JPS63276859A - イオン投射装置 - Google Patents
イオン投射装置Info
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- JPS63276859A JPS63276859A JP62297292A JP29729287A JPS63276859A JP S63276859 A JPS63276859 A JP S63276859A JP 62297292 A JP62297292 A JP 62297292A JP 29729287 A JP29729287 A JP 29729287A JP S63276859 A JPS63276859 A JP S63276859A
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- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 25
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000996 ion projection lithography Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000004157 plasmatron Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
- H01J37/1477—Scanning means electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はイオン源と基体（ウェハー）との間の放射路に
少な（とも１つの電子的偏向場発生装置と実体的開口（
Ｋｏｒｐｅｒｌｉｃｈｅｎ ｊｌｆｆｎｕｎｇｅｎ）を
有するマスク所謂オープンステンシルマスクが配置され
ているイオン投射装置に関するものである。
少な（とも１つの電子的偏向場発生装置と実体的開口（
Ｋｏｒｐｅｒｌｉｃｈｅｎ ｊｌｆｆｎｕｎｇｅｎ）を
有するマスク所謂オープンステンシルマスクが配置され
ているイオン投射装置に関するものである。
本発明は縮尺がほぼｔｉｔの結像（影投影５ｃｈａ ｔ
ｔｅｎｐｒｏｊ ｅｃ ｔ）において電子的ひずみ修
正もしくはひずみ調節の及び縮尺調節の可能性を作り出
すことを課題とする。
ｔｅｎｐｒｏｊ ｅｃ ｔ）において電子的ひずみ修
正もしくはひずみ調節の及び縮尺調節の可能性を作り出
すことを課題とする。
オープンステンシルマスクはその製造方法の理由でしば
しば成る種のひずみ、すなわちマスク開口部のその目標
位置に対しての位置ずれを生じる。
しば成る種のひずみ、すなわちマスク開口部のその目標
位置に対しての位置ずれを生じる。
半導体回路の製造の際に普通であるように、違った投影
ステップ（Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎｓｓｃｈｒｉ ｔｔｅ
ｎ）で違ったマスクが同じウェハー面に結像されると、
違ったマスクが一般に違ったひずみ状態を有するように
なる。このことは１つのマスクに基づく構造の別のマス
クに基づく構造に対する許容できないずれ（Ｖｅｒｓｅ
ｔｚｕｎｎｇ）を導く、それ故に結像中、各マスクのず
れをさらに許容可能なずれとなるように補償する必要が
ある。
ステップ（Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎｓｓｃｈｒｉ ｔｔｅ
ｎ）で違ったマスクが同じウェハー面に結像されると、
違ったマスクが一般に違ったひずみ状態を有するように
なる。このことは１つのマスクに基づく構造の別のマス
クに基づく構造に対する許容できないずれ（Ｖｅｒｓｅ
ｔｚｕｎｎｇ）を導く、それ故に結像中、各マスクのず
れをさらに許容可能なずれとなるように補償する必要が
ある。
いわゆる「ミックス アンド マツチ」方法は経済的に
有利である。この場合夫々１つの半導体回路素子を構成
するのは２個又はそれ以上の別々の装置で実施され、す
なわち例えば粗い構成は稼動中には安い光学的ウェハー
ステッパー（Ｗａｆｅｒ−５ｓ ｔｅｐｐにｒ）により
、微細な構成はイオン投射装置で行われる。この場合イ
オン投射装置ではそこで使用されるマスクを光学的ウェ
ハーステッパーで造られる構成のずれ状態に適合されな
けれはならず、すなわちマスクに与えられた開口部の位
置は互いに結像内で変えられ（ゆがめられ）なければな
らない。
有利である。この場合夫々１つの半導体回路素子を構成
するのは２個又はそれ以上の別々の装置で実施され、す
