JPS6294920A - 分子線発生源 - Google Patents
分子線発生源Info
- Publication number
- JPS6294920A JPS6294920A JP23603885A JP23603885A JPS6294920A JP S6294920 A JPS6294920 A JP S6294920A JP 23603885 A JP23603885 A JP 23603885A JP 23603885 A JP23603885 A JP 23603885A JP S6294920 A JPS6294920 A JP S6294920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- opening
- impurities
- source
- crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置に用いられる薄膜を形成する為の
分子線発生源で代表されるような蒸着装置の蒸発源の改
良に関する。
分子線発生源で代表されるような蒸着装置の蒸発源の改
良に関する。
（従来技術とその問題点）
従来、質の良い半導体結晶薄膜をエピタキシャル成長さ
せる技術として分子ビームエピタキシャル成長（以下Ｍ
Ｂ Ｅ’ ）法が用いられている。そして、この技術
を実施するには、第３図に示すように、超高真空に維持
された真空容器（図示せず）中に液体窒素温度に囲まれ
た分子線発生源（るつぼ１等）、を配置し、この分子線
発生源のるっぽ１の中に結晶成長させようとする薄膜結
晶ソース物質２（構成元素）を入れ、ヒーター３で加熱
することにより、比較的開口面積を狭く絞られた噴出開
口部４から分子線として噴出させ、これを適当な温度に
維持した基板上に堆積させて単結晶薄膜を成長させるよ
うにしている。
せる技術として分子ビームエピタキシャル成長（以下Ｍ
Ｂ Ｅ’ ）法が用いられている。そして、この技術
を実施するには、第３図に示すように、超高真空に維持
された真空容器（図示せず）中に液体窒素温度に囲まれ
た分子線発生源（るつぼ１等）、を配置し、この分子線
発生源のるっぽ１の中に結晶成長させようとする薄膜結
晶ソース物質２（構成元素）を入れ、ヒーター３で加熱
することにより、比較的開口面積を狭く絞られた噴出開
口部４から分子線として噴出させ、これを適当な温度に
維持した基板上に堆積させて単結晶薄膜を成長させるよ
うにしている。
ところで、前記ＭＢＥ法にて薄膜を形成するにあたって
、真空外からソース物質２を入れ、超高真空に排気した
直後に薄膜を成長させると、その薄膜には不純物が多く
混入しており、品質が劣化することが知られている。大
気中から導入されたソース物Ｊｊ′ｔ２は、その表面が
大気成分と反応しており、これが薄膜中の不純物の原因
であることが知られている。そこで一般にＭＢＥ法では
、真空容器を大気に曝らした後には、必ず装置を焼き出
（ベーキング）し、大気中から取り込まれた不純物を排
気することが行なわれている。
、真空外からソース物質２を入れ、超高真空に排気した
直後に薄膜を成長させると、その薄膜には不純物が多く
混入しており、品質が劣化することが知られている。大
気中から導入されたソース物Ｊｊ′ｔ２は、その表面が
大気成分と反応しており、これが薄膜中の不純物の原因
であることが知られている。そこで一般にＭＢＥ法では
、真空容器を大気に曝らした後には、必ず装置を焼き出
（ベーキング）し、大気中から取り込まれた不純物を排
気することが行なわれている。
しかし、分子線発生源のるつぼ１内に入れられたソース
物質２の場合は、ソース物質２からの排気ガスの通路が
噴出開口部４だけであるため排気しこ対するコンダクタ
ンスが小さく、不純物が十分に排気できない欠点があっ
た。このコンダクタンスを大きくするためには、噴出開
口部４の開口面積を大きくすればよいが１分子線の噴出
の形状を劣化させ、または、ソース物質２の減少ととも
に噴出の形状に変化を来すおそれがある。
物質２の場合は、ソース物質２からの排気ガスの通路が
噴出開口部４だけであるため排気しこ対するコンダクタ
ンスが小さく、不純物が十分に排気できない欠点があっ
た。このコンダクタンスを大きくするためには、噴出開
口部４の開口面積を大きくすればよいが１分子線の噴出
の形状を劣化させ、または、ソース物質２の減少ととも
に噴出の形状に変化を来すおそれがある。
また、近年は分子線開口部の一部に分子線整流部または
分子線加熱部（第２図で後述）を設けた分子線発生源が
使用されているが、特にこれらを設けたものでは排気コ
ンダクタンスが劣化し、ソース物質の純化が不十分であ
るという欠点があった。
分子線加熱部（第２図で後述）を設けた分子線発生源が
使用されているが、特にこれらを設けたものでは排気コ
ンダクタンスが劣化し、ソース物質の純化が不十分であ
るという欠点があった。
（発明の目的）
本発明は、分子線発生源のるつぼ内のソース物質の不純
物脱ガスを容易に行ないうるよう、排気コンダクタンス
を増大させ、発生する分子線の純度を向上させることを
目的としたものである。
物脱ガスを容易に行ないうるよう、排気コンダクタンス
を増大させ、発生する分子線の純度を向上させることを
目的としたものである。
（発明の構成）
本発明の分子線発生源は、分子線噴出開口部以外に開口
部をもつるつぼと、該開口部を真空外部よりの操作でふ
さぐことのできる開閉機構とを具えることで前記目的を
達成したものである。
部をもつるつぼと、該開口部を真空外部よりの操作でふ
さぐことのできる開閉機構とを具えることで前記目的を
達成したものである。
（実 施 例）
第１図は本発明の実施例であって、るっぽ１に入れられ
たソース物質２は、ヒーター３で加熱され、噴出開口部
４より分子線として放出される。
たソース物質２は、ヒーター３で加熱され、噴出開口部
４より分子線として放出される。
ところで、るつぼ１の内部のソース物質２の表面に吸着
している不純物は、ヒーター３で加熱するか、もしくは
、真空系全体をベーキングすることによってこれまで通
り噴出開口部４より排気されるが、このとき、真空外１
０で開閉機構５を操作し、排気口６を開けることにより
、噴出開口部４以外にこの排気口６よりも不純物を積極
的に排気することができる。以上の操作により不純物を
排気した後、再び真空外１０で開閉機構５を操作し、排
気口６を閉じることにより、従来同様の薄膜作成を行な
うことができる。
している不純物は、ヒーター３で加熱するか、もしくは
、真空系全体をベーキングすることによってこれまで通
り噴出開口部４より排気されるが、このとき、真空外１
