JPS629621A - 基板加熱装置および基板加熱方法 - Google Patents
基板加熱装置および基板加熱方法Info
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- JPS629621A JPS629621A JP14891585A JP14891585A JPS629621A JP S629621 A JPS629621 A JP S629621A JP 14891585 A JP14891585 A JP 14891585A JP 14891585 A JP14891585 A JP 14891585A JP S629621 A JPS629621 A JP S629621A
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- power supply
- supply terminal
- heating
- heater
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、加熱を要する基板の基板加熱装置および基板
加熱方法に関するものである。
加熱方法に関するものである。
従来の技術
従来、真空蒸着装置、スパッタリングｖｔＷ１、ＣｖＤ
装置、あるいはドライエツチングｖＬｌｆｆなどにおい
ては、形成する膜やエツチングの性質に応じて、膜形成
時やエツチング時に基板を加熱し、その温度を制御する
φ要がある。さらに、熱処理や膜形成の場合は、特に他
の不純物の混入を避けるため、第７図に示すように、複
数の室をもつ８Ｎが用いられている。第７図において、
１．２４よ室、３（よ基板、４は基板支持部、５は加熱
ヒータ部、６はゲート、７は基板取出口である。熱処理
の場合では、室１と室２とで温度を変えて基板３の処理
を行なったり、室１と室２とで熱処理時に導入する気体
を変え、て連続的に基板３の処理を行なう。膜形成時な
どの場合は、室１を基板３の取り出しや挿入に用い、室
２で膜を形成するといった方法を用いる。以上ように複
数の室１．２で形成されている装置では、基板３は搬送
式となっている。第７図の場合、基板３は室１からゲー
ト６を通過して室２へと搬送される。このため基板３の
加熱は、第８図に示すように、加熱ヒータ一部５と基板
３とが離れており、主として加熱ヒータ一部５からの輻
射熱や、導入する気体の熱伝導を利用する。
装置、あるいはドライエツチングｖＬｌｆｆなどにおい
ては、形成する膜やエツチングの性質に応じて、膜形成
時やエツチング時に基板を加熱し、その温度を制御する
φ要がある。さらに、熱処理や膜形成の場合は、特に他
の不純物の混入を避けるため、第７図に示すように、複
数の室をもつ８Ｎが用いられている。第７図において、
１．２４よ室、３（よ基板、４は基板支持部、５は加熱
ヒータ部、６はゲート、７は基板取出口である。熱処理
の場合では、室１と室２とで温度を変えて基板３の処理
を行なったり、室１と室２とで熱処理時に導入する気体
を変え、て連続的に基板３の処理を行なう。膜形成時な
どの場合は、室１を基板３の取り出しや挿入に用い、室
２で膜を形成するといった方法を用いる。以上ように複
数の室１．２で形成されている装置では、基板３は搬送
式となっている。第７図の場合、基板３は室１からゲー
ト６を通過して室２へと搬送される。このため基板３の
加熱は、第８図に示すように、加熱ヒータ一部５と基板
３とが離れており、主として加熱ヒータ一部５からの輻
射熱や、導入する気体の熱伝導を利用する。
また第９図に示すように、基板３を有する基板支持部４
が搬送されてきて、加熱ヒータ一部５に接触する構造で
加熱されるものもある。
が搬送されてきて、加熱ヒータ一部５に接触する構造で
加熱されるものもある。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来の方式では、第８図の場
合は、加熱ヒータ一部５の輻射熱や導入する気体の熱伝
導によって基板３を加熱）るので、加熱ヒータ一部５の
温度は基板３の温度よりも高い。加熱条件や装置形状に
もよるが、真空中では基板３の温度２５０℃に対して、
