JPS6310354A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばレーザ光等の照射により、記録・再生
・消去が可能な光磁気記録媒体に関する〔従来の技術〕 レーザー光のスポットで記録層を加熱しながら、外部磁
界を加え反転磁区を形成することにより記録し、記録時
より低パワーの直線偏光した上記レーザー光のスポット
を入射し、カー効果あるいはファラデー効果を利用して
再生を行なう、いわゆる光磁気記録方式に用いられる記
録媒体においては少なくとも次の性質を満たすことが必
要である。

１、　半導体レーザーで記録、消去を行なえる程度にキ
エリ一温度が低く、通常の使用環境温度に比べてキ纂り
一温度が充分高いこと。

２　記録媒体が、多結晶であると生ずる粒界ノイズ、単
結晶であると生ずる製造の困難さを回避するため、記録
媒体が非晶質であること。この場合、結晶化温度がキエ
リ一温度に比べて充分高いことが必要である。

五　再生は、カー効果、ファラデー効果を利用するため
、上記の効果に起因するカー回転角、ファラデー回転角
が大きいこと。

４、　垂直磁化膜であること。

そのため、従来からＴｂ？ｅ、Ｔｂ１ＦｅＯｏ。

ＧｄＴｂｌＦｅ０ｏなどの材料が上記の性質を満たすも
のとして光磁気記録媒体として用いられてきている。さ
らに、特開昭５９−１７８６４１のように重希土類金属
’ｒｂｓｃｋａｅｎｙｌ！移金属Ｆｅに軽希土類金属ａ
ｍを添加することにより、記録特性を損なうことなく、
光再生特性を向上させることを行なってきた。

〔発明が開発しようとする問題点〕 光磁気記録媒体は、非晶質であることが必′要であるた
め、作製法としてスパッタリング、蒸着などの気相急冷
法が利用されている。

しかし、光磁気記録媒体として用いられる重希土類−遷
移金属非晶質合金とほぼ同組成の合金を溶解・鋳造によ
り作製することは、これらの合金が割れやすいため、困
難である。そのため、スパッタリングにより記録媒体を
作製する場合には単一のターゲットから記録媒体を作製
できないので、例えば、遷移金属ターゲット上に希土類
金属などのチップを置いた複合ターゲット、または特開
昭５９−２００７６２．特開昭５９−２゛０８８１５の
ような埋め込み式複合ターゲットを用いなければならな
かった。

希土類金属のスパッタ用ターゲットは通常、溶解・鋳造
による方法で作製されるが、この方法ではターゲットに
含まれる酸素を１１重量ノず−セント以下に抑えること
は困難である。そのため、スパッタリング用ターゲット
あるい゛は蒸発源の持つ酸素が記録媒体中に混入し、そ
の磁気特性を落としてしまうという欠点を有する。

本発明はこのような問題点を解決するもので、重希土類
金属、遷移金属のほか、軽希土類金属およびＨｆ、Ｂ、
８１．Ａｎ、Ｏｒ、ａｎ、Ｐｂ。

Ｂ１のうちＩｆを必ず含む２種類以上を含むことにより
、従来のものにルベて高性能な光磁気記録媒体を提供す
ることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光磁気記録媒体は、基体上に形成され、情報を
光により記録・再生・消去できる記録媒体として、軽希
土預金ｊｉｇＢｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｏｓ、ｍｕのうち１種
類以上、重希土預金＠　Ｔ　ｂ　。

Ｇ（１、Ｄｙのうち１種類以上、遷移金属Ｐｅ。

Ｏｏ、Ｎｉのうち１種類以上およびＨｆ、Ｂ。

８１、Ａｊ＋、Ｏｒ、ａｎ、Ｐｂ、ＢｉのうちＨｆを必
ず含む２種類以上の元累から構成される。

組成式を （ＬＲｘＨＲｌ−Ｘ）７　ＴＭＩ−ｙ−ｚＡＺとしたと
き、（ＬＲは前記、軽希土類金属のうち１種類以上、Ｈ
Ｒは前記、重希土類金属のうち１種類以上、ＴＭは前記
、遷移金属のうち１種類以上、ＡはＨｆ、Ｂ、Ｓｉ、ｉ
ｎ、Ｏｒ、ａｎ。

