JPS63120726A - 一液性封止材料 - Google Patents
一液性封止材料Info
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- JPS63120726A JPS63120726A JP26626186A JP26626186A JPS63120726A JP S63120726 A JPS63120726 A JP S63120726A JP 26626186 A JP26626186 A JP 26626186A JP 26626186 A JP26626186 A JP 26626186A JP S63120726 A JPS63120726 A JP S63120726A
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Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、半導体の封止に用いられる一液性封止材料
に関する。
に関する。
多数のピンを有するPGA (ピングリッドアレイ)型
半導体素子の封止には、セラミックによる気密封止が多
く、DIP (デュアルインライン)型においてほとん
どプラスチック化されているのと対照的である。これが
コスト面で、PGA型パッケージの普及を妨げている。
半導体素子の封止には、セラミックによる気密封止が多
く、DIP (デュアルインライン)型においてほとん
どプラスチック化されているのと対照的である。これが
コスト面で、PGA型パッケージの普及を妨げている。
そこで、近年、プリント配線板加工を応用したプラスチ
ックPGAが案出された。このものは、セラミック封止
のものに比べて大幅なコストダウンが期待できるが、一
般にプラスチックはセラミックに比べて気密性に劣り、
湿気の浸入により樹脂の絶縁抵抗の低下が起こるため、
半導体パンケージの特性に劣る。
ックPGAが案出された。このものは、セラミック封止
のものに比べて大幅なコストダウンが期待できるが、一
般にプラスチックはセラミックに比べて気密性に劣り、
湿気の浸入により樹脂の絶縁抵抗の低下が起こるため、
半導体パンケージの特性に劣る。
プラスチックPGAで、基板上に半導体素子を搭載し、
この素子を樹脂ですっぽり覆って封止をした場合、つぎ
のような点での信顛性低下が考えられる。
この素子を樹脂ですっぽり覆って封止をした場合、つぎ
のような点での信顛性低下が考えられる。
■ トランスファー成形法によって樹脂封止を行うDI
Pなどと違い、PGAは無圧で成形するため、樹脂に気
泡が残存し、界面密着力に劣る。
Pなどと違い、PGAは無圧で成形するため、樹脂に気
泡が残存し、界面密着力に劣る。
■ トランスファー封止によって得られる封止形状では
、リードフレーム以外がすべて樹脂で覆われており、界
面面積が小さいのに比べ、プラスチックPGAは界面が
相対的に大きく、湿気の浸入が起こりやすい。
、リードフレーム以外がすべて樹脂で覆われており、界
面面積が小さいのに比べ、プラスチックPGAは界面が
相対的に大きく、湿気の浸入が起こりやすい。
■ 基板(積層板)を通しての吸湿が避けられない。
■ 多ピン素子は、ボンディングバンドが多いため、ワ
イヤが多く、大面積で、熱ストレスに弱い。
イヤが多く、大面積で、熱ストレスに弱い。
発明者らは、先に、このような問題を解決し、耐湿耐熱
信頬性の高いプラスチックPGA型のパッケージを開発
した。このパッケージは、基板表面に半導体素子とリー
ドとが設けられていて、これらが互いにワイヤで接続さ
れているとともに金属製の蓋で覆われている。そして、
半4体とワイヤの周囲を中空のまま残すようにして、基
板と蓋に囲まれた空間が樹脂で封止されている。具体的
には、たとえば、第1図に示されているようなものであ
って、基板1表面に半導体素子2とリード3とが設けら
れており、これらが互いにワイヤ4で接続されており、
かつ、基板1端面および表面が金属製の蓋(LID)5
で覆われ、半導体素子2とワイヤ4の周囲を中空のまま
残して基板1と蓋5に囲まれた空間が樹脂7で封止され
ている。
信頬性の高いプラスチックPGA型のパッケージを開発
した。このパッケージは、基板表面に半導体素子とリー
ドとが設けられていて、これらが互いにワイヤで接続さ
れているとともに金属製の蓋で覆われている。そして、
半4体とワイヤの周囲を中空のまま残すようにして、基
板と蓋に囲まれた空間が樹脂で封止されている。具体的
には、たとえば、第1図に示されているようなものであ
って、基板1表面に半導体素子2とリード3とが設けら
れており、これらが互いにワイヤ4で接続されており、
かつ、基板1端面および表面が金属製の蓋(LID)5
で覆われ、半導体素子2とワイヤ4の周囲を中空のまま
残して基板1と蓋5に囲まれた空間が樹脂7で封止され
ている。
基板1の裏面には金属箔8が設けられている。
この半導体パッケージは、界面の浸入距離が長いため、
