JPS6299721A - 防眩ミラ−装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は自動車のドアミラーなどに最適に用いられる防
眩ミラー装置に関する。

背景技術 夜間、自動車の運転走行時に、後続車が照射するヘッド
ライトの光がドアミラー（サイドミラー）やバックミラ
ーに反射し、その眩しさが運転の支障となることはしば
しば経験するところである。

安全運転上問題となるこの眩光を防止するため、防眩装
置付のドアミラー（サイドミラー）やバックミラーが用
いられている。

第３図は典型的な先行技術の防眩ミラーＭｂの構造を示
す断面図である。

一方のガラス基板１ａ上に真空蒸着法あるいはスパッタ
リング法にてインノウム・錫酸化物（以下ＩＴＯと記す
）透明電極２ａを形成し、さらにその上にポリイミド配
向膜３ａが形成されている。

他方のガラス基板１ｂ上にも上記と同様にしてＩＴｏ透
明電極２ｂおよび配向膜３ｂが形成されており、両方の
ガラス基板１ａ＠ｌｂはシール樹脂５で貼り合せられて
、その間にゲストホスト液晶が注入されて液晶素子４が
形成される。基板１ｂの背面にはアルミニウム（ＡＪり
あるいは１ｉ［Ｌ（Ａｇ）の薄膜が真空蒸着法によって
蒸着され、反射鏡６が形成される。この反射鏡６を保護
するために裏止め用塗膜７が反射鏡６の背面に形成され
でいる。

光は参照符Ｌｉで示す（第３図上方から下方に向かう）
方向から防眩ミラーＭｂに入射する。

第４図はこのような先行技術の防眩ミラーＭｂの動作を
示すブロック図である。硫化カドミウム（ＣｃｌＳ）や
ホトトランジスタあるいはホトグイオードなどによって
実現される受光素子２１．２２のうち、第１受光素子２
１は防眩ミラーＭｂに入射する光Ｌｉの明るさを検出し
て電気信号に変換し、その出力をラインノ１を介して光
量比較回路１２の一方の入力端子に入力する。第２受光
素子２２は第１受光素子２１と反対側の明るさを検出し
、ライン！２を介して光量比較回路１２の他方の端子に
入力する。光量比較回路１２は受光素子２１．２２によ
って検出された光量を比較し、光量の差が予め設定した
値を超えたとき眩光と判断して判断出力をラインノ４を
介してスイッチング回路１１に導出する。

防眩ミラーＭｂに形成されたＩＴＯ透明電極２ａ、２１
＋間には、走行中は液晶素子４の駆動用方形波発生器１
０の出力が印加されでおり、これによってたとえば昼間
などの通常走行中時は液晶素子４は透明状態で、防眩ミ
ラーＭｂは一般のドアミラー（サイドミラー）として機
能する。いま夜間やトンネル内などを走行中、前述のよ
うに受光素子２１．２２の受光光ｆ１差が一定値を超え
ると、スイッチング回路１１は光量比較回路１２の判断
出力によって液晶駆動用方形波発生器１０の動作を停止
し、液晶素子４の駆動を停止させる。これによって液晶
素子４は非能動状態となり、液晶素子４に含まれている
ゲスト色素の分子配列方向が角変位し、反射鏡６の鏡面
と平行状態となるため後方より防眩ミラーＭｂに入射し
、反射鏡６で反射して防眩ミラーＭｂ外ｉ二出る光は液
晶素子４内の前記ゲスト色素分子によりその約１／３が
吸収され、防眩作用が実現される。

発明が解決しようとする問題点 しかしながらこのような先行技術による防眩ミラーでは
、昼間太陽光線に曝され、太陽光線中に含まれる短？ｔ
Ｌ長領域の光（紫外線）を吸収して液晶およびダスト色
素特性が劣化し、消費電流の増加、通常時反射率対防眩
時反射率比の低下さらには退色などの好ましくない結果
を生じ、防眩ミラーとしての価値を損なっていた。また
このような先行技術では２個の受光素子を防眩ミラーと
は別個に設置しなければならず、取付けと配線工事が面
倒であった。このため太陽光線下Ｉこ長期間曝されても
紫外線などの短波長領域の光の１！１春を受けず、強い
光の照射下においても液晶やゲスト色素の特性劣化をひ
き起こさない防眩ミラー装置が所望されていた。

