JPS63115832A - 4−(9−トリプチセニル)スチレン - Google Patents
4−(9−トリプチセニル)スチレンInfo
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- JPS63115832A JPS63115832A JP26169586A JP26169586A JPS63115832A JP S63115832 A JPS63115832 A JP S63115832A JP 26169586 A JP26169586 A JP 26169586A JP 26169586 A JP26169586 A JP 26169586A JP S63115832 A JPS63115832 A JP S63115832A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[産業上の利用分野]
この発明は、新規化合物である4−(9−)リプチセニ
ル)スチレンに関し、さらに詳しくオラと。 それ自身で重合可能であり、また、他のビニル七ツマ−
と共重合することも可能であり、嵩高くて剛直な骨格を
備えると共に耐熱性および化学的安定性に優れたポリマ
ーを得るのに有用なモノマーである4−(9−)リブチ
セニル)スチレンに関する。 [従来の技術およびその問題点] 従来、トリチル基をペンダント基として有するトリチル
メタクリレートのポリマーが提案されている(特開昭5
8−108907号公報41−照)。 トリチル基は嵩高く、ポリトリチルメタクリレートは、
はぼ完全にフイソタクチックであり。 耐熱性に優れたポリマーである。 しかしながら、このポリトリチルメタクリレートは、エ
ステル基を介してトリチル基がポリマー主鎖に結合して
いるので、加溶媒分解される。したがって、必ずしも化
学的に安定なポリマーとは言い難い。 E発Illの目的] この発明の目的は、トリチル基と類似するトリブチセニ
ル基をペンダント基として側鎖に備えることにより、剛
直なポリマー骨格を形成し、しかも化学的に安定なポリ
マーを得るに有用な新規なモノマーを提供することであ
る。 [;i1記1]的を達成するための手段]前記目的を達
成するためのこの発明のaJ&は。 式 で示される4−(13−)リプチセニル)スチレンであ
る。 この4−(9−)リプチセニル)スチレンは、以下の語
物性により特長付けることができる。 −点;251〜252℃ NMR(CDCM 3 、 60MH! 、 pp
m ) :Hb 5.33(IH,d) 1(d 5.43(IH,g) Ha 5.85(IH,d) Hcおよび芳8環上の水素 6.83〜8.13(17H,麿) ただし、前記Ha、Rh、He、Hdは次式に示す水素
原子である。 I R(KBr、c m−1) : 183G、 30
88UV(シクロヘキサン); λmm! =295 nm (a =1.Goo
)この4−(1−)リプチセニル)スチレンは、た
とえば、第1図に示すように、p−ブロモアセトフェノ
ン
ル)スチレンに関し、さらに詳しくオラと。 それ自身で重合可能であり、また、他のビニル七ツマ−
と共重合することも可能であり、嵩高くて剛直な骨格を
備えると共に耐熱性および化学的安定性に優れたポリマ
ーを得るのに有用なモノマーである4−(9−)リブチ
セニル)スチレンに関する。 [従来の技術およびその問題点] 従来、トリチル基をペンダント基として有するトリチル
メタクリレートのポリマーが提案されている(特開昭5
8−108907号公報41−照)。 トリチル基は嵩高く、ポリトリチルメタクリレートは、
はぼ完全にフイソタクチックであり。 耐熱性に優れたポリマーである。 しかしながら、このポリトリチルメタクリレートは、エ
ステル基を介してトリチル基がポリマー主鎖に結合して
いるので、加溶媒分解される。したがって、必ずしも化
学的に安定なポリマーとは言い難い。 E発Illの目的] この発明の目的は、トリチル基と類似するトリブチセニ
ル基をペンダント基として側鎖に備えることにより、剛
直なポリマー骨格を形成し、しかも化学的に安定なポリ
マーを得るに有用な新規なモノマーを提供することであ
る。 [;i1記1]的を達成するための手段]前記目的を達
成するためのこの発明のaJ&は。 式 で示される4−(13−)リプチセニル)スチレンであ
る。 この4−(9−)リプチセニル)スチレンは、以下の語
物性により特長付けることができる。 −点;251〜252℃ NMR(CDCM 3 、 60MH! 、 pp
m ) :Hb 5.33(IH,d) 1(d 5.43(IH,g) Ha 5.85(IH,d) Hcおよび芳8環上の水素 6.83〜8.13(17H,麿) ただし、前記Ha、Rh、He、Hdは次式に示す水素
