JPS63262830A - コンデンサ用電解液 - Google Patents

コンデンサ用電解液

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JPS63262830A
JPS63262830A JP9786587A JP9786587A JPS63262830A JP S63262830 A JPS63262830 A JP S63262830A JP 9786587 A JP9786587 A JP 9786587A JP 9786587 A JP9786587 A JP 9786587A JP S63262830 A JPS63262830 A JP S63262830A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sulfite
electrolytic solution
phosphoium
quaternary ammonium
electrolyte
Prior art date
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Pending
Application number
JP9786587A
Other languages
English (en)
Inventor
森 彰一郎
誠 宇恵
和彦 井田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP9786587A priority Critical patent/JPS63262830A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 腫東上の利用分野 本発明によれば、電導塵の高い優れたコンデンサ用電解
液(以下単に電解液と称することがある)が得られる。
従来の技術 ]ンデンサの特性は種々の要因によって決定されている
が、特にコンデンサ素子とともに外装ケースに収納され
る電解液の特性は、インピーダンスあるいは等価直列抵
抗CBSR)に大きな影響を及ぼすことが判明している
汎用の゛電解コンデンサには、従来よりエチレングリコ
ール−アジピン酸アンモニウム系の電解液が使用されて
いる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、近年のスイッチングレギュレーターの高周波化
に伴ない、更に低インピーダンスあるいは低等価直列抵
抗のコンデンサが必要となり、高電導度の電解液の開発
が望まれている。
問題を解決するための手段 本発明者らは、電導塵の高い電解液を見い出すべく鋭意
検討を行な一1亜硫酸および亜硫酸モノエステルの四級
アンモニウム塩あるいは四級ホスホエウム塩が高い電導
塵を示すことを見い出し本発明を完成した。
即ち、本発明は亜硫酸および亜硫酸モノエステルの四級
アンモニウム塩あるいは四級ホスホエウム塩を溶質とし
て使用することを特徴とするコンデンサ用電解液を提供
するものである。
発明の効果 本発明で溶質として使用する亜硫酸および亜硫酸モノエ
ステルの12!a級アンモニウム塩あるいはホスホエウ
ム塩は溶媒に対する溶解性が良く、七の電解液は高い屯
導度を示し、凝固点へ沸点範囲の広い溶媒と伴に用いる
ことにより、使用温度範囲の広めコンデンサ用電解液と
なる。
発明の詳細な説明 本発明において、溶質として用いられる亜硫酸および亜
硫酸モノエステルの四級アンモニウム塩あるいは四級ホ
スホエウム塩のアニオン成分は一般式(1)で表わされ
る。
式中のRは、水素原子またはメチル、エチル、プロピル
、イソプロピル、メチル、フェニル、トルイル等の炭素
数1〜10のアルキル基またはアリール基であり、これ
らアルキル基またはアリール基は、水酸基、アミン基、
ニトロ基等の官能基を含んでいても良い。
具体的には、亜硫酸モノメチル、亜硫酸モノエチル、亜
硫酸モノフェニル、亜硫酸モノ(p−ニトロフェニル)
等の共役塩基を例示することができる。
カチオン成分としては、一般式(II)で表わされる脂
肪族四級アンモニウムイオンまたはホスホエウムイオン
の他、一般式(m)、(IV)で表わされる脂環式四級
アンモニウイオンまたはホスホエウムイオン、そして、
N−エチルピリジニウム、N、N’−ジメチルイミダゾ
リウム等の芳香族四級アンモニウムイオンを例示するこ
とができる。また、上記モノカチオンの他、一般式(V
)で表わされるポリカチオンも例示することができる。
一般式(II)〜(v)中のAはN原子又はp原子であ
り、R,〜R0はメチル、エチル、プロピル、ブチルお
よびフェニル等である。また、l、mは4〜6、nは1
〜10が一般的である。
本発明の亜硫酸及び亜硫酸モノエステルの四級アンモニ
ウム塩あるいは四級ホスホエウム塩ヲ溶解させる溶媒と
しては、N−メチルホルムアミド、N−エチルホルムア
ミド、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジエチ
ルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N−エチル
アセトアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、N
