JPS629723Y2 - - Google Patents
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- JPS629723Y2 JPS629723Y2 JP1981022982U JP2298281U JPS629723Y2 JP S629723 Y2 JPS629723 Y2 JP S629723Y2 JP 1981022982 U JP1981022982 U JP 1981022982U JP 2298281 U JP2298281 U JP 2298281U JP S629723 Y2 JPS629723 Y2 JP S629723Y2
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- Japan
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- chip
- film carrier
- insulating resin
- hole
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- Expired
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、IC等のチツプをフイルムキヤリヤ
に取り付けるチツプ実装構造に関する。
に取り付けるチツプ実装構造に関する。
一般に、フイルムキヤリヤにチツプより大きい
孔を設けてその孔にインナリードを突設し、IC
等のチツプをギヤングボンデイングして樹脂剤で
被うようにしたチツプ実装構造にあつては、チツ
プをインナリード側から載置してボンデイング
し、樹脂剤を両側から充填して硬化させている。
このような実装構造にするのは、もし、チツプを
フイルムキヤリヤ側から孔に挿入してギヤングボ
ンデイングし、両側から樹脂剤を充填するように
すると、樹脂剤は、フイルムキヤリヤの外方に大
きく盛り上がつて硬化し、却つてチツプ実装後の
フイルムキヤリヤが厚くなるからである。
孔を設けてその孔にインナリードを突設し、IC
等のチツプをギヤングボンデイングして樹脂剤で
被うようにしたチツプ実装構造にあつては、チツ
プをインナリード側から載置してボンデイング
し、樹脂剤を両側から充填して硬化させている。
このような実装構造にするのは、もし、チツプを
フイルムキヤリヤ側から孔に挿入してギヤングボ
ンデイングし、両側から樹脂剤を充填するように
すると、樹脂剤は、フイルムキヤリヤの外方に大
きく盛り上がつて硬化し、却つてチツプ実装後の
フイルムキヤリヤが厚くなるからである。
そこで、従来から、この種の構造として次のも
のが知られている。その１つは、第１図に示すよ
うに、ポリイミドで作られた薄板状のフイルムキ
ヤリヤ１にIC等のチツプ２を取り付けるための
孔３を設け、フイルムキヤリヤ１の片面に銅箔に
よる導電部４を設けてその導電部４の一端をイン
ナリード５として孔３に突設する。インナリード
５には、チツプ２のバンプ２ａを導電部４側から
ギヤングボンデイングしてチツプ２を接続固定す
る。そして、チツプ２を被うようにしてフイルム
キヤリヤ１の両面から硬化性の絶縁樹脂６を充填
して封止用の保護層を形成する。
のが知られている。その１つは、第１図に示すよ
うに、ポリイミドで作られた薄板状のフイルムキ
ヤリヤ１にIC等のチツプ２を取り付けるための
孔３を設け、フイルムキヤリヤ１の片面に銅箔に
よる導電部４を設けてその導電部４の一端をイン
ナリード５として孔３に突設する。インナリード
５には、チツプ２のバンプ２ａを導電部４側から
ギヤングボンデイングしてチツプ２を接続固定す
る。そして、チツプ２を被うようにしてフイルム
キヤリヤ１の両面から硬化性の絶縁樹脂６を充填
して封止用の保護層を形成する。
また、他のものは、第２図に示す如く、フイル
ムキヤリヤ８にチツプを取り付けるための孔９を
設け、フイルムキヤリヤ８の片面に銅箔による導
電部１０を設けるとともに、その一端をチツプ取
付孔９に突出してインナリード１１とする。イン
ナリード１１には、IC等のチツプ１２をギヤン
グボンデイングして接続固定する。フイルムキヤ
リヤ８の他の面は、薄い金属製の補強板１３を固
着する。この補強板１３は、孔９より僅かに大き
い貫通孔１４で孔９を囲むように設置され、薄板
状のフイルムキヤリヤ８の補強をするとともに、
孔９に充填する絶縁樹脂１５の流れ防止の役をす
る。絶縁樹脂１５は硬化性のもので、孔９に両面
から充填後、チツプ１２のバンプ１２ａとインナ
リード１１を被つた状態で硬化して保護層にな
る。
ムキヤリヤ８にチツプを取り付けるための孔９を
設け、フイルムキヤリヤ８の片面に銅箔による導
電部１０を設けるとともに、その一端をチツプ取
付孔９に突出してインナリード１１とする。イン
ナリード１１には、IC等のチツプ１２をギヤン
グボンデイングして接続固定する。フイルムキヤ
リヤ８の他の面は、薄い金属製の補強板１３を固
着する。この補強板１３は、孔９より僅かに大き
い貫通孔１４で孔９を囲むように設置され、薄板
状のフイルムキヤリヤ８の補強をするとともに、
