JPS6293039A - 伝熱管のメツキ方法 - Google Patents
伝熱管のメツキ方法Info
- Publication number
- JPS6293039A JPS6293039A JP23377185A JP23377185A JPS6293039A JP S6293039 A JPS6293039 A JP S6293039A JP 23377185 A JP23377185 A JP 23377185A JP 23377185 A JP23377185 A JP 23377185A JP S6293039 A JPS6293039 A JP S6293039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- heat transfer
- heat exchanger
- plating layer
- uneven
- Prior art date
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- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は熱交換器や、ヒートパイプに利用される、特に
液媒体を流動させる伝熱管に関する。
液媒体を流動させる伝熱管に関する。
従来の技術
熱交換部材に多孔質層を形成し、表面積の増大沸騰伝熱
の促進効果を計ることは一般に知られているが、伝熱管
内に多孔質層を形成することは焼結、溶射法では困難で
あるから通常はメッキ法を利用する。しかし、この様な
表面積を増大し沸騰伝熱の促進効果を計るために行うメ
、ンキ法は、平滑メッキと異った条件で加工し、適度な
ポーラス性と突起を有するメッキ層に仕上げる必要があ
る。
の促進効果を計ることは一般に知られているが、伝熱管
内に多孔質層を形成することは焼結、溶射法では困難で
あるから通常はメッキ法を利用する。しかし、この様な
表面積を増大し沸騰伝熱の促進効果を計るために行うメ
、ンキ法は、平滑メッキと異った条件で加工し、適度な
ポーラス性と突起を有するメッキ層に仕上げる必要があ
る。
この様なメッキ層を形成する方法としては、通常の平滑
メッキを得るために必要な錯塩や、にかわ状物質、光沢
剤、結晶微粒子化のための添加剤等をメッキ液中に配合
しないか、極く微量としたメッキ液を使用し、メッキ条
件としては一般的に高温で高電流密度で行ない、メッキ
液は高速の流動攪拌を行うことKよシ形成される。
メッキを得るために必要な錯塩や、にかわ状物質、光沢
剤、結晶微粒子化のための添加剤等をメッキ液中に配合
しないか、極く微量としたメッキ液を使用し、メッキ条
件としては一般的に高温で高電流密度で行ない、メッキ
液は高速の流動攪拌を行うことKよシ形成される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、この様な条件で伝熱管内壁面等にメッキ
液を導入しても高温、高電流でメッキを行うとメッキ液
が不安定な状態であるためにメッキ液入口及び電極間間
隔が比較的小さい個所に局部的に金属が析出するなどな
かなか内部まで均一に多孔質状のメッキをすることがで
きず、錯塩の少ない不安定なメッキ液条件となっている
ため短時間に分解を起こし、量産性に向かないばかりか
、伝熱管パイプ壁面とメッキ層との密着も不充分であり
、is体の流動時及び振動や衝撃にてメッキ層が剥離し
てしまう等の問題点があった。
液を導入しても高温、高電流でメッキを行うとメッキ液
