JPS6283483A - Ｍｎ−Ｚｎフェライトの化学エッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトの化学エツチン
グ方法に係り、特に磁気ヘソＦ用フェライトコアの磁気
キャップを形成するのに好適に用いられる化学エツチン
グ方法に関するものである。

（従来技術とその問題点） 従来から、磁気ヘッド用コアとして、コア材料にフェラ
イトを用いて構成したフェライトコアが知られている。

このフェライトコアば、良く知られているように、一般
に、二つのフェライト部材が突き合わされて環状の磁路
（磁気回路）が形成された構造を有するものであって、
それらフェライト部材の間に形成される空間がコイル巻
線用の孔とされている一方、それらフェライト部材の一
方の突合せ部に、前記環状の磁路を横切る方向に所定間
隙の磁気ギャップが設けられており、この磁気ギャップ
によって、磁気テープや磁気ディスク等の磁気記録媒体
に対して、周知の如く、所定の記録や再生を行なうよう
になっている。

ところで、ＶＴＲ用やコンピュータ用の磁気ヘッドにあ
っては、その高性能化のために、かかる磁気ギヤツブは
１μｍ或いはそれ以下の幅であることが要請されている
。一方、磁気ギャップを形成する方法としては、薄いガ
ラス片をフェライト部材の突合せ面の間に置いて加圧加
熱して、所定の間隔を形成する手法が、一般に採用され
ているが、この方法では、磁気ギャップの間隙幅が１μ
ｍ以−ヒのオーディオヘッドについては有用であっても
、」二記の如き所謂狭ギヤツプ磁気ヘッドの製造には適
していないのである。このため、スパッタリンク法や真
空蒸着法といった薄膜製造技術を用いて、突合せ面上に
スペーサ材を所要の厚さに付着させて、これをスペーサ
として利用したり、更にガラスの微粒子を突合せ面に沈
降させてから焼き付け、所要のスペーサを形成すること
も検討されている。

しかしなから、前者の方法にあっては、装置か大規模と
なり、しかも１回の処理で形成できる数量或いは付着面
積が限られ、所定の膜厚とするには、かなり長時間を要
するために、経済性、量産性に乏しい問題がある。また
、スパッタリングの場合、イオン密度の場所的なバラツ
キによって、生成するスペーサ材の膜厚にむらを生ずる
問題がある。更に、後者の方法によれば、ガラス微粒子
の収率が極めて低いこと、また、ときによっては、微粒
子間に存在する空気が気泡としてスペーサ中に取り込ま
れることもあること、更には焼付処理によってガラスと
フェライトとが反応して、磁気ギャップの実効幅が変化
する等といった問題が生じる。

一方、磁気ヘッド用コアを構成するフェライト部材の磁
気ギャップ構成面を、エツチング処理により所定深さに
除去せしめ、以て目的とする間隔（幅）を形成せしめる
手法も考えられ、本発明者等の一人は、先に、特願昭５
８−２４６２６１号及び特願昭５８−２４６２６２号等
において、硫酸、リン酸の如き無機酸からなるエツチン
グ液を用い、所定のフェライト部材のギャップ構成面を
所定深さに化学エツチングせしめる手法を明らかにした
。

而して、このような化学エツチング手法にて、フェライ
ト部材、特に磁気ヘッド用コア材料として好適に用いら
れるＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトの単結晶面を所定深さ
エツチング処理して、磁気ギャップを形成せしめるに際
しては、そのエツチング面をより一層平滑化せしめ、ま
たそのような平滑面をより一層寸法精度よく安定して得
ることが望ましい。特に、前述のように、狭ギヤツプ磁
気ヘットの製造において、Ｍｎ−Ｚｎフェライトのエツ
チング面を平滑化、換言すればその面粗度を向卜せしめ
ることば、ヘッド感度を高める−１−においても重要な
ことなのである。