孔９に充填する絶縁樹脂１５の流れ防止の役をす
る。絶縁樹脂１５は硬化性のもので、孔９に両面
から充填後、チツプ１２のバンプ１２ａとインナ
リード１１を被つた状態で硬化して保護層にな
る。
しかし、上記したような従来のチツプ実装構造
によれば、前者の場合は、絶縁樹脂を充填した際
にチツプ取付孔から絶縁樹脂があふれて流れ出
し、硬化後の保護層の占める面積が大きくなる欠
点がある。また、フイルムキヤリヤと絶縁樹脂だ
けでは耐衝撃性に対する信頼が確保できない欠点
がある。一方、後者の場合は、補強板によつて前
述の欠点は解消されるものの、厚くなる欠点があ
り、電子腕時計等のように薄型化を要求される製
品に対しては適さない。
によれば、前者の場合は、絶縁樹脂を充填した際
にチツプ取付孔から絶縁樹脂があふれて流れ出
し、硬化後の保護層の占める面積が大きくなる欠
点がある。また、フイルムキヤリヤと絶縁樹脂だ
けでは耐衝撃性に対する信頼が確保できない欠点
がある。一方、後者の場合は、補強板によつて前
述の欠点は解消されるものの、厚くなる欠点があ
り、電子腕時計等のように薄型化を要求される製
品に対しては適さない。
本考案は、叙上のような事情から従来の欠点を
無くし、しかも、チツプをフイルムキヤリヤ側か
らチツプ取付孔に挿入してギヤングボンデイング
しても、硬化後の樹脂剤が盛り上ることなく全体
的に薄くなるチツプ実装構造を提供する目的にあ
る。その要旨とするところは、フイルムキヤリヤ
に設けるインナリードにチツプをフイルムキヤリ
ヤ側から挿入して接続固定し、ガラス繊維布に硬
化性の絶縁樹脂を含浸させるとともに、そのガラ
ス繊維布上に前記絶縁樹脂の層を設ける樹脂シー
トをフイルムキヤリヤのインナリード側から溶融
固着してチツプを被う保護層を形成することにあ
る。
無くし、しかも、チツプをフイルムキヤリヤ側か
らチツプ取付孔に挿入してギヤングボンデイング
しても、硬化後の樹脂剤が盛り上ることなく全体
的に薄くなるチツプ実装構造を提供する目的にあ
る。その要旨とするところは、フイルムキヤリヤ
に設けるインナリードにチツプをフイルムキヤリ
ヤ側から挿入して接続固定し、ガラス繊維布に硬
化性の絶縁樹脂を含浸させるとともに、そのガラ
ス繊維布上に前記絶縁樹脂の層を設ける樹脂シー
トをフイルムキヤリヤのインナリード側から溶融
固着してチツプを被う保護層を形成することにあ
る。
以下に本考案の実施例を図に基づいてさらに説
明する。第３図において、符号２１がフイルムキ
ヤリヤである。このフイルムキヤリヤ２１は、第
１図および第２図で示すフイルムキヤリヤ１，８
と同様な構成を有している。すなわち、フイルム
キヤリヤ２１は、ポリイミド等の絶縁性材料から
なる可撓性の基板であり、その中間部にチツプ取
付孔２２を設けている。フイルムキヤリヤ２１の
一方の面は、プリント配線された銅箔による導電
部２３を有し、その一端はチツプ取付孔２２に突
出してインナリード２４を形成する。。チツプ取
付孔２２には、IC，LSI等のチツプ２５を挿入し
てチツプ２５のバンプ２５ａをインナリード２４
に接続固定する。フイルムキヤリヤ２１の他方の
面は、補強板２６を固着する。この補強板２６
は、ステンレス鋼または黄銅の薄い金属板であ
り、、チツプ取付孔２２より僅かに大きい孔２７
を有してその孔２７でチツプ取付孔２２を囲むよ
うに設置される。
明する。第３図において、符号２１がフイルムキ
ヤリヤである。このフイルムキヤリヤ２１は、第
１図および第２図で示すフイルムキヤリヤ１，８
と同様な構成を有している。すなわち、フイルム
キヤリヤ２１は、ポリイミド等の絶縁性材料から
なる可撓性の基板であり、その中間部にチツプ取
付孔２２を設けている。フイルムキヤリヤ２１の
一方の面は、プリント配線された銅箔による導電
部２３を有し、その一端はチツプ取付孔２２に突
出してインナリード２４を形成する。。チツプ取
付孔２２には、IC，LSI等のチツプ２５を挿入し
てチツプ２５のバンプ２５ａをインナリード２４
に接続固定する。フイルムキヤリヤ２１の他方の
面は、補強板２６を固着する。この補強板２６
は、ステンレス鋼または黄銅の薄い金属板であ
り、、チツプ取付孔２２より僅かに大きい孔２７
を有してその孔２７でチツプ取付孔２２を囲むよ
うに設置される。
第４図は、樹脂シート２８の断面図である。こ
の樹脂シート２８は、チツプ取付孔２２より若干
大きい面積を有し、複数のガラス繊維で編んだガ
ラス繊維布２９にエポキシ樹脂等の熱硬化性絶縁
樹脂を含浸させ、さらに、ガラス繊維布２９上に
前記絶縁樹脂の層３０を設けたものである。この
樹脂シート２８を、第３図の状態におけるフイル
ムキヤリヤ２１のインナリード２４側からチツプ
取付孔２２に被せるように載置して加熱炉中で溶
融固着する。加熱後の樹脂シート２８は、第５図
に示すように、層３０の絶縁樹脂がインナリード
２４を通り越してチツプ２５の側面に回り込んで
硬化し、チツプ２５のバンプ２５ａおよびインナ
リード２４を被う保護層が形成される。
の樹脂シート２８は、チツプ取付孔２２より若干
大きい面積を有し、複数のガラス繊維で編んだガ
ラス繊維布２９にエポキシ樹脂等の熱硬化性絶縁
樹脂を含浸させ、さらに、ガラス繊維布２９上に