水分が浸入しにくい。さらに金属製蓋を用いているので
封止樹脂バルクを通る水分の浸入をほとんどなくするこ
とができる。そのうえ、基板表面の半導体素子とワイヤ
の周囲を中空のまま残して、それ以外の、基板と蓋に囲
まれた空間が樹脂で封止されているので、素子を樹脂で
直接封じこんだ場合のように、樹脂とチップ(半導体素
子)やワイヤとの膨張係数の差を原因とするクランクや
はがれが発生したり、温度変化を原因とするワイヤ切れ
、チップ割れ、パッシベーション割れを引き起こしたり
しない。
水分が浸入しにくい。さらに金属製蓋を用いているので
封止樹脂バルクを通る水分の浸入をほとんどなくするこ
とができる。そのうえ、基板表面の半導体素子とワイヤ
の周囲を中空のまま残して、それ以外の、基板と蓋に囲
まれた空間が樹脂で封止されているので、素子を樹脂で
直接封じこんだ場合のように、樹脂とチップ(半導体素
子)やワイヤとの膨張係数の差を原因とするクランクや
はがれが発生したり、温度変化を原因とするワイヤ切れ
、チップ割れ、パッシベーション割れを引き起こしたり
しない。
前記のような半導体パッケージに用いられる樹脂封止材
料としては、以下の条件を満たすものが好ましい。
料としては、以下の条件を満たすものが好ましい。
fa) 密着性が高く、界面吸湿を防ぐことができ、
PCT信頼性に優れていること。
PCT信頼性に優れていること。
(bl 金属製蓋端面の垂れやチップ、ワイヤ一部へ
の流れ込みのない高粘度、高チクソ性を有すること。
の流れ込みのない高粘度、高チクソ性を有すること。
(C) 線膨張係数が金属製蓋を構成する金属に近い
こと。
こと。
しかしながら、従来、一般に用いられている封止材料は
、いずれも、前記のような条件を充分に満たすことがで
きなかった。
、いずれも、前記のような条件を充分に満たすことがで
きなかった。
〔発明の目的〕
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであ
って、前記(a)〜(C)の条件を充分に満たし□ 、
前記新しく開発された半導体パッケージに用いるのに非
常に適したー液性封止材料を提供することを目的として
いる。
って、前記(a)〜(C)の条件を充分に満たし□ 、
前記新しく開発された半導体パッケージに用いるのに非
常に適したー液性封止材料を提供することを目的として
いる。
前記のような目的を達成するため、この発明は、液状の
エポキシ樹脂、有機ジヒドラジド化合物、末端にカルボ
キシル基を有するアクリロニトリル−ブタジエンゴム、
イミダゾール系硬化促進剤および無機充填材を含む一液
性封止材料をその要旨としている。
エポキシ樹脂、有機ジヒドラジド化合物、末端にカルボ
キシル基を有するアクリロニトリル−ブタジエンゴム、
イミダゾール系硬化促進剤および無機充填材を含む一液
性封止材料をその要旨としている。
以下に、この発明の詳細な説明する。
この発明において用いられるエポキシ樹脂としては、た
とえば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキ
シ樹脂、PEG (ポリエチレングリコール)ジグリシ
ジルエーテル、PPG(ポリプロピレングリコール)ジ
グリシジルエーテル。
とえば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキ
シ樹脂、PEG (ポリエチレングリコール)ジグリシ
ジルエーテル、PPG(ポリプロピレングリコール)ジ
グリシジルエーテル。
ノボラックタイプのエポキシ樹脂等の液状のエポキシ樹
脂のうちの少なくとも1種が挙げられる。
脂のうちの少なくとも1種が挙げられる。
液状でないエポキシ樹脂であっても、液状のエポキシ樹
脂と混合して全体として液状となるものであれば、液状
エポキシ樹脂と併用して用いることができる。
脂と混合して全体として液状となるものであれば、液状
エポキシ樹脂と併用して用いることができる。
有機ジヒドラジド化合物としては、NH,NHRNHN
Hz (Rは有機基)の構造を持つものならば特に限
定されないが、たとえば、下記の式A、Bであらわされ
る化合物が好ましく用いられる。2種以上が併用される
ようであってもよいHJHN−CO−R−CO−NHN
Hz ・” (A )(RはC0゜以下のアル
キル基またはフェニレン基)(R+、RzはHまたはC
4以下のアルキル基もしくはフェニル基) 有機ジヒドラジド化合物は硬化剤として用いられるもの
であって、これを使用すると、−液性で密着性が高く、
かつ、チクソ性の高い封止材料が得られる。有機ジヒド
ラジド化合物は、若干、吸湿率が高いという欠点を有す
るが、前記新しく開発された半導体パッケージでは、樹
脂バルクからの水分浸入は非常にわずかであるので、問
題とならない。有機ジヒドラジド化合物は、エポキシ基
1モルに対してヒドラジン基0.15モル以上0.5モ
ル以下の割合となるように含まれるのが好ましい。0.