Ｐｂ、ＢｉのうちＨｆを必ず含む２種類以上のを表わす
）本発明ではＸは［Ｌ１≦ｘ≦０．４０．ｎ、４　、　
ａ１≦ｙ≦α５．０（ｉ≦１２である。Ｘはより好まし
くはα１≦ｘ≦０．４０．ＥＬＭ、ｙはより好ましくは
０．１５≦ｙ≦［Ｌ５．ｚはより好ましくは０．０１≦
２≦ａ１．である。またＸは最も好ましくはａ２≦ｘ≦
０．４０．［Ｌ３ｓ７は最も好ましくは１１８≦ｙ≦［
Ｌ５゜２は最も好ましくは［Ｌ０５≦２≦ａ０８である
。

また人として好ましくは、ＨｆとＢであり、より好まし
くはＩｆとｈｌ、である。また最も好ましくはＨｆとＢ
１である。

〔実施例１〕 実施例により、本発明の効果について述べる。

本発明の光磁気記録媒体はスパッタリングにより作製し
た。これらを作製するにあたり、通常の方法とは異なり
、溶解・鋳造による合金をターゲットとして用いた。タ
ーゲット組成と試料番号の対応表を表１に示す。

これらの合金ターゲット中の酸素濃度の分析結果を表２
に示す。

表２に示した如く、ターゲット中の酸素濃度は重量比で
ａｏｏｓ％以下となって−る。ターゲットの鋳造後、溶
解炉中には、スラグが残っており、これらの中に希土類
金属あるいは、遷移金属中の酸素がとり込まれていると
考えられる。

このように溶解嗜鋳造による合金ターゲットにおいては
、その含有する酸素濃度を極端に減らすことができる。

なお、本実施例１に示した合金のほか、ＩｆとＳｉ、Ｈ
ｆとＯｒ、Ｈｆと８ｎを含む合金からなるターゲットを
作製したが、これらについても合金ターゲット化のしや
すさ、酸素濃度はほぼ同等でありた。

〔実施例２〕 実施例１で述べたように、溶解・鋳造で作製した合金タ
ーゲットを用い、Ｂｉ、８ｎの量を変化させスパッタリ
ングにより作製した光磁気記録媒体のカー回転角の変化
を調べた結果を第１図に示す、８ｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ａｌ
ｌの添加によりカー回転角に増加が認められた。

〔実施例３〕 本発明の光磁気記録媒体および従来例の記録・再生特性
を調べるために、溝付きポリカーボネイト基体上に約４
５０１光磁気記録媒体をそれぞれ形成し、その上に窒化
アルＺ　＋ラムを約１０００１形成した。

次のような条件で記録・再生を行なった。

溝間記録、再生パワー１　ｍＷ　、記録磁界５０００ｓ
　、線速毎秒４．７　ｍ　、記録周波＠１ＭＩ’ｌｚ、
分解能帯域３０ＫＨ２である。

第２図に本発明の光磁気記録媒体［（Ｎ（ｉｏ、ｌＩＤ
７０．７　）Ｏ，５ｓ（Ｆａｏ、ｓ＠０ｏｃＬ４＋ｓ）
ｏ、ｙａ（ＨｆａｓＳｉａｇｓＢｏ、ｇｓ）ｏ、ｏｓ　
　および第３図に従来例の’［’ｂ（＋１（Ｆｅαｅｏ
ｏｏ、ｔ）ｏ、ｓ　　の記録レーザーパワーとｏ　／　
ｙ比、および２次高調波抑圧比の関係を示す０本発明の
光磁気記録媒体においては、従来例と比べて、０／Ｎ比
は向上させ、記録レーザーパワーは低下させることが認
められた。