（解決手段） ここにおいて、本発明は、かかる事情を背景にして為さ
れたものであって、その主たる目的とするところは、Ｍ
　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトの屯結晶面を、寸法精度良く
、叶つ面粗度に優れたエツチング液を与えるように化学
エツチングする方法を提供するごとにあり、また他の目
的とするところは、磁気ヘッド用コアの磁気ギャップの
形成のために好適に用いられるＭ　ｎ−Ｚ　ｎフェライ
１−の化学エツチング方法を提供することにあり、そし
てこのような目的を達成するために、本発明にあっては
、Ｍ　ｎ−Ｚ　ｎフェライトの鏡面研磨された単結晶面
に対して、少なくとも２０重量％の水分を含むリン酸主
体水溶液を接触せしめて、かかる単結晶面を化学エツチ
ングするようにしたのである。

すなわち、本発明にあっては、エツチング液として環リ
ン酸（８５％）を用いるのではなく、水分量が２０重量
％以上のリン酸主体水溶液、換言すればリン酸を主体と
する酸濃度が８０％未満のリン酸主体水溶液を用いて、
Ｍｎ−Ｚｎフェライトの単結晶面の化学エツチングを行
なうようにしたものであり、これによって、かかる結晶
面が寸法精度良くエツチングされると共に、そのエツチ
ング面の面粗度を高め、訃つ均質と為し得たのである。

なお、本発明におけるリン酸主体水溶液とは、リン酸の
みからなる酸の水溶液だけを意味するものではな（、リ
ン酸に少量の硫酸等の他の酸を含有する水溶液も意味す
るものである。また、リン酸主体とは、リン酸が酸全体
に対して８０％以上含有されることを意味する。

ところで、かかる本発明に従う化学エツチング処理の施
されるＭ　ｎ−Ｚ　ｎフェライトとしては、その全体が
一つの単結晶体から構成されるものの他、その一部に単
結晶部分を有する単結晶・多結晶複合Ｍｎ−Ｚｎフェラ
イト部材がある。そして、このようなＭ　ｎ　−Ｚ　ｎ
フェライトの単結晶部分の露出された筆結晶面は、それ
が磁気ヘッド用コア材料として用いられる場合において
磁気ギャップ構成面として好適に利用されることとなる
が、本発明にあっては、そのような単結晶面に対して本
発明に従う化学エツチング処理が施されることとなるの
である。なお、Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト単結晶部分
の結晶面は、（１００）面、（２１，１）面、（１１］
）面、（１１０）面があるが、本発明においては、特に
（１００）結晶面に対するエツチング処理が好適に採用
され、これによってＭｎ−Ｚｎｎフェライト結晶部分の
表面を、最も良く平滑化することが出来るのである。

また、かかるエツチング処理の施されるＭｎ−７、ｎフ
ェライトの単結晶部分の単結晶面は、常法に従ってダイ
ヤモンド砥粒等にて鏡面研磨され、予め平滑な被処理面
とされていることか必要てあり る。けだし、エツチングの均一性の如何に拘わらず、エ
ツチング処理されるべき単結晶面の表面形態も、また、
生じるエツチング面の表面性状に影響をもたらすからで
ある。

さらに、かかるＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト−は、その
単結晶面が化学エツチングされるに先立って、フェライ
トの平衡酸素濃度若しくはそれ以下の酸素濃度の雰囲気
中において、少なくとも７００　′Ｃ１一般に７００〜
１３００℃の温度下で焼鈍（熱処理）される。このよう
な熱処理による表面調整により、研磨加工面である単結
晶面に生じた加工変質層が再結晶化されること等によっ
て、単結晶内部（バルク）と同様な表面状態となり、こ
れによって後の化学エツチング処理が有効に行なわれ得
て、エツチング面が安定化し、また面粗度が効果的に向
上せしめられ得るのである。なお、この焼鈍温度が低過
ぎたり、また焼鈍雰囲気がフェライトの平衡酸素濃度よ
りも高い酸化性雰囲気の場合にあっては、充分な焼鈍効
果を期待することが困難となる。

ところで、かかる本発明に従う特定濃度のリン酸主体水
溶液による化学エツチング処理は、Ｍｎ−Ｚｎフェライ
トの鏡面研磨された単結晶面に対して、かかるリン酸主
体水溶液が接触せしめられることとなるならば、如何な
る手法をも採用することが可能であるが、本発明にあっ
ては、一般に、Ｍ　ｎ−Ｚ　ｎフェライトが前記リン酸
主体水溶液中に浸漬せしめられることによって、そのよ
うな接触状態が実現されることとなる。