加熱ヒータ一部５の温度はおよそ５００℃〜７００℃と
いうデーターを得ている。したがって熱の利用効率が悪
く、基板温度の制御性も悪い。さらに５ｉｆｔ４ガスな
どの熱分離性気体を導入する際には、加熱ヒータ一部５
が高温であると、加熱ヒータ一部５付近で導入した気体
が熱分解してしまうという問題があった。
合は、加熱ヒータ一部５の輻射熱や導入する気体の熱伝
導によって基板３を加熱）るので、加熱ヒータ一部５の
温度は基板３の温度よりも高い。加熱条件や装置形状に
もよるが、真空中では基板３の温度２５０℃に対して、
加熱ヒータ一部５の温度はおよそ５００℃〜７００℃と
いうデーターを得ている。したがって熱の利用効率が悪
く、基板温度の制御性も悪い。さらに５ｉｆｔ４ガスな
どの熱分離性気体を導入する際には、加熱ヒータ一部５
が高温であると、加熱ヒータ一部５付近で導入した気体
が熱分解してしまうという問題があった。
また第９図の場合は、基板支持部４を加熱ヒータ一部５
に接触させて加熱を行なっており、加熱ヒータ一部５と
基板支持部４との密着度の違いによって熱の伝導性が異
なり、基板３の温度の分布が基板平面上で均一でなくな
るという問題があった。
に接触させて加熱を行なっており、加熱ヒータ一部５と
基板支持部４との密着度の違いによって熱の伝導性が異
なり、基板３の温度の分布が基板平面上で均一でなくな
るという問題があった。
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、熱の利用
効率および温度制御性に優れ、さらには温度分布の一様
な基板の加熱装置および加熱方法を提供することを目的
とする。
効率および温度制御性に優れ、さらには温度分布の一様
な基板の加熱装置および加熱方法を提供することを目的
とする。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため、本発明の基板加熱装置は、
基板を支持する基板支持体と、前記基板を加熱する加熱
体と、この加熱体に加熱用電源を供給するための加熱用
電源端子とを一体に移動可能に設けると共に、所定位置
にて前記加熱用電源端子に当接離間可能な電力供給端子
を設けた構成としたものである。
基板を支持する基板支持体と、前記基板を加熱する加熱
体と、この加熱体に加熱用電源を供給するための加熱用
電源端子とを一体に移動可能に設けると共に、所定位置
にて前記加熱用電源端子に当接離間可能な電力供給端子
を設けた構成としたものである。
また本発明の基板加熱方法は、基板を支持する基板支持
体と、前記基板を加熱する加熱体と、この加熱体に加熱
用電源を供給するための加熱用電源端子とを一体に構成
して成り、かつ第１の処理室と第２の処理室との間を往
復移動可能な基板加熱装置本体と、前記第１の処理室お
よび第２の処理室に各々設置されて前記加熱用電源端子
に当接離間可能な電力供給端子とを用い、第１の処理室
にて電力供給端子を加熱用電源端子に当接させて加熱体
により基板支持体に支持された基板を加熱した後、電力
供給端子を加熱用電源端子から離間させ、基板加熱装置
本体を第２の処理室へ移動させ、第２の処理室の電力供
給端子をｂＯ熱熱電電源端子当接させて基板を加熱する
ものである。
体と、前記基板を加熱する加熱体と、この加熱体に加熱
用電源を供給するための加熱用電源端子とを一体に構成
して成り、かつ第１の処理室と第２の処理室との間を往
復移動可能な基板加熱装置本体と、前記第１の処理室お
よび第２の処理室に各々設置されて前記加熱用電源端子
に当接離間可能な電力供給端子とを用い、第１の処理室
にて電力供給端子を加熱用電源端子に当接させて加熱体
により基板支持体に支持された基板を加熱した後、電力
供給端子を加熱用電源端子から離間させ、基板加熱装置
本体を第２の処理室へ移動させ、第２の処理室の電力供
給端子をｂＯ熱熱電電源端子当接させて基板を加熱する
ものである。
作用
上記基板加熱装置によれば、加熱体の電源を着脱式にす
ることにより加熱体を移動可能とし、かつ加熱体と基板
支持体とを一体にして熱伝導を良くしている。したがっ
て、基板の温度分布や温度制御性が改善されるとともに
