JPS608609B2 - 多結昌フエライトの電解研摩方法 - Google Patents
多結昌フエライトの電解研摩方法Info
- Publication number
- JPS608609B2 JPS608609B2 JP52070904A JP7090477A JPS608609B2 JP S608609 B2 JPS608609 B2 JP S608609B2 JP 52070904 A JP52070904 A JP 52070904A JP 7090477 A JP7090477 A JP 7090477A JP S608609 B2 JPS608609 B2 JP S608609B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic polishing
- polishing method
- electrolytic
- temperature
- polygonal ferrite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、予め機械的加工手段によって鏡面に加工され
た多結晶フェライトを電解研摩してもとの鏡面加工面の
加工層を除去して素地に近い結晶構造を有した鏡面を得
ることを目的とする。
た多結晶フェライトを電解研摩してもとの鏡面加工面の
加工層を除去して素地に近い結晶構造を有した鏡面を得
ることを目的とする。
また磁気ヘッドの加工において、高透磁率磁性体での多
結晶フェライトを電解研摩して鏡面でかつ加工層のほと
んどがないギャップ面を得、しかして、高周波特性の優
れた磁気ヘッドを得ることを目的とする。従来、高周波
特性の優れた、もしくは分解能の優れた磁気ヘッドを製
造する上で、最も重要な事は磁気ギャップの外形形状が
鋭いことと、ギャップ部とコア内部との電磁率の落差が
急峻なことであり、一般にこの妨げになっているものの
一つはギャップ対向面の加工層の存在である。
結晶フェライトを電解研摩して鏡面でかつ加工層のほと
んどがないギャップ面を得、しかして、高周波特性の優
れた磁気ヘッドを得ることを目的とする。従来、高周波
特性の優れた、もしくは分解能の優れた磁気ヘッドを製
造する上で、最も重要な事は磁気ギャップの外形形状が
鋭いことと、ギャップ部とコア内部との電磁率の落差が
急峻なことであり、一般にこの妨げになっているものの
一つはギャップ対向面の加工層の存在である。
ギャップ対向面は極めて高精度の鏡面でなければならな
いが、そのためにラッピング等の機械加工が必要であり
、ラッピング加工による加工層を磁気特性に実害ない程
度にするためには最高級の加工技術が必要とされる。し
たがって、一般には製造者の有する加工技術と必要とさ
れる磁気ヘッドの性能とを妥協して兼ね合わせている。
あるいは単結晶フェライト等の磁性材料ではラッピング
加工の後に化学エッチングによって加工層を除去してい
る。単結晶フェライトの場合には、化学エッチングによ
って鏡面の劣化は軽微なためにその様な処理が可能とな
る。しかし、多結晶フェライトの場合には、多結晶粒の
方法が一様でないために、化学エッチングを実施した場
合にはエッチング速度の異万性のためにもとの鏡面がそ
こなわれ、結晶粒の単位で凹凸が生じてしまう。これに
対し、最近開発され、精密工作便覧や、Natio順I
TechnicalRepo九22.6(1976)に
紹介されている研摩手段として電解研摩によるエッチン
グがある。
いが、そのためにラッピング等の機械加工が必要であり
、ラッピング加工による加工層を磁気特性に実害ない程
度にするためには最高級の加工技術が必要とされる。し
たがって、一般には製造者の有する加工技術と必要とさ
れる磁気ヘッドの性能とを妥協して兼ね合わせている。
あるいは単結晶フェライト等の磁性材料ではラッピング
加工の後に化学エッチングによって加工層を除去してい
る。単結晶フェライトの場合には、化学エッチングによ