また、かかる化学エツチング処理に用いられるリン酸主
体水溶液は、前述のように、少なくとも２０重量％の水
分を含み、且つ残部がリン酸が主体である酸の水溶液で
ある必要があり、その水分量が２０重量％よりも少なく
なり、リン酸主体の酸濃度が高くなると、エツチング面
の面粗度が著しく悪化し、またエツチング深さにバラツ
キを生じる等の問題を惹起する。なお、このリン酸主体
水溶液中の水分量が多くなればなるほど、酸濃度は低下
し、エツチング処理に時間が掛かるようになるところか
ら、一般に、水分量の上限としては９５重量％程度、換
言すれば酸濃度の下限を５重量％程度に止めることが望
ましい。

さらに、このような特定濃度のリン酸主体水溶液を用い
たエツチング処理は、単結晶面の目的とするエツチング
量、即ちエツチング深さに応じて、適当な温度下におい
て所定時間の間実施されることとなる。換言すれば、主
としてリン酸主体水溶液中の水分量、処理温度、処理時
間によって、Ｍｎ−Ｚｎフェライトの単結晶面のエツチ
ング深さが定められることとなるのである。尤も、エツ
チング処理温度に関して、リン酸主体水溶液の沸点まで
の温度が採用可能であるが、余りにも高い温度の採用は
、リン酸主体水溶液の水分量を変化せしめることとなり
、有効なエツチングを行ない得なくなることがあるとこ
ろから、一般に、常温〜８０℃程度、通常３０〜７０℃
程度の範囲内の温度でエツチングを行なうことが望まし
い。

なお、かくの如き化学エツチングに際して、前記Ｍ　ｎ
　−Ｚ　ｎフェライトを上記所定のリン酸主体水溶液か
らなるエツチング液中に浸漬、静置せしめ、しかも、か
かるリン酸主体水溶液を攪拌しない状態下において、該
化学エツチング操作が実施せしめられるようにすること
によって、エツチング速度が著しく向上せしめられ、リ
ン酸主体水溶液を攪拌せしめた場合に比較して８〜１０
倍も早くなり、生産性が著しく向上され得るのである。

このエツチング速度の向上の理由について、未だ充分な
解明は為されていないが、恐らく、Ｍ　ｎ　−Ｚｎフェ
ライトから溶出した成分によって或いはそのような溶出
成分によってリン酸主体水溶液中に何等かの新しい物質
が形成される等して、フェライト表面附近がエツチング
され易い環境下に保持されるためであると、推察されて
いる。尤も、このような推察によって、上記のエツチン
グ速度の向上の事実が何等制限的に解釈されるものでな
いことは、言うまでもないところである。

このように、本発明に従って、Ｍｎ−Ｚｎフェライトの
単結晶面を、所定のリン酸主体水溶液によって化学エツ
チングすることにより、面粗れの抑制された、面粗度の
良好なエツチング面を寸法精度良く形成し得るところか
ら、本発明は、磁気ヘッド用コアの磁気ギャップの形成
に好適に適用されることとなる。即ち、磁気ヘッド用コ
アを構成するＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトにおいて、そ
の磁気ギャップ構成面である単結晶面に対して、本発明
に従う化学エツチング処理が施され、以て寸法精度良（
、所定深さにエツチングされると共に、そのエツチング
面の面粗度が向上されて、平滑面と為されることにより
、狭幅の磁気ギャップをも、正確に且つ安定して得るこ
とが出来るのである。

因みに、第１図には、本発明に従う化学エツチング手法
を用いて磁気ギャップを形成した磁気ヘッド用フェライ
トコアの製造の一例が、概略的に示されている。そこに
おいて、先ず、所定の一方のフェライト部材（Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライト単結晶体ブロック）２には、コイル巻線用
の孔を形成するための溝４を加工する溝加工が施され、
また同時に磁気ギャップ構成面６を仕切る仕切溝８が設
けられ、これによって磁気ギャップ構成面６を形成する
突起１０を間にして、その画側に外側突起１２．１４が
形成される。なお、この溝加工は、通常ダイヤモンドカ
ッタ等にてブロック状のフェライト部材２を切削するこ
とにより行なわれ得るが、これに代えて、コイル巻線用
の溝４等の形状を有するフェライト部材を、プレス成形
手法によって直接に形成せしめ、それを公知の方法に従
って単結晶化せしめたものを用いることも可能である。