したがって本発明の目的は、上述の問題点を解？）￥し
、強い光の照射環境下での特性劣化を生じない防眩ミラ
ー装置を提供することである。

問題点を解決するための手段 本発明は、反射鏡と、 反射鏡の前方に配置される透過形液晶素子と、液晶素子
の前方に配置され、短波長領域における透光性を有し、
受光量をあらわす電気信号を導出する半導体薄膜層と、 周囲の明るさを検出する受光素子と、 半導体薄膜層からの出力と、−受光素子からの出力に応
答して半導体薄膜層に前方がら入射する光量と、受光素
子によって受光される光量との差が大きいときに、液晶
素子の透過光量を小さくする手段とを含むことを特徴と
する防眩ミラー装置である。

作　　用 本発明による防眩ミラー装置は、太陽光線など強い尤の
照射下でも液晶素子の特性劣化をひき起こさず、安定し
た防眩動乍を行なうものである。

実施例 第１図は本発明の一実施例の防眩ミラーＭ　ａの構造を
示す断面図であり、第２図は本発明の一実施例の動作を
説明するためのブロック図である。

第１図および第２図を参照して、ガラス基板１ａ上に１
ｌｌｓＩＩＴｏ透明電極９、半導体薄膜層８、ｆｊＳ２
ＩＴｏ透明１！極２ａ、ポリイミド配向膜３ａがこの順
序で層形成され、配向ｆＱ　３　ａは液晶素子４に接し
ている。液晶素子４をはさんで対向して配置されるグラ
ス基板１１）上に形成される半導体薄膜層の構造は後述
される。

本発明において注目すべきは、プラス基板１ａ上に形成
された第１ＩＴＯ透明電極９と第１ＩＴＯ透明電極９に
重ねて形成される半導体薄膜Ｍ８であって、これらは先
行技術の項で述べた第１受光素子２１の８！能すなわち
眩光感知センサとしての機能および紫外線などの短波長
領域の光を吸収する遮光フィルタの機能を備えている。

次に本実施例による防眩ミラーＭａの製法を説明する。

ガラス基板１ａ上に真空蒸着法あるいはスパッタリング
法によって第１ＩＴＯ透明電極９を形成する。このｔｌ
ＩＪＩＩＴｏ透明電極９は、次に述べる眩光検知センサ
および紫外線などの短波長領域の尤に対して遮光性を有
する半導体薄膜層８に電圧を印加するための電極である
。

面記第ＩＩＴＯ透明７４極９上に真空蒸着法あるいはプ
ラズマ・ケミカル・ベイパー・デポンジョン（以下ＣＶ
Ｄと記す）法によって、ＣｄＳ　　らしくは非晶質シリ
コン（以下α−３ｉ　と記す）などの半導体薄膜層８を
形成する。これらＣ，ＪＳ　　もしくはα−３ｉなどの
半導体薄膜ＪＶｉ８は、薄膜による着色を最小限にとど
め、かつ、眩光となる後続車のへノドライトとくｌこハ
ロゲン・へノドライトの光スペクトルにおいても十分光
センサとしての役割を果たすために、光学吸収端が２．
５〜２．８ｅＶである半導体薄膜である。なおＣｄＳ薄
膜は前述の方法によるほか印刷法によっても形成可能で
あるが、印刷後真空中もしくはアルゴンがスフロー中に
おいて３００　’（：で３０分程度の焼鈍工程が必要で
ある。

半導体薄膜Ｍ８上に第２１Ｔｏ透明電極２ａを真空蒸着
法あるいはスパッタリング法によって形成し、さらにそ
の上にポリイミド配向膜３ａを印刷法によって形成する
。

他方のがラス基板１ｂに形成されるｆ：ｔＳ３ｒＴ。

透明電極２ｂおよびボッイミド配向膜３１）は上記ＩＴ
Ｏ透明電極２ａおよびポリイミド配向膜３ａと同様にし
て形成される。このようにして形成された〃ラス基板１
ａ、ｌｂを対向させてシール樹Ｎ５で貼り合せ、ゲスト
ホスト液晶を注入して液晶素子４を形成する。Ｒ後に反
射鏡６を形成するためアルミニウム（Ａりあるいはｆｆ
ｉ　（Ａ　ｇ）を真空蒸着法によってガラス基板１ｂの
背面に蒸着し、反射鏡６を形成した後、鏡面保護用の裏
止め塗膜７を上記反射鏡６の背面に形成する。