なわち例えば粗い構成は稼動中には安い光学的ウェハー
ステッパー（Ｗａｆｅｒ−５ｓ ｔｅｐｐにｒ）により
、微細な構成はイオン投射装置で行われる。この場合イ
オン投射装置ではそこで使用されるマスクを光学的ウェ
ハーステッパーで造られる構成のずれ状態に適合されな
けれはならず、すなわちマスクに与えられた開口部の位
置は互いに結像内で変えられ（ゆがめられ）なければな
らない。
従来、時間的に変わる静電的偏向場により狭い電子＆？
！ （約１ＩＩＩＩ１１直径）が格子状（ｒａｓｔｅｒ
ｆｏｒｍｉｇ）に結像すべきマスクを介して案内される
（スキャンニング）方法は公知であり（ＨＢｏｌ＋Ｉｅ
ｎ等 ソリッドステートテクノロジー（Ｓｏｌｉｄ ５
ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ９月８４９．Ｐ２１０
）、その際マスクのある一定のゆがみは偏向角の適当な
変化により補正される。
！ （約１ＩＩＩＩ１１直径）が格子状（ｒａｓｔｅｒ
ｆｏｒｍｉｇ）に結像すべきマスクを介して案内される
（スキャンニング）方法は公知であり（ＨＢｏｌ＋Ｉｅ
ｎ等 ソリッドステートテクノロジー（Ｓｏｌｉｄ ５
ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ９月８４９．Ｐ２１０
）、その際マスクのある一定のゆがみは偏向角の適当な
変化により補正される。
しかし、いつも全放射線が均一に偏向されるので、この
方法はスキャンする投射方法の場合のみに使用可能であ
る。
方法はスキャンする投射方法の場合のみに使用可能であ
る。
静的に放散されるイオン線がマスクの全結像場に生じる
スキャンしない影投影方法におけるゆがみ補正も（しは
ゆがみｌ！節を達成するため、マスクの前に静電的多極
を配置することを本発明により提案される。この多極性
は少なくとも８極、しかし好ましくはそれ以上の極を有
するべきである。
スキャンしない影投影方法におけるゆがみ補正も（しは
ゆがみｌ！節を達成するため、マスクの前に静電的多極
を配置することを本発明により提案される。この多極性
は少なくとも８極、しかし好ましくはそれ以上の極を有
するべきである。
この多極が作動されると、印加される電圧の調節毎にマ
スク開口を貫通発生する部分流の不均等な偏向が行われ
、偏向された部分流は変えられた角度でマスクに現れ、
したがってウェハーへのマスク開口の影結像（Ｓｃｈａ
ｔｔｅｎｂｉｌｄ）が変えられる。
スク開口を貫通発生する部分流の不均等な偏向が行われ
、偏向された部分流は変えられた角度でマスクに現れ、
したがってウェハーへのマスク開口の影結像（Ｓｃｈａ
ｔｔｅｎｂｉｌｄ）が変えられる。
その際ウェハー自身はマスクの下側にある。しかし本発
明に係る多極での例えば二極場の調節により、又全での
部分流の均等あ偏向が達成されることができる。マスク
・ウェハー間隔ごとに、０．１閣より小さいオーダーの
大きての値が今迄実施された（ＲｏＳｐｅｉｄｅｌ、υ
、 Ｂｅｈｒｉｎｇｅｒ＋ オブティーク （ＯｐＬｉ
ｋ） ５４巻Ｐ４３ｂ１９７９）、それは只そのように
サブミクロメータ構造が結像されることができたからで
ある０間隔が大の場合、イオン源に同じ品質を維持する
場合、解決（Ａｕｆ １６ｓｕｂｎｇ）の低減が与えら
れ、イオン源・マスク間隔を同じに維持する場合にＡ”
Ｄ＝ｈ／ｓにより与えられ、そこでＡは最も小さい発生
可能な構造の広がりであり、Ｄはイオン源の直径であり
Ｓはイオン源のマスクからの距離であり、ｈはマスク・
ウェハー間隔を示す。
明に係る多極での例えば二極場の調節により、又全での
部分流の均等あ偏向が達成されることができる。マスク
・ウェハー間隔ごとに、０．１閣より小さいオーダーの
大きての値が今迄実施された（ＲｏＳｐｅｉｄｅｌ、υ
、 Ｂｅｈｒｉｎｇｅｒ＋ オブティーク （ＯｐＬｉ
ｋ） ５４巻Ｐ４３ｂ１９７９）、それは只そのように
サブミクロメータ構造が結像されることができたからで
ある０間隔が大の場合、イオン源に同じ品質を維持する
場合、解決（Ａｕｆ １６ｓｕｂｎｇ）の低減が与えら
れ、イオン源・マスク間隔を同じに維持する場合にＡ”
Ｄ＝ｈ／ｓにより与えられ、そこでＡは最も小さい発生
可能な構造の広がりであり、Ｄはイオン源の直径であり
Ｓはイオン源のマスクからの距離であり、ｈはマスク・
ウェハー間隔を示す。
発明の別の形態では、ウェハーがマスクから大きな間隔
で配置され、その際この間隔は例えば５〜１０麺のオー
ダーの大きさにおかれることができる。要求される解決
法を保持するために上記の式により同時に線源の直径が
