JPS6298614A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6298614A JPS6298614A JP60240166A JP24016685A JPS6298614A JP S6298614 A JPS6298614 A JP S6298614A JP 60240166 A JP60240166 A JP 60240166A JP 24016685 A JP24016685 A JP 24016685A JP S6298614 A JPS6298614 A JP S6298614A
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- yalyas
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、Si基板上に中間層を介してGaAs層を形
成した半導体装置、例えば、Si基板上に中間層を介し
てGaAs系セルを形成したGaAs系太陽電池等に関
するものである。
成した半導体装置、例えば、Si基板上に中間層を介し
てGaAs系セルを形成したGaAs系太陽電池等に関
するものである。
〈従来の技術〉
GaAs系太陽電池は、従来のSi系太陽電池と比べて
効率、高温特性、耐放射線性等の点で浸れているため、
宇宙用太陽電池として最近非常に注目されている。一方
、GaAsはSiに比べて比重が2倍程度大きいため、
GaAs系太陽電池は出力/重量比に於いてSi系太陽
電池より劣る。
効率、高温特性、耐放射線性等の点で浸れているため、
宇宙用太陽電池として最近非常に注目されている。一方
、GaAsはSiに比べて比重が2倍程度大きいため、
GaAs系太陽電池は出力/重量比に於いてSi系太陽
電池より劣る。
そこで、出力/重量比の改善を計るために、81基板上
にGaAs系セルを形成する構造が注目されている。
にGaAs系セルを形成する構造が注目されている。
第2図に上記構造を有するQ a A s系太陽電池の
断面図を示す。
断面図を示す。
一般に、Si基板上に直接GaAs層を成長させること
は困難であるので、GaAs層の成長を容易にするため
、n −S i基板1上にn−Ge中間層2を成長せし
めた後、QaAs系セル3分作製している。GaAs系
セル3は、n−GaAs層4、p−GaAs層5及びp
−Ga1−xAlxAs (x=0.85)層6から成
り、7はp−n接合部である。
は困難であるので、GaAs層の成長を容易にするため
、n −S i基板1上にn−Ge中間層2を成長せし
めた後、QaAs系セル3分作製している。GaAs系
セル3は、n−GaAs層4、p−GaAs層5及びp
−Ga1−xAlxAs (x=0.85)層6から成
り、7はp−n接合部である。
更に、8は表面電極、9は裏面電極である。
Ge中間層2の典型的な厚みは通常0,2km程度であ
り、GaAs系セル3の厚みは3)tm程度である。G
aAsの入射光に対する吸収係数は大きいので、GaA
s系セルの全体の厚みは計3fim程度で十分である。
り、GaAs系セル3の厚みは3)tm程度である。G
aAsの入射光に対する吸収係数は大きいので、GaA
s系セルの全体の厚みは計3fim程度で十分である。
GaAs系セルの形成にはM OCV D法等が用いら
れる。
れる。
また、Ge中間層の形成法には、ゲルマンガス(GeH
,+ )を流して成長させる気相成長法やイオンクラス
タービーム(ICE)による方法等がある。
,+ )を流して成長させる気相成長法やイオンクラス
タービーム(ICE)による方法等がある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、上記(;々造の従1′の太陽電池((は
、Si基板とGe中間層の界面近傍で生じた転位が上方
に伝搬し、GaAs層内に侵入する現象が見られ、これ
てより、GaAs層の結晶性が低下して、太陽電池の効
率が低下するという間萌点があった。
、Si基板とGe中間層の界面近傍で生じた転位が上方
に伝搬し、GaAs層内に侵入する現象が見られ、これ
てより、GaAs層の結晶性が低下して、太陽電池の効
率が低下するという間萌点があった。
本発明は従来装置に於ける上記問題点に鑑みてなされた
ものであり、上記転位のGaAs層内への伝搬を阻止な
いし低減し、これにより、GaAs層の結晶性を向上さ
せることを目的としているものである・・ く問題点を解決するための手段〉 中間層として、Ge層とQa、−、A4yAs(0(y
≦1)層の交互形成層を設ける。
ものであり、上記転位のGaAs層内への伝搬を阻止な
いし低減し、これにより、GaAs層の結晶性を向上さ
せることを目的としているものである・・ く問題点を解決するための手段〉 中間層として、Ge層とQa、−、A4yAs(0(y
≦1)層の交互形成層を設ける。
〈実施例〉
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第1図1d、本発明の一実施例であるGaAs系太陽電
池の断面図である。
池の断面図である。
n −S i基板ll上に中間層12を介してGaAs
系セル13を形成する。GaAs系セル13ば、n−G
a、As層14、p−GaAs層15及びp−Ga1−
xAfXAs (0<x≦1、例えばx=0.85)
層16から成り、17はp −n接合部である。更に、
18は表面電極、19は裏面電極である。
系セル13を形成する。GaAs系セル13ば、n−G
a、As層14、p−GaAs層15及びp−Ga1−
xAfXAs (0<x≦1、例えばx=0.85)
層16から成り、17はp −n接合部である。更に、
18は表面電極、19は裏面電極である。
特徴は上記中間層12の構造にある。すなわち、中間層
12として、n−Ge層121とn−Ga、−yAly
As ((Lぐy≦1)層122を交互に形成して構
成した層を設ける。このような構造の中間層を設ける構
成とすることにより、GaAs層内への転位の伝搬が阻
止ないし低減され、GaAs層の結晶性改善が達成され
たものである。
12として、n−Ge層121とn−Ga、−yAly
As ((Lぐy≦1)層122を交互に形成して構
成した層を設ける。このような構造の中間層を設ける構
成とすることにより、GaAs層内への転位の伝搬が阻
止ないし低減され、GaAs層の結晶性改善が達成され
たものである。
G a 1− y A l y A s 層122は
MOCVD法を用いて形成し、Ge層121ばG e
H4を用いた気相成長法で成長させると、同一装置のり
アクタ−内で速読的に成長させることができる。
MOCVD法を用いて形成し、Ge層121ばG e
H4を用いた気相成長法で成長させると、同一装置のり
アクタ−内で速読的に成長させることができる。
なお、G a + −yA l y A s (0<
Y≦1)層の代わりてGaAs層を用いると、Geが
GaAs層内に拡散するので望ましくない。一方、Ge
はG a + yAl yAs (0< Y≦1)
層内には拡散しにくいことが既知の事実として知られて
いる。したがって、GaAs層とGe層の交互形成層か
ら成る中間層より、G a + −yA j? yA
s (0< y≦1)層とGe層の交互形成層う・ら
成る中間層が望まし’A。
Y≦1)層の代わりてGaAs層を用いると、Geが
GaAs層内に拡散するので望ましくない。一方、Ge
はG a + yAl yAs (0< Y≦1)
層内には拡散しにくいことが既知の事実として知られて
いる。したがって、GaAs層とGe層の交互形成層か
ら成る中間層より、G a + −yA j? yA
s (0< y≦1)層とGe層の交互形成層う・ら
成る中間層が望まし’A。
以上、GaAs系太陽電池を例にとり本発明の詳細な説
明したが、本発明は、Si 基板上に中間層を介してG
aAs層会形成する構造の半導体装置CGaAs系IC
,QaAB系光デバイス等)すべてに於いて有効に実施
することができるものであることは言うまでもな’/’
In また、本明絹書に於いて、「半導体装置」とは、所謂、
完成品のみならず、中間生成物(例えば、ウェハ等)も
含む概念として定義される。
明したが、本発明は、Si 基板上に中間層を介してG
aAs層会形成する構造の半導体装置CGaAs系IC
,QaAB系光デバイス等)すべてに於いて有効に実施
することができるものであることは言うまでもな’/’
In また、本明絹書に於いて、「半導体装置」とは、所謂、
完成品のみならず、中間生成物(例えば、ウェハ等)も
含む概念として定義される。
〈発明の効果〉
以上詳、細に説明したよって、本発明によれば、GaA
s層の結晶性改善を達成することができるものであり、
例えば、GaAs系太陽電池に於いて実施した場合には
、その効率向上をはかることかできるものである。
s層の結晶性改善を達成することができるものであり、
例えば、GaAs系太陽電池に於いて実施した場合には
、その効率向上をはかることかできるものである。
第1図は本発明の一実施例であるGaAs系太陽電池の
構造を示す断面図、第2図は従来のGaAs系太陽電池
の構造を示す断面図である。 符号の説明 11:n−3i基板、 12:中間層、121 :
n−Ge層、 l 22 : n−Ga 1−yA4
yAs層、 13 :GaAs系セル、 14
: n−GaAs層、 15:p−GaAs層、 16 : p −Ga 、 −xAJXAs層、 17
: p n接合部、 18:表面電1、 19
:裏面電極。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)13: G
aAG%t IL。 汲釆託oAs緑鴻電尤0 構造と木す斯閲目 第2図
構造を示す断面図、第2図は従来のGaAs系太陽電池
の構造を示す断面図である。 符号の説明 11:n−3i基板、 12:中間層、121 :
n−Ge層、 l 22 : n−Ga 1−yA4
yAs層、 13 :GaAs系セル、 14
: n−GaAs層、 15:p−GaAs層、 16 : p −Ga 、 −xAJXAs層、 17
: p n接合部、 18:表面電1、 19
:裏面電極。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)13: G
aAG%t IL。 汲釆託oAs緑鴻電尤0 構造と木す斯閲目 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、Si基板上に中間層を介してGaAs層を形成した
半導体装置に於いて、Ge層と Ga_1_−_yAl_yAs(0<y≦1)層の交互
形成層を上記中間層として設けたことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60240166A JPS6298614A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60240166A JPS6298614A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6298614A true JPS6298614A (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=17055474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60240166A Pending JPS6298614A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6298614A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01280367A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
