JPS63110724A - レジストのベ−ク方法 - Google Patents

レジストのベ−ク方法

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Publication number
JPS63110724A
JPS63110724A JP25891286A JP25891286A JPS63110724A JP S63110724 A JPS63110724 A JP S63110724A JP 25891286 A JP25891286 A JP 25891286A JP 25891286 A JP25891286 A JP 25891286A JP S63110724 A JPS63110724 A JP S63110724A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
resist
boundary surface
laser beams
lens system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25891286A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Nakamura
眞一 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP25891286A priority Critical patent/JPS63110724A/ja
Publication of JPS63110724A publication Critical patent/JPS63110724A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体デバイスの製造に使用される感光性樹
脂(光、電子、X線等のレジスト)の、プレートやウェ
ーハへ塗布直後、あるいは、現像後のベーク方法に関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来、光学マスク、あるいはウエーノ・に所要のパター
ンを露光描画するため、感光材であるレジストを、マス
クプレートあるいはウエーノ・(以下基板と称する)表
面上に塗布し、それを露光、現像し、レジストパターン
を作る。このレジストパターンを保護膜とし、エツチン
グや、拡散、注入等の工程を施している。このとき、レ
ジストと基板との密着が弱いと、現像時にレジストが基
板から剥離したり、エツチング等の工程中にレジストと
基板の間にエツチング液が染み込んだりして、レジスト
パターンが保護膜として、正しく機能しない場合がある
。このため従来は、プレートマたは基板にレジスト塗布
直後、あるいは現像直後に、該プレート、基板を炉、あ
るいはホットプレート等により加熱処理を施こし、レジ
ストと基板との密着強度を強化するベーキングという工
程を必要としていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のベーク方法では、基板全体を高温加熱状
態で長時間保持するため、ベーキングが終了した後、相
当長時間、すなわち、ベーク後の基板が、次工程での作
業や、加工精度に支障がなくなるまで放冷する必要がア
リ、これがプロセスタイムの中で大きな割合を占めてお
り問題となっていた。又、精度面に於いても、基板に大
きな温度変化を与えることにより悪影響を与えることが
多かった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のベーク方法では、レジストが感光しない波長域
のレーザー光と、そのレーザ光を任意のスピードでスキ
ャン出来る機構、光学系、制御系によシ、レジストと基
板の境界面にレーザ光を集光照射することで、境界面の
極く近傍の部分のみを短時間に所望温度まで加熱するの
でおる。
〔実施例〕
つぎに本発明を実施例により説明する。
第1図は本発明の一実施例を説明するための概袂図であ
る。第1図において、レーザ光源1から射出したレーザ
光は、レンズ系2を通り、さらに振動ミラー3により反
射されて、レジスト4が塗布された基板5の表面に照射
される。このとき、レーザ光はレンズ系2によシ、レジ
スト4と基板5の境界面近傍に集光点がくるよう集光さ
れている。そして、振動ミラー3により、基板のX方向
−杯の振9角で振動すると共に、このX方向の振動と同
期させて、基板5を載置しているXYテーブル6をY方
向に移動させることにより、基板5の表面を一様にレー
ザ光でスキャンさせて、基板表面の均一な加熱が行なわ
れる。もち論、振動ミラーの振り角を小さくして、XY
テーブル6のX方向およびY方向への移動によるスキャ
ン動作によってもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、レジストと基板の境界面
に集光させたレーザー光を利用することで、レジストと
基板の境界面部に限定加熱することが出来るため、従来
の様に基板全体を加熱する必要がない。従って、加熱処
理は短時間で処理することが出来、又、基板の温度変化
も無視することが出来るため、長時間の放冷は不要とな
り、ベーキング後直ちに次の作業を行うことが可能とな
る。又、基板表面部のみの局所加熱であるから、従来の
加熱に伴うところの精度上の問題も回避することが出来
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明するだめのレジストベ
ーク装置の概要図である。 1・・・・・・レーザ光源、2・・・・・・レンズ系、
3・・・・・・振動ミラー、4・・・・・・レジスト、
5・・・・・・基板、6・・・・・・XYテーブル。 □X 第 / 圀

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ光を、レジストの塗布された基板の前記レジスト
    と基板の境界面に集光照射し、前記レジストと基板表面
    部を局所加熱し、前記レジストをベークすることを特徴
    とするレジストのベーク方法。
JP25891286A 1986-10-29 1986-10-29 レジストのベ−ク方法 Pending JPS63110724A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006013528A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Asml Netherlands Bv 基板上にマーカを生成する方法、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2023082685A (ja) * 2021-12-02 2023-06-14 セメス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Cited By (3)

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JP4494304B2 (ja) * 2004-06-25 2010-06-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 基板上にマーカを生成する方法、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
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