次いで、かかる溝加工の施されて成るフェライト部材２
には、その磁気ギャップ構成面６に対して、所定深さく
厚さ）：αだけ表面を除去せしめるギャップ加工が施さ
れるのであるが、このギヤツブ加工が前記した化学エツ
チング手法にて行なわれるのである。換言すれば、化学
エツチング手法によるギャップ加工は、突起１０の高さ
をα分のみ低くするものであって、この除去された厚さ
くα）が、後述するようにフェライトコアの磁気ギャッ
プ（β）を形成することとなるのである。

このように、突起１０のエツチング量が、目的とする磁
気−・ソド用コアの磁気ギヤツブ（β）を決定すること
となるところから、そのエツチング量（深さ：α）は正
確に定められなければならず、またエツチング面の面粗
度も向上せしめる必要があるのである。・ なお、かかるフェライト部材２に対するギャップ加工工
程と溝加工工程の順序は不同であり、例えば、第１図に
例示の方法とは異なり、先にギャップ加工を行なった後
、溝加工を実施するようにすることも可能である。

そして、このようなギャップ加工工程、溝加工工程を経
たフェライト部材２に対して、他方のブロック状のフェ
ライト部材（好ましくは、磁気ギャップ構成面部分が単
結晶とされたＭｎ−Ｚｎフェライト）１６が、それらフ
ェライト部材の間に前記溝４が位置するように、換言ず
ればかがる溝４が該他方のフェライト部材１６によって
覆蓋されるように、重ね合わされ、突き合わされるので
ある。そして、この突き合わせによって、一方のフェラ
イト部材２の外側突起１２．１４が他方のフェライト部
材１６に当接することにより、前記ギャップ加工工程に
おいて除去された厚さ：α分だけの隙間が二つのフェラ
イト部材１０と、１６との間に形成され、これが磁気ギ
ャップの隙間〈β）となるのである。

また、この二つのフェライト部材２と１６の突き合わせ
に際しては、公知のように、それらの当接部分に適当な
無機酸或いはフェライト成分を含んだ無機酸塩の水溶液
が介在せしめられることとなる。そして、このように組
み合わされて、突き合わされたフェライト部材２及び１
６は、その状態において加熱せしめられ、以てそれらの
当接部分において同相反応が惹起せしめられて、一体重
に焼結せしめられ、それらの接合が行なわれるのである
。なお、この一体重な接合体１８はフェライト部材２と
１６にて構成されるものであるが、それらの当接部分に
は異相は認られず、実質的に一体の連続的なｉ￥Ｉｉ織
となるものであり、そして、その中心部分に前記／Ｒ４
によってコイル巻線用の孔２０が形成される一方、フェ
ライト部材２部分の突起１０と他方のフェライト部材１
６の対向面との間に、所定間隙：β（α）の磁気ギャッ
プ２２が形成されるのである。

次いで、この同相反応によって直接に接合され、一体化
せしめられた接合体１８には、その磁気ギャップ２２部
分の保護のために、通常その間隙がガラス２４にて充填
せしめられ、さらにその後、磁気ギャップ２２を外側に
露出せしめて磁気テープ等の磁気記録媒体が摺接せしめ
られるように、仕切り溝８例の外側突起１２の接合部分
を該突起１２を含んで切除する切除操作が施され、摺接
面２８が形成される。これにより、他方の外側突起１４
部分のみにて二つのフェライト部材２．１６が接合され
て所定の環状の磁路が構成された、目的とするフェライ
トコア２６が形成されるのである。そして、かかるフェ
ライトコア２６の中心部に設けられたコイル巻線用の孔
２０を介して、所定のコイルが巻き付けられることによ
って、目的とする磁気ヘッドが完成されることとなる。

このように、本発明に従う化学エツチング手法により、
Ｍ　ｎ−Ｚ　ｎフェライトの磁気ギヤツブ構底面をエツ
チング処理することにより、目的とする磁気ヘッド用コ
ア（２６）を有利に製造することが出来るものであるが
、本発明は、上側の如き磁気ヘット用コアの製造例のみ
に適用されるものでは決してなく、本発明者等の一人が
先に出願した特願昭５８−２４６２６１号や特願昭５８
−２４、６２６２号等に開示されている磁気ヘッド用コ
アの製造手法の何れにも適用され得、更には磁気ヘッド
用コアの製造の場合以外の他のエツチング操作にも有利
に適用され得るものである。また、それらの出願に開示
されているフηライト単結晶を少なくとも一部分に有す
るフェライト部材が、本発明におけるＭｎ−Ｚｎフェラ
イＩ・部材として、更には磁気ヘッド用コアを製造する
ためのＭ　ｎ　−Ｚｎフェライト部材として、好適に使
用され得るものである。

なお、本発明は、以上の具体的説明並びに好ましい実施
形態のみに限定されるものでは決してなく、本発明の趣
旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて
種々なる変更、修正、改良などを加えた形態において実
施され得るものであり、本発明が、また、そのような実
施形態のものをも含むものであること、言うまでもない
ところである。

（発明の効果） 以上の説明から明らかなように、本発明に従って、Ｍｎ
−Ｚｎフヱライトの鏡面研磨された単結晶面を特定のリ
ン酸主体水溶液にて化学エツチング処理することにより
、面粗度の著しく優れたエツチング面を得ることが出来
、またエツチングを寸法精度良く、且つ安定して行なう
ことが出来ることとなったのである。

また、かかる化学エツチング手法を用いて、磁気ヘッド
用コアの磁気ギヤツブを形成せしめるようにすれば、簡
単な装置で、寸法精度の良い磁気ギャップ幅を与えるＭ
　ｎ−Ｚ　ｎフェライＩ・部十４を大量に製造すること
が出来、以て磁気ヘッド用コアの量産性や経済性を著し
く高めることが出来るのである。

（実施例〉 以下、本発明を更に具体的に明らかにするために、本発
明の幾つかの実施例を示すが、本発明が、また、かかる
実施例の記載によって何等制限的に解釈されるものでは
ないこと、訂うまでもないところである。なお、実施例
中の百分率は特に断わりのない限り重量基準によるもの
である。

実施例　Ｉ Ｆｅｚ○３　：５３モル％、ＭｎＯ：　３０モル％及び
ＺｎＯ：１７モル％からなるＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライ
ト単結晶体を用いて、その鏡面研磨（Ｒｍａｘ：　０．
０２〜０．０３μｍ）された単結晶面に対して、下記第
１表に示される如き各種の水分量のリン酸水溶液中で、
それぞれ化学エツチング処理を行なった。

そして、それぞれのエツチング条件下において得られた
各種のエツチング試料について、表面粗さ計（東京精密
株式会社製ＡＲ２）にて面粗度をそれぞれ測定し、その
結果を、エツチング量と共に、第１表にイｊ（せ示した
。

なお、第１表中の総合判定の記号は、下記の意味を有す
るものである。

◎：面粗度が優れている ○：面粗度が良好である ×：面粗度不良 また、かかるＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト単結晶体の（
１００）面を、常法に従ってダイヤモンド砥粒にて鏡面
研磨してＲｍａｘが０．０２〜０．０３μｍの平滑な表
面とした後、かかる平滑面に対して、各種の水分量のリ
ン酸水溶液を用いて、５０℃×３０分、５０℃×６０分
、５０℃×９０分のエツチング条件下に、それぞれ化学
エツチングして、それぞれのエツチング量（深さ）を求
め、その結果を第２図に示した。

上記第１表から明らかなように、エツチング液として水
分量が２０％よりも少ない高濃度のリン酸水溶液を用い
た場合においては、エツチング面の面粗度が大となり、
面粗れが著しいことが理解される。これに対し７で、本
発明に従って、リン酸水溶液中の水分量を２０％以上と
すると、エツチング面の凹凸が小さく、著しく平滑なエ
ツチング面が得られるのである。また、第２図から明ら
かなように、水分量が２０％以上、換言すればリン酸濃
度が８０％よりも低い水溶液を用いると、水分量（リン
酸濃度）に比例して、略一定の割合でエツチング量が変
化し、そのエツチング量を規制するのが容易であるのに
対して、水分量が２０％よりも少なくなると、エツチン
グ量が著しく増大し、そのエツチング量を制御すること
が囲動となると共に、その強いエツチング作用にて表面
が粗となることが、窺知されるのである。

実施例　２ 実施例１で用いられたＭｎＺｎフエライ１〜単結晶体の
鏡面研磨された単結晶面に対して、水分量が２３％のリ
ン酸水溶液を用いて、５０℃の温度下に、エツチング時
間を種々異ならしめて、化学エツチング処理を行なった
。それぞれのエツチング処理条件下におけるエツチング
量（深さ）を測定して、下記第２表に示した。

第２表 ソチング時間が長くなるに従って、単結晶面のエツチン
グ量は漸次増大している。なお、何れのエツチング面に
あっても、その表面粗さくＲａ）は０、　ＯＯ３〜０．
００８μｍ程度で、極めて平滑な表面であった。

実施例　３ 実施例１で用いたＭｎ−Ｚｎフェライト単結晶体の（１
００）面に対して鏡面研磨を施した後、該単結晶体を水
分量が２３％のリン酸水溶液中に浸漬せしめ、かかるリ
ン酸水溶液を攪拌した場合と、攪拌せずに単に静置した
場合とにおける、化学エツチング作用を評価した。

その結果、リン酸水溶液を攪拌した場合におけるエツチ
ング量は０．３μｍであったのに対して、フェライト単
結晶体を単にリン酸水溶液中に静置して、攪拌しなかっ
た場合にあっては、そのエツチング量は２．５μｍとな
り、後者の場合において大きな化学エツチング作用を期
待し得ることが明らかとなった。なお、リン酸水溶液を
攪拌した場合と単なる静置した場合の何れにおいても、
エソチング面は面粗度の良好な平滑な表面であった。

実施例　４ 実施例１で用いられたＭ　ｎ−Ｚ　ｎフェライト単結晶
体を用いて、その鏡面研磨された単結晶面に対して、水
分量が２２％（リン酸濃度７８％）のリン酸水ｍＷ中へ
の浸漬による化学エツチング処理を施し、エツチング温
度及びエツチング時間に対するエツチング量の変化を調
べ、その結果を、第３図に示した。

第３図から明らかなように、エツチング温度の」１昇に
つれて、またエツチング時間の増大につれて、それぞれ
エツチング量も略比例して増加していることが理解され
る。

実施例　５ 実施例１で用いられたのと同様なＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェ
ライト単結晶体の鏡面研磨された、（１１１）面若しく
は（１００）面に対して、それぞれ化学エツチング処理
を施し、得られたエツチング面に対する表面粗さ計によ
る測定図をそれぞれ第４図（ａ）及び（ｂ）に示した。

なお、エツチング条件としては、水分量が２３％のリン
酸水溶液を用いて、（１１１）面に対しては５０℃Ｘ３
０分間漫消処理する条件が、また（１１１）面に対して
は５０℃×１５分の間浸漬処理する条件が採用された。

第４図（ａ＋及び（ｂｌの比較から明らかなように、化
学エツチング処理される単結晶面としては、（１１１）
面より　（１００）面の方がより平滑なエツチング面が
得られるのである。なお、（１１１）面のエツチング面
はその表面粗さが０．４〜０．５μｍであり、一方（１
００）面のエツチング面はその表面粗さはｏ、ｏｏｓμ
ｍ以下であった。

なお、比較のために、（１１１）面の単結晶面に対して
、水分量が１５％のリン酸水溶液を用いて、エツチング
温度＝５０℃×エツチング時間：１３０分、未攪拌の条
件下において、化学エツチングした表面の表面粗さ図を
第４図（Ｃ）に示した。

この時のエツチング量は１．５μｍであり、またその表
面粗さくＲａ）は０．４μｍであった。

実施例　６ 実施例１で用いられたＭｎ−Ｚｎフェライト単結晶体の
単結晶面を、常法に従って、ダイヤモンド砥粒により鏡
面研磨した後、下記第３表に示される各種の条件下にお
いて、焼鈍処理した。次いで、この得られた焼鈍条件の
異なるフェライト単結晶体を、水分量が２３％のリン酸
水溶液中に浸漬せしめ、５０℃×４５分の化学エツチン
グ処理を施し、それぞれのエツチング面を評価して、下
記第３表に示した。

この第３表から明らかなように、Ｍ　ｎ−Ｚ　ｎフェラ
イト単結晶体を鏡面加工した後、それに、フェライトの
平衡酸素濃度若しくはそれ以下の酸素濃度の雰囲気中に
おいて、焼鈍処理を行なうことにより、得られるエツチ
ング面の表面性状が効果的に改善され、また酸化状態で
熱処理されたフェライトはエツチング量が減少し且つ面
状態が悪化することが理解される。

第３表

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気ヘッド用コアの製造例を工程的に概説する
ための説明図であり、第２図は実施例１において得られ
たリン酸の濃度とエツチング量との関係を示すグラフで
あり、第３図は実施例４において得られた各種のエツチ
ング温度下におけるエツチング時間とエツチング量との
関係を示すグラフであり、第４図ｆａｎ、　（ｂ）及び
（Ｃ１はそれぞれ実施例５において得られたエツチング
面の表面粗さを示すグラフである。 ２．１６：フェライト部材 ４：溝　　　　　６：磁気ギャップ構成面１０：突起　
　１８：接合体 ２０：孔　　　２２：磁気ギャップ ２６：フェライトコア

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｍｎ−Ｚｎフェライトの鏡面研磨された単結晶面
   に対して、少なくとも２０重量％の水分を含むリン酸主
   体水溶液を接触せしめて、かかる単結晶面を化学エッチ
   ングすることを特徴とするＭｎ−Ｚｎフェライトの化学
   エッチング方法。
2. （２）前記単結晶面が（１００）面である特許請求の範
   囲第１項記載の化学エッチング方法。
3. （３）前記Ｍｎ−Ｚｎフェライトが前記リン酸主体水溶
   液中に浸漬され、該Ｍｎ−Ｚｎフェライトの単結晶面が
   化学エッチングされる特許請求の範囲第１項又は第２項
   記載の化学エッチング方法。
4. （４）前記Ｍｎ−Ｚｎフェライトを前記リン酸主体水溶
   液中に静置せしめ、該リン酸主体水溶液を撹拌しない状
   態下において、前記化学エッチングが行なわれる特許請
   求の範囲第３項記載の化学エッチング方法。
5. （５）前記Ｍｎ−Ｚｎフェライトが磁気ヘッド用コア構
   成部材の一つであり、且つ前記化学エッチングの施され
   る単結晶面が該磁気ヘッド用コアの磁気ギャップ構成面
   である特許請求の範囲第１項乃至第４項の何れかに記載
   の化学エッチング方法。
6. （６）鏡面研磨された単結晶面を有するＭｎ−Ｚｎフェ
   ライトを、フェライトの平衡酸素濃度若しくはそれ以下
   の酸素濃度の雰囲気中において、少なくとも７００℃の
   温度下で焼鈍した後、該Ｍｎ−Ｚｎフェライトの単結晶
   面に対して、少なくとも２０重量％の水分を含むリン酸
   主体水溶液を接触せしめて、かかる単結晶面を化学エッ
   チングすることを特徴とするＭｎ−Ｚｎフェライトの化
   学エッチング方法。
7. （７）前記単結晶面が（１００）面である特許請求の範
   囲第６項記載の化学エッチング方法。
8. （８）前記Ｍｎ−Ｚｎフェライトが前記リン酸主体水溶
   液中に浸漬され、該Ｍｎ−Ｚｎフェライトの単結晶面が
   化学エッチングされる特許請求の範囲第６項又は第７項
   記載の化学エッチング方法。
9. （９）前記Ｍｎ−Ｚｎフェライトを前記リン酸主体水溶
   液中に静置せしめ、該リン酸主体水溶液を攪拌しない状
   態下において、前記化学エッチングが行なわれる特許請
   求の範囲第８項記載の化学エッチング方法。
10. （１０）前記Ｍｎ−Ｚｎフェライトが磁気ヘッド用コア
    構成部材の一つであり、且つ前記化学エッチングの施さ
    れる単結晶面が該磁気ヘッド用コアの磁気ギャップ構成
    面である特許請求の範囲第６項乃至第９項の何れかに記
    載の化学エッチング方法。