、加熱体の温度と基板温度との差が小さくなり、加熱効
率が改善され、熱分解性気体の導入時にも加熱体付近で
の熱分解の発生を防止できる。
ることにより加熱体を移動可能とし、かつ加熱体と基板
支持体とを一体にして熱伝導を良くしている。したがっ
て、基板の温度分布や温度制御性が改善されるとともに
、加熱体の温度と基板温度との差が小さくなり、加熱効
率が改善され、熱分解性気体の導入時にも加熱体付近で
の熱分解の発生を防止できる。
また上記基板加熱方法によれば、互いに条件の事なる第
１の処理室および第２の処理室での基板の加熱において
、上記基板加熱装置の特徴を充分に発揮させることがで
きる。
１の処理室および第２の処理室での基板の加熱において
、上記基板加熱装置の特徴を充分に発揮させることがで
きる。
実施例
以下、本発明の実施例を第１図〜第６図に基づいて説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例における基板加熱装置の概略
断面図で、１１は基板、１２は基板支持部、１３は加熱
ヒータ一部、１４はヒーター電源端子、１５は電力供給
端子である。基体支持部１２と加熱ヒータ一部１３とヒ
ーター電源端子１４とは一体をなしており、基体支持部
１２に基板１１を取り付ける。基板１１は横方向に搬送
可能となっており、基板１１を、加熱サベさ所定の位置
に基板支持部１２および加熱ヒータ一部１３ごと搬送し
、上下動可能な電力供給端子１５を下げ、ヒーター電源
端子１４に接続して電源を加熱ヒータ一部１３内のヒー
ターに供給し、ヒーターを加熱する。基板１１の搬送時
には、電源供給端子１５を上げることによって、基板１
１の搬送が可能となる。
断面図で、１１は基板、１２は基板支持部、１３は加熱
ヒータ一部、１４はヒーター電源端子、１５は電力供給
端子である。基体支持部１２と加熱ヒータ一部１３とヒ
ーター電源端子１４とは一体をなしており、基体支持部
１２に基板１１を取り付ける。基板１１は横方向に搬送
可能となっており、基板１１を、加熱サベさ所定の位置
に基板支持部１２および加熱ヒータ一部１３ごと搬送し
、上下動可能な電力供給端子１５を下げ、ヒーター電源
端子１４に接続して電源を加熱ヒータ一部１３内のヒー
ターに供給し、ヒーターを加熱する。基板１１の搬送時
には、電源供給端子１５を上げることによって、基板１
１の搬送が可能となる。
この基板加熱装置を用いて、例えば真空の第１および第
２の処理室における基板１１の加熱を行なう場合、第１
の処理室にて電力供給端子１５をヒーター電源端子１４
に当接させて、加熱ヒータ一部１３により、基板支持部
１２に支持された基板１１を加熱し、この後、電力供給
端子１５をヒーター電源端子１４から離間させ、次に処
理室間を仕切るゲートを開けて基板指示部１２および加
熱ヒータ一部１３を第２の処理室へ移動させ、ゲートを
閉じた後、第２の処理室の電力供給端子１５をヒーター
電源端子１４に当接させて、基板１１を加熱する。
２の処理室における基板１１の加熱を行なう場合、第１
の処理室にて電力供給端子１５をヒーター電源端子１４
に当接させて、加熱ヒータ一部１３により、基板支持部
１２に支持された基板１１を加熱し、この後、電力供給
端子１５をヒーター電源端子１４から離間させ、次に処
理室間を仕切るゲートを開けて基板指示部１２および加
熱ヒータ一部１３を第２の処理室へ移動させ、ゲートを
閉じた後、第２の処理室の電力供給端子１５をヒーター
電源端子１４に当接させて、基板１１を加熱する。
第２図（＾）〜（０）各々ヒーター電源端子１４と電力
供給端子１５との接触部の構造を示しており、第２図（
＾）の場合、電力供給端子１５の先端部に円錐状の先細
り部１５ａ＠設けている。接続時には、電力供給端子１
５を下ろしてヒーター電源端子１４に接続し、さらに圧
力を加えて接触を良くする。第２図（Ｂ）の場合、ヒー
ター電源端子１４に、先細り部１５ａが嵌入する円錐状
の凹部１４ａを設けている。
供給端子１５との接触部の構造を示しており、第２図（
＾）の場合、電力供給端子１５の先端部に円錐状の先細
り部１５ａ＠設けている。接続時には、電力供給端子１
５を下ろしてヒーター電源端子１４に接続し、さらに圧
力を加えて接触を良くする。第２図（Ｂ）の場合、ヒー
ター電源端子１４に、先細り部１５ａが嵌入する円錐状
の凹部１４ａを設けている。
接続時には、電力供給端子１５を下ろして接続する。
この際、凹部１４ａにより基板の位置を固定できる。
第２図（Ｃ）の場合、電力供給端子１５の先端部に、ヒ
ーター電源端子１４と同径の大径部１５ｂを設けている
。これは、大径部１５ｂにより接触面積を大きくできる
。第２図（Ｄ）の場合、ヒーター電源端子１４及び電力
供給端子１５に互いに螺合するねじ部１４ｂ、 １５ｃ
を設けている。第２図（Ｅ）の場合、ヒーター電源端子
１４に、穴１４ｃを設け、この穴１４ｃ内に、電力供給
端子１５を挟み込むスプリング１４ｄを設けている。電
力供給端子１５を下ろした際、スプリング１４ｄに接し
て接続がなされる。第２図（Ｆ）の場合、ヒーター電源
端子１４の先端部に、低融点金属１４ｄを設けている。
ーター電源端子１４と同径の大径部１５ｂを設けている
。これは、大径部１５ｂにより接触面積を大きくできる
。第２図（Ｄ）の場合、ヒーター電源端子１４及び電力
供給端子１５に互いに螺合するねじ部１４ｂ、 １５ｃ
を設けている。第２図（Ｅ）の場合、ヒーター電源端子
１４に、穴１４ｃを設け、この穴１４ｃ内に、電力供給
端子１５を挟み込むスプリング１４ｄを設けている。電
力供給端子１５を下ろした際、スプリング１４ｄに接し
て接続がなされる。第２図（Ｆ）の場合、ヒーター電源
端子１４の先端部に、低融点金属１４ｄを設けている。
低融点金属１４ｄは、たとえば１１ｇ、Ｉｎ、Ｇａなど
ｒ−アロ。
ｒ−アロ。
第３図（Ａ）〜（Ｄ）は各々ヒーター電源端子１４およ
び電力供給端子１５の配置の変形例を示しており、第３
図（Ａ）の場合は基板１１と同じ側にヒーター電源端子
１４を設けている。第３図（Ｂ）の場合は加熱ヒータ一
部１３の側面にヒーター電源端子１４を設けている。第
３図（Ｃ）の場合は上下方向にはさみこむ形でヒーター
電源端子１４を設けている。第３図（［］）は横方向に
はさみこむ形でヒーター電源端子１４を設けている。い
ずれの場合も第１図の場合の原理と同じであり、他にも
ヒーター電源端子１４の位置により蜂々な組み合わせも
可能になるが、木質的に第１図の場合と同じである。
び電力供給端子１５の配置の変形例を示しており、第３
図（Ａ）の場合は基板１１と同じ側にヒーター電源端子
１４を設けている。第３図（Ｂ）の場合は加熱ヒータ一
部１３の側面にヒーター電源端子１４を設けている。第
３図（Ｃ）の場合は上下方向にはさみこむ形でヒーター
電源端子１４を設けている。第３図（［］）は横方向に
はさみこむ形でヒーター電源端子１４を設けている。い
ずれの場合も第１図の場合の原理と同じであり、他にも
ヒーター電源端子１４の位置により蜂々な組み合わせも
可能になるが、木質的に第１図の場合と同じである。
なお、第１図においては基板１１が下にあり、加熱ヒー
タ一部１３が上にあるが、これらを逆にし、基板１１を
上にし、加熱ヒータ一部１３を下にした場合や、基板１
１と基板支持部１２と加熱ヒータ一部１３とを縦型にし
た場合のものなども、第１図の場合と本質的に同じであ
る。
タ一部１３が上にあるが、これらを逆にし、基板１１を
上にし、加熱ヒータ一部１３を下にした場合や、基板１
１と基板支持部１２と加熱ヒータ一部１３とを縦型にし
た場合のものなども、第１図の場合と本質的に同じであ
る。
第４図は基板１１の温度制御方式の一例を示したもので
、１６は熱雷対である。第４図（Ａ）は基板１１の搬送
時の様子を示しており、電力供給端子１５はヒーター電
源端子１４と離れており、熱雷対１６も上に上がってい
て、基板１１の搬送を妨げないようになっている。第４
図（Ｂ）は基板１１の加熱時の様子を示しており、電力
供給端子１５はヒーター電源端子１４と接続され、同時
に熱電対１６は基板１１に接し、基板１１の温度を測定
する。そして熱電対１６の出力により、図外の温度コン
トローラーなどを用いて、ヒーターに供給する電力を制
御して、基板１１の温度を制御する。
、１６は熱雷対である。第４図（Ａ）は基板１１の搬送
時の様子を示しており、電力供給端子１５はヒーター電
源端子１４と離れており、熱雷対１６も上に上がってい
て、基板１１の搬送を妨げないようになっている。第４
図（Ｂ）は基板１１の加熱時の様子を示しており、電力
供給端子１５はヒーター電源端子１４と接続され、同時
に熱電対１６は基板１１に接し、基板１１の温度を測定
する。そして熱電対１６の出力により、図外の温度コン
トローラーなどを用いて、ヒーターに供給する電力を制
御して、基板１１の温度を制御する。
第５図は基板１１の温度制御方法の別の例を示したもの
で、１７は熱雷対端子、１８は熱雷対出力端子である。
で、１７は熱雷対端子、１８は熱雷対出力端子である。
第５図（＾）は基板１１の搬送時の様子を示しており、
電力供給端子１５はヒーター電源端子１４と離れており
、熱電対出力端子１８は熱電対端子１７と離れていて、
基板１１の搬送を妨げないようになっている。第５図（
Ｂ）は基板１１の加熱時の様子を示して、おり、加熱位
置へ基板１１を搬送した後、電力供給端子１５をヒータ
ー電源端子１４に接続し、同時に熱電対出力端子１８と
熱電対端子１７とを接続し、基板１１に接している熱雷
対１６の出力により温度を制御する。
電力供給端子１５はヒーター電源端子１４と離れており
、熱電対出力端子１８は熱電対端子１７と離れていて、
基板１１の搬送を妨げないようになっている。第５図（
Ｂ）は基板１１の加熱時の様子を示して、おり、加熱位
置へ基板１１を搬送した後、電力供給端子１５をヒータ
ー電源端子１４に接続し、同時に熱電対出力端子１８と
熱電対端子１７とを接続し、基板１１に接している熱雷
対１６の出力により温度を制御する。
なお、第４図および第５図においては、熱電対１６は基
板１１の裏面に接しているが、特に基板１１の１１面に
限らず、温度の制御性の良い位置であれげどこでもよい
。
板１１の裏面に接しているが、特に基板１１の１１面に
限らず、温度の制御性の良い位置であれげどこでもよい
。
第５図はヒーターの電流制御方式の一例を示したもので
、可変電流源１９および電流計２０により加熱ヒータ一
部１３に供給する電流を制御して、基板１１の温度を制
御する。
、可変電流源１９および電流計２０により加熱ヒータ一
部１３に供給する電流を制御して、基板１１の温度を制
御する。
発明の効果
以上述べたごとく本発明の基板加熱装置によれば、基板
の加熱に際して、熱効率、温度制御性、および温度分布
の一様性を向上させることができ、さらには導入気体の
熱分解などの発生を防止できる。また本発明の基板加熱
方法によれば、互いに条件の異なる第１の処理室および
第２の処理室での基板の加熱において、本発明の基板加
熱＠置の特徴を充分に発揮させることができる。
の加熱に際して、熱効率、温度制御性、および温度分布
の一様性を向上させることができ、さらには導入気体の
熱分解などの発生を防止できる。また本発明の基板加熱
方法によれば、互いに条件の異なる第１の処理室および
第２の処理室での基板の加熱において、本発明の基板加
熱＠置の特徴を充分に発揮させることができる。
第１図ｉ本発明の一実施例における基板加熱装置の概略
断面図、第２図は同基板加熱装置のヒーター電源端子と
電力供給端子との接触部の説明図、第３図は同基板加熱
装置のヒーター電源端子の取付位置の変形例を示す概略
断面図、第４図および第５図は各々基板の温度制御方式
を示す概略断面図、第６図は加熱ヒータ一部の電力制御
方式を示す概略断面図、第７図は従来の基板加熱装置の
概略断面図、第８図および第９図は各々従来の基板加熱
装置の要部の概略断面図である。 １１・・・基板、１２・・・基板支持部、１３・・・加
熱ヒータ一部、１４・・・ヒーター電源端子、１５・・
・電力供給端子代理人 森 本 義 弘 第３図 卵 伊λ 第３図 （Ｄン Ｂ′Ｋ
断面図、第２図は同基板加熱装置のヒーター電源端子と
電力供給端子との接触部の説明図、第３図は同基板加熱
装置のヒーター電源端子の取付位置の変形例を示す概略
断面図、第４図および第５図は各々基板の温度制御方式
を示す概略断面図、第６図は加熱ヒータ一部の電力制御
方式を示す概略断面図、第７図は従来の基板加熱装置の