次に本実施例の動作について第２図を参照しつつ説明す
る。半導体薄膜層８を挾む第１ＩＴＯ透明電極９と第２
ＩＴＯ透明電極２ａ間に直流電源１４が抵抗１５を介し
て接続されている。後続用のヘッドライト光が防眩ミラ
ーＭａに入射すると、半導体薄膜層８の光導電率が増し
、抵抗１５中を流れる電流が増加する。この電流増加は
出力電圧■１の上昇となり、出力電圧■１は光量比較回
路１２の一方の入力端子に入力される。光量比較回路１
２の他方の入力端子には運転ヰ１の周囲光量を検知する
センサとしての受光素子１３の出力が入力される。受光
素子１３は防眩ミラーＭａとは反対側すなわち車の前方
方向に向けて配置される。先行技術では受光素子を車の
前方と後方に向は最低２個を必要としたのに対し、本実
施例では１個でよい。

防眩ミラーＭａから５１程度離れた位置からの後方車の
へ７ドライトの光量は、５　ｍＷ　／　ｃ＋ａ２程度で
あり、この光量の光が、半導体薄膜層８を形成するＣｔ
ｌＳやα−３ｉによってすべて吸収された場合を想定す
ると、このときの半導体薄膜Ｎ８の光導電率は、暗時の
１０．＝（Ω”　ｃｎ）−’から１０−’−１０−’（
Ω”　ｅｌｎ）−’　と１０３倍以上も増加する。

前述のように、半導体薄膜層８の光学吸収端は２゜５〜
２．８ｅＶ　　であるから、大部の光は半導体薄膜層８
を通過するけれども、半導体薄膜層８によって捕捉吸収
される光量を入射光の１／１００に見積っても、吸収光
量と光導電率増加量とはほぼ比例することから、眩光照
射時には１０〜１００倍程度の光導電率増加が得られ、
眩光検知センサとして必要な感度を備えていることがわ
かる。　再び第２図を参照して、光量比較回路１２は、
後方からの照射光量が周囲環境光量よりも大きく、予め
設定した値以上となったときに判断出力をラインノ４を
介してスイッチング回路１１に導出する。

これ−二よってスイッチング回路１１は液晶駆動用方形
波発生器１０の動作を停止し、液晶素子４を非能動とし
、防眩動作状態にする。

本実施例では、ドアミラー（サイドミラー）を防眩ミラ
ーとしたけれども、ドアミラー　（サイドミラー）に限
定されるものではなく、バックミラーや、ドアミラー（
サイドミラー）に比し運転者から距離をおいて設けられ
ている７エングーミラーにも適用できることは勿論であ
る。前方に向けた受光素子１３はこれらのドアミラー（
サイドミラー）用、バックミラー用あるいは７エングー
ミラー用として兼用できるため受光素子１３は１個用意
するだけでよく、取付は配線も簡単にすむ。

また本実施例では光量比較回路によって防眩ミラーＭａ
を通常状態と防眩状態の２つの状態のみとしたけれども
、液晶駆動の波形および電圧を調整し、防眩状態を順次
的に変化させるようにしてもよい。

効　　果 以上のように本発明に従えば、反射鏡の前方に配ｒ！１
される液晶素子のさらに前方に、眩光検知センサと、紫
外線などの短波長望域の光を吸収・遮光する２つの機能
を備えた半導体薄膜層を設けたことによって、受光素子
は周囲環境の明るさを検知するセンサ１個のみでよく、
また太陽光線に長期間曝されても、紫外線などの短波長
領域の光は半導体薄膜層によって捕捉吸収されるため、
液晶素子やその中に含まれるダスト色素の特性の劣化が
防止される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は動作を説
明するためのブロック図、第３図は先行技術を示す断面
図、第４図は先行技術の動作を説明するためのブロック
図である。 ｌａ、ｌｂ−ガラス基板、２ａ　、　２ｂ　、　９−Ｉ
Ｔｏ透明電極、３ａ、３ｂ・・・ポリイミド配向膜、４
・・・液晶素子、５・・・シール樹脂、６・・・反射鏡
、７・・・裏止め用塗膜、８・・・半導体薄膜層、１０
・・・液晶駆動用方形波発生器、１１・・・スイッチン
グ回路、１２・・・尤１比較回路、１３，２１．２２・
・・受光素子、Ｍａ、Ｍｂ・・・防眩ミラー 代理人　　弁理士　西教　圭一部 デ　１　図 ＠２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 反射鏡と、 反射鏡の前方に配置される透過形液晶素子と、液晶素子
   の前方に配置され、短波長領域における透光性を有し、
   受光量をあらわす電気信号を導出する半導体薄膜層と、 周囲の明るさを検出する受光素子と、 半導体薄膜層からの出力と、受光素子からの出力に応答
   して半導体薄膜層に前方から入射する光量と、受光素子
   によって受光される光量との差が大きいときに、液晶素
   子の透過光量を小さくする手段とを含むことを特徴とす
   る防眩ミラー装置。