15モル以下であると密着性が悪くなる傾向にあり、0
.5モルを越えると化学量論的に釣り合う量を越えるこ
ととなるので、種々の悪影響が発生する傾向にあるから
である。
Hz (Rは有機基)の構造を持つものならば特に限
定されないが、たとえば、下記の式A、Bであらわされ
る化合物が好ましく用いられる。2種以上が併用される
ようであってもよいHJHN−CO−R−CO−NHN
Hz ・” (A )(RはC0゜以下のアル
キル基またはフェニレン基)(R+、RzはHまたはC
4以下のアルキル基もしくはフェニル基) 有機ジヒドラジド化合物は硬化剤として用いられるもの
であって、これを使用すると、−液性で密着性が高く、
かつ、チクソ性の高い封止材料が得られる。有機ジヒド
ラジド化合物は、若干、吸湿率が高いという欠点を有す
るが、前記新しく開発された半導体パッケージでは、樹
脂バルクからの水分浸入は非常にわずかであるので、問
題とならない。有機ジヒドラジド化合物は、エポキシ基
1モルに対してヒドラジン基0.15モル以上0.5モ
ル以下の割合となるように含まれるのが好ましい。0.
15モル以下であると密着性が悪くなる傾向にあり、0
.5モルを越えると化学量論的に釣り合う量を越えるこ
ととなるので、種々の悪影響が発生する傾向にあるから
である。
末端にカルボキシル基を有するアクリルニトリル−ブタ
ジェンゴムは、PCT信顧性を向上させるとともに、高
粘度化の効果を有する。アクリロニトリル−ブタジエン
ゴムは、5111R以上30PIIR以下用いられるの
が好ましい。5 PHRよりも少ないと、添加による効
果が少なくなる傾向にあり、30PHRを越えると、粘
度が高すぎる傾向にあるとともに硬化物が脆(なる傾向
にあるからである。
ジェンゴムは、PCT信顧性を向上させるとともに、高
粘度化の効果を有する。アクリロニトリル−ブタジエン
ゴムは、5111R以上30PIIR以下用いられるの
が好ましい。5 PHRよりも少ないと、添加による効
果が少なくなる傾向にあり、30PHRを越えると、粘
度が高すぎる傾向にあるとともに硬化物が脆(なる傾向
にあるからである。
イミダゾール系硬化促進剤としては、たとえば、下記の
弐C−Fであらわされる化合物が用いられる。2種以上
が併用されるようであってもよい(以下、r2MA−O
KJと記す) ・・・(C)(RはCH31またはフェ
ニル基) (以下、r2E4MZ−AJと記す) (RはC113またはCHzOll )イミダゾール系
硬化促進剤は、−液性を維持したまま、硬化速度を上げ
るためには、必須のものである。イミダゾール系硬化促
進剤は0.6 PHR以上3PIIR以下含まれるのが
好ましい。
弐C−Fであらわされる化合物が用いられる。2種以上
が併用されるようであってもよい(以下、r2MA−O
KJと記す) ・・・(C)(RはCH31またはフェ
ニル基) (以下、r2E4MZ−AJと記す) (RはC113またはCHzOll )イミダゾール系
硬化促進剤は、−液性を維持したまま、硬化速度を上げ
るためには、必須のものである。イミダゾール系硬化促
進剤は0.6 PHR以上3PIIR以下含まれるのが
好ましい。
無機充填材としては、たとえば、結晶シリカ。
溶融シリカ等が用いられる。無機充填材は、線膨張係数
を低減させる効果を有する。無機充填材は全組成物中の
50%以上70%以下含まれるのが好ましい。70%を
越えると、粘度およびチクソ性が高くなりすぎる傾向に
ある。
を低減させる効果を有する。無機充填材は全組成物中の
50%以上70%以下含まれるのが好ましい。70%を
越えると、粘度およびチクソ性が高くなりすぎる傾向に
ある。
この発明にかかるかかる一液性封止材料は、前記のよう
な原材料を含むので、密着性が高<、PCT信転性に優
れ、高粘度で高チクソ性を有していて、前記(a)〜(
C1の条件を充分に満たし、前記新しく開発された半導
体パッケージに用いるのに非常に適している。
な原材料を含むので、密着性が高<、PCT信転性に優
れ、高粘度で高チクソ性を有していて、前記(a)〜(
C1の条件を充分に満たし、前記新しく開発された半導
体パッケージに用いるのに非常に適している。
この発明では、前記必須成分のほか、必要に応じて、希
釈剤、顔料、カップリング剤、レベリング剤等の添加物
が用いられるようであってもよいつぎに、実施例および