低減され及び／又はマスクの線源からの間隔が拡大され
る。この手段により、ウェハーに像の比較的大きな位置
変化が線流の比較的小さい偏向において達成することが
うまくいく、補正素子の電気的縁場（Ｒａｎｄｆｅｌｄ
）により引き起こされる可能性のある不都合な影響（ゆ
がみ）を小さく保持するため僅かの偏向が得られるべき
である。
で配置され、その際この間隔は例えば５〜１０麺のオー
ダーの大きさにおかれることができる。要求される解決
法を保持するために上記の式により同時に線源の直径が
低減され及び／又はマスクの線源からの間隔が拡大され
る。この手段により、ウェハーに像の比較的大きな位置
変化が線流の比較的小さい偏向において達成することが
うまくいく、補正素子の電気的縁場（Ｒａｎｄｆｅｌｄ
）により引き起こされる可能性のある不都合な影響（ゆ
がみ）を小さく保持するため僅かの偏向が得られるべき
である。
構造の回転を達成するため本発明の別の形態では、軸方
向磁気場を発生する装置が、例えば光学軸に共軸状に配
置されたコイルが、設けられることがてきる。このよう
な形態においては、像の回転が行われることができ、従
ってそのことから結果として生じる位置変化を、イオン
リトグラフィー（Ｔｏｎｅｎｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ
）により生ずべき構造の適当なカバーがウェハーの上に
すでに存在する構造と共に達成する。
向磁気場を発生する装置が、例えば光学軸に共軸状に配
置されたコイルが、設けられることがてきる。このよう
な形態においては、像の回転が行われることができ、従
ってそのことから結果として生じる位置変化を、イオン
リトグラフィー（Ｔｏｎｅｎｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ
）により生ずべき構造の適当なカバーがウェハーの上に
すでに存在する構造と共に達成する。
マスクと基体との間の空間には、いわゆる近接ギャップ
には、特に機械的シャッターが配置されることができる
。このくとは又、ウェハーの露光が起こらないままにさ
れなければならない、ウェハーの位置が変化する間に、
マスクを更にイオン線の外に置くことと、そのようにし
てマスクの温度を一定に保持することの可能性を生じ、
それにより湿度変動の際のように平生は生じる可能性が
あるようなマスク開口の若干の位置変動が、確実に、要
求される公差の範囲内に保持されることができる。
には、特に機械的シャッターが配置されることができる
。このくとは又、ウェハーの露光が起こらないままにさ
れなければならない、ウェハーの位置が変化する間に、
マスクを更にイオン線の外に置くことと、そのようにし
てマスクの温度を一定に保持することの可能性を生じ、
それにより湿度変動の際のように平生は生じる可能性が
あるようなマスク開口の若干の位置変動が、確実に、要
求される公差の範囲内に保持されることができる。
本発明の装置の別の形態によると、マスクと基体の間の
空間に電子的検出器が配置され、該検出器は基体の位置
もくしは基体上に存在する構造の位置を検出する用に寄
与する。この検出に基づき、次いで多極によりマスク開
口を貫通する部分流が、イオン放射により生ずる基体上
の構造の位置が所望の目標位置を取るまで制御される。
空間に電子的検出器が配置され、該検出器は基体の位置
もくしは基体上に存在する構造の位置を検出する用に寄
与する。この検出に基づき、次いで多極によりマスク開
口を貫通する部分流が、イオン放射により生ずる基体上
の構造の位置が所望の目標位置を取るまで制御される。
この方法で、基体上にすでに存在する構造の新しく製造
するべき構造との位置合わせが行われることができる。
するべき構造との位置合わせが行われることができる。
マスク・ウェハー間隔を変えることにより、放射線流路
が放散することにより又縮尺調節が実行されることがで
きる。
が放散することにより又縮尺調節が実行されることがで
きる。
本発明の詳細を図に示す実施例に基づき説明する。
図において１はイオン源を、特に二重プラズマトロンイ
オン源を示し、該イオン源から放散するイオン線９が放
射される。このイオン線の下に例えば５００■の間隔で
マスク間口１１を有するマスク４が存在し、マスクは保
持器６に保持される。
オン源を示し、該イオン源から放散するイオン線９が放
射される。このイオン線の下に例えば５００■の間隔で
マスク間口１１を有するマスク４が存在し、マスクは保
持器６に保持される。
マスク４の下には間１ｉｄｓで基体（ウェハー）２が存
在する。その際基体は適当な層構造７を有する５ｉウエ