が不安定な状態であるためにメッキ液入口及び電極間間
隔が比較的小さい個所に局部的に金属が析出するなどな
かなか内部まで均一に多孔質状のメッキをすることがで
きず、錯塩の少ない不安定なメッキ液条件となっている
ため短時間に分解を起こし、量産性に向かないばかりか
、伝熱管パイプ壁面とメッキ層との密着も不充分であり
、is体の流動時及び振動や衝撃にてメッキ層が剥離し
てしまう等の問題点があった。
本発明は、上記問題点に鑑み、均一にかつ密着性の浸れ
た凹凸状のメッキ層を形成し表面積の増大した、沸騰伝
熱の促進効果が計れる伝熱壁面をもつ伝熱管を提供する
ものである。
た凹凸状のメッキ層を形成し表面積の増大した、沸騰伝
熱の促進効果が計れる伝熱壁面をもつ伝熱管を提供する
ものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するためK、本発明の伝熱管のメッキ
方法は、オキシエチレン系界面活性剤と低濃度の塩化物
イオンを添加剤として加えたメッキ液により、第1工程
で伝熱管壁面をアノード側として短時間通電し伝熱管壁
面を電解研摩した後、第2工程で伝熱管壁面をカソード
側として、凹凸の金属メッキ層を形成してなる伝熱管の
メッキ方法である。
方法は、オキシエチレン系界面活性剤と低濃度の塩化物
イオンを添加剤として加えたメッキ液により、第1工程
で伝熱管壁面をアノード側として短時間通電し伝熱管壁
面を電解研摩した後、第2工程で伝熱管壁面をカソード
側として、凹凸の金属メッキ層を形成してなる伝熱管の
メッキ方法である。
作 用
本発明は上記した構成によって、メッキ液中のオキ7工
チレン系界面活性剤であるポリオキシエチレンオレイル
エーテルの分子につかまえられて錯体化している金属イ
オンが、低濃度の塩化物イオンの存在下で、塩化物イメ
ノと不安定に結合し凹凸のメッキ層を形成するのに働く
。又、第1工程で伝熱管壁面を短時間アノード側とする
ことにより、伝熱管壁面から金属がマイナスイオンとし
てメブキ溶中に溶出するだめ伝熱管の内壁面は電解研摩
されたことになり、凹凸の金属メッキ層の密着性はたい
へん良好となる。すなわち錯塩の少ない不安定なメンキ
液や過度な条件でのメ1.キ工法を必要としないのでメ
ッキ液の分解も少なく、メッキ層と伝熱管壁面との密着
も良好となシ、前記凹凸のメッキ層が表面積の増大と沸
騰伝熱の促進効果をはかることができるものである。
チレン系界面活性剤であるポリオキシエチレンオレイル
エーテルの分子につかまえられて錯体化している金属イ
オンが、低濃度の塩化物イオンの存在下で、塩化物イメ
ノと不安定に結合し凹凸のメッキ層を形成するのに働く
。又、第1工程で伝熱管壁面を短時間アノード側とする
ことにより、伝熱管壁面から金属がマイナスイオンとし
てメブキ溶中に溶出するだめ伝熱管の内壁面は電解研摩
されたことになり、凹凸の金属メッキ層の密着性はたい
へん良好となる。すなわち錯塩の少ない不安定なメンキ
液や過度な条件でのメ1.キ工法を必要としないのでメ
ッキ液の分解も少なく、メッキ層と伝熱管壁面との密着
も良好となシ、前記凹凸のメッキ層が表面積の増大と沸
騰伝熱の促進効果をはかることができるものである。
実施例
以下本発明の一実施例について、第1図から第4図を参
考にしながら説明する。
考にしながら説明する。
1は銅パイプの伝熱管2とアルミニウムの薄片加工した
放熱フィン3とからなる熱交換器である。
放熱フィン3とからなる熱交換器である。
この伝熱管2の内壁面4には凹凸の銅からなる金属メッ