−ジエチルアセトアミド、N−メチルピロリジノン、N
−メチルオキサゾリジノン、N、N’−ジメチルイミダ
ゾリジノン等のアミド溶媒、r−ブチロラクトン、β−
ブチロラクトン、r−パレロ2クトン、δ−バレロラク
トン等のラクトン溶媒、エチレンカーボネート、プロピ
レンカーボネート、ブチレンカーボネート等のカーボネ
ート溶媒、エチレングリコール、グリセリン、メチルセ
ロソルブ等のアルコール溶媒、スルホラン、3−メチル
スルホラン等のスルホラン溶媒、3−メトキシプロピオ
ニトリル等のニトリル溶媒、およびトリメチルホスフェ
ート等の燐酸エステル溶媒の単独あるいは混合溶媒を例
示することができる。
これらの中でも、r−ブチロラクトンを主体溶媒とする
電解液が、使用温度範囲が広く、電導度が高く、毒性が
低く、耐ハロゲン性が強い等のことから好ましい。
上記溶媒に対する亜硫酸および亜硫酸モノエステルの四
級アンモニウム塩あるいはホスホエウム塩の溶解量は飽
和濃度以下、好ましくは5〜40重量僑である。
本発明の電解液は本質的には、亜硫酸および亜硫酸モノ
エステルの四級アンモニウム塩あるいはホスホエウム塩
と溶媒よシなるが、電蝕防止、漏れ電流の低減等、種々
の目的で少量の助溶質を添加しても差し支えない。
実験例 以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。
実施例1 r−ブチロ2クトン溶媒に20重i%の亜硫酸モノテト
ラエチルアンモニウムを溶解させて、電解液を得た。こ
の電解液の25℃における電導度はtx、zms/画で
あり、十、−1−組のアルミニュウム平滑箔に5III
A/−の定電流を印加した時の最高到達電圧は125V
であった。
実施例2 実施例1において、亜硫酸モノテトラエチルアンモニウ
ムの代わシに、亜硫酸メチル メチルトリエチルアンモ
ニウムを使用した電解液の電導度および最高到達電圧は
それぞれL3 f’l S / cng 、5゜Vでめ
った。
実施例3 実施例1において、亜硫酸モノテトラエチルアンモニウ
ムの代わシに、亜貴酸モノテトラエチルホスホエウムを
使用した電解液の電導度および最高到達電圧はそれぞれ
11−7 m S / cm %  100 Vであっ
た。
実施例4 実施例1において、r−ブチロラクトン溶媒の代わりに
、プロピレン、カーボネート溶媒を使用した電解液の電
導度および最高到達電圧はそれぞれ9.6 as/ c
m、  135 Vであった。
実施例5 N、N−ジメチルホルムアミド溶媒に10重1ik1の
亜硫酸モノテトラエチルアンモニウムを溶解させた電解
液の電導度および最高到達電圧はそれぞれ11.3 m
 S/ cm、70 Vであった。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  亜硫酸及び亜硫酸モノエステルの四級アンモニウム塩
    あるいは四級ホスホエウム塩を溶質として使用すること
    を特徴とするコンデンサ用電解液。
JP9786587A 1987-04-21 1987-04-21 コンデンサ用電解液 Pending JPS63262830A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006021303A1 (de) * 2004-08-24 2006-03-02 Basf Aktiengesellschaft Imidazolium-methylsulfite als ausgangsverbindungen zur herstellung ionischer flüssigkeiten
WO2007006388A1 (de) * 2005-07-14 2007-01-18 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von onium-alkylsulfiten
WO2007006389A1 (de) * 2005-07-14 2007-01-18 Merck Patent Gmbh Mischung von onium-alkylsulfonaten und onium-alkylsulfiten
JP2009501166A (ja) * 2005-07-14 2009-01-15 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング アルキルスルホン酸オニウムの製造方法

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JP2009501167A (ja) * 2005-07-14 2009-01-15 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング オニウム亜硫酸アルキル塩の製造方法
US7999111B2 (en) 2005-07-14 2011-08-16 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Process for the preparation of onium alkylsulfonates

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