比較例について説明する(実施例1) つぎの原材料を真空下らいかい機で混合2分散した。
釈剤、顔料、カップリング剤、レベリング剤等の添加物
が用いられるようであってもよいつぎに、実施例および
比較例について説明する(実施例1) つぎの原材料を真空下らいかい機で混合2分散した。
ビスフェノール型エポキシ樹脂 100重量部(東部化
成■製のYD128 、エポキシ当ff1l 85) 2.4−ジヒドラジン−6一メチ ルアミノーsym−トリアジン 9重量部(日本ヒド
ラジン工業■製、以 下r2.4HTJと記す) 末端にカルボキシル基を有する アクリロニトリル−ブタジェ ンゴム 25重量部(宇部興産
a増製のハイ力CTB N1300*8.平均分子量 イミダゾール系硬化促進剤 1.5重量部(四国
化成工業−の2MA−OK) 得られた混合物に、つぎの原材料を加えて、真空下、ニ
ーダで混練して、−液性封止材料(−液性組成物)を得
た。
成■製のYD128 、エポキシ当ff1l 85) 2.4−ジヒドラジン−6一メチ ルアミノーsym−トリアジン 9重量部(日本ヒド
ラジン工業■製、以 下r2.4HTJと記す) 末端にカルボキシル基を有する アクリロニトリル−ブタジェ ンゴム 25重量部(宇部興産
a増製のハイ力CTB N1300*8.平均分子量 イミダゾール系硬化促進剤 1.5重量部(四国
化成工業−の2MA−OK) 得られた混合物に、つぎの原材料を加えて、真空下、ニ
ーダで混練して、−液性封止材料(−液性組成物)を得
た。
充填材として溶融シリカ 160重量部(電気化
学工業01のFS−74) 顔料としてカーボンブラック 1重量部(三菱化
成工業側製のMA−100) (実施例2) 硬化剤として、2,4HTに代えてアジピン酸ジヒドラ
ジドを10重量部用いるようにした以外は、実施例1と
同様の方法で一液性封止材料を得た。
学工業01のFS−74) 顔料としてカーボンブラック 1重量部(三菱化
成工業側製のMA−100) (実施例2) 硬化剤として、2,4HTに代えてアジピン酸ジヒドラ
ジドを10重量部用いるようにした以外は、実施例1と
同様の方法で一液性封止材料を得た。
(実施例3)
硬化剤として、2,4HTに代えてイソフタール酸ジヒ
ドラジドを12重量部用いるようにした以外は、実施例
1と同様の方法で−液性封止材料を得た。
ドラジドを12重量部用いるようにした以外は、実施例
1と同様の方法で−液性封止材料を得た。
(実施例4)
2.4HTを18重量部、2MA−OKを0.5重量部
用いるようにした以外は、実施例1と同様の方法で一液
性封止材料を得た。
用いるようにした以外は、実施例1と同様の方法で一液
性封止材料を得た。
(実施例5)
2MA−OKに代えて、2E4MZ−Aを用いようにし
た以外は実施例4と同様の方法で一液性封止材料を得た
。
た以外は実施例4と同様の方法で一液性封止材料を得た
。
(実施例6)
ハイ力CTBN1300*8を10重量部用いようにし
た以外は実施例4と同様の方法で一液性封止材料を得た
。
た以外は実施例4と同様の方法で一液性封止材料を得た
。
(比較例1)
つぎの原材料を用いるようにし、硬化剤として酸無水物
系硬化剤を用いるようにした。
系硬化剤を用いるようにした。
主剤成分
ビスフェノール型エポキシ樹脂 100重量部(東部化
成■製のYD128) 末端にカルボキシル基を有する アクリロニトリル−ブタジェ ンゴム 25重量部(宇部興
産■製のハイ力CTB N1300*8) 充填材として溶融シリカ 120重量部(電気化
学工業−〇FS−74) 顔料としてカーボンブラック 1重量部(三菱化
成工業■製のMA−100) 硬化剤成分 メチルへキサヒドロ無水フタ ール酸 90重量部硬化促進剤
としてイミダゾール 2重量部化合物(224MZ
−A) 充填材として溶融シリカ 120重量部(電気化
学工業0聯のFS−74) 前記両成分とも、それぞれ、真空下、ニーダで混練し、
こののち、両成分を混合、脱泡して封止材料(エポキシ
樹脂組成物)を得た。
成■製のYD128) 末端にカルボキシル基を有する アクリロニトリル−ブタジェ ンゴム 25重量部(宇部興
産■製のハイ力CTB N1300*8) 充填材として溶融シリカ 120重量部(電気化
学工業−〇FS−74) 顔料としてカーボンブラック 1重量部(三菱化
成工業■製のMA−100) 硬化剤成分 メチルへキサヒドロ無水フタ ール酸 90重量部硬化促進剤