０で開閉機構５を操作し、排気口６を開けることにより
、噴出開口部４以外にこの排気口６よりも不純物を積極
的に排気することができる。以上の操作により不純物を
排気した後、再び真空外１０で開閉機構５を操作し、排
気口６を閉じることにより、従来同様の薄膜作成を行な
うことができる。
このような構造になっているから、ソース物質２を含む
るつぼ１内の不純物は容易に排気され、したがって不純
物の少ない、純度の高い分子線を生成させることができ
る。
るつぼ１内の不純物は容易に排気され、したがって不純
物の少ない、純度の高い分子線を生成させることができ
る。
また、開閉機構５の大気側１０からの操作は、図しこあ
る様なベローズ７を介するもの以外にも、磁気を使用す
る気密の移送機構を介するものがあることは言うまでも
ない。
る様なベローズ７を介するもの以外にも、磁気を使用す
る気密の移送機構を介するものがあることは言うまでも
ない。
第２図は、本発明の第２の実施例であって、分子線噴出
開口部の一部に分子線加熱機構８が設けられたものであ
る（クラッカーセルと呼ばれている）。この分子線発生
源では、分子線噴出口９とソース物質２の間の排気コン
ダクタンスが非常に小さいので、本発明の開口部６と開
閉機構５による排気コンダクタンス増大の効果は特に顕
著である。
開口部の一部に分子線加熱機構８が設けられたものであ
る（クラッカーセルと呼ばれている）。この分子線発生
源では、分子線噴出口９とソース物質２の間の排気コン
ダクタンスが非常に小さいので、本発明の開口部６と開
閉機構５による排気コンダクタンス増大の効果は特に顕
著である。
また第２図の装置から分子線加熱機構８を除いた形の、
分子線整流部１１を有する分子線発生源でもこれと同し
ことが言える。
分子線整流部１１を有する分子線発生源でもこれと同し
ことが言える。
上述の本発明の第２の実施例の装置を用いて、分子線エ
ピタキシー法により砒素分子（原子）を発生させ発生分
子線を分析したところ、第４図（ａ）に見られるように
従来法では低減することが困難だった砒素酸化物ＡｓＯ
＋分子量９１が殆んど消滅し、高品質の分子線の発生が
確認できた。
ピタキシー法により砒素分子（原子）を発生させ発生分
子線を分析したところ、第４図（ａ）に見られるように
従来法では低減することが困難だった砒素酸化物ＡｓＯ
＋分子量９１が殆んど消滅し、高品質の分子線の発生が
確認できた。
第４図（Ｂ）は従来の分析値である。
（発明の効果）
本発明の分子線発生源は、不純物の少ない分子線を発生
させることができ、分子線エビキクシー法等に用いて、
形成される膜の品質を向上させ。
させることができ、分子線エビキクシー法等に用いて、
形成される膜の品質を向上させ。
高性能半導体装置の製造に寄与するところ極めて大きく
、コニ梁上有為の発明ということができる。
、コニ梁上有為の発明ということができる。
第１図は、本発明の実施例の分子線発生源の断面図。
第２図は、刑の実施例の同様の図。
第３図は従来装置の同様の図。
第４図は（ａ）、（ｂ）は、発生分子線の分析値を示す
グラフ。 ］、−−−一るつぼ、２−一一一ソース物質、３−一一
一ヒーター、４−−−−噴出開口部、５−一一一開閉機
構、６一−排気口、７−−−−ベローズ、８−一一一分
子線加熱機構、９−一一一分子線噴出ロ、１１−−−−
分子線整流部。
グラフ。 ］、−−−一るつぼ、２−一一一ソース物質、３−一一
一ヒーター、４−−−−噴出開口部、５−一一一開閉機
構、６一−排気口、７−−−−ベローズ、８−一一一分
子線加熱機構、９−一一一分子線噴出ロ、１１−−−−
分子線整流部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）分子線噴出開口部以外に開口部をもつるつぼと、該
開口部を真空外部よりの操作でふさぐことのできる開閉
機構とを具えることを特徴とする薄膜形成装置の分子線
発生源。 ２）前記分子線噴出開口部が、その一部に分子線整流部
を具える特許請求の範囲第１項記載の分子線発生源。 ３）前記分子線噴出開口部が、その一部に分子線加熱部
を具える特許請求の範囲第１項記載の分子線発生源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23603885A JPS6294920A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 分子線発生源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23603885A JPS6294920A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 分子線発生源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6294920A true JPS6294920A (ja) | 1987-05-01 |
| JPH035052B2 JPH035052B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=16994840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23603885A Granted JPS6294920A (ja) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | 分子線発生源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6294920A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE602006003386D1 (de) | 2005-09-12 | 2008-12-11 | Ricoh Kk | Latentes elektrostatisches Bildträgerelement, Verfahren zu dessen Herstellung, Bilderzeugungsverfahren, Bilderzeugungsvorrichtung und Prozesskartusche |
-
1985
- 1985-10-22 JP JP23603885A patent/JPS6294920A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH035052B2 (ja) | 1991-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |