかるときは半導体基板２１上の全面に所要なホトレジ
スト膜２５が塗布される。
スト膜２５が塗布される。
上述した従来のホトレジストの塗布方法は大気圧下にて
、しかも塗布台２３を回転してホトレジスト２４の横方
向の拡がりを利用する半導体基板２１上への塗布方法と
なっている。しかし通常半導体基板２１表面には数十回
の露光、エツチング、酸化、堆積等の工程を経た結果第
３図に示すように多数のスリット２６．深い７Ｉ４２７
．オーバーハング２８等が存在するためにホトレジスト
２５はこれらの凹凸上部のみに拡がり、スリット２６の
透き間、満２７の底、オーバーハング２８の下を完全に
充満できず、部分的にｇ＆細な気泡を形成したり、すが
入ったりして膜厚め不均一性を引き起こす。
、しかも塗布台２３を回転してホトレジスト２４の横方
向の拡がりを利用する半導体基板２１上への塗布方法と
なっている。しかし通常半導体基板２１表面には数十回
の露光、エツチング、酸化、堆積等の工程を経た結果第
３図に示すように多数のスリット２６．深い７Ｉ４２７
．オーバーハング２８等が存在するためにホトレジスト
２５はこれらの凹凸上部のみに拡がり、スリット２６の
透き間、満２７の底、オーバーハング２８の下を完全に
充満できず、部分的にｇ＆細な気泡を形成したり、すが
入ったりして膜厚め不均一性を引き起こす。
この様な領域があるホトレジスト膜２５はマスクを通し
て露光されるとレジストパターンの欠けやはがれを生じ
、その後に行なわれるエツチング、酸化、堆積等の工程
で電気的ショート、オープンにつながる。その結果不良
品を発生させ、重大な歩留り低下を招く欠点がある。
て露光されるとレジストパターンの欠けやはがれを生じ
、その後に行なわれるエツチング、酸化、堆積等の工程
で電気的ショート、オープンにつながる。その結果不良
品を発生させ、重大な歩留り低下を招く欠点がある。
本発明の目的は、半導体基板表面に形成される段やスリ
ット、溝、オーバーハングの透き間にも液体を充満でき
半導体装置を高歩留りに製造できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
ット、溝、オーバーハングの透き間にも液体を充満でき
半導体装置を高歩留りに製造できる半導体装置の製造方
法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、減圧下にて半導体基
板表面に液体を滴下する工程と、その液体の滴化された
半導体基板を回転して液体を半導体基板表面全体に塗布
する工程と、液体の塗布された基板を大気圧下に取り出
す工程とを有して構成され半導体基板表面上に存在する
透き間にも液体を充満することができる。
板表面に液体を滴下する工程と、その液体の滴化された
半導体基板を回転して液体を半導体基板表面全体に塗布
する工程と、液体の塗布された基板を大気圧下に取り出
す工程とを有して構成され半導体基板表面上に存在する
透き間にも液体を充満することができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例により形成された半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
まず従来例と同様に第２図（ａ）に示す様な塗布台を同
図中には示さないが真空チェンバ内に設置する０次に、
チェンバ内の気圧を下げた後、従来例と同様に塗布を行
う、すなわち半導体基板２１上にホトレジスト２４を滴
下し、第２図（ｂ）に示すように塗布台２３を回転して
半導体基板２１表面にホトレジスト膜２５を形成する。
図中には示さないが真空チェンバ内に設置する０次に、
チェンバ内の気圧を下げた後、従来例と同様に塗布を行
う、すなわち半導体基板２１上にホトレジスト２４を滴
下し、第２図（ｂ）に示すように塗布台２３を回転して
半導体基板２１表面にホトレジスト膜２５を形成する。
この場合のホトレジスト膜２５の塗布状態は従来例と同
様に第３図に示す状態と同一である０次いで、真空チェ
ンバ内圧力を大気圧に戻す。しかるときは、半導体基板
上に存在するスリット、溝、オーバーハング内の気泡と
大気圧の気圧差により第１図に示す様にホトレジスト５
が半導体基板１上のスリット２．満３．オーバーハング
４に充満される。第１図において６は大気圧力を示して
いる。
様に第３図に示す状態と同一である０次いで、真空チェ
ンバ内圧力を大気圧に戻す。しかるときは、半導体基板
上に存在するスリット、溝、オーバーハング内の気泡と
大気圧の気圧差により第１図に示す様にホトレジスト５
が半導体基板１上のスリット２．満３．オーバーハング
４に充満される。第１図において６は大気圧力を示して
いる。
以上説明したように本発明は半導体基板表面への液体塗
布方法として減圧下にて滴下し、回転塗布後に大気圧下
に半導体基板を収り出すことにより′半導体基板上に形
成された段やスリット、溝。
布方法として減圧下にて滴下し、回転塗布後に大気圧下
に半導体基板を収り出すことにより′半導体基板上に形
成された段やスリット、溝。
オーバーハングの透き間にも液体を充満でき、その結果
半導体装置を歩留りよく製造することができる効果があ
る。
半導体装置を歩留りよく製造することができる効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例により形成された半導体装置
の断面図、第２図（ａ＞、（ｂ）は半導体装置の製造方
法の一工程であるホトレジスト塗布工程を説明するなめ
に工程順に示したホトレジスト塗布機の断面図、第３図
は従来方法により形成された半導体装置の断面図である
。 １．２１・・・・・・半導体基板、２，２６・・・・・
・スリット、３．２７・・・・・・溝、４，２８・・・
・・・オーバーハング、５，２５・・・・・・ホトレジ
スト膜、６・・・・−・大気圧力、２２・・・・・・真
空チャック、２３・・・・・・塗布台、２４・・・・・
・ホトレジスト。 ｙｒＪＺ 回 手続補正書 （自発） １、事件の表示 昭和６１年特許願第２７１１４８号２
、発明の名称 半導体装置の製造方法３、補正をする者 事件との間傷 出 願 大佐 所
東京都港区芝五丁目３３番１号名 称 （４２３
） 日本電気株式会社代表者 関 本 忠 弘 ４、代理人 住 所 〒１０８東京都港区芝五丁目３７番８号住友三
田ビル 日本電気株式会社内 ５、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」および「図面の簡
単な説明」の各欄。 （２）図面 ６、補正の内容 （１）明細書の第３頁３行目「気泡」の後に「２９」を
挿入する。 （２）明細書第３頁４行目「すが」を「す３０が」と補
正する。 （３）明細書第６頁４行目の文末に「２９・・・気泡、
３０・・・す、」を挿入する。 （４）図面の第３図を別紙のとおり補正する。
の断面図、第２図（ａ＞、（ｂ）は半導体装置の製造方
法の一工程であるホトレジスト塗布工程を説明するなめ
に工程順に示したホトレジスト塗布機の断面図、第３図
は従来方法により形成された半導体装置の断面図である
。 １．２１・・・・・・半導体基板、２，２６・・・・・
・スリット、３．２７・・・・・・溝、４，２８・・・
・・・オーバーハング、５，２５・・・・・・ホトレジ
スト膜、６・・・・−・大気圧力、２２・・・・・・真
空チャック、２３・・・・・・塗布台、２４・・・・・
・ホトレジスト。 ｙｒＪＺ 回 手続補正書 （自発） １、事件の表示 昭和６１年特許願第２７１１４８号２
、発明の名称 半導体装置の製造方法３、補正をする者 事件との間傷 出 願 大佐 所
東京都港区芝五丁目３３番１号名 称 （４２３
） 日本電気株式会社代表者 関 本 忠 弘 ４、代理人 住 所 〒１０８東京都港区芝五丁目３７番８号住友三
田ビル 日本電気株式会社内 ５、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」および「図面の簡
単な説明」の各欄。 （２）図面 ６、補正の内容 （１）明細書の第３頁３行目「気泡」の後に「２９」を
挿入する。 （２）明細書第３頁４行目「すが」を「す３０が」と補
正する。 （３）明細書第６頁４行目の文末に「２９・・・気泡、
３０・・・す、」を挿入する。 （４）図面の第３図を別紙のとおり補正する。
Claims (2)
- （１）減圧下にて半導体基板表面に液体を滴下する工程
と、前記半導体基板を回転して前記液体を該半導体基板
表面全体に塗布する工程と、該半導体基板を大気圧下に
取り出す工程とを有することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - （２）液体がホトレジストである特許請求範囲の第（１
）項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27114886A JPS63124524A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27114886A JPS63124524A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124524A true JPS63124524A (ja) | 1988-05-28 |
Family
ID=17495994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27114886A Pending JPS63124524A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8205313B2 (en) | 2007-09-10 | 2012-06-26 | Honda Motor Co., Ltd. | Structure for attaching vibration insulating member |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP27114886A patent/JPS63124524A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8205313B2 (en) | 2007-09-10 | 2012-06-26 | Honda Motor Co., Ltd. | Structure for attaching vibration insulating member |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR860001476A (ko) | P-형 반도체 합금을 연속적으로 제조하는 방법 | |
| US3695928A (en) | Selective coating | |
| KR950006970A (ko) | 웨이퍼 및 판형태의 물체에 액상의 화학약품을 회전도포하기 위한 장치 및 방법 | |
| JPH0645327A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63124524A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01292829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08222502A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JPH0252705A (ja) | 半導体ウェーハの分割方法 | |
| JP2615317B2 (ja) | スピンナーチャック | |
| US9545776B2 (en) | Wafer reconfiguration | |
| JPS6091632A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH04165361A (ja) | 半導体処理方法 | |
| JPH01286435A (ja) | 半導体装置の製造方法および装置 | |
| KR20040059256A (ko) | 다단계 포토레지스트 도포방법 | |
| JPS5916332A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05234873A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05259049A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
| JPH02137227A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6354726A (ja) | レジスト膜のエツチング方法 | |
| JPH02307213A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60144735A (ja) | フオト・レジスト膜の形成方法 | |
| JPS6092633A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPH053257A (ja) | 半導体装置の被膜形成方法 | |
| JPS62137829A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH0220043A (ja) | 半導体装置の製造方法 |