って鏡面の劣化は軽微なためにその様な処理が可能とな
る。しかし、多結晶フェライトの場合には、多結晶粒の
方法が一様でないために、化学エッチングを実施した場
合にはエッチング速度の異万性のためにもとの鏡面がそ
こなわれ、結晶粒の単位で凹凸が生じてしまう。これに
対し、最近開発され、精密工作便覧や、Natio順I
TechnicalRepo九22.6(1976)に
紹介されている研摩手段として電解研摩によるエッチン
グがある。
電解研摩の加工原理にはまだ明らかでない部分があるが
、多結晶体表面を光沢面とする加工法として金属工作物
に対しては広く実用されている。この場合には一般に電
解液を加熱した状態で施工する。これに対し、多結晶フ
ェライトの場合には室温程度で行なう方が良い結果が得
られている。しかし、多数の工作物を同時に電解研摩す
る場合には、従来の方法では電解研摩される量が不安定
であり、品質不良の一因となっていた。本発明は上記従
来技術に鑑み、多結晶フェライトに通した電解研摩方法
を提供するものである。
、多結晶体表面を光沢面とする加工法として金属工作物
に対しては広く実用されている。この場合には一般に電
解液を加熱した状態で施工する。これに対し、多結晶フ
ェライトの場合には室温程度で行なう方が良い結果が得
られている。しかし、多数の工作物を同時に電解研摩す
る場合には、従来の方法では電解研摩される量が不安定
であり、品質不良の一因となっていた。本発明は上記従
来技術に鑑み、多結晶フェライトに通した電解研摩方法
を提供するものである。
以下本発明の詳細について説明する。本発明においては
既知の電解研摩法とは全く逆に、電解液と冷却する。た
とえば実験によれば、電解液温度を1000以下に制御
することによって電解研摩される量は精度よく管理され
る。さらには5℃程度にした場合に電解研摩能率を実用
的な程度に維持して高精度の電解研摩が可能となる。実
験によれば、電解研摩による除去量の仕様を0.4±0
.1rmとした場合にクーロンメータによって電気量を
ィンプロセスで測定しながら電解研摩して、ばらつきは
0.05仏m以下とすることができた。なお、電解液の
冷却は、電解液容器を冷却水中にひたし、冷却水をほぼ
0℃に維持しつつ、電解液を櫨はんすることが有効であ
った。冷却水をほぼ0℃に維持する具体的方法は、冷凍
機を用いるか、あるいは氷水を使用すればよい。第1図
は電解液温度をパラメータとした電圧・電流特性である
が、それぞれの液温において加工面が鏡面を維持する電
圧範囲すなわち作業電圧範囲はa,b,cである。
既知の電解研摩法とは全く逆に、電解液と冷却する。た
とえば実験によれば、電解液温度を1000以下に制御
することによって電解研摩される量は精度よく管理され
る。さらには5℃程度にした場合に電解研摩能率を実用
的な程度に維持して高精度の電解研摩が可能となる。実
験によれば、電解研摩による除去量の仕様を0.4±0
.1rmとした場合にクーロンメータによって電気量を
ィンプロセスで測定しながら電解研摩して、ばらつきは
0.05仏m以下とすることができた。なお、電解液の
冷却は、電解液容器を冷却水中にひたし、冷却水をほぼ
0℃に維持しつつ、電解液を櫨はんすることが有効であ
った。冷却水をほぼ0℃に維持する具体的方法は、冷凍
機を用いるか、あるいは氷水を使用すればよい。第1図
は電解液温度をパラメータとした電圧・電流特性である
が、それぞれの液温において加工面が鏡面を維持する電
圧範囲すなわち作業電圧範囲はa,b,cである。
これからわかる様に液温が高くなると電圧範囲が狭くな
りt安定した品質が得難い。また、電解液温度が高くな
ると電解液の純化学的な作用が活発になり、クーロン量
から定まる除去量以上に除去されることもあり好ましく
ない。第2図は電解液温度による不良率を示す。
りt安定した品質が得難い。また、電解液温度が高くな
ると電解液の純化学的な作用が活発になり、クーロン量
から定まる除去量以上に除去されることもあり好ましく
ない。第2図は電解