JPS63124523A - イオン線投影露光装置 - Google Patents

イオン線投影露光装置

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Publication number
JPS63124523A
JPS63124523A JP61271411A JP27141186A JPS63124523A JP S63124523 A JPS63124523 A JP S63124523A JP 61271411 A JP61271411 A JP 61271411A JP 27141186 A JP27141186 A JP 27141186A JP S63124523 A JPS63124523 A JP S63124523A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
mask
lens
wafer
projection
Prior art date
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Pending
Application number
JP61271411A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Priority to US07/107,424 priority patent/US4902897A/en
Priority to KR1019870011307A priority patent/KR930001889B1/ko
Publication of JPS63124523A publication Critical patent/JPS63124523A/ja
Priority to KR1019920019579A priority patent/KR930001433B1/ko
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオン線投影露光装置の構造に関する〔従来の
技術〕 従来、イオン線投影露光装置は、文献　Ｊ、Ｎ。
Ｒａｎｄａｌｌ、　’Ｐｒｏｓｐｅｃｔｓ　ｆｏｒ　ｐ
ｒｉｎｔｉｎｇ　ｖｅｒｙ　Ｌａｒｇｅｓｃａｌｅｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ　　ｃｉｒｃｕｉｔｓ　ｗｉｔｈ　ｍ
ａｓｋｅｄ　　ｉｏｎｂｅａｍ　ＬｉｉｈＯｇｒａｐｈ
７　“　、ｒ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、’ｌ’ｅｃｈｎｏｌ　
　、Ａ４（３）、Ｐ、！’、７７７−７８！５（１９８
６）に示される。ここで、２０はイオン源、２１はイオ
ン・レンズ−２２はマグネティックマスフィルタ、２３
は偏向板、２４はマスク、２５はウェーハ、２６はイマ
ージアン・レンズ、２７はオクトボール、２８は投影結
像レンズ、２９は縮小像である。第２図（α）の如く、
１対１ｕ光の場合には、並行イオン線をマスクを通して
直接ウェーハ上に露光するいわゆるプロキシミティ露光
法か、第２図（ｂ）に示す如く、イオン線をマスクに照
射後、拡大、縮小レンズを経て、ウェーハ上に縮少投影
する方式が用いられるのが通例であった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記従来技術によると、プロキシミティ露光の
場合には、解決力が低く、プロキシミティ・ギャップの
設定が困難であるという問題点があり、縮少投影露光で
は、スルー・プツトが低いと云う問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、高スルー
・プツトで且つ高い解像力を有するイオン線露光装置を
提供する事を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決するために、本発明はイオン線投影露
光装置に関し、並行にマスクに照射されたイオン線から
、図形状に放射されるイオンＩＩＩを１対１でウェーハ
上に投影露光するための投影結像レンズをマスクとウェ
ーハ間に真情する手段をとる。
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すイオン線投影露光装置
図である。すなわち、イオン源１からのＨｅ＋あるいは
Ｈイオンはイオン・レンズ２にて並行イオン線として引
出され、偏向板３に、てＸ、Ｙ方向に偏向されて拡大さ
れ、マスク４を通して、投影レンズ５にて、ウェーハ６
上にマスク４の図形が１対１で投影露光される。尚、投
影レンズ５は、静電レンズでも良く、あるいは磁界レン
ズでも良い事は云うまでもな−。
〔発明の効果〕
本発明の如く、イオン線投影露光装置に於て、１対１で
図形を結像露光する方式をとることにより、高いスルー
・プツトで且つ高い解像力が得られ、ると共に、イオン
線投影露光における深い焦点深度の特徴を生かせ、プロ
キシミティ・ギャップの設定等の困難がなくなる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すイオン線投影露光装Ｕ
図である。 第２図（α）、（ｂ、）は従来技術によるイオン線露光
装置図である。 １．２０・・・・・・イオン源 ２．２１・・・・・・イオン・レンズ ３．２３・・・・・・偏向板 ４．２４・・・・・・マスク ５．２８・・・・・・投影結像レンズ ６．２５・・・・・・ウェーハ ２２・・・・・・・・・・・・マグネティックマスフィ
ルタ２６・・・・・・・・・・・・イマージアンφレン
ズ２７・・・・・・・・・・・・オクトボール２９・・
・・・・・・・・・・縮小像 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　並行にマスクに照射されたイオン線から図形状に放射
    されるイオン線を１対１でウェーハ上に投影露光するた
    めの投影結像レンズをマスクとウェーハ間に具備する事
    を特徴とするイオン線投影露光装置。
JP61271411A 1986-10-13 1986-11-14 イオン線投影露光装置 Pending JPS63124523A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61271411A JPS63124523A (ja) 1986-11-14 1986-11-14 イオン線投影露光装置
US07/107,424 US4902897A (en) 1986-10-13 1987-10-13 Ion beam gun and ion beam exposure device
KR1019870011307A KR930001889B1 (ko) 1986-10-13 1987-10-13 이온빔 노출마스크
KR1019920019579A KR930001433B1 (ko) 1986-10-13 1992-10-23 이온 빔 총

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61271411A JPS63124523A (ja) 1986-11-14 1986-11-14 イオン線投影露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63124523A true JPS63124523A (ja) 1988-05-28

Family

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Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61271411A Pending JPS63124523A (ja) 1986-10-13 1986-11-14 イオン線投影露光装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007153310A (ja) * 2005-11-10 2007-06-21 Hitachi Constr Mach Co Ltd 建設機械

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63114126A (ja) * 1986-10-31 1988-05-19 Fujitsu Ltd イオンビ−ム加工方法

Patent Citations (1)

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