JPS63102337A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体基板の溝部（以下、トレンチという）
の内部に、イオン注入による不純物領域を形成する方法
に関するものである。

従来の技術 イオン注入は、半導体集積回路におけるトレンチ内面へ
の不純物領域形成の１つの手法としても、現在用いられ
ている。その際、イオンの単結晶中におけるチャンネリ
ングを避けるために、イオン注入方向ｔｉを、通常基板
の垂直な方向ｔより５〜９°程度傾けて注入するのが一
般的となっている。ｔｉ／を角度が５〜９°の一般的な
イオン注入装置を用いた場合、第４図の不純物領域４の
ようにトレンチ底部が側壁より深（なってしまう。

発明が解決しようとする問題点 そこで、トレンチ底部に不純物が多く入るため、トレン
チキャパシタンスを作成した時にトレンチ底部よりリー
ク電流が増したり、空乏層の不均一性が生じたりする問
題が出てくる。

イオン注入法を利用して、トレンチ側壁および底部に均
一に注入するためには、ｔｉ／を角度の大きな特別な装
置を用いて、トレンチ側壁へ注入した後、トレンチ底部
へはｔｉ／を角度の小さい装置を用いて再度注入しな（
ではならない。

問題点を解決するための手段 前項の問題点を解決するために、本発明は、あらかじめ
、トレンチ底部に高濃度の不純物を注入した後、酸化さ
せる。その後、この酸化膜を通して、高エネルギーでイ
オン注入することによりトレンチ内に均一に注入するこ
とが可能となる。

作用 トレンチ内に均一に不純物領域を形成することにより、
素子の電流リークがなく、容量の大きい電気的性質の向
上および信頼性の向上が得られる。

実施例 以下、本発明の一実施例を、図面を用いて詳細に説明す
る。第１図〜第３図は、トレンチ内に均一に不純物を形
成する方法を示した工程順断面図である。第１図は、シ
リコン基板１０上に、酸化膜１をマスクとしてドライエ
ツチングによりトレンチを形成後、ｎ型不純物としてＡ
ｓをイオン注入により注入し、トレンチ底部に高濃度不
純物領域２を形成している。第２図は、第１図のシリコ
ン基板１０を酸化させて、トレンチ底部を増速酸化させ
てトレンチ底部は厚く、そして、トレンチ側壁は薄く酸
化膜３を形成し、その後、トレンチ内に均一にｎ型不純
物領域４を形成するように、Ａｓをイオン注入する。そ
して、アニールする前に酸化膜３を除去することにより
、酸化膜３に注入された多量のＡｓ不純物を取り除き、
その後アニールして不純物の活性化を行い、トレンチ内
に均一に不純物領域４を形成する。

発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、イオン注入を用い
てトレンチ内に均一に不純物領域を形成できる。そして
、素子の電気的性質の向上および信頼性の向上が得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図から第３図は本発明の一実施例の製造工程を示す
工程順断面図、第４図は従来の方法を説明するための半
導体装置断面図である。 １・・・・・・酸化膜マスク、２・・・・・・高濃度ｎ
型不純物領域、３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・
ｎ型不純物領域、１０・・・・・・シリコン基板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. シリコン基板に溝を形成し、その溝の底部にイオン注入
   を行ない、その注入欠陥による増速酸化により得られる
   酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。