キ層5が形成されている。又、この伝熱管2の両端ea
、ebはかしめ加工と溶接により完全にシールされ、内
部にフロンガスが封入されている。7はヒーター8によ
り温調可能なメッキ槽であり、メッキ液9が入れられで
ある。このメッキ液9としては、0.6mod/l C
uSO4−5H20゜o 、 5mo# /11 、
H2SO4,o 、 33X1 o−’mail /(
l HCII及び19 m、g /lポリオキシエチレ
ンオレイルエーテルが含まれている。また1Qは両端6
a、6bを封止する前の伝熱管であり、連結管11と循
環ポンプ12を組み合わせることにより、メッキ液9を
伝熱管10の内部に循環させるようにしている。尚、す
でに放熱フィン3は伝熱管1oを拡管機(図示せず)で
拡管することにより伝熱管1゜の外周に固定されている
。さらに連結管11には、直流電源13に直結されてい
るチタン棒に白金メッキをほどこした対極14と、対極
14と逆の電荷を与えられる接続端子15とが固定され
ている。
キ層5が形成されている。又、この伝熱管2の両端ea
、ebはかしめ加工と溶接により完全にシールされ、内
部にフロンガスが封入されている。7はヒーター8によ
り温調可能なメッキ槽であり、メッキ液9が入れられで
ある。このメッキ液9としては、0.6mod/l C
uSO4−5H20゜o 、 5mo# /11 、
H2SO4,o 、 33X1 o−’mail /(
l HCII及び19 m、g /lポリオキシエチレ
ンオレイルエーテルが含まれている。また1Qは両端6
a、6bを封止する前の伝熱管であり、連結管11と循
環ポンプ12を組み合わせることにより、メッキ液9を
伝熱管10の内部に循環させるようにしている。尚、す
でに放熱フィン3は伝熱管1oを拡管機(図示せず)で
拡管することにより伝熱管1゜の外周に固定されている
。さらに連結管11には、直流電源13に直結されてい
るチタン棒に白金メッキをほどこした対極14と、対極
14と逆の電荷を与えられる接続端子15とが固定され
ている。
伝熱管10と連結管11とを接続端子16で結合させた
時、接続端子15と対極14との接触を防止するために
ポリプロピレンでできた不電導体のスペーサー16が挿
入されている。又1了はメッキ液9に空気を吹き込むエ
アーポンプである。
時、接続端子15と対極14との接触を防止するために
ポリプロピレンでできた不電導体のスペーサー16が挿
入されている。又1了はメッキ液9に空気を吹き込むエ
アーポンプである。
次にかかる構成での熱交換器の製造方法について説明す
る。
る。
まず、伝熱管10と放熱フィン3とを定位置にて仮嵌合
しておき、伝熱管10を所定の拡管機(図示せず)で拡
管し、伝熱管10と放熱フィン3とを圧着させておく。
しておき、伝熱管10を所定の拡管機(図示せず)で拡
管し、伝熱管10と放熱フィン3とを圧着させておく。
次に、この伝熱管10と連結管11と循環ポンプ12と
を組み合わせ、メッキ槽T中のメッキ液9を伝熱管1o
の内部に循環させる。この時、メッキ液9としては0.
6moe/eCuSo4@5H20,0,6tnog/
J? H2SO4゜0.33×10 mol / l
HCl 、 19 m9 /11 ポリオキシエチ
レンオレイルエーテルを含む酸性硫酸銅メッキ液を使用
する。メッキ液9の温度はメッキ槽了のヒーター8によ
り加熱され約50℃とした。
を組み合わせ、メッキ槽T中のメッキ液9を伝熱管1o
の内部に循環させる。この時、メッキ液9としては0.
