JPS6295010A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6295010A JPS6295010A JP23600685A JP23600685A JPS6295010A JP S6295010 A JPS6295010 A JP S6295010A JP 23600685 A JP23600685 A JP 23600685A JP 23600685 A JP23600685 A JP 23600685A JP S6295010 A JPS6295010 A JP S6295010A
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- Japan
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- circuit
- resistance
- semiconductor device
- transfer gate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に装置完成後に内部回路
の特性の調整を必要とする半導体装置に関する。
の特性の調整を必要とする半導体装置に関する。
従来、半導体装置においては内部回路の特性の調整のた
めに一部受動素子の値を変更する要求がしばしばある。
めに一部受動素子の値を変更する要求がしばしばある。
その例としてシュミットトリガ回路での回路しきい値電
圧を変える場合変更を要求される受動素子は抵抗であり
、ＣＲ発振回路において周波数を変える場合その変更を
要求される受動素子は抵抗及び容量である。その−例と
して第２図及び第３図を参照してシュミットトリガ回路
の場合について説明する。第２図はシュミットトリガ回
路の回路図、第３図はその各部波形図を示し、インバー
タＭの出力が電諒電位（以下Ｈと略す）から地気電位（
以下りと略す）に変わるときの入力電圧ＶＩＮに対する
回路しきい値電圧をＶＴＨＤ、反対にインバータＭの出
力がＬからＨに変わるときの入力電圧と対する回路しき
い値電圧をＶＴＨＵとすると、ＶＴＨＤ （！： ＶＴ
ＨＵ Ｉｄ 次ｔＤ （１） 、 （２） 式テ与えら
れる。
圧を変える場合変更を要求される受動素子は抵抗であり
、ＣＲ発振回路において周波数を変える場合その変更を
要求される受動素子は抵抗及び容量である。その−例と
して第２図及び第３図を参照してシュミットトリガ回路
の場合について説明する。第２図はシュミットトリガ回
路の回路図、第３図はその各部波形図を示し、インバー
タＭの出力が電諒電位（以下Ｈと略す）から地気電位（
以下りと略す）に変わるときの入力電圧ＶＩＮに対する
回路しきい値電圧をＶＴＨＤ、反対にインバータＭの出
力がＬからＨに変わるときの入力電圧と対する回路しき
い値電圧をＶＴＨＵとすると、ＶＴＨＤ （！： ＶＴ
ＨＵ Ｉｄ 次ｔＤ （１） 、 （２） 式テ与えら
れる。
ここでＲＮ、ＲＰはインバータＮのそれぞれり。
Ｈのときのオン抵抗、■ｃｃは電源電圧ｉ ■ＴＨは
インバータＮのしきい値電圧である。
インバータＮのしきい値電圧である。
そこでシェミットトリガ回路のインバータＭの出力がＨ
から工、に変わるときの回路しきい値電圧ＶＴＹ（Ｄと
インバータＭの出力がＬからＨに変わるときの回路しき
い値電圧Ｖ Ｔｌ（ｔＪとを変えるためには、抵抗Ｒ人
または抵抗ＲＢあるいは抵抗Ｒ，Ａと抵抗ＲＢの両方の
抵抗の抵抗値を変えればよい。
から工、に変わるときの回路しきい値電圧ＶＴＹ（Ｄと
インバータＭの出力がＬからＨに変わるときの回路しき
い値電圧Ｖ Ｔｌ（ｔＪとを変えるためには、抵抗Ｒ人
または抵抗ＲＢあるいは抵抗Ｒ，Ａと抵抗ＲＢの両方の