前記絶縁樹脂の層３０を設けたものである。この
樹脂シート２８を、第３図の状態におけるフイル
ムキヤリヤ２１のインナリード２４側からチツプ
取付孔２２に被せるように載置して加熱炉中で溶
融固着する。加熱後の樹脂シート２８は、第５図
に示すように、層３０の絶縁樹脂がインナリード
２４を通り越してチツプ２５の側面に回り込んで
硬化し、チツプ２５のバンプ２５ａおよびインナ
リード２４を被う保護層が形成される。
従つて、本考案によれば、ガラス繊維布に絶縁
樹脂の層を設けた樹脂シートをフイルムキヤリヤ
のインナリード側から溶融固着するので、チツプ
の保護層はガラス繊維布で塞がれたチツプ取付孔
内に収まり、厚さが一定して薄くなる。また、従
来のように絶縁樹脂をフイルムキヤリヤの両面か
ら充填することなく片側から充填するので、最終
工程での作業上の手間が省かれる。
樹脂の層を設けた樹脂シートをフイルムキヤリヤ
のインナリード側から溶融固着するので、チツプ
の保護層はガラス繊維布で塞がれたチツプ取付孔
内に収まり、厚さが一定して薄くなる。また、従
来のように絶縁樹脂をフイルムキヤリヤの両面か
ら充填することなく片側から充填するので、最終
工程での作業上の手間が省かれる。
第１図は従来のチツプ実装構造の断面図、第２
図は第１図のものを改良した従来のチツプ実装構
造の断面図、第３図は本考案の実施例を示すフイ
ルムキヤリヤにチツプを載置した状態の断面図、
第４図は樹脂シートの断面図、第５図はチツプ実
装構造の断面図である。 ２１……フイルムキヤリヤ、２２……チツプ取
付孔、２４……インナリード、２５……チツプ、
２８……樹脂シート、２９……ガラス繊維布、３
０……絶縁樹脂の層。
図は第１図のものを改良した従来のチツプ実装構
造の断面図、第３図は本考案の実施例を示すフイ
ルムキヤリヤにチツプを載置した状態の断面図、
第４図は樹脂シートの断面図、第５図はチツプ実
装構造の断面図である。 ２１……フイルムキヤリヤ、２２……チツプ取
付孔、２４……インナリード、２５……チツプ、
２８……樹脂シート、２９……ガラス繊維布、３
０……絶縁樹脂の層。
Claims (1)
- フイルムキヤリヤのチツプ取付孔にインナリー
ドを設けてチツプを前記フイルムキヤリヤ側から
挿入してボンデイングし、ガラス繊維布に硬化性
の絶縁樹脂を含浸させるとともに、そのガラス繊
維布上に前記絶縁樹脂の層を設ける樹脂シートを
前記フイルムキヤリヤのインナリード側から溶融
固着して前記絶縁樹脂で前記チツプを被う保護層
を形成することを特徴とするチツプ実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981022982U JPS629723Y2 (ja) | 1981-02-20 | 1981-02-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981022982U JPS629723Y2 (ja) | 1981-02-20 | 1981-02-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57135744U JPS57135744U (ja) | 1982-08-24 |
| JPS629723Y2 true JPS629723Y2 (ja) | 1987-03-06 |
Family
ID=29820752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981022982U Expired JPS629723Y2 (ja) | 1981-02-20 | 1981-02-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629723Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60106153A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116877A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-10 | Sharp Kk |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5749397Y2 (ja) * | 1978-03-24 | 1982-10-29 |
-
1981
- 1981-02-20 JP JP1981022982U patent/JPS629723Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5116877A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-10 | Sharp Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57135744U (ja) | 1982-08-24 |
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