概略断面図、第８図および第９図は各々従来の基板加熱
装置の要部の概略断面図である。 １１・・・基板、１２・・・基板支持部、１３・・・加
熱ヒータ一部、１４・・・ヒーター電源端子、１５・・
・電力供給端子代理人 森 本 義 弘 第３図 卵 伊λ 第３図 （Ｄン Ｂ′Ｋ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板を支持する基板支持体と、前記基板を加熱する
加熱体と、この加熱体に加熱用電源を供給するための加
熱用電源端子とを一体に移動可能に設けると共に、所定
位置にて前記加熱用電源端子に当接離間可能な電力供給
端子を設けた基板加熱装置。 ２、基板を支持する基板支持体と、前記基板を加熱する
加熱体と、この加熱体に加熱用電源を供給するための加
熱用電源端子とを一体に構成して成り、かつ第１の処理
室と第２の処理室との間を往復移動可能な基板加熱装置
本体と、前記第１の処理室および第２の処理室に各々設
置されて前記加熱用電源端子に当接離間可能な電力供給
端子とを用い、第１の処理室にて電力供給端子を加熱用
電源端子に当接させて加熱体により基板支持体に支持さ
れた基板を加熱した後、電力供給端子を加熱用電源端子
から離間させ、基板加熱装置本体を第２の処理室へ移動
させ、第２の処理室の電力供給端子を加熱用電源端子に
当接させて基板を加熱する基板加熱方法。 ３、第１の処理室および第２の処理室を真空とした特許
請求の範囲第２項記載の基板加熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14891585A JPS629621A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14891585A JPS629621A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629621A true JPS629621A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15463502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14891585A Pending JPS629621A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629621A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487179A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-19 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074633A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | ロ−ドロツク装置の試料加熱方法 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14891585A patent/JPS629621A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6074633A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | ロ−ドロツク装置の試料加熱方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487179A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-19 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
| JP2518962B2 (ja) * | 1990-07-27 | 1996-07-31 | 日本碍子株式会社 | セラミックスヒ―タ― |
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