としてイミダゾール 2重量部化合物(224MZ
−A) 充填材として溶融シリカ 120重量部(電気化
学工業0聯のFS−74) 前記両成分とも、それぞれ、真空下、ニーダで混練し、
こののち、両成分を混合、脱泡して封止材料(エポキシ
樹脂組成物)を得た。
(比較例2)
ハイ力CTBN1300*8を用いない以外は、実施例
4と同様にして封止材料(エポキシ樹脂組成物)を得た
。
4と同様にして封止材料(エポキシ樹脂組成物)を得た
。
実施例1〜5および比較例1. 2の封止材料を用いて
、第1図に示されているようにして半導体を封止し、半
導体パッケージを得た。ただし、封止材料の硬化条件は
、120℃で2時間および160℃で3時間とした。
、第1図に示されているようにして半導体を封止し、半
導体パッケージを得た。ただし、封止材料の硬化条件は
、120℃で2時間および160℃で3時間とした。
各半導体パッケージにつき、金属製蓋(L I D)端
面のタレ、中空のチップ、ワイヤ一部への流れ込み、お
よび、PCT信顧信金性べた。結果を第1表に示す。た
だし、タレについては、半導体パッケージを10個(n
=10)つくることとして、硬化時に金属製蓋の外部ま
たはPGAリード部まで封止材料が流れだしたものの数
を示した。
面のタレ、中空のチップ、ワイヤ一部への流れ込み、お
よび、PCT信顧信金性べた。結果を第1表に示す。た
だし、タレについては、半導体パッケージを10個(n
=10)つくることとして、硬化時に金属製蓋の外部ま
たはPGAリード部まで封止材料が流れだしたものの数
を示した。
また、流れ込みは、前記10個の半導体パフケージにつ
き、それぞれを切断し、ワイヤーボンディング部よりも
中に封止材料(樹脂)が流れ込んでいたものの数を示し
た。PCT信顛信号性いては、10個の半導体パッケー
ジの累積不良率を示した。
き、それぞれを切断し、ワイヤーボンディング部よりも
中に封止材料(樹脂)が流れ込んでいたものの数を示し
た。PCT信顛信号性いては、10個の半導体パッケー
ジの累積不良率を示した。
第1表
第1表より、実施例1〜5は、タレおよび流れ込みが生
じに<(、そのうえ、PCT信頼性も優れていることが
わかる。第1表にはあげなかったが、実施例6も、実施
例1〜5と同様タレおよび流れ込みが生じにくく、PC
T信頼性も優れていた。これに対し、酸無水物系硬化剤
を用いた比較例1では、粘度が低すぎ、チクソ性不足で
、タレおよび流れ込みが起こりやすく、そのうえ、密着
性が劣るためにPCT信頼性が若干劣っていた。
じに<(、そのうえ、PCT信頼性も優れていることが
わかる。第1表にはあげなかったが、実施例6も、実施
例1〜5と同様タレおよび流れ込みが生じにくく、PC
T信頼性も優れていた。これに対し、酸無水物系硬化剤
を用いた比較例1では、粘度が低すぎ、チクソ性不足で
、タレおよび流れ込みが起こりやすく、そのうえ、密着
性が劣るためにPCT信頼性が若干劣っていた。
末端にカルボキシル基を有するアクリロニトリル−ブタ
ジエンゴムを用いなかった比較例2は、PCT信頼性が
劣っていた。
ジエンゴムを用いなかった比較例2は、PCT信頼性が
劣っていた。
この発明にがかる一液性封止材料は、液状のエポキシ樹
脂、有機ジヒドラジド化合物、末端にカルボキシル基を
有するアクリロニトリル−ブタジエンゴム、イミダゾー
ル系硬化促進剤および無機充填材を含むので、前記(a
)〜(C)の条件を充分に満たし、前記新しく開発され
た半導体パッケージに用いるのに非常に適している。
脂、有機ジヒドラジド化合物、末端にカルボキシル基を
有するアクリロニトリル−ブタジエンゴム、イミダゾー
ル系硬化促進剤および無機充填材を含むので、前記(a
)〜(C)の条件を充分に満たし、前記新しく開発され
た半導体パッケージに用いるのに非常に適している。
第1図は半導体パッケージの縦断面図である。
Claims (4)
- (1)液状のエポキシ樹脂、有機ジヒドラジド化合物、
末端にカルボキシル基を有するアクリロニトリル−ブタ
ジエンゴム、イミダゾール系硬化促進剤および無機充填
材を含む一液性封止材料。 - (2)有機ジヒドラジド化合物が、エポキシ基1モルに
対してヒドラジン基0.15モル以上0.5モル以下の
割合となるように含まれ、末端にカルボキシル基を有す
るアクリロニトリル−ブタジエンゴムが5PHR以上3