抵抗の抵抗値を変えればよい。
この場合、従来の技術では半導体装置内にインバータＮ
、Ｍと抵抗Ｒ人を含み、半導体装置の外に抵抗ＲＢを設
置する場合は抵抗Ｒ，を、半導体装置の内にインバータ
Ｎ、Ｍ、、抵抗Ｂ、Ｂを含み、半導体装置の外に抵抗Ｒ
Ａを設電する場合には抵抗ＲＡを、半導体装置内にイン
バータＮ、Ｍを含み、半導体装置の外に抵抗Ｒ人、ＲＢ
を設置する場合には、抵抗ＲＡまたは抵抗ＲＢあるいは
抵抗ＲＡと抵抗ＲＢの両方の抵抗価を変えればよかった
。この抵抗を才得体装置の外に設置する場合、その抵抗
は半導体装置が実装される基板上のある一定面積を占め
る。また半導体装置内にインバータＮ、 Ｍ。
、Ｍと抵抗Ｒ人を含み、半導体装置の外に抵抗ＲＢを設
置する場合は抵抗Ｒ，を、半導体装置の内にインバータ
Ｎ、Ｍ、、抵抗Ｂ、Ｂを含み、半導体装置の外に抵抗Ｒ
Ａを設電する場合には抵抗ＲＡを、半導体装置内にイン
バータＮ、Ｍを含み、半導体装置の外に抵抗Ｒ人、ＲＢ
を設置する場合には、抵抗ＲＡまたは抵抗ＲＢあるいは
抵抗ＲＡと抵抗ＲＢの両方の抵抗価を変えればよかった
。この抵抗を才得体装置の外に設置する場合、その抵抗
は半導体装置が実装される基板上のある一定面積を占め
る。また半導体装置内にインバータＮ、 Ｍ。
抵抗ＲＡ、抵抗ＲＢを含む場合にはこの半導体装置を設
計し直さなければならない。
計し直さなければならない。
上記の如く、半導体装置内の回路の特性を調整するため
、受動素子の値を変更する場合、半導体装置の外にその
受動素子が設置りさね、ている場合その受動素子を変え
ればよいが、その受動素子の有する体積は大きく小型化
集積化に反するという欠点がある。また半導体装置内に
調整を必要とする受動素子がある場合には、再度その半
導体装置を設計し作らなければならないという欠点があ
る。
、受動素子の値を変更する場合、半導体装置の外にその
受動素子が設置りさね、ている場合その受動素子を変え
ればよいが、その受動素子の有する体積は大きく小型化
集積化に反するという欠点がある。また半導体装置内に
調整を必要とする受動素子がある場合には、再度その半
導体装置を設計し作らなければならないという欠点があ
る。
本発明の目的は以上の如き問題を解決し、半導体装置の
小型化、集積化を図り、また半導体装置を調整できる半
導体装置を提供することにある。
小型化、集積化を図り、また半導体装置を調整できる半
導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装Ｍは複数の受動素子と、前記複数の受
動素子間を選択的に接続する少なくとも１つ以上のトラ
ンスファゲートと、前記トランスファゲートを制御する
ＰＲＯＭ回路とを含んで構成される。
動素子間を選択的に接続する少なくとも１つ以上のトラ
ンスファゲートと、前記トランスファゲートを制御する
ＰＲＯＭ回路とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。４゜５はＮ
チャネルＭＯＳトランジスタよりなるトランスフアゲ−
） （Ｔ１．Ｔ２）で、そのゲート入力は各々ＰＲＯＭ
回路６の出力ＯＰ１．ＯＰ２である。
チャネルＭＯＳトランジスタよりなるトランスフアゲ−
） （Ｔ１．Ｔ２）で、そのゲート入力は各々ＰＲＯＭ
回路６の出力ＯＰ１．ＯＰ２である。
ＡＢ間の抵抗はＲＡＢ１人Ｃ間の抵抗はＲ，Ａｃ、ＡＤ
間の抵抗ＨＲＡＤ、点Ｂにはトランスフアゲ−）ＴＩの
ドレインと抵抗ＲＡＢの一端が、点Ｃにはトランスファ
ゲートＴ１のソースとトランスファゲートＴ２のドレイ
ン、抵抗ＲＡＣの一端が接続さね、点りにはトランスフ
アゲ−）Ｔ２のソースと抵抗ＲＡＤの一端が接続されて