ハーとすることができる。イオン投射リトグラフによる
リトグラフ的構造伝送（Ｓｔｒｕｋｔｕｒｊｉｂａｒｔ
ｒａｇｕｎｇ）のため、ウェハー２は例えば３位置レジ
スト（Ｒｅｓｉｓｔ） （フォトラックｃｐｈｏｔｏｌ
ａｃｋ ）層８によりカバーされることができ、例えば
１μｍＡＺフォトラックが基層として、３０ｎｍ蒸着ゲ
ルマニウム層が中間層として、そして薄いフォトレジス
トが最上層としてカバーされることができる。
在する。その際基体は適当な層構造７を有する５ｉウエ
ハーとすることができる。イオン投射リトグラフによる
リトグラフ的構造伝送（Ｓｔｒｕｋｔｕｒｊｉｂａｒｔ
ｒａｇｕｎｇ）のため、ウェハー２は例えば３位置レジ
スト（Ｒｅｓｉｓｔ） （フォトラックｃｐｈｏｔｏｌ
ａｃｋ ）層８によりカバーされることができ、例えば
１μｍＡＺフォトラックが基層として、３０ｎｍ蒸着ゲ
ルマニウム層が中間層として、そして薄いフォトレジス
トが最上層としてカバーされることができる。
イオン源１からのイオンによる影投影露光の後、最上レ
ジストａが作りだされ（ｅｎｔｗｉｃｋｅｌｔ） 、Ｅ
Ｎ最上レジスト層は次いで、例えば公知の反応的イオン
エンチング技術（ｒｏｎｅｎＭ ｔｚ ｔｅｃｈｎ ｉ
ｋ）による構造伝送のためのマスキングとして役立つ、
特別の実験では最上層は除去され、５ｋｅＶＨｅイオン
による露光が直接ゲルマニウム層に行われた。露光後ゲ
ルマニウム層の照射された範囲はＣＦ、プラズマで負に
展開される（ｅｎｔｗｉｃｋｅｌｔ） ことができた。
ジストａが作りだされ（ｅｎｔｗｉｃｋｅｌｔ） 、Ｅ
Ｎ最上レジスト層は次いで、例えば公知の反応的イオン
エンチング技術（ｒｏｎｅｎＭ ｔｚ ｔｅｃｈｎ ｉ
ｋ）による構造伝送のためのマスキングとして役立つ、
特別の実験では最上層は除去され、５ｋｅＶＨｅイオン
による露光が直接ゲルマニウム層に行われた。露光後ゲ
ルマニウム層の照射された範囲はＣＦ、プラズマで負に
展開される（ｅｎｔｗｉｃｋｅｌｔ） ことができた。
展開後存在するゲルマニウム材料は次いで０８プラズマ
内でその下にあるフォトラックをマスクする。マスク４
とウェハ２との間の間隔５−５ｍｍにおいて、２０Ｘ２
０ｍ”の面について５００ライン／Ｍのテストマスクの
最小構造を伝送することが可能であった。この解決結果
は二重ブチズマトロンイオン源により処理されることに
フィードバックすべきであり、それに関連する仮想イオ
ン源は非常に小さい（直径５０μｍ以下） （Ｇ、
ｓｔｅｎｇｌ等 Ｊｏｎｒｎａｌ Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、
ｌ↑ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ ４巻Ｐ１９５ １９
８６）、このようなイオン線から１００ｍＡ／ｓｒ、以
上の角度法密度を有する１００μＡ以上の流れが得られ
ることができる。
内でその下にあるフォトラックをマスクする。マスク４
とウェハ２との間の間隔５−５ｍｍにおいて、２０Ｘ２
０ｍ”の面について５００ライン／Ｍのテストマスクの
最小構造を伝送することが可能であった。この解決結果
は二重ブチズマトロンイオン源により処理されることに
フィードバックすべきであり、それに関連する仮想イオ
ン源は非常に小さい（直径５０μｍ以下） （Ｇ、
ｓｔｅｎｇｌ等 Ｊｏｎｒｎａｌ Ｖａｃ、 Ｓｃｉ、
ｌ↑ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ ４巻Ｐ１９５ １９
８６）、このようなイオン線から１００ｍＡ／ｓｒ、以
上の角度法密度を有する１００μＡ以上の流れが得られ
ることができる。
それにより、イオン源とマスクの間の５００ｗ＊の間隔
において、マスク位置に１０ｔＩＡ／ｃ−のオーダーの
大きさのイオン流密度を得ることは可能である。普通の
有機的レジスト層（例えばＡＺ１３５０又はＰＭＭＡの
ようなもの）の露光のためには約ＩＱ＋３イオン／Ｃｌ
１ｉのイオジ腺量が必要である。こき線量はしたがって
約０．１秒の露光時間に伝送されることができる。約１
００ ＫｅＶのイオンエネルギーにより構造は普通には
約１μｍ厚さのレジスト層で伝送されることができる。
において、マスク位置に１０ｔＩＡ／ｃ−のオーダーの
大きさのイオン流密度を得ることは可能である。普通の
有機的レジスト層（例えばＡＺ１３５０又はＰＭＭＡの
ようなもの）の露光のためには約ＩＱ＋３イオン／Ｃｌ
１ｉのイオジ腺量が必要である。こき線量はしたがって
約０．１秒の露光時間に伝送されることができる。約１
００ ＫｅＶのイオンエネルギーにより構造は普通には
