JPS629638A - 選択エツチング方法 - Google Patents
選択エツチング方法Info
- Publication number
- JPS629638A JPS629638A JP14889585A JP14889585A JPS629638A JP S629638 A JPS629638 A JP S629638A JP 14889585 A JP14889585 A JP 14889585A JP 14889585 A JP14889585 A JP 14889585A JP S629638 A JPS629638 A JP S629638A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etched
- photoresist
- organic solvent
- resist
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造工程におけるエツチング方
法に関し、特に５ｉＯｚ膜をテーパ状にエツチングする
方法に関するものである。
法に関し、特に５ｉＯｚ膜をテーパ状にエツチングする
方法に関するものである。
口）従来の技術
半導体基板への不純物導入のための基本プロセス技術で
あるイオン注入技術において、５ｉ０２膜はイオン注入
領域の決定と基板表面の保護に用いられている。そして
不純物の横方向ファイル制御のために、特にイオン注入
層のエツジ部分における電界集中を避けるために、５ｉ
Ｏｚ膜をテーパ状にエツチングしたテーパ窓からのイオ
ン注入を行っている。また多層デバイスにおいても、配
線の断線を避ける上でテーパエツチングは重要な技術で
ある。
あるイオン注入技術において、５ｉ０２膜はイオン注入
領域の決定と基板表面の保護に用いられている。そして
不純物の横方向ファイル制御のために、特にイオン注入
層のエツジ部分における電界集中を避けるために、５ｉ
Ｏｚ膜をテーパ状にエツチングしたテーパ窓からのイオ
ン注入を行っている。また多層デバイスにおいても、配
線の断線を避ける上でテーパエツチングは重要な技術で
ある。
従来からテーバエツチングを得る方法として、例えば「
最新ＬＳＩプロセス技術、前田和夫著、工業調査会、第
２７５頁乃至第２７７頁にあるように、テーパコントロ
ール層としてＰＳＧ層（３２）をＳｉＯ２層（３１）上
に形成し、ＰＳＧとＳｉＯ２とのエツチング速度の差（
ＰＳＧの方がＳｉＯ２より３倍程速い）を利用してテー
パエツチングを行っている（第３図）、ここで〈３３）
はホトレジストである。しかし、テーバコントロール層
を形成するための装置が必要であり工程数が増加すると
いう欠点がある。また５ｉｎ２のＮＨ４ＦとＨＦの混合
液からなるエツチング液の組成比（混合比）やエツチン
グ温度によってテーパエツチングを行う方法もあるが、
再現性が悪いという問題がある。
最新ＬＳＩプロセス技術、前田和夫著、工業調査会、第
２７５頁乃至第２７７頁にあるように、テーパコントロ
ール層としてＰＳＧ層（３２）をＳｉＯ２層（３１）上
に形成し、ＰＳＧとＳｉＯ２とのエツチング速度の差（
ＰＳＧの方がＳｉＯ２より３倍程速い）を利用してテー
パエツチングを行っている（第３図）、ここで〈３３）
はホトレジストである。しかし、テーバコントロール層
を形成するための装置が必要であり工程数が増加すると
いう欠点がある。また５ｉｎ２のＮＨ４ＦとＨＦの混合
液からなるエツチング液の組成比（混合比）やエツチン
グ温度によってテーパエツチングを行う方法もあるが、
再現性が悪いという問題がある。
ハ） 発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の点に鑑みてなきれたもので、再現性が良
く、容易にテーパエツチングの得られる選択エツチング
方法を提供するものである。
く、容易にテーパエツチングの得られる選択エツチング
方法を提供するものである。
二） 問題点を解決するための手段
本発明は被エツチング体上にパターン形成きれたレジス
トをマスクとして、これら被エツチング体及びレジスト
を有機溶剤に浸す処理を行ってから前記被エツチング体
のケミカルエツチングを行う選択エツチング方法である
。
トをマスクとして、これら被エツチング体及びレジスト
を有機溶剤に浸す処理を行ってから前記被エツチング体
のケミカルエツチングを行う選択エツチング方法である
。
ホ） 作用
被エツチング体とレジストを有機溶剤に浸す事に依って
、レジストと被エツチング体との密着性が低下するので
、ケミカルエツチングを行った場合、被エツチング体の
レジストとの接着界面でのエツチングが速く進み、被エ
ツチング体はテーバ状にエツチングされる。
、レジストと被エツチング体との密着性が低下するので
、ケミカルエツチングを行った場合、被エツチング体の
レジストとの接着界面でのエツチングが速く進み、被エ
ツチング体はテーバ状にエツチングされる。
へ） 実施例
第１図Ａ乃至Ｃは本発明の選択エツチング方法の概略説
明図である。（１）は半導体基板、（２）は該半導体基
板（１）上に形成した５ｉＯｚ膜、（３）は該ＳｉＯ２
［（２）上に形成されたホトレジストで、該ホトレジス
ト（３）は所望領域に微細パターンの窓開けがなされて
いる（第１図Ａ）、この状態で有機溶剤（例えばアセト
ン、メタノール及ヒエタノール等）に浸す、アセトンを
用いる場合、処理時間は２乃至８秒に設定する（長時間
に及ぶと前記ホトレジスト（３）が剥離してしまう）、
そしてｐＨ−４，０乃至４．５のＮＨａＦとＨＦの混合
液からなるパップアートエッチャントで前記５ｉＯｚ膜
（２）のエツチングを行う（第１図Ｂ）、この時、該５
ｉ０２膜（２）は、前記ホトレジスト（３）との界面の