公知のように光磁気記録媒体の記録面上の記録時のレー
ザーパワーは記録面の線速の平方根に比例するので、記
録情報の転送レートをあげるためには、記録レーザーパ
ワーが低い方が望ましい。

従って、本発明の光磁気記録媒体は従来例のものに比べ
て記録・再生特性ともに向上したといえるなお１従来例
のＴｂ１ＦｅＯＯ光磁気記録媒体では、従来から行なわ
れている複合ターゲットによるスパッタリングにより作
製シタ。。

〔発明の効果〕

以上述べてきたように、本発明の光磁気記録媒体におい
ては、重希土類金属、遷移金属のほかに、軽希土類金属
およびＴ１を含むため、溶解・鋳造による合金ターゲッ
トの作製が可能であるという効果を有し、さらに、他の
添加元素により、磁気光学特性を向上させるという効果
も有する。

【図面の簡単な説明】

第１図・・・・・・本発明の（Ｎａｏ、ａｒｂｏγ）Ｉ
ＩＬｓｓ（ＩＦｅｏ、５ｉＯｏｏ、ａｓ）ａｔ畠（Ｈｆ
１，２１２）Ｏ，Ｏｌｉ　　、　　Ｘ＝８ｎ　　、　　
Ｂ　　ｉ　　、　　Ｐ　　ｂ　　、　　ムＬのカー回転
角と２の関係を示す図。 第２図・・・・・・本発明の（（Ｎｄ０．８Ｄｙｏ、ｙ
）ｏ、ｇａ（ＦｅＬＬｓｓＯｏａ４ｓ）＆？１（Ｈｆａ
ｌＢｉ＆１１１Ｂａｌｌり０．０１１　　のＯ／　Ｎ比
および２次高調波折圧比と記録レーザーパワーの関係を
示す図。 第３図・・・・・・従来例のＴｂａｓ　（Ｆｅｏ、ｅＯ
ｏ（１，ｓ　）　ｏ、ｓ　　のＯ／Ｎ比および２次高調
波抑圧比と記録レーザーパワーの関係を示す図。 （ロ） ｘ　　Ｘ＝Ｓｘ　　ＯＸ＝／４Ａ ｏ　　Ｘ＝Ｂｉ （Ｓｃｌ　ｏ、ｓ　Ｔｂｏ、ｑ）α２２（Ｆｅｏ、ｓｔ
；　Ｃｏｏ、ｉ）ｏ、７３（１−１ｆ　＋−ｘ　Ｘｚ）
ｏ、ｏｒ中のＸ 第１　図 躬２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基体上に形成され、情報を光により記録、再生、消去で
   きる記録媒体として、軽希土類金属Ｓｍ、Ｎｄ、Ｐｒ、
   Ｃｅ、Ｅｕのうち１種類以上、重希土類金属Ｔｂ、Ｇｄ
   、Ｄｙのうち１種類以上、遷移金属Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの
   うち１種類以上およびＨｆ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓ
   ｍ、Ｐｂ、ＢｉのうちＨｆを必ず含む２種類以上の元素
   から構成され、組成式を （ＬＲ＿ｘＨＲ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＴＭ＿１＿−＿ｙ＿
   −＿ｚＡ＿ｚと書きあらわしたとき、 ０．１≦ｘ≦０．４ ０．１≦ｙ≦０．５ ０＜ｚ≦０．２ の範囲にある非晶質合金を用いることを特徴とする光磁
   気記録媒体。 （但し、ＬＲは前記、軽希土類金属のうち、種類以上、
   ＨＲは前記、重希土類金属のうち１種類以上、ＴＭは前
   記、遷移金属のうち１種類以上およびムはＨｆ、Ｂ、Ｓ
   ｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｐｂ、ＢｉのうちＨｆを必ず含
   む２種類以上の元素をあらわす。）