約１μｍ厚さのレジスト層で伝送されることができる。
マスク４もくしはその保持具６の直ぐ上側には静電多極
、例えば８極が存在する。「直ぐ」という概念はその際
多極のマスクからの距離の限定を示すものではない、そ
こで例えば多極とマスクとの間のｌ０ＣＩＩの間隔が上
記実施例の方向での「直ぐ」にあてはまる、又多極３と
マスク４との間の線流を限定するための絞り孔が存在す
ることも可能である。
、例えば８極が存在する。「直ぐ」という概念はその際
多極のマスクからの距離の限定を示すものではない、そ
こで例えば多極とマスクとの間のｌ０ＣＩＩの間隔が上
記実施例の方向での「直ぐ」にあてはまる、又多極３と
マスク４との間の線流を限定するための絞り孔が存在す
ることも可能である。
多極３には又軸方向磁気場発生装置が付設されることが
できる。このため光軸に共軸状に配置された１つのコイ
ルを使用することができる。このコイルは多極３に又一
体にされることができる。
できる。このため光軸に共軸状に配置された１つのコイ
ルを使用することができる。このコイルは多極３に又一
体にされることができる。
本発明の装置ではマスク４と基体２の表面との間の大き
な自由空間が自由に使えるので、そこには機械的シャッ
ターが配置されることができる。
な自由空間が自由に使えるので、そこには機械的シャッ
ターが配置されることができる。
したがって基体２は投射されるべきときではないときに
マスク４は又イオンを放射されることができ、したがっ
てマスクの温度は一定に、そこで又マスク開口の位置は
そのまま保持されることができる。マスク４と基体２の
表面との間の空間には又基体の位置の検出のためのもし
くは基体の上にある構成の位置の検知のための電子検出
器が配置されることができる。このことはイオン投射リ
トグラフ装置がイオンステッパーとして光学的ウェハー
ステッパーと一緒に又は又電子又はレントゲンステンパ
ーと共に使用されるときに特に有意義である。
マスク４は又イオンを放射されることができ、したがっ
てマスクの温度は一定に、そこで又マスク開口の位置は
そのまま保持されることができる。マスク４と基体２の
表面との間の空間には又基体の位置の検出のためのもし
くは基体の上にある構成の位置の検知のための電子検出
器が配置されることができる。このことはイオン投射リ
トグラフ装置がイオンステッパーとして光学的ウェハー
ステッパーと一緒に又は又電子又はレントゲンステンパ
ーと共に使用されるときに特に有意義である。
すでに光学的又は他の（例えばレントゲン）ステッパー
で構成を具備するウェハーが上記イオン投射装置で更に
処理されるべきであると、すでに存在する構成とイオン
投射リトグラフィー装置で作り出す構成との間を適当に
位置合わせすることが必要である。本発明により形成さ
れた装置によりこのことをｘ、Ｘ方向並びに回転でそし
て縮尺（２方向はイオン光学軸の方向として定義される
）で達成する。
で構成を具備するウェハーが上記イオン投射装置で更に
処理されるべきであると、すでに存在する構成とイオン
投射リトグラフィー装置で作り出す構成との間を適当に
位置合わせすることが必要である。本発明により形成さ
れた装置によりこのことをｘ、Ｘ方向並びに回転でそし
て縮尺（２方向はイオン光学軸の方向として定義される
）で達成する。
第２図は計画された（ａｎｇｅｌｅｇｔｅｎ ）ポテン
シャルＵ、・・・Ｕ、を有する８極の略図を示す。２極
場を発生するためにはここでは例えばＵｉ ”’Ｕｎ
。
シャルＵ、・・・Ｕ、を有する８極の略図を示す。２極
場を発生するためにはここでは例えばＵｉ ”’Ｕｎ
。
Ｕｓ ＝Ｕｏ ／−’２ 、 Ｕｓ −０，Ｕａ ＝
−Ｕｏ ／−１’２、 ＵＳ ｘ−（Ｊ、、 Ｕｉ
−−ＵＯ／１２ 、 Ｕｆｆ −０゜Ｕｓ ”Ｕｓ
／１２ （Ｕｉ −Ｕａ ｃｏｓ（−φ）、ここでＵ
ゆはイオンエネルギー、Ｘ方向に所望の移動、そしてマ
スク・ウェハー間隔Ｓに応じて選定される。Ｘ方向の付
加的移動のために与えられたポテンシャルＵ、・・・・
・・Ｕ、に成分ＵＩ’ −Ｕｓ ’ ・ｓｉｎφ１が
挿入されなければならない。
−Ｕｏ ／−１’２、 ＵＳ ｘ−（Ｊ、、 Ｕｉ
−−ＵＯ／１２ 、 Ｕｆｆ −０゜Ｕｓ ”Ｕｓ
／１２ （Ｕｉ −Ｕａ ｃｏｓ（−φ）、ここでＵ
ゆはイオンエネルギー、Ｘ方向に所望の移動、そしてマ
スク・ウェハー間隔Ｓに応じて選定される。Ｘ方向の付
加的移動のために与えられたポテンシャルＵ、・・・・
・・Ｕ、に成分ＵＩ’ −Ｕｓ ’ ・ｓｉｎφ１が
挿入されなければならない。
又本発明に係る装置は多極によるマスクの影投影を適当
に修正すること（ｅｎｔｚｅｒｒｅｎ）もしくはゆがめ