原子である。 I R(KBr、c m−1) : 183G、 30
88UV(シクロヘキサン); λmm! =295 nm (a =1.Goo
)この4−(1−)リプチセニル)スチレンは、た
とえば、第1図に示すように、p−ブロモアセトフェノ
ン
【21のカルボニル基を還元してアルコール体【3】
とし、このアルコール体
とし、このアルコール体
【3】の木#/Jiを保[&
たとえばメトキシメチル基で保護してから、アントロン
とグリニヤール反応を行ない1次いで脱水芳香族化によ
りアントラセン誘導体(51とする、このアン[ラセン
誦導体
たとえばメトキシメチル基で保護してから、アントロン
とグリニヤール反応を行ない1次いで脱水芳香族化によ
りアントラセン誘導体(51とする、このアン[ラセン
誦導体
【5]にベンザインを付加してトリブチセン骨格
を導入した化合物[81とし、この化合物[61の保護
基を除去して水酸基を再生した化合物[71とし、さら
に脱水することにより4−(+1− )リプチセニル)
スチレン[11が得られる。 この4−(9−)リプチセニル)スチレンは、単独で重
合させて4−(s−トリブチセニル)スチレンホモポリ
マーとすることもできるし、また他のビニルモノマーと
共重合させて礁−(9−トリブチセニル)スチレンコポ
リマーとすることもできる。 コポリマーとすることができる他のビニルモノマーとし
ては、たとえばスチレン、スチレン−導体、メタクリル
酸エステル、アクリル酸エステルなどが挙げられる。 コポリマーは、ブロック共重合体であっても。 またグラフト共重合体であっても良い。 この4−(9−トリブチセニル)スチレンは、ラジカル
重合、イオン重合のいずれによっても、重合+T(艶で
ある。もっとも、イオン重合が好ましい。 イオン重合についてさらに説明する。 重合触媒としてアニオン重合触媒が有効であり、好まし
いアニオン重合触媒としては、たとえば、n−ブチルリ
チウム、5ec−ブチルリチウム。 オリゴスチリルリチウムなどが挙げられる。 イオン重合は、溶媒中で行なうことができる。 好ましい溶媒としては、たとえば、テトラヒドロフラン
(THF)、)ルエン、キシレンなどが挙げられる。 重合温度は、−70〜50℃、好ましくは一50〜30
℃の範囲で適宜に選択される。 前記触媒によるアニオン重合は、リビング重合であるの
で、!R合反応を終了させる際、アルコール等でX!長
長端端MIIQすることが必要である。 重合によって得られるポリマーの分子腋は、THFに溶
解させてゲルパーミェーション法(GPC法)により測
定すると、数平均分子BIS−(Mrl)と ゛し−
(t 、ooo以上であり、分散度(My/Mu)が1
.5以下である。 このポリ4−(9−)リプチセニル)スチレンは、側鎖
にトリブチセニル基を備えていて極めて嵩高く、剛直で
ある。したがって、耐熱性および化学的安定性に優れて
容易に加溶媒分解するものではない。 また、このポリ4−(9−)リプチセニル)スチレンは
、強度の大きな成形品たとえばフィルムやフィラメント
に成形することができる。 [発明の効果] この発明により、 耐熱性、耐溶剤性等に優れたポリ4
−(9−)リプチセニル)スチレンを得るのに有用な4
−(9−)リプチセニル)スチレンを提供することであ
る。 [″J!施例] (実施例1) 4−3−トリブチセニル スチレンの製”窒素雰囲気と
した反応容器内に仕込んだ800m1の無水エーテルに
5t17gのリチウムアルミニウムハイドライドを添加
し、撹拌した0次いで、24.38 gのp−ブロモア
セトフェノンを200mJlの無水エーテルに溶解した
溶液を、前記反応容器内に、1.5時間かけて滴下した
。その後、30分間の撹拌を続け、9層クロマトグラフ
(TLC)(展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=4/1
)によりP−ブロモアセトフェノンの消失を確認してか
ら、酢酸エチルおよび水を添加し、無水硫酸ソーダで脱
水し、ろ過した。溶媒を留去することにより、第1図に
示す化合物[3]を23.90 g得た(収率97%)
。 化合物【31のNMRスペクトルデータな次に示す。 NMR(CD(Jlx 、BOMHz 、 pPm )
;CH31,33(3H,d) 、 OH3,83
(IH,5)CH3,50N3.83(IH,■)、芳
香族H7,00〜7.47(4H,層)窒素雰囲気とし
た反応g8器内に仕込んだ500m1の塩化メチレンに
、 23.50 gの前記化合物【31および85.0
m lのエチルジイソプロピルアミンを添加し、撹拌し
た。そこへ、 20.0m iのクロルメチルメチルエ
