JPS63119238A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPS63119238A JPS63119238A JP26455886A JP26455886A JPS63119238A JP S63119238 A JPS63119238 A JP S63119238A JP 26455886 A JP26455886 A JP 26455886A JP 26455886 A JP26455886 A JP 26455886A JP S63119238 A JPS63119238 A JP S63119238A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は５ｎ０２を含む層のエツチング方法に係わり、
とくに透明電極のパターン形成方法に関する。
とくに透明電極のパターン形成方法に関する。
従来の技術
太陽電池、液晶表示装置、撮像装置等の光を利用したり
、画像に関する装置においては、透明電極を用い、さら
にそれをパターニングして用いること示多い。透明電極
としてはＳ ｎｏ２が商品化されてよく使用されていた
が、抵抗およびパターニングの容易さから工ｎ２ｏ３を
主成分とする材料が最２ベーノ 近ではよく用いられている。しかしほとんどの酸に対し
てほとんどエツチングされないというこのＳ ｎ ０２
の安定な性質は逆に液晶表示装置用のＴＰＴアレーのよ
うな他の層のエツチング工程や洗浄工程に対しては有利
な性質である。Ｓ ｎ ０２の溶液によるエツチング方
法としては亜鉛末と塩酸によるものが知られているがそ
の歩留まシは必ずしも良くない。Ｓ ｎ ０２上にＡ１
等の金属を堆積してそれぞれの層を溶液によシエッチン
グする場合、２つの層が接触している部分としていない
部分とではエツチング速度が異なり、パターン不良が生
じるという問題点があった。このような問題をさけるに
はドライエツチングを用いれば良いが反応ガスとしてＣ
Ｃｌ４等のガスを用いるため反応室を耐腐食構造にした
シ、排ガスの処理が必要となシメンテナンス上不利であ
った。
、画像に関する装置においては、透明電極を用い、さら
にそれをパターニングして用いること示多い。透明電極
としてはＳ ｎｏ２が商品化されてよく使用されていた
が、抵抗およびパターニングの容易さから工ｎ２ｏ３を
主成分とする材料が最２ベーノ 近ではよく用いられている。しかしほとんどの酸に対し
てほとんどエツチングされないというこのＳ ｎ ０２
の安定な性質は逆に液晶表示装置用のＴＰＴアレーのよ
うな他の層のエツチング工程や洗浄工程に対しては有利
な性質である。Ｓ ｎ ０２の溶液によるエツチング方
法としては亜鉛末と塩酸によるものが知られているがそ
の歩留まシは必ずしも良くない。Ｓ ｎ ０２上にＡ１
等の金属を堆積してそれぞれの層を溶液によシエッチン
グする場合、２つの層が接触している部分としていない
部分とではエツチング速度が異なり、パターン不良が生
じるという問題点があった。このような問題をさけるに
はドライエツチングを用いれば良いが反応ガスとしてＣ
Ｃｌ４等のガスを用いるため反応室を耐腐食構造にした
シ、排ガスの処理が必要となシメンテナンス上不利であ
った。
発明が解決しようとする問題点
上述したように従来の技術のウェットエツチングにおい
ては歩留まシが良くない、金属の層を積層した多層膜に
おいて局部的にエツチングが進み３ベーノ 均一にエツチングが進まないという問題がある。
ては歩留まシが良くない、金属の層を積層した多層膜に
おいて局部的にエツチングが進み３ベーノ 均一にエツチングが進まないという問題がある。
またＣＣｌ４系のドライエツチングは装置のメンテナン
スの問題があった。
スの問題があった。
問題点を解決するための手段
本発明はＳ ｎ ０２を含む層をエツチングする方法で
あって、少なくともアルコールを反応室内に導入するド
ライエツチング方法である。さらに、アルコールと同時
にＮ２．Ａｒ、Ｈｅ、Ｒ２の少なくとも１つのガスを導
入してもよい。
あって、少なくともアルコールを反応室内に導入するド
ライエツチング方法である。さらに、アルコールと同時
にＮ２．Ａｒ、Ｈｅ、Ｒ２の少なくとも１つのガスを導
入してもよい。
作 用
Ｓ ｎ ０２は解離して、Ｓｎとアルコールのプラズマ
分解した成分と反応して有機金属系の蒸気圧の高い物質
に変化したものと推定される。Ｎ２ 、 Ａ ｒ 。
分解した成分と反応して有機金属系の蒸気圧の高い物質
に変化したものと推定される。Ｎ２ 、 Ａ ｒ 。
Ｈｅ ＋ Ｒ２はこの反応を促進する働きをもつと思わ
れる。したがって、本発明によれば均一なエツチングが
可能となる。
れる。したがって、本発明によれば均一なエツチングが
可能となる。
実施例
実施例１
第２図に示す反応性蒸着によって形成した５００ＡのＳ
ｎＯ２２２を有するコーニング７０５９ガラス２１を第
１図に示す真空容器１の反応室内に設置し、１Ｏ−３Ｐ
ａ以下に排気したのち導入口２よジメチルアルコール１
００ＣＯ，Ａｒ ６ＣＣ：を導入し真空パルプを絞り圧
力をＩ Ｐａに保ち、ＲＦ定電源１３．５６Ｍｚ）４よ
り放電電力４０ｏＷを与える。
ｎＯ２２２を有するコーニング７０５９ガラス２１を第
１図に示す真空容器１の反応室内に設置し、１Ｏ−３Ｐ
ａ以下に排気したのち導入口２よジメチルアルコール１
００ＣＯ，Ａｒ ６ＣＣ：を導入し真空パルプを絞り圧
力をＩ Ｐａに保ち、ＲＦ定電源１３．５６Ｍｚ）４よ
り放電電力４０ｏＷを与える。
約２分間反応性イオンエツチングを施したのち基板３を
反応室よシ取り出す。シート抵抗を測定するとガラスの
抵抗と同じ値を示した。
反応室よシ取り出す。シート抵抗を測定するとガラスの
抵抗と同じ値を示した。
実施例２
第３図（ａ）のようにＡｌ２Ｏ３２４，ＳｎＯ２２２゜
ＡＩ ２５を順次積層したガラス基板２３にフォトレ
ジスト（ＮＮＲ７４７）２６をコートしパターンを露光
により形成し、まず第３図（ｂ）のようにＡＩをＲ２Ｐ
Ｏ４とＨＮＯ３の混合液によりエツチングし、続いて実
施例１と同様の条件でＳ ｎ Ｏ２を反応性イオンエツ
チングで除去するとＳ ｎ ０２ ／Ａ １の２重層の
パターンが形成できた（第３図（Ｃ））。
ＡＩ ２５を順次積層したガラス基板２３にフォトレ
ジスト（ＮＮＲ７４７）２６をコートしパターンを露光
により形成し、まず第３図（ｂ）のようにＡＩをＲ２Ｐ
Ｏ４とＨＮＯ３の混合液によりエツチングし、続いて実
施例１と同様の条件でＳ ｎ Ｏ２を反応性イオンエツ
チングで除去するとＳ ｎ ０２ ／Ａ １の２重層の
パターンが形成できた（第３図（Ｃ））。
実施例３
第４図（ａ）に示すＡ Ｉ２０３２４． Ｓ ｎ Ｏ
２２２。
２２２。
ＴｉＮ ２７．ＡＩ ２５ を順次積層したガラス基
板５ベーノ ２３にフォトレジス）（ＮＮＲ）２６をコートしパター
ンを露光によシ形成する。まず第４図（ｂ）のようにＡ
Ｉ ２６をＨ２ＰＯ４とＨＮＯ３の混合液によりエツ
チングする。つぎに第４図（Ｃ）に示すようにレジスト
２６除去をしてＡＩをマスクとしてＨＦとＨＮ○３混液
によりＴｉＮ２７をエツチングしたのち実施例１と同様
の条件でＳ ｎ ０２を反応性イオンエツチングしたと
ころ第４図（ｄ）に示すように５ｎ０２２２．ＴｉＮ
２７．ＡＩ ２５の３重層のパターンが形成できた。
板５ベーノ ２３にフォトレジス）（ＮＮＲ）２６をコートしパター
ンを露光によシ形成する。まず第４図（ｂ）のようにＡ
Ｉ ２６をＨ２ＰＯ４とＨＮＯ３の混合液によりエツ
チングする。つぎに第４図（Ｃ）に示すようにレジスト
２６除去をしてＡＩをマスクとしてＨＦとＨＮ○３混液
によりＴｉＮ２７をエツチングしたのち実施例１と同様
の条件でＳ ｎ ０２を反応性イオンエツチングしたと
ころ第４図（ｄ）に示すように５ｎ０２２２．ＴｉＮ
２７．ＡＩ ２５の３重層のパターンが形成できた。
上述した実施例ではＳ ｎ ０２のエツチングのガスと
してメチルアルコールとＡｒを用いた例を示したがメチ
ルアルコールの代わシにエチルアルコール、イングロビ
ルアルコールを用いても同様の結果が得られた。また、
Ａｒの代わりにＨｅ 、 Ｎ２ 。
してメチルアルコールとＡｒを用いた例を示したがメチ
ルアルコールの代わシにエチルアルコール、イングロビ
ルアルコールを用いても同様の結果が得られた。また、
Ａｒの代わりにＨｅ 、 Ｎ２ 。
Ｒ２を用いるとエツチング速度が変化するがエツチング
が行われる。
が行われる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によるエツチング方法を用い
れば、単層膜でも他の膜との多層膜で６、、。
れば、単層膜でも他の膜との多層膜で６、、。
もＳ ｎ ０２のバターニングが均一に形成できる。
ＣＣｌ４のようなガスを用いなくてもよいので装置のメ
ンテナンスが容易であり、その実用的効果は大きい。
ンテナンスが容易であり、その実用的効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
断面図、第３図は本発明の第２の実施例の製造方法を示
した工程断面図、第４図は本発明の第３の実施例の製造
方法を示した工程断面図である。 １・・・・・・真空容器、２・・・・・・ガス導入口、
３・・・・・・基板、４・・・・・・ＲＦ定電源２１・
・・・・・ガラス基板、２２・・・・・・Ｓ ｎ ０２
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図 ２７−五Ｎ 第２ 図２１−８欠Ｏｚ ２乙
した工程断面図、第４図は本発明の第３の実施例の製造
方法を示した工程断面図である。 １・・・・・・真空容器、２・・・・・・ガス導入口、
３・・・・・・基板、４・・・・・・ＲＦ定電源２１・
・・・・・ガラス基板、２２・・・・・・Ｓ ｎ ０２
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図 ２７−五Ｎ 第２ 図２１−８欠Ｏｚ ２乙
Claims (1)
- すくなくともＳｎＯ＿２を含む層をドライエッチング法
によりエッチングする方法に於て、反応室内に導入する
ガスに少なくともアルコールが含まれることを特徴とす
るエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26455886A JPS63119238A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26455886A JPS63119238A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119238A true JPS63119238A (ja) | 1988-05-23 |
Family
ID=17404946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26455886A Pending JPS63119238A (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63119238A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119246A (en) * | 1976-03-30 | 1977-10-06 | Seiko Epson Corp | Production of electrode substrate for display elements |
| JPS5647572A (en) * | 1979-09-27 | 1981-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | Etching method of indium oxide film |
| JPS60234325A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Stanley Electric Co Ltd | ドライエツチング方法 |
-
1986
- 1986-11-06 JP JP26455886A patent/JPS63119238A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119246A (en) * | 1976-03-30 | 1977-10-06 | Seiko Epson Corp | Production of electrode substrate for display elements |
| JPS5647572A (en) * | 1979-09-27 | 1981-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | Etching method of indium oxide film |
| JPS60234325A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Stanley Electric Co Ltd | ドライエツチング方法 |
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