JPS63117355A - 光磁気メモリ用媒体 - Google Patents

光磁気メモリ用媒体

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JPS63117355A JP61262629A JP26262986A JPS63117355A JP S63117355 A JPS63117355 A JP S63117355A JP 61262629 A JP61262629 A JP 61262629A JP 26262986 A JP26262986 A JP 26262986A JP S63117355 A JPS63117355 A JP S63117355A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、情報の記録・再生特性が最適化された交換結
合三層膜をもつ光磁気メモリ用媒体に関する。
(従来の技術〕 希を類−鉄族非晶質合金薄膜は、光磁気メモリ用媒体と
しては優れた特性を示すが、酸化されやすく、その耐食
性に疑問があった。
特に、その中でもGd−FeやTb−Feのように鉄族
元素がFeであるものは酸化されやすく、Feの一部を
GOで置換していくと、COの量が増えるにしたがって
酸化されにくくなることがわかっている。
しかし、 Feの一部をCOで置換していくと媒体のキ
ュリー温度が上昇し、記録感度が低下してしまう欠点が
あった。
記録・再生特性の向上を図る媒体として、室温において
高い保磁力と低いキュリー温度を有する記録層と、低い
保磁力と高いキュリー温度を有する読み出し層とからな
る交換結合をした二層構造の光磁気メモリ用媒体が知ら
れているが、その代表例として希土類−鉄族非晶質合金
薄膜を用いたTb−Fa  (記録層) /Gd−Fe
−Go (読み出し層)からなる媒体が提案されている
(特開昭61−117747号)。
この二層構造の光磁気メモリ用媒体においては、読み出
し層のキュリー温度は記録感度に関係しないのでCOを
多量に添加することができ、耐食性がかなり改善される
が、記録層に用いるTb−peにGoを多量に添加する
と、上述したようにキュリー温度が上昇し記録感度が低
下してしまう欠点があった。
〔発明の目的〕
この問題点を解決する手段として、耐食性の悪い記録層
を耐食性の比較的良い読み出し層ではさんだ、交換結合
をした三層構造の光磁気メモリ用媒体を、本出願人は、
昭和61年7月9日付の特願昭61−159716等に
おいて提案した。
本発明者らは、上記交換結合をした三層構造の光磁気メ
モリ用媒体について、更に種々の検討を重ねた結果、そ
の記録感度・再生特性に大きな組成依存性があることが
わかった。本発明は、この知見に基づき完成されたもの
であり、その目的は記録・再生特性が最適化された三層
構造の光磁気メモリ用媒体を提供することにある。
(問題点を解決するための手段及び作用)上記の目的は
、室温において高い保磁力と低いキュリー温度を有する
記録層を、低い保磁力と高いキュリー温度を仔する読み
出し層ではさんだ、交換結合をした三層構造の磁性層を
もつ光磁気メモリ用媒体において、首記記録層と@記両
読み出し層として、鉄族副格子磁化優勢な希土類−鉄族
非晶質合金薄膜を使用し、かつ、三層の正味磁化の方向
を平行にすることにより達成できる。
以下本発明の詳細な説明する。
希二F類−鉄族非晶質合金薄膜はフェリ磁性体であり、
その正味磁化(実際に測定できる磁化)は希土類副格子
磁化と鉄族副格子磁化の差となる。
これを図4を用いて説明する。希土類副格子磁化13と
鉄族副格子磁化14は常に反平行であり、正味磁化15
はこの2つの副格子磁化の差であり、希−F類副格子磁
化の方が大きい場合には、希土類副格子磁化13と正味
磁化15は平行であり、このときこれを希土類副路そ磁
化優勢であるという。一方、鉄族副格子磁化の方が大き
い場合には、鉄族副格子磁化!7と正味磁化18が平行
であり、このときこれを鉄族副格子磁化優勢であるとい
う。
図4に示すような、希土類副格子磁化優勢の膜と鉄族副
格子磁化優勢の膜からなる交換結合膜を考える。少なく
とも一方の層の保磁力がかなり小さいときには、交換力
により、両層の希土類副格子磁化が互いに平行になり、
また、両層の鉄族副路74化も平行になる。従って、正
味磁化が反平行になる。もし、両層ともが希土類副格子
磁化優勢、あるいは鉄族副格子磁化優勢ならば正味磁化
も7行になる。
以−トの説明を参考にすれば明らかなように、交換結合
三層膜では各層の優勢な副路?−vA化に関して様々な
組み合わせが考えられる。
まず、図2に示すように、読み出し層5と7において異
なる副格子磁化が優勢の場合を考える。
この交換結合三層膜では記録特性が不安定なものとなっ
た。この理由を図2を用いて説明する。記録を行なう前
には図2(a)に示すような磁化状態であるとし、(読
み出し層5と7の磁化が反平行ならば、磁化の向きが図
のようでなくても、本質的には以下の説明が当てはまる
。)、図で下向きに磁界8を印加してレーザー光により
加熱を行ない記録を行なうことを考える。レーザー光に
よる加熱により記録層6がキュリー温度以上になると、
記録層6の磁化が消失し読み出し層との間に交換力が働
かなくなり、図2(b)に示すように読み出し層5と7
の磁化が外部磁界により下を向く。レーザー光照射が終
わり膜の温度が下がってくると、記録層6に再び磁化が
現われてくるが、このとき図2(c)のように読み出し
層7の交換力によフて記録がなされる場合と、図2(d
)のように読み出し層5の交換力によって記録がなされ
ない場合が生じる。これにより記録特性が不安定になる
と考えられる。この点につきより詳しく説明する。
図2(b)から温度が下がり、記録層6に正味磁化が生
じる際に、図2(C)のように下向きに生じるか、図2
(d)のように上向きに生じるかは、主に読み出し層5
と読み出し層7から記録層6に及ぼされる交換力の大き
さによって決まる。
読み出し層7の影響の方が大きいと、読み出し層7と記
録層6の正味磁化は平行が安定なので、図2(c)で、
読み出し層7と記録層6の正味磁化が下を向き、読み出
し層5と記録層6の正味磁化は反平行が安定なので、読
み出し層5の正味磁化が図2(b)に対して反転する。
この状態は図2(a)と反対の磁化状態なので、記録が
なされたことになる。
一方、読み出し層5の影雷の方が大きいと、読み出し層
5と記録層6の正味磁化は反平行が安定なので図2(d
)で、読み出し層5の正味磁化が下を向き、記録層6の
正味磁化が上を向き、読み出し層7と記録層6の正味磁
化は平行が安定なので、読み出し層7の正味磁化が図2
(b)に対して反転する。この状態は図2(a)と同じ
磁化状態なので、記録はなされない。
読み出し層7の影雷が大きいか読み出し層5の影Uが大
きいかは、5と6の界面、及び、6と7の界面の性質に
よって大きく変わり、作製条件や組成の微妙な違いによ
って変わってくる。
したがって、あるディスクは図2(C)のように記録で
きるが、別のディスクは(d)のように記録できないと
いったような不安定さが生じてしまう。
以上の説明から明らかなように、読み出し層は同じ副格
子磁化が優勢の場合が良い。
次に、読み出し層がどちらも希土類副格子磁化優勢の場
合を考える。この交換結合三層膜では記録特性が悪く、
再生特性にも大きな記録レーザーパワー依存性があった
。この理由は次に示すように交換結合膜における記録過
程と関係がある。記録において、レーザー光により膜の
温度が上昇し、記録層のキュリー温度に達して記録層の
磁化が消失し、読み出し層との間に交換力が働かなく・
なり、読み出し層の磁化が外部磁界により反転する際に
、読み出し層の保磁力は外部磁界によって容易に反転す
るような大きさでなくてはならない。一般に、読み出し
層に用いるような希土類−鉄族非晶質合金薄膜では、希
土類副格子磁化優勢では温度の上昇に対して保磁力が上
昇し、さらに温度を上げて補償温度を超すと逆に保磁力
が低下するのに対して、鉄族副格子磁化優勢では温度の
上昇に対して単調に保磁力が低下する。すなわち、鉄族
副格子磁化優勢の方が、温度上昇時に保磁力を充分小さ
くするのに有利である。
したがって、読み出し層は同じ副格子磁化優勢であって
、かつ鉄族副格子磁化優勢の場合が良い。
最後に、記録層が希土類副格子磁化優勢の場合と鉄族副
格子磁化優勢の場合を比較する。図3は、読み出し層9
.11がどちらも鉄族副格子磁化優勢であり、記録層1
0が希土類副格子磁化優勢の場合であり、読み出し層9
.11の磁化と記録層IOの磁化は反平行である。一方
、図1は本発明における最適化された交換結合三層膜で
あり、読み出し層1.3も記録層2もどちらも鉄族副格
子磁化優勢の場合であり、読み出し層1.3の磁化と記
録層2の磁化は平行である。図1と図3を比較すると、
図1の方が記録特性が良く、また再生特性も良かった。
この理由は、図3の場合には読み出し層9、IIからの
交換力によって、記録層IOの保磁力が本来よりも大き
くなるのに対して、図1の場合には、記録層の保磁力が
本゛来よりも小さくなり、記録が容易になることによる
。また、図1の場合の方が同じレーザーパワーでも記録
磁区の大きさが大きく、再生信号が大きくなることにも
よフている。
したがって、最終的に、記録層と読み出し層はどちらも
鉄族副格子磁化@勢の場合が良い。
本発明の光磁気メモリ用媒体の記録層には、Tb−Fe
、 Dy−Fe、 Gd−Tb−Fe、 Gd−Dy−
Fe。
Tb−Dy−Fe、 Tb−Fe−C0,Dy−Fe−
(:o、 Gd−Tb−Fe−Co。
Gd−Dy−Fe−Go、Tb−Dy−Fe−Go等、
あるいはこれらにCrや層等を添加したものなどが良い
。これらの膜を(REI−XIIE’X) −(Fe、
−、Co、 ) (RE、 RE’は希−E類元素〕と
表わすと、そのキュリー温度は、近似的に (1−x)
Tc+xTc’ +600y(”C) で表わされる。ここで、Tc、Tc’ はそれぞれRE
−Fe、 RE’−Feのキュリー温度であり、Gd−
Feで約220℃、Tb−Feで約130℃、Dy−F
eで約70℃である。記録層のキュリー温度は記録+l
?報の温度安定性に問題のない限り低くする方が良く、
約り00℃@後となるようにするのが望ましい。記録層
にTb−Feを用いても、優れた記録特性を得ることが
できる。キュリー温度を下げて耐食性を向上させようと
する場合、使用できる元素として(rやAIがあるが、
これらの元素を添加すると、Crで1 atmににつき
約5℃、層でlatm、%につき約3℃キュリー温度が
低下する。添加する量は、5〜20ata+、%程度が
良く、添加後のキュリー温度が適当になるように希土類
や鉄族の元素の種類や組成を調節する。また、記録層の
膜厚は100〜500人程度が適当である。
本発明の光磁気メモリ用媒体の読み出し層には、Gd−
Fe、 Gd−Fe−Go、 Gd−Go等、あるいは
これらにCrやAI等を添加したものが良い。Gd−(
Fe+−yGo、 )では、y=o、3程度で読み出し
特性が最大になる。読み出し層の単独の保磁力は小さく
する方が良く、数10〜1000e程度が望ましい。読
み出し層の保磁力が大きいと、記録に要するバイアス磁
界の大きさが大きくなるからである。また、読み出し層
の保磁力が非常に大きいと、読み出し居と記録層がとも
に鉄族副格子磁化優勢であっても三層の正味磁化の方向
が平行にならない場合が生じ、三層が同じ情報を記録し
ない場合が生じてしまう。これは、読み出し層の保磁力