密着性が弱まっているため、横方向のエツチングが速く
進みテーパ状にエツチングされる。
明図である。（１）は半導体基板、（２）は該半導体基
板（１）上に形成した５ｉＯｚ膜、（３）は該ＳｉＯ２
［（２）上に形成されたホトレジストで、該ホトレジス
ト（３）は所望領域に微細パターンの窓開けがなされて
いる（第１図Ａ）、この状態で有機溶剤（例えばアセト
ン、メタノール及ヒエタノール等）に浸す、アセトンを
用いる場合、処理時間は２乃至８秒に設定する（長時間
に及ぶと前記ホトレジスト（３）が剥離してしまう）、
そしてｐＨ−４，０乃至４．５のＮＨａＦとＨＦの混合
液からなるパップアートエッチャントで前記５ｉＯｚ膜
（２）のエツチングを行う（第１図Ｂ）、この時、該５
ｉ０２膜（２）は、前記ホトレジスト（３）との界面の
密着性が弱まっているため、横方向のエツチングが速く
進みテーパ状にエツチングされる。
最後にホトレジスト（３）を除去してエツチング工程を
終了する。
終了する。
第２図に５ｉｆ２膜のエツチングテーパ角θと有機溶剤
（ここではアセトン）に浸す処理時間との関係を示す、
アセトンの温度は２０℃、エツチング時間はオーバーエ
ツチングが零、即ちジャストエツチングの状態となる時
間を設定している。第２図かられかる様に、アセトンに
浸す処理時間に依って５ｉ０２膜のエツチングテーパ角
θが制御されている。
（ここではアセトン）に浸す処理時間との関係を示す、
アセトンの温度は２０℃、エツチング時間はオーバーエ
ツチングが零、即ちジャストエツチングの状態となる時
間を設定している。第２図かられかる様に、アセトンに
浸す処理時間に依って５ｉ０２膜のエツチングテーパ角
θが制御されている。
ト） 発明の効果
本発明は以上の説明から明らかな如く、有機溶剤に浸す
事に依り５ｉｎ２膜とホトレジストの密着性が弱まるの
で、エツチングを行うと５ｉ０２膜のテーバエツチング
が容易に得られる。また、有機溶剤に浸す処理時間に依
ってテーパ角の制御が可能となり、再現性の向上が望め
る。
事に依り５ｉｎ２膜とホトレジストの密着性が弱まるの
で、エツチングを行うと５ｉ０２膜のテーバエツチング
が容易に得られる。また、有機溶剤に浸す処理時間に依
ってテーパ角の制御が可能となり、再現性の向上が望め
る。
第１図Ａ乃至Ｃは本発明選択エツチング方法の工程説明
図、第２図はテーパ角と処理時間の関係を示す図、第３
図は従来のエツチング方法の説明図である。 （１）・・・半導体基板、（２）・・・ＳｉＯ２膜、（
３）・・・ホトレジスト。
図、第２図はテーパ角と処理時間の関係を示す図、第３
図は従来のエツチング方法の説明図である。 （１）・・・半導体基板、（２）・・・ＳｉＯ２膜、（
３）・・・ホトレジスト。
Claims (1)
- １）被エッチング体上にパターン形成されたレジストを
マスクとして、これら被エッチング体及びレジストを有
機溶剤に浸す処理を行ってから、前記被エッチング体の
ケミカルエッチングを行う事を特徴とする選択エッチン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14889585A JPS629638A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 選択エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14889585A JPS629638A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 選択エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629638A true JPS629638A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15463087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14889585A Pending JPS629638A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 選択エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629638A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8147940B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-04-03 | Builmatel Co., Ltd. | Piece of cloth and cloth product consisting of a large number of pieces of cloth |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14889585A patent/JPS629638A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8147940B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-04-03 | Builmatel Co., Ltd. | Piece of cloth and cloth product consisting of a large number of pieces of cloth |
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