US4897367A (en) * | 1988-03-18 | 1990-01-30 | Fujitsu Limited | Process for growing gallium arsenide on silicon substrate |
US5316615A (en) * | 1990-03-23 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Surfactant-enhanced epitaxy |
US5326716A (en) * | 1986-02-11 | 1994-07-05 | Max Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. | Liquid phase epitaxial process for producing three-dimensional semiconductor structures by liquid phase expitaxy |
US5628834A (en) * | 1990-03-23 | 1997-05-13 | International Business Machines Corporation | Surfactant-enhanced epitaxy |
US5997638A (en) * | 1990-03-23 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Localized lattice-mismatch-accomodation dislocation network epitaxy |
JP2003101149A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2021525961A (ja) * | 2018-05-29 | 2021-09-27 | アイキューイー ピーエルシーIQE plc | 緩衝材にわたって形成される光電子デバイス |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP60240166A patent/JPS6298614A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5326716A (en) * | 1986-02-11 | 1994-07-05 | Max Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. | Liquid phase epitaxial process for producing three-dimensional semiconductor structures by liquid phase expitaxy |
US5397736A (en) * | 1986-02-11 | 1995-03-14 | Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften | Liquid epitaxial process for producing three-dimensional semiconductor structures |
US4897367A (en) * | 1988-03-18 | 1990-01-30 | Fujitsu Limited | Process for growing gallium arsenide on silicon substrate |
JPH01280367A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池 |
US5316615A (en) * | 1990-03-23 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Surfactant-enhanced epitaxy |
US5628834A (en) * | 1990-03-23 | 1997-05-13 | International Business Machines Corporation | Surfactant-enhanced epitaxy |
US5997638A (en) * | 1990-03-23 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Localized lattice-mismatch-accomodation dislocation network epitaxy |
JP2003101149A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2021525961A (ja) * | 2018-05-29 | 2021-09-27 | アイキューイー ピーエルシーIQE plc | 緩衝材にわたって形成される光電子デバイス |
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