6moe/eCuSo4@5H20,0,6tnog/
J? H2SO4゜0.33×10 mol / l
HCl 、 19 m9 /11 ポリオキシエチ
レンオレイルエーテルを含む酸性硫酸銅メッキ液を使用
する。メッキ液9の温度はメッキ槽了のヒーター8によ
り加熱され約50℃とした。
そこで、直流電源13によりチタン棒に白金メッキを施
した対極14に負の電荷をかけカソード側とし、一方の
接続端子15には正の電荷をかけアノード側とする。こ
の時の電流値は約200mA/crAとし約30秒間通
電する。次に対極14に正の電荷をかけアノード側とし
一方の接続端子16には負の電荷をかけカソード側とし
、200 mA/’i−の電流をかけ約20分間通電す
る。
した対極14に負の電荷をかけカソード側とし、一方の
接続端子15には正の電荷をかけアノード側とする。こ
の時の電流値は約200mA/crAとし約30秒間通
電する。次に対極14に正の電荷をかけアノード側とし
一方の接続端子16には負の電荷をかけカソード側とし
、200 mA/’i−の電流をかけ約20分間通電す
る。
ここで通常のメッキ液であれば、カソード側である伝熱
管1oの内壁面全体に均一な厚みで銅からなる金属が析
出するが、メ・フキ液9には、オキシエチレン系の界面
活性剤であるポリオキシエチレンオレイルエーテルと低
濃度の塩酸により生じる塩素イオンとを有するために全
体に均一な厚みの銅からなる金属メッキ層とはならず、
凹凸の銅からなる金属メッキ層5が形成されることにな
る。
管1oの内壁面全体に均一な厚みで銅からなる金属が析
出するが、メ・フキ液9には、オキシエチレン系の界面
活性剤であるポリオキシエチレンオレイルエーテルと低
濃度の塩酸により生じる塩素イオンとを有するために全
体に均一な厚みの銅からなる金属メッキ層とはならず、
凹凸の銅からなる金属メッキ層5が形成されることにな
る。
この理由としては、界面活性剤であるポリオキシエチレ
ンオレイルエーテルの分子につかまえられ錯体化してい
る銅イオンが、低濃度の塩素イオンの存在下で塩素イオ
ンと不安定に結合するためである。
ンオレイルエーテルの分子につかまえられ錯体化してい
る銅イオンが、低濃度の塩素イオンの存在下で塩素イオ
ンと不安定に結合するためである。
尚、この場合に、対極14に負の電荷をかけカソード側
とし、一方の接続端子16には正の電荷をかけアノード
側とし200 mA/肩 の電流をかけ約30秒間通電
する時に、通電時間が3Q秒よりも長くなると、対極1
4に銅からなる金属メッキが多く析出し、それが第2工
程では対極14がアノード側となり銅からなる金属メッ
キが溶出し再度伝熱管1oの内壁面に銅からなる金属メ
ッキの析出するため、−価の銅イオンが多く形成され、
それが伝熱管1oの内壁面に析出するため伝熱管10の
内壁面に析出する銅からなる凹凸の金属メッキ層5は柔
らかいメッキとして形成されるという問題がある。
とし、一方の接続端子16には正の電荷をかけアノード
側とし200 mA/肩 の電流をかけ約30秒間通電
する時に、通電時間が3Q秒よりも長くなると、対極1
4に銅からなる金属メッキが多く析出し、それが第2工
程では対極14がアノード側となり銅からなる金属メッ
キが溶出し再度伝熱管1oの内壁面に銅からなる金属メ
ッキの析出するため、−価の銅イオンが多く形成され、
それが伝熱管1oの内壁面に析出するため伝熱管10の
内壁面に析出する銅からなる凹凸の金属メッキ層5は柔
らかいメッキとして形成されるという問題がある。
次だ、銅バイブ1oの内壁を湯洗により洗浄し、乾燥し
た後フロンガスを内部に封入し、両端6a。
た後フロンガスを内部に封入し、両端6a。
6bをかしめ溶接することにより、伝熱管2と放熱フィ
ン3とを持つ熱交換器1が完成する。
ン3とを持つ熱交換器1が完成する。
この様にして得られた熱交換器1は、伝熱管2の内壁面
4の凹凸の銅からなる金属メッキ層5には、樹枝状の銅
メッキが密に形成されており、表面積を増大させるばか
シではなく、樹枝状の銅メッキが密に形成させているた
め凹凸の銅からなる金属メッキ層6は、沸騰伝熱の沸騰
核となシ、通常の針状の凹凸メッキに比較して沸騰伝熱
の促進効果を計ることができる。又内壁面4でフロンガ
スが液化した時、液体層が凹凸の銅からなる金属メッキ
層5の凸部にて粒滴と′なシ、内壁面4から平滑面より
も早く離れるために、厚い断熱層である液体層が形成さ
れないので、凝縮時の伝熱も促進されることになる。す
なわち、フロン液化ガスを封入し、蒸発、凝縮をくり返
すヒートノくイブの様な熱交換器1の伝熱効率を著しく
良くしたものが得られる。