が大きすぎると交換力によって記録層の情報を読み出し
層に移せないために生じる。したがって、読み出し層の
単独の保磁力が小さく、かつ交換相互作用が有効に働い
ていて三層の正味磁化が平行である場合には、情報を正
しく記録できる。また、読み出し層の膜厚は200〜5
00人程度が適当である。
〔実施例〕
溝ピッチ1.6−1直径130mmのポリカーボネイト
基盤上に通常のスパッタリング法によって、誘電体層Z
nS  (膜厚:800人)、読み出し層Gd−Fe−
Go(300人)、記録層Tb−Fe  (200人)
、読み出し層Gd−Fe−Go (300人)、誘電体
層ZnS  (800人)fを順次成膜し4個の光磁気
メモリ媒体を作成した。希土類副格子磁化優勢の膜を製
作するためには補償組成よりも、希土類元素の組成をふ
やし、鉄属副格子磁化優勢の膜を作製するためには、鉄
属元素の組成をふやした。
各々に対して記録・消去を行った。回転数は3600r
pmで、記録時のバイアス磁界は2000e、消去時の
バイアス磁界は一4000eとした。読み出し層が両層
とも希土類副格子磁化優勢であり、記録層が希土類副格
子磁化優勢あるいは鉄族副格子磁化優勢の媒体では、記
録に必要なレーザーパワーが7〜8mW以上も必要であ
るのに対して、読み出し層が鉄族副格子磁化優勢で、記
録層が希土類副格子磁化優勢の媒体では、5mW程度と
良かった。更に読み出し層も記録層も鉄属副格子磁化優
勢な本発明の媒体では4[DW程度と良かった。読み出
し特性についても、本発明のものは他の媒体よりも2〜
3dB程度CN比が良かった。
〔発明の効果〕
以上説明したように、室温において高い保磁力と低いキ
ュリー温度を有する記録層を、低い保磁力と高いキュリ
ー温度を有する読み出し層ではさんだ交換結合をした三
層構造の光磁気メモリ用媒体において、前記記録層と前
記読み出し層として鉄族副格子磁化優勢な希土類−鉄族
非晶質合金薄膜を使用し、かつ三層の正味磁化の方向を
平行にすることにより情報の記録・再生特性が最適化さ
れた。
【図面の簡単な説明】
図1は、記録層と読み出し層として鉄族副格子磁化優勢
な希土類−鉄族非晶質合金薄膜を使用した交換結合三層
膜の本発明の提案する構成と記録過程を説明する図、図
2は、2つの読み出し層かそれぞれ異なる副格子磁化が
優勢である交換結合三層膜の構成と記録過程を説明する
図、図3は、記録層が鉄族副格子磁化優勢な希土類−鉄
族非晶質合金薄膜であり、読み出し層が希土類副格子磁
化a勢な希土類−鉄族非晶質合金薄膜である交換結合三
層11!2の構成と記録過程を説明する図、図4は、希
土類副格子磁化優勢な膜と鉄族副格子磁化優勢な膜とか
らなる交換結合二層膜を説明する図である。 1、:l、5,7、!1.11  ・・・ 読み出し層
、2.6、IO・・・記録層 4,8.12−・・ バイアス磁界、 13、16  ・・・ 希土類副格子磁化、14.17
  ・・・ 鉄族副格子磁化、15、+8 −・・  
正味磁化。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)室温において高い保磁力と低いキュリー温度を有す
    る記録層を、低い保磁力と高いキュリー温度を有する読
    み出し層ではさんだ交換結合をした三層構造の磁性層を
    もつ光磁気メモリ用媒体において、前記記録層と前記両
    読み出し層として、鉄族副格子磁化優勢な希土類−鉄族
    非晶質合金薄膜を使用し、かつ、三層の正味磁化の方向
    を平行にしたことを特徴とする光磁気メモリ用媒体。
JP61262629A 1986-11-06 1986-11-06 光磁気メモリ用媒体 Expired - Fee Related JPH0782674B2 (ja)

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