いる。ＰＲ，ＯＭ回路６の入力はＩＰｌ及びＩＦ５で、
出力のＯＰｌ、ＯＦ２に対応する。このＦ ＲＯＭ回路
６は沓き込み時入力端子ＩＰＩにり、 Ｈを入力させ
た場合出力端子ＯＰ１はそれぞれり、 Ｈとなる。ま
た同様に書き込み時、入力端子ＩＰ２にり、 Ｈを入力
させた場合出力端子ＯＰ２はそれぞれり、 Ｈとなる。
間の抵抗ＨＲＡＤ、点Ｂにはトランスフアゲ−）ＴＩの
ドレインと抵抗ＲＡＢの一端が、点Ｃにはトランスファ
ゲートＴ１のソースとトランスファゲートＴ２のドレイ
ン、抵抗ＲＡＣの一端が接続さね、点りにはトランスフ
アゲ−）Ｔ２のソースと抵抗ＲＡＤの一端が接続されて
いる。ＰＲ，ＯＭ回路６の入力はＩＰｌ及びＩＦ５で、
出力のＯＰｌ、ＯＦ２に対応する。このＦ ＲＯＭ回路
６は沓き込み時入力端子ＩＰＩにり、 Ｈを入力させ
た場合出力端子ＯＰ１はそれぞれり、 Ｈとなる。ま
た同様に書き込み時、入力端子ＩＰ２にり、 Ｈを入力
させた場合出力端子ＯＰ２はそれぞれり、 Ｈとなる。
ここでＰＲＯＭ回路６の入力端子ＩＰＩ、ＩＰ２に信号
を入力しＰＲＯＭに情報を書き込んだ後のＡＢ間の抵抗
をＲとすると、この抵抗Ｒを抵抗ＲＡＢと等しくするた
めには８０間を電気的に遮断すればよく、書き込みｌＰ
ＲＯＭ回路６の入力端子ＩＰＩにＬを入力し、出力端子
ＯＰＩはＬとなり、８０間は電気的に遮断されることに
なる。
を入力しＰＲＯＭに情報を書き込んだ後のＡＢ間の抵抗
をＲとすると、この抵抗Ｒを抵抗ＲＡＢと等しくするた
めには８０間を電気的に遮断すればよく、書き込みｌＰ
ＲＯＭ回路６の入力端子ＩＰＩにＬを入力し、出力端子
ＯＰＩはＬとなり、８０間は電気的に遮断されることに
なる。
次にＲ＝ ＲＡＢ −ＲＡＣ／ （ＲＡＢ十ＲＡＣ）と
するためには電気的に８０間を接続し、ＣＤ間を遮断す
ればよい。よってＰ几ＯＭ回路６に書き込み時ＰＲＯＭ
回路６の入力端子ＩＰＩ、ＩＰ２にそれぞれＨｌＬを入
力し、出力端子ＯＰＩ、ＯＰ２はそれぞれＨ，Ｌとなり
、電気的に８０間は接続されＣＤ間は遮断されることに
なる。
するためには電気的に８０間を接続し、ＣＤ間を遮断す
ればよい。よってＰ几ＯＭ回路６に書き込み時ＰＲＯＭ
回路６の入力端子ＩＰＩ、ＩＰ２にそれぞれＨｌＬを入
力し、出力端子ＯＰＩ、ＯＰ２はそれぞれＨ，Ｌとなり
、電気的に８０間は接続されＣＤ間は遮断されることに
なる。
またＲ ＝ （ＲＡＢ °ＲＡＣ＋ＲＡＣＲＡＤ＋ＲＡ
Ｄ °ＡＡＢ ）／（ＲＡＢ ＋ＲＡｃ 十ＲＡ、 ）
とするため（はＢＣ，ＣＤ間をそｈ−それ電気的に接続
する。すなわち、ＰＲＯＭ回路６に書き込み時、ＰＲＯ
Ｍ回路６の入力端子ＩＰＩ、１．Ｐ２にそれぞれＨ，Ｈ
を入力する。
Ｄ °ＡＡＢ ）／（ＲＡＢ ＋ＲＡｃ 十ＲＡ、 ）
とするため（はＢＣ，ＣＤ間をそｈ−それ電気的に接続
する。すなわち、ＰＲＯＭ回路６に書き込み時、ＰＲＯ
Ｍ回路６の入力端子ＩＰＩ、１．Ｐ２にそれぞれＨ，Ｈ
を入力する。
すると、出力端子はＯＰＩ、ＯＦ２はそれぞれＨ。
Ｆｌとなり、ＢＣ，ＣＤ間は電気的に接続されることに
なる。
なる。
また本発明に使用しているＰＲＯＭ回路を書き換え可能
なＰＲＯＭ回路を使用することによシ、半導体装−゛の
内部回路の特性を一度調整した後も、幾度も調整が可能
となる。
なＰＲＯＭ回路を使用することによシ、半導体装−゛の
内部回路の特性を一度調整した後も、幾度も調整が可能
となる。
第２図の抵抗Ｒ人または抵抗ＲＢあるいは抵抗ＲＡと抵
抗ＲＢの両方に本発明を適用することにより、抵抗Ｒ人
と抵抗ＲＢの比を変えることができ、シュミットトリガ
回路のしきい値電圧を任意に設定することができる。
抗ＲＢの両方に本発明を適用することにより、抵抗Ｒ人
と抵抗ＲＢの比を変えることができ、シュミットトリガ