0PHR以下、イミダゾール系硬化促進剤が0.6PH
R以上3PHR以下含まれ、無機充填材が全組成物中の
50%以上70%以下含まれている特許請求の範囲第1
項記載の一液性封止材料。 - (3)有機ジヒドラジド化合物が、下記の式A、Bであ
らわされる化合物のうちの少なくとも1種である特許請
求の範囲第1項または第2項記載の一液性封止材料。 H_2NHN−CO−R−CO−NHNH_2・・・(
A) (RはC_1_0以下のアルキル基またはフェニレン基
) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(B) (R_1、R_2はHまたはC_4以下のアルキル基も
しくはフェニル基) - (4)イミダゾール系硬化促進剤が、下記の式C〜Fで
あらわされる化合物のうちの少なくとも1種である特許
請求の範囲第1項から第3項までのいずれかに記載の一
液性封止材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(C) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(D) (RはCH_3またはフェニル基) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(E) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(F) (RはCH_3またはCH_2OH)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26626186A JPS63120726A (ja) | 1986-11-08 | 1986-11-08 | 一液性封止材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26626186A JPS63120726A (ja) | 1986-11-08 | 1986-11-08 | 一液性封止材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63120726A true JPS63120726A (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=17428519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26626186A Pending JPS63120726A (ja) | 1986-11-08 | 1986-11-08 | 一液性封止材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63120726A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7781542B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-08-24 | Hexcel Composites, Ltd. | Cure accelerators |
WO2014003044A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 太陽ホールディングス株式会社 | 熱硬化型樹脂組成物および熱硬化型樹脂フィルム |
-
1986
- 1986-11-08 JP JP26626186A patent/JPS63120726A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7781542B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-08-24 | Hexcel Composites, Ltd. | Cure accelerators |
WO2014003044A1 (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-03 | 太陽ホールディングス株式会社 | 熱硬化型樹脂組成物および熱硬化型樹脂フィルム |
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