ーテルを5分間で滴下し、そのまま撹拌を継続した。2
4時間の経過後、F11拌を停止し、水を加え5反応器
の内容物を塩化メチレンで抽出した。有機層を無水WL
酸ソーダで脱水してから、溶媒を留去し、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフ(展開溶媒;ベンゼン)により精製
することによって、第1図に示す化合物【4】 を25
.10 g(収率88%)得た。 化合物[4]のNMRスペクトルデータを以下に示す。 NMR(CrJCl 3 、 BOMHz 、
ppm ) ;CH31,38(3H,d) 、 OCR33,25(3H,s)。 CH2+CH4,37〜4.82(38m)、芳香族H
7,07〜7.48(4H,s)窒素雰囲気下の反応容
器内に仕込んだ35m皇の無水THF中テ、0.8 m
gのMgと5.30gの化合物[41とでグリニヤー
ル試薬を合成した。0℃に冷却下に、このグリニヤール
試薬に4.88gのアンドロンを添加し、室温で撹拌し
た。24時間の経過後1反応器の内容物を水中に注ぎ、
6Nの塩酸10m1を加えてから、エーテルで抽出した
。有機層を5重炭酸ソーダ水溶液および食塩水で洗浄し
、無水硫酸ソーダで脱水してから、溶媒を留去した。そ
の後、40mJlのピリジンと20mjLの無水酢酸を
加えて、100℃で12時間撹拌し、未反応のアントロ
ンをアセチル化した0反応容器の内容物を水中に注ぎ、
6Nの塩酸80mJlを加えてから、クロロ隷ルムで抽
出し、有機層を無水硫酸ソーダで脱水後、溶媒を留去し
た。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフ(展開溶
媒;ヘキサン/酢酸エチル=771)で精製した。その
結果、第1図に示す化合物
を導入した化合物[81とし、この化合物[61の保護
基を除去して水酸基を再生した化合物[71とし、さら
に脱水することにより4−(+1− )リプチセニル)
スチレン[11が得られる。 この4−(9−)リプチセニル)スチレンは、単独で重
合させて4−(s−トリブチセニル)スチレンホモポリ
マーとすることもできるし、また他のビニルモノマーと
共重合させて礁−(9−トリブチセニル)スチレンコポ
リマーとすることもできる。 コポリマーとすることができる他のビニルモノマーとし
ては、たとえばスチレン、スチレン−導体、メタクリル
酸エステル、アクリル酸エステルなどが挙げられる。 コポリマーは、ブロック共重合体であっても。 またグラフト共重合体であっても良い。 この4−(9−トリブチセニル)スチレンは、ラジカル
重合、イオン重合のいずれによっても、重合+T(艶で
ある。もっとも、イオン重合が好ましい。 イオン重合についてさらに説明する。 重合触媒としてアニオン重合触媒が有効であり、好まし
いアニオン重合触媒としては、たとえば、n−ブチルリ
チウム、5ec−ブチルリチウム。 オリゴスチリルリチウムなどが挙げられる。 イオン重合は、溶媒中で行なうことができる。 好ましい溶媒としては、たとえば、テトラヒドロフラン
(THF)、)ルエン、キシレンなどが挙げられる。 重合温度は、−70〜50℃、好ましくは一50〜30
℃の範囲で適宜に選択される。 前記触媒によるアニオン重合は、リビング重合であるの
で、!R合反応を終了させる際、アルコール等でX!長
長端端MIIQすることが必要である。 重合によって得られるポリマーの分子腋は、THFに溶
解させてゲルパーミェーション法(GPC法)により測
定すると、数平均分子BIS−(Mrl)と ゛し−
(t 、ooo以上であり、分散度(My/Mu)が1
.5以下である。 このポリ4−(9−)リプチセニル)スチレンは、側鎖
にトリブチセニル基を備えていて極めて嵩高く、剛直で
ある。したがって、耐熱性および化学的安定性に優れて
容易に加溶媒分解するものではない。 また、このポリ4−(9−)リプチセニル)スチレンは
、強度の大きな成形品たとえばフィルムやフィラメント
に成形することができる。 [発明の効果] この発明により、 耐熱性、耐溶剤性等に優れたポリ4
−(9−)リプチセニル)スチレンを得るのに有用な4
−(9−)リプチセニル)スチレンを提供することであ
る。 [″J!施例] (実施例1) 4−3−トリブチセニル スチレンの製”窒素雰囲気と
した反応容器内に仕込んだ800m1の無水エーテルに
5t17gのリチウムアルミニウムハイドライドを添加
し、撹拌した0次いで、24.38 gのp−ブロモア
セトフェノンを200mJlの無水エーテルに溶解した
溶液を、前記反応容器内に、1.5時間かけて滴下した
。その後、30分間の撹拌を続け、9層クロマトグラフ
