JPS631020A - コンデンサ用電解液 - Google Patents
コンデンサ用電解液Info
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- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明によれば、電導度の高い優れたコンデンサ用電解
液（以下単に電解液と称することがある）が得られる。
液（以下単に電解液と称することがある）が得られる。
従来の技術
］ンデンサの特性は種々の要因によって決定されている
が、特にコンデンサ君子とともに外装ケースに収納され
る電解液の特性は、インピーダンスあるいは等価直列抵
抗（ＥＳＲ）に大きな影響を及ぼすことが判明している
。
が、特にコンデンサ君子とともに外装ケースに収納され
る電解液の特性は、インピーダンスあるいは等価直列抵
抗（ＥＳＲ）に大きな影響を及ぼすことが判明している
。
たとえば、中高圧用電解コンデンサには、エチレングリ
コール溶媒に硼酸もしくはそのアンモニウム塩を溶解さ
せた電解液が用いられているっが、電導度が低く、コン
デンサの等価直列抵抗が高いという欠点を有している。
コール溶媒に硼酸もしくはそのアンモニウム塩を溶解さ
せた電解液が用いられているっが、電導度が低く、コン
デンサの等価直列抵抗が高いという欠点を有している。
発明が解決しようとする問題点
このため、近年多用されているスイッチングレギュレー
タの平滑用など、高周波領域にまで低等価直列抵抗が要
求されるものには使用することができない。
タの平滑用など、高周波領域にまで低等価直列抵抗が要
求されるものには使用することができない。
また、この電解液は用いているエチレングリコール溶媒
の粘度が高く、凝固点が比較的高いことなどから、電解
液の電導度が低温で著しく減少し、電解コンデンサの低
温特性が悪く、さらに、エチレングリコールと硼酸との
エステル化反応で生ずる学究の水分のため１００℃を越
える五屏コンデンサには使用できない等、使用温度範囲
が狭いという欠点がある。
の粘度が高く、凝固点が比較的高いことなどから、電解
液の電導度が低温で著しく減少し、電解コンデンサの低
温特性が悪く、さらに、エチレングリコールと硼酸との
エステル化反応で生ずる学究の水分のため１００℃を越
える五屏コンデンサには使用できない等、使用温度範囲
が狭いという欠点がある。
問題点を解決するための手段
本発明者等は、上記硼酸系１毬解液の欠点を解決すべく
鋭意検討を行ない、従来の硼酸のアンモニウム塩が溶解
しなかったγ−ブチロラクトンやＮ。
鋭意検討を行ない、従来の硼酸のアンモニウム塩が溶解
しなかったγ−ブチロラクトンやＮ。
Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性溶媒に硼酸
の四級ホスホニウム塩が溶解し、高い屯導度を示すこと
を見い出し本発明を完成した。
の四級ホスホニウム塩が溶解し、高い屯導度を示すこと
を見い出し本発明を完成した。
即ち、本発明は硼酸の四級ホスホニウム塩を溶質として
使用することを特徴とするコンデンサ用電解液を提供す
るものである。
使用することを特徴とするコンデンサ用電解液を提供す
るものである。
発明の詳細な説明
本発明において溶質として用いられる硼酸の四級ホスホ
ニウム塩における四級ホスホニウム塩トしては、テトラ
メチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テト
ラエチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、メ
チルトリエチルホスホニウム、メチルトリプロピルホス
ホニウム、メチルトリブチルホスホニウム、ジメチルジ
エチルホスホニウム、ジメチルジプロピルホスホニウム
、ジメチルジブチルホスホニウム、トリメチルエチルホ
スホニウム、トリメチルプロピルホスホニウム、トリメ
チルブチルホスホニウム、エテルトリブチルホスホニウ
ム、エテルトリブチルホスホニウム、ジメチルジプロピ
ルホスホニウム、ジエチルジプチルホスホニウム、トリ
エチルプロピルホスホニウム、トリエチルブチルホスホ
ニウム、プロピルトリブチルホスホニウム、ジプロピル
ジプチルホスホニウム、トリエチルブチルホスホニウム
等の脂肪族四級ホスホニウム塩および、１．１−ジメチ
ルホスホラニウム、１−メチル−１−エチルホスホラニ
ウム、１．１−ジエチルホスホラニウム、１．１−ジエ
チルホスホラニウム、１−メチル−１−エチルホスホラ
ニウム、１．１−ジエチルホスホラニウム、１，１−ベ
ンタメチレンホスホリナニウム等の脂環式四級ホスホニ
ウム塩を例示することができる。
ニウム塩における四級ホスホニウム塩トしては、テトラ
メチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テト
ラエチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、メ
チルトリエチルホスホニウム、メチルトリプロピルホス
ホニウム、メチルトリブチルホスホニウム、ジメチルジ
エチルホスホニウム、ジメチルジプロピルホスホニウム
、ジメチルジブチルホスホニウム、トリメチルエチルホ
スホニウム、トリメチルプロピルホスホニウム、トリメ
チルブチルホスホニウム、エテルトリブチルホスホニウ
ム、エテルトリブチルホスホニウム、ジメチルジプロピ
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エチルプロピルホスホニウム、トリエチルブチルホスホ
ニウム、プロピルトリブチルホスホニウム、ジプロピル
ジプチルホスホニウム、トリエチルブチルホスホニウム
等の脂肪族四級ホスホニウム塩および、１．１−ジメチ
ルホスホラニウム、１−メチル−１−エチルホスホラニ
ウム、１．１−ジエチルホスホラニウム、１．１−ジエ
チルホスホラニウム、１−メチル−１−エチルホスホラ
ニウム、１．１−ジエチルホスホラニウム、１，１−ベ
ンタメチレンホスホリナニウム等の脂環式四級ホスホニ
ウム塩を例示することができる。
本発明の硼酸の四級ホスホニウム塩を溶解させる溶媒と
しては、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムア
ミド、ＮｌＮ−ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−エチル
アセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ
−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリジノン等の
アミド溶媒、γ−プチロラクトン、γ−バレロラクトン
、δ−バレロラクトン等のラクトン溶媒、エチレンカー
ボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネ
ート等のカーボネート溶媒、エチレングリコール、グリ
セリン、メチルセロソルブ等のアルコール溶媒、３−メ
トキシプロピオニトリル等のニトリル溶媒、およびトリ
メチルホスフェート等の燐酸エステル溶媒の単独ちるい
は混合溶媒を例示することができる。
しては、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムア
ミド、ＮｌＮ−ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−エチル
アセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ
−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリジノン等の
アミド溶媒、γ−プチロラクトン、γ−バレロラクトン
、δ−バレロラクトン等のラクトン溶媒、エチレンカー
ボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネ
ート等のカーボネート溶媒、エチレングリコール、グリ
セリン、メチルセロソルブ等のアルコール溶媒、３−メ
トキシプロピオニトリル等のニトリル溶媒、およびトリ
メチルホスフェート等の燐酸エステル溶媒の単独ちるい
は混合溶媒を例示することができる。
上記溶媒に対する硼酸の四級ホスホニウム塩の彩屏量は
砲和濃度μ下、好ましくは１〜４０１「量％で、ちる。
砲和濃度μ下、好ましくは１〜４０１「量％で、ちる。
また、上記４解液中の溶解塩は中性塩でも酸性塩でも良
いっ 本発明の電解液は、本質的には、ＩＡ酸の四級ホスホニ
ウム塩と溶媒よりなるが、社蝕防止、副れ１流の低減等
、種々の目的で少ｌの助溶貢を添加しても差し支えない
。
いっ 本発明の電解液は、本質的には、ＩＡ酸の四級ホスホニ
ウム塩と溶媒よりなるが、社蝕防止、副れ１流の低減等
、種々の目的で少ｌの助溶貢を添加しても差し支えない
。
発明の効果
本発明で溶質として使用する硼酸の四級ホスホニウム塩
は溶媒に対する溶解比が良く、その′電解液は高い電導
度を示し、凝固点〜ｌし点範囲の広い溶媒と伴に用いる
ことにより、筺用崖度範囲の広いコンデンサ用電解液と
なる。
は溶媒に対する溶解比が良く、その′電解液は高い電導
度を示し、凝固点〜ｌし点範囲の広い溶媒と伴に用いる
ことにより、筺用崖度範囲の広いコンデンサ用電解液と
なる。
実験例
以下に実施例、比較例を挙げて本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
実施例１
γ−ブチロラクトン溶媒に２０重オフ０の硼酸のテトラ
エチルホスホニウム塩を溶解させて電解液を得た。この
電解液の２５℃における環４度は２．８ ｍ５１０ｎで
あり、＋、−一組のアルミニウム平滑箔に４ｍＶ−の定
辺流印加時の火花発生電圧ば４２０ｖであった。
エチルホスホニウム塩を溶解させて電解液を得た。この
電解液の２５℃における環４度は２．８ ｍ５１０ｎで
あり、＋、−一組のアルミニウム平滑箔に４ｍＶ−の定
辺流印加時の火花発生電圧ば４２０ｖであった。
実施例２
実施例１において、硼酸のテトラエチルホスホニウム塩
の代わしに、硼酸のテトラブチルホスホニウム塩を受用
したこ解液の屯導度および火花発生電圧は、それぞれ、
０ 、９ ｒｎＳ／ｃｒｎ、５２０Ｖであった。
の代わしに、硼酸のテトラブチルホスホニウム塩を受用
したこ解液の屯導度および火花発生電圧は、それぞれ、
０ 、９ ｒｎＳ／ｃｒｎ、５２０Ｖであった。
比較例
γ−ブチロラクトン容媒に従来の−酸アンモニラムを１
０重量％加え、加熱したが、溶解せず、電解液の使用に
は不適であった。
０重量％加え、加熱したが、溶解せず、電解液の使用に
は不適であった。
Claims (1)
- 硼酸の四級ホスホニウム塩を溶質として使用すること
を特徴とするコンデンサ用電解液。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14458786A JPS631020A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | コンデンサ用電解液 |
| DE8787304335T DE3768141D1 (de) | 1986-05-20 | 1987-05-15 | Elektrolytische loesung quaternaerer salze fuer elektrolytischen kondensator. |
| EP87304335A EP0246825B1 (en) | 1986-05-20 | 1987-05-15 | Quaternary salt solution electrolyte for electrolytic capacitors |
| US07/050,574 US4774011A (en) | 1986-05-20 | 1987-05-18 | Electrolyte for aluminum electrolytic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14458786A JPS631020A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | コンデンサ用電解液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631020A true JPS631020A (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=15365563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14458786A Pending JPS631020A (ja) | 1986-05-20 | 1986-06-20 | コンデンサ用電解液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS631020A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3931257A1 (de) * | 1988-09-22 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Buerstenloser motor mit hall-effekt-elementen |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14458786A patent/JPS631020A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3931257A1 (de) * | 1988-09-22 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Buerstenloser motor mit hall-effekt-elementen |
| US4952830A (en) * | 1988-09-22 | 1990-08-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Brushless motor with hall elements |
| DE3931257C2 (ja) * | 1988-09-22 | 1992-11-05 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo, Jp |
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