ること（ｖｅｒｚｅｒｒｅｎ）を許容する。第２図に示
された８極３には例えばポテンシャル Ｕｒ ＝ｔＪ、 ／ ｓｉｎφ１ を設定すると、Ｘ方向及びＸ方向に色々の結像縮尺を得
る、すなわちＸ方向に線状ゆがみ（もしくは修正）を得
る。非線形ゆがみを修正するためにはしかし、修正のた
めに必要な場分割をできるだけ正確に調節するためには
、基本的に８極以上（例えば６４極）の多極を必要とす
る。そこでたとえば第３図の実施例で正方形マスクの結
像を示す、その際結像点はＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄで示され、正
方形側は湾曲線で示されている。多極３を適当に作動す
ることにより、コーナ一点Ａ、Ｂ、Ｃ，ＤはＡ’、Ｂ’
、Ｃ’、Ｄ’に移動すること、そしてこの方法で正方形
の縁づけを変えもしくは直線の縁づけに近づけることが
成功する。その際いかにコーナ一点の移動が行われるか
は第４図に示す。
に修正すること（ｅｎｔｚｅｒｒｅｎ）もしくはゆがめ
ること（ｖｅｒｚｅｒｒｅｎ）を許容する。第２図に示
された８極３には例えばポテンシャル Ｕｒ ＝ｔＪ、 ／ ｓｉｎφ１ を設定すると、Ｘ方向及びＸ方向に色々の結像縮尺を得
る、すなわちＸ方向に線状ゆがみ（もしくは修正）を得
る。非線形ゆがみを修正するためにはしかし、修正のた
めに必要な場分割をできるだけ正確に調節するためには
、基本的に８極以上（例えば６４極）の多極を必要とす
る。そこでたとえば第３図の実施例で正方形マスクの結
像を示す、その際結像点はＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄで示され、正
方形側は湾曲線で示されている。多極３を適当に作動す
ることにより、コーナ一点Ａ、Ｂ、Ｃ，ＤはＡ’、Ｂ’
、Ｃ’、Ｄ’に移動すること、そしてこの方法で正方形
の縁づけを変えもしくは直線の縁づけに近づけることが
成功する。その際いかにコーナ一点の移動が行われるか
は第４図に示す。
ここでは実線でイオン線１０が示され、該イオン線は多
極３の作動なしにマスク４の開口１１に達する。この線
はウェハー２の上で領域Ｅ−Ｆを占める。多極３の作動
後放射線はマスク４の開口１１での投射角が変わり、領
域Ｅ−Ｆ（第３図）に対し左方にずれた領域Ｅ’−Ｆ’
でウェハー２に投射する。
極３の作動なしにマスク４の開口１１に達する。この線
はウェハー２の上で領域Ｅ−Ｆを占める。多極３の作動
後放射線はマスク４の開口１１での投射角が変わり、領
域Ｅ−Ｆ（第３図）に対し左方にずれた領域Ｅ’−Ｆ’
でウェハー２に投射する。
第１図はイオン線投射装置の略図、第２図は例として作
動される８極の略図、第３図はウェハーが投射れさるマ
スクの像の変化の略図、第４図は第１図に示される装置
によりいかに実施されることができるかを示すイオン像
の位置変化の図である。 １・・・イオン線Ｂ ２・・・基体３・・・多極
４・・・マスク５・・・空間 代理人 弁理士 小 林 和 憲 図面の浄書 第１図 ＦＩＧ３． ３ ＦＩＧ、 ４
動される８極の略図、第３図はウェハーが投射れさるマ
スクの像の変化の略図、第４図は第１図に示される装置
によりいかに実施されることができるかを示すイオン像
の位置変化の図である。 １・・・イオン線Ｂ ２・・・基体３・・・多極
４・・・マスク５・・・空間 代理人 弁理士 小 林 和 憲 図面の浄書 第１図 ＦＩＧ３． ３ ＦＩＧ、 ４
Claims (5)
- （１）イオン源と基体（ウェハー）との間の放射線路に
少なくとも１つの静電的偏向場発生装置とを実体開口を
有するマスク（オープンステンシルマスク）が配置され
ている影投影用イオン投射装置において、静電的偏向場
発生装置が多極（３）であり、該多極が少なくとも８極
を有し、マスク（４）の直ぐ上に配置されること、すな
わち前記多極（３）とマスク（４）との間の領域がイオ
ン線用の別の偏向装置のために自由であることを特徴と
する装置。 - （２）基体（２）はマスク（４）から大なる間隔（ｓ）
で、例えば５ｍｍのオーダーの大きさで配置されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の装置。 - （３）前記多極（３）に軸方向磁場発生装置が付設され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項に記載の装置。 - （４）マスク（４）と基体（２）との間の空間にすなわ
ち近接ギャップに特に機械的シャッターが配置されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項のい
ずれか１つに記載の装置。 - （５）マスク（４）と基体（２）との間の空間にすなわ
ち近接ギャップに前記基体（２）もくしはその上にある
構造の位置を検出するための電子検出器が配置されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第４項のい
ずれか１つに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT3173/86A AT393333B (de) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | Ionenprojektionseinrichtung fuer schattenprojektion |
| AT3173/86 | 1986-11-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276859A true JPS63276859A (ja) | 1988-11-15 |
Family
ID=3546471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62297292A Pending JPS63276859A (ja) | 1986-11-27 | 1987-11-25 | イオン投射装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4835392A (ja) |
| EP (1) | EP0269613B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63276859A (ja) |
| AT (2) | AT393333B (ja) |
| DE (1) | DE3779876D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774838B2 (ja) * | 1991-03-26 | 1995-08-09 | 工業技術院長 | 荷電粒子の捕獲方法及び装置 |
| JPH07112539B2 (ja) * | 1992-04-15 | 1995-12-06 | 工業技術院長 | 微小粒子の作製方法及びその装置 |
| EP0731490A3 (en) * | 1995-03-02 | 1998-03-11 | Ebara Corporation | Ultra-fine microfabrication method using an energy beam |
| EP0732624B1 (en) * | 1995-03-17 | 2001-10-10 | Ebara Corporation | Fabrication method with energy beam |
| US6335534B1 (en) * | 1998-04-17 | 2002-01-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion implantation apparatus, ion generating apparatus and semiconductor manufacturing method with ion implantation processes |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61283121A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビ−ム投影露光装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3845312A (en) * | 1972-07-13 | 1974-10-29 | Texas Instruments Inc | Particle accelerator producing a uniformly expanded particle beam of uniform cross-sectioned density |
| US4158141A (en) * | 1978-06-21 | 1979-06-12 | Hughes Aircraft Company | Process for channeling ion beams |
| AT371947B (de) * | 1979-12-27 | 1983-08-10 | Rudolf Sacher Ges M B H | Freitragende maske, verfahren zur herstellung derselben und verfahren zum maskieren von substraten |
| DE3035200C2 (de) * | 1980-09-18 | 1982-09-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 8000 München | Maske für die Ionenstrahl-Schattenprojektion |
| JPS5769653A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Fujitsu Ltd | Charged particle beam device |
| US4385238A (en) * | 1981-03-03 | 1983-05-24 | Veeco Instruments Incorporated | Reregistration system for a charged particle beam exposure system |
| DE3138896A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektronenoptisches system mit vario-formstrahl zur erzeugung und messung von mikrostrukturen |
| JPS5946744A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-16 | Rikagaku Kenkyusho | 多重極電極構造体 |
| FR2556501B1 (fr) * | 1983-12-09 | 1986-08-01 | Golanski Andrzej | Procede et dispositif de traitement thermique de plaquettes et semiconducteurs |
| US4757208A (en) * | 1986-03-07 | 1988-07-12 | Hughes Aircraft Company | Masked ion beam lithography system and method |
-
1986
- 1986-11-27 AT AT3173/86A patent/AT393333B/de not_active IP Right Cessation
-
1987
- 1987-11-20 US US07/123,128 patent/US4835392A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-25 JP JP62297292A patent/JPS63276859A/ja active Pending
- 1987-11-26 DE DE8787890272T patent/DE3779876D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-26 EP EP87890272A patent/EP0269613B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-26 AT AT87890272T patent/ATE77513T1/de not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61283121A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 荷電ビ−ム投影露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE77513T1 (de) | 1992-07-15 |
| US4835392A (en) | 1989-05-30 |
| DE3779876D1 (de) | 1992-07-23 |
| AT393333B (de) | 1991-09-25 |
| ATA317386A (de) | 1991-02-15 |
| EP0269613B1 (de) | 1992-06-17 |
| EP0269613A2 (de) | 1988-06-01 |
| EP0269613A3 (en) | 1989-01-11 |
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