(TLC)(展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=4/1
)によりP−ブロモアセトフェノンの消失を確認してか
ら、酢酸エチルおよび水を添加し、無水硫酸ソーダで脱
水し、ろ過した。溶媒を留去することにより、第1図に
示す化合物[3]を23.90 g得た(収率97%)
。 化合物【31のNMRスペクトルデータな次に示す。 NMR(CD(Jlx 、BOMHz 、 pPm )
;CH31,33(3H,d) 、 OH3,83
(IH,5)CH3,50N3.83(IH,■)、芳
香族H7,00〜7.47(4H,層)窒素雰囲気とし
た反応g8器内に仕込んだ500m1の塩化メチレンに
、 23.50 gの前記化合物【31および85.0
m lのエチルジイソプロピルアミンを添加し、撹拌し
た。そこへ、 20.0m iのクロルメチルメチルエ
ーテルを5分間で滴下し、そのまま撹拌を継続した。2
4時間の経過後、F11拌を停止し、水を加え5反応器
の内容物を塩化メチレンで抽出した。有機層を無水WL
酸ソーダで脱水してから、溶媒を留去し、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフ(展開溶媒;ベンゼン)により精製
することによって、第1図に示す化合物【4】 を25
.10 g(収率88%)得た。 化合物[4]のNMRスペクトルデータを以下に示す。 NMR(CrJCl 3 、 BOMHz 、
ppm ) ;CH31,38(3H,d) 、 OCR33,25(3H,s)。 CH2+CH4,37〜4.82(38m)、芳香族H
7,07〜7.48(4H,s)窒素雰囲気下の反応容
器内に仕込んだ35m皇の無水THF中テ、0.8 m
gのMgと5.30gの化合物[41とでグリニヤー
ル試薬を合成した。0℃に冷却下に、このグリニヤール
試薬に4.88gのアンドロンを添加し、室温で撹拌し
た。24時間の経過後1反応器の内容物を水中に注ぎ、
6Nの塩酸10m1を加えてから、エーテルで抽出した
。有機層を5重炭酸ソーダ水溶液および食塩水で洗浄し
、無水硫酸ソーダで脱水してから、溶媒を留去した。そ
の後、40mJlのピリジンと20mjLの無水酢酸を
加えて、100℃で12時間撹拌し、未反応のアントロ
ンをアセチル化した0反応容器の内容物を水中に注ぎ、
6Nの塩酸80mJlを加えてから、クロロ隷ルムで抽
出し、有機層を無水硫酸ソーダで脱水後、溶媒を留去し
た。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフ(展開溶
媒;ヘキサン/酢酸エチル=771)で精製した。その
結果、第1図に示す化合物
【5】を2.42g (収率
:33%)得た。 この化合物
:33%)得た。 この化合物
【51のNMRスペクトルを以下に示す。
NMR(CDCuz 、 BOMHz 、 p
pm ) ;CH31−87(3H,d) 、 OCR33,47(3H,s)。 CH2+CH4,71〜5.13(3H■)。 芳香族H7,10〜B−47(13H,鵬)窒素雰囲気
下の反応容器内に仕込んだ7mlの無水塩化メチレン中
に、500mgの化合物【5】 と0.35m fLの
亜硝酸n−ブチルとを加えて、加熱還流した。そこへ、
400mgの0−7ミノ安息香酸を1.5mJlの無水
THFに溶解した溶液を、15分間かけて滴下した。3
時間の経過後に、再度0.35m1の亜硝酸n−ブチル
を加え、400mgの〇−アミ7安息香酸の無水THF
(1,5ml)溶液を15分間かけて滴下し、さらに
3時間加熱還流した。その後、溶媒を留去してから、得
られる反応物をエーテルに溶解し、重炭酸ソーダ水溶液
および水で洗浄し、無水硫酸ソーダで脱水した。溶媒を
留去してから、シリカゲルカラムクロマトグラフ(展開
溶媒;シクロヘキサン/酢酸エチル=9/1 )で精製
した。その結果、第1図に示す化合物[81を270m
g(消費された
pm ) ;CH31−87(3H,d) 、 OCR33,47(3H,s)。 CH2+CH4,71〜5.13(3H■)。 芳香族H7,10〜B−47(13H,鵬)窒素雰囲気
下の反応容器内に仕込んだ7mlの無水塩化メチレン中
に、500mgの化合物【5】 と0.35m fLの
亜硝酸n−ブチルとを加えて、加熱還流した。そこへ、
400mgの0−7ミノ安息香酸を1.5mJlの無水
THFに溶解した溶液を、15分間かけて滴下した。3
時間の経過後に、再度0.35m1の亜硝酸n−ブチル
を加え、400mgの〇−アミ7安息香酸の無水THF
(1,5ml)溶液を15分間かけて滴下し、さらに
3時間加熱還流した。その後、溶媒を留去してから、得
られる反応物をエーテルに溶解し、重炭酸ソーダ水溶液