回路のしきい値電圧を任意に設定することができる。
以」二訣明したように、本発明は半導体装置内の回路の
特性を変えるだめの変更分の複数の受動素子を半導体装
置内に含ますことができるため、基板上の集積度を高め
、さらに半導体装ｔｔ内の回路の特性を変える場合装置
完成後も、半導体装置を作り直す事が不必要になる効果
がある。
特性を変えるだめの変更分の複数の受動素子を半導体装
置内に含ますことができるため、基板上の集積度を高め
、さらに半導体装ｔｔ内の回路の特性を変える場合装置
完成後も、半導体装置を作り直す事が不必要になる効果
がある。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図はシュミッ
トトリガ回路の回路図、第３図はその動作特性図を示す
。 １．２．３・・・・・・抵抗、４． ５・・・・・・ト
ランス７アゲート、６・・・・・・ＰＲＯＭ回路。 代理人 弁理士 内 原 晋 ）も１則 猶Ｚ回 ′ｆ−３粗
トトリガ回路の回路図、第３図はその動作特性図を示す
。 １．２．３・・・・・・抵抗、４． ５・・・・・・ト
ランス７アゲート、６・・・・・・ＰＲＯＭ回路。 代理人 弁理士 内 原 晋 ）も１則 猶Ｚ回 ′ｆ−３粗
Claims (1)
- 複数の受動素子と、前記複数の受動素子間を選択的に接
続する少なくとも１つ以上のトランスファゲートと、前
記トランスファゲートを制御するＰＲＯＭ回路を有する
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23600685A JPS6295010A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23600685A JPS6295010A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295010A true JPS6295010A (ja) | 1987-05-01 |
Family
ID=16994390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23600685A Pending JPS6295010A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6295010A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5024101A (en) * | 1989-02-10 | 1991-06-18 | Nippondenso Co., Ltd. | Power source circuit and bridge type measuring device with output compensating circuit utilizing the same |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP23600685A patent/JPS6295010A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5024101A (en) * | 1989-02-10 | 1991-06-18 | Nippondenso Co., Ltd. | Power source circuit and bridge type measuring device with output compensating circuit utilizing the same |
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