4の凹凸の銅からなる金属メッキ層5には、樹枝状の銅
メッキが密に形成されており、表面積を増大させるばか
シではなく、樹枝状の銅メッキが密に形成させているた
め凹凸の銅からなる金属メッキ層6は、沸騰伝熱の沸騰
核となシ、通常の針状の凹凸メッキに比較して沸騰伝熱
の促進効果を計ることができる。又内壁面4でフロンガ
スが液化した時、液体層が凹凸の銅からなる金属メッキ
層5の凸部にて粒滴と′なシ、内壁面4から平滑面より
も早く離れるために、厚い断熱層である液体層が形成さ
れないので、凝縮時の伝熱も促進されることになる。す
なわち、フロン液化ガスを封入し、蒸発、凝縮をくり返
すヒートノくイブの様な熱交換器1の伝熱効率を著しく
良くしたものが得られる。
又前記方法にて形成されたこの樹枝状の銅メ、ソッキ液
や過度な条件でのメツナ工法を必要としないのでメッキ
液の分解も少なく、又第1工程で伝熱管2側を3o秒間
アノード側とすることにより伝熱管2の内壁面4の金属
がマイナスイオンとしてメッキ液中に溶出するため、伝
熱管2の内壁面4が電解研摩されることとなり、第2工
程で行う伝熱管2をカソード側として凹凸の銅からなる
金属メッキ層5を形成させる場合に、前記凹凸の銅から
なる金属メッキ層が電解研摩された伝熱管2の内壁面4
に形成されるのでその密着性はたい、ん良好であシ、常
に安定した凹凸の銅メ1.キ層5が形成される。
や過度な条件でのメツナ工法を必要としないのでメッキ
液の分解も少なく、又第1工程で伝熱管2側を3o秒間
アノード側とすることにより伝熱管2の内壁面4の金属
がマイナスイオンとしてメッキ液中に溶出するため、伝
熱管2の内壁面4が電解研摩されることとなり、第2工
程で行う伝熱管2をカソード側として凹凸の銅からなる
金属メッキ層5を形成させる場合に、前記凹凸の銅から
なる金属メッキ層が電解研摩された伝熱管2の内壁面4
に形成されるのでその密着性はたい、ん良好であシ、常
に安定した凹凸の銅メ1.キ層5が形成される。
尚、本発明の実施例では凹凸の銅からなる金属メッキ層
5を形成させる手段として、酸性硫酸銅メッキ液を使用
したが、熱伝導性の面で銅が有利であるものの他の金属
メ・フキ液でも可能であり銅メッキに限定するものでは
ない。さらに塩酸についてもNaalの様な塩化物でも
可能であシ、メ、。
5を形成させる手段として、酸性硫酸銅メッキ液を使用
したが、熱伝導性の面で銅が有利であるものの他の金属
メ・フキ液でも可能であり銅メッキに限定するものでは
ない。さらに塩酸についてもNaalの様な塩化物でも
可能であシ、メ、。
上液中で塩素イオンとして遊離する塩化物イオンをすべ
て含くものである。但し塩素イオン濃度が0゜01ミリ
モル/1未満になると、メ・ツキ層が凹凸の銅からなる
金属メッキ層6とならず平たんなメッキ層となり、又1
ミリモル/eより大きいと凹凸の銅からなる金属メ・ツ
キ層5は形成されるがメッキの密度が疎になる。
て含くものである。但し塩素イオン濃度が0゜01ミリ
モル/1未満になると、メ・ツキ層が凹凸の銅からなる
金属メッキ層6とならず平たんなメッキ層となり、又1
ミリモル/eより大きいと凹凸の銅からなる金属メ・ツ
キ層5は形成されるがメッキの密度が疎になる。
又オキシエチレン系の界面活性剤であるポリオキシエチ
レンオレイルエーテルについても、その濃度が5 m9
71未満であるとメ・ツキ層が凹凸の銅からなる金属メ
ッキ層とならず平たんなメッキ層となり、又100 m
り/eより大きくなると凹凸の銅からなる金属メッキ層
5は形成されるへがメ。
レンオレイルエーテルについても、その濃度が5 m9
71未満であるとメ・ツキ層が凹凸の銅からなる金属メ
ッキ層とならず平たんなメッキ層となり、又100 m
り/eより大きくなると凹凸の銅からなる金属メッキ層
5は形成されるへがメ。
キの密度が疎になる。
発明の効果
以上のように本発明は、伝熱管壁面に1.オキシエチレ
ン系界面活性剤と低濃度の塩化物イオンを添加剤として
加えたメッキ液により、第1工程で伝熱管壁面をアノー
ド側とし短時間通電し伝熱管壁面を電解研摩した後、第
2工程で伝熱管壁面をカソード側として、凹凸の金属メ
ッキ層を形成してなる伝熱管のメッキ方法であるから、
第1工程において行なう伝熱管壁面をアノード側として
短時間通電するメッキにより伝熱管壁面の金属がマイナ
スイオンとしてメッキ液中に溶出するため、伝熱管壁面
が電解研摩されることとなり、第2工程で行う伝熱管壁
面をカソード側として凹凸の金属メッキ層を形成させる
場合に、凹凸の金属メッキ層が電解研摩された伝熱管壁
面に形成されるためにその密着性はたいへん良好となる
という効果が得られるものである。
ン系界面活性剤と低濃度の塩化物イオンを添加剤として
加えたメッキ液により、第1工程で伝熱管壁面をアノー
ド側とし短時間通電し伝熱管壁面を電解研摩した後、第
2工程で伝熱管壁面をカソード側として、凹凸の金属メ
ッキ層を形成してなる伝熱管のメッキ方法であるから、
第1工程において行なう伝熱管壁面をアノード側として
短時間通電するメッキにより伝熱管壁面の金属がマイナ
スイオンとしてメッキ液中に溶出するため、伝熱管壁面
が電解研摩されることとなり、第2工程で行う伝熱管壁
面をカソード側として凹凸の金属メッキ層を形成させる
場合に、凹凸の金属メッキ層が電解研摩された伝熱管壁
面に形成されるためにその密着性はたいへん良好となる
という効果が得られるものである。
第1図は本発明の一実施例を示す熱交換器の横断面図、
第2図は同熱交換器の縦断面図、第3図は同熱交換器の
斜視図、第4図は同メッキ装置のツキ層、9・・・・・
・メッキ液。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名、5
−m−凸凹の金、昌メツ午1 第3図
第2図は同熱交換器の縦断面図、第3図は同熱交換器の
斜視図、第4図は同メッキ装置のツキ層、9・・・・・
・メッキ液。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名、5
−m−凸凹の金、昌メツ午1 第3図
Claims (1)
- 伝熱管壁面に、オキシエチレン系界面活性剤と低濃度の
塩化物イオンを添加剤として加えたメッキ液により、第
1工程で伝熱管壁面をアノード側とし短時間通電し伝熱
管壁面を電解研摩した後、第2工程で伝熱管壁面をカソ
ード側として、凹凸の金属メッキ層を形成してなる伝熱
管のメッキ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23377185A JPS6293039A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 伝熱管のメツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23377185A JPS6293039A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 伝熱管のメツキ方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6293039A true JPS6293039A (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=16960315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23377185A Pending JPS6293039A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 伝熱管のメツキ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6293039A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7732333B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-06-08 | Infineon Technologies Ag | Process for producing and apparatus for improving the bonding between a plastic and a metal |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP23377185A patent/JPS6293039A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7732333B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-06-08 | Infineon Technologies Ag | Process for producing and apparatus for improving the bonding between a plastic and a metal |
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