および水で洗浄し、無水硫酸ソーダで脱水した。溶媒を
留去してから、シリカゲルカラムクロマトグラフ(展開
溶媒;シクロヘキサン/酢酸エチル=9/1 )で精製
した。その結果、第1図に示す化合物[81を270m
g(消費された
【51に対する収率:85%)得た。
この化合物【61のNMRスペクトルを以下に示す。
NMR(C[1CJL 3 、 80MHz 、
ppm ) ;CH31,45〜1.73(3H
,謳)。 OCR33,48(3H,s)。 CH7+CH4,72〜5.12(3H,膳)、トリブ
チセン橋頭位H 5,42(IH,s) 芳香族H8,77〜8.23(lIliH,■)窒素雰
囲気下の反応容器内に仕込んだ4 m lの無水THF
に、120mgの化合物【61 と1.0mjLの6N
li!酸とを加え、50℃で2時間撹拌した。その後1
反応容器の内容物を重炭酸ソーダ水溶液および食塩水で
洗浄し、無水硫酸ソーダで脱水してから、溶媒を留去し
た。その結果、第1図に示す化合物【7】を102mg
(収率;92%)得た。 この化合物
ppm ) ;CH31,45〜1.73(3H
,謳)。 OCR33,48(3H,s)。 CH7+CH4,72〜5.12(3H,膳)、トリブ
チセン橋頭位H 5,42(IH,s) 芳香族H8,77〜8.23(lIliH,■)窒素雰
囲気下の反応容器内に仕込んだ4 m lの無水THF
に、120mgの化合物【61 と1.0mjLの6N
li!酸とを加え、50℃で2時間撹拌した。その後1
反応容器の内容物を重炭酸ソーダ水溶液および食塩水で
洗浄し、無水硫酸ソーダで脱水してから、溶媒を留去し
た。その結果、第1図に示す化合物【7】を102mg
(収率;92%)得た。 この化合物
【5】のNMRスペクトルを以下に示す。
NMR(CDCl3.80M1(z 、 pp+s )
;CH3+QH1,57〜2.32(4H,m)。 CH4,92〜5.25(IH,層)、トリブチセン橋
頭位H 5,42(1M、s) 芳香族H6,77〜8.23(18H,層)0−キシレ
ン5mjLに80m gの化合物[7] と33mtの
KH3On と30mgのフェニル(l−ナフチル)ア
ミンとを加えて、2時間加8還流した。 その後、溶媒を留去してから、薄層クロマトグラフ(1
1)l媒;ベンゼン/シクロヘキサン=173)で精製
することにより1表記の4−(9−)リプチセニル)ス
チレン(第1図中の[11)を65mg(収率:87%
)得た。 この4−(9−トリブチセニル)スチレンのJt 07
性は、前述のとおりである。 (実施例2) ポリ4−(9−)リプチセニル)スチレンのtAV十分
に精製した4−(9−)リプチセニル)スチレン99m
gと十分に精製したベンゼン5muとを高減圧下の重合
容器内に仕込み1次いでS−ブチルリチウムのベンゼン
溶液1 ml (0,014mmo見)を添加し、室温
で12時間屯合反応を行なった。 その後、gC合反応溶液を30m lのメタノールに投
入して、精製したポリマーを沈澱させた。ろ取したポリ
マーをメタノールで十分に洗浄し、 80”Cで減圧乾
燥した。ポリマーの収量は9E1mg(収率;100%
)であった、GPC法により測定したこのポリマーの分
子g (M!l)は11000であり、分散度(Mll
/MJI)は1,15であった。また、このポリで示さ
れるポリ4−(9−トリブチセニル)スチレンである。 ポリマーのスペクトルデータ I R(KBr、c m−リ; 2852.3013B
UV (THF); λsam =275 nm (ε=2,000)また
、このポリ4−(9−)リブチセニル)スチレンの熱重
量分析によると1分解温度は400℃であり、その場合
の重量損失は10%であった。
;CH3+QH1,57〜2.32(4H,m)。 CH4,92〜5.25(IH,層)、トリブチセン橋
頭位H 5,42(1M、s) 芳香族H6,77〜8.23(18H,層)0−キシレ
ン5mjLに80m gの化合物[7] と33mtの
KH3On と30mgのフェニル(l−ナフチル)ア
ミンとを加えて、2時間加8還流した。 その後、溶媒を留去してから、薄層クロマトグラフ(1
1)l媒;ベンゼン/シクロヘキサン=173)で精製
することにより1表記の4−(9−)リプチセニル)ス
チレン(第1図中の[11)を65mg(収率:87%
)得た。 この4−(9−トリブチセニル)スチレンのJt 07
性は、前述のとおりである。 (実施例2) ポリ4−(9−)リプチセニル)スチレンのtAV十分
に精製した4−(9−)リプチセニル)スチレン99m
gと十分に精製したベンゼン5muとを高減圧下の重合
容器内に仕込み1次いでS−ブチルリチウムのベンゼン
溶液1 ml (0,014mmo見)を添加し、室温
で12時間屯合反応を行なった。 その後、gC合反応溶液を30m lのメタノールに投
入して、精製したポリマーを沈澱させた。ろ取したポリ
マーをメタノールで十分に洗浄し、 80”Cで減圧乾
燥した。ポリマーの収量は9E1mg(収率;100%
)であった、GPC法により測定したこのポリマーの分
子g (M!l)は11000であり、分散度(Mll
/MJI)は1,15であった。また、このポリで示さ
れるポリ4−(9−トリブチセニル)スチレンである。 ポリマーのスペクトルデータ I R(KBr、c m−リ; 2852.3013B
UV (THF); λsam =275 nm (ε=2,000)また
、このポリ4−(9−)リブチセニル)スチレンの熱重
量分析によると1分解温度は400℃であり、その場合
の重量損失は10%であった。
第1図は4−(9−トリブチセニル)スチレンの合成工
程を示す工程説明図である。 特許出願人 チッソ株式会社 。 亮1目 [り] 〔3)
[4][5]
程を示す工程説明図である。 特許出願人 チッソ株式会社 。 亮1目 [り] 〔3)
[4][5]
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される4−(9−トリプチセニル)スチレン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26169586A JPS63115832A (ja) | 1986-11-01 | 1986-11-01 | 4−(9−トリプチセニル)スチレン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26169586A JPS63115832A (ja) | 1986-11-01 | 1986-11-01 | 4−(9−トリプチセニル)スチレン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63115832A true JPS63115832A (ja) | 1988-05-20 |
JPH0433770B2 JPH0433770B2 (ja) | 1992-06-04 |
Family
ID=17365425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26169586A Granted JPS63115832A (ja) | 1986-11-01 | 1986-11-01 | 4−(9−トリプチセニル)スチレン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63115832A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007217341A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Chiba Univ | ベンゼン誘導体の製造方法 |
WO2018025892A1 (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 株式会社シード | 重合性トリプチセン誘導体化合物 |
-
1986
- 1986-11-01 JP JP26169586A patent/JPS63115832A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007217341A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Chiba Univ | ベンゼン誘導体の製造方法 |
JP4590637B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2010-12-01 | 国立大学法人 千葉大学 | ベンゼン誘導体の製造方法 |
WO2018025892A1 (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | 株式会社シード | 重合性トリプチセン誘導体化合物 |
US10669226B2 (en) | 2016-08-03 | 2020-06-02 | Seed Co., Ltd. | Polymerizable triptycene derivative compound |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0433770B2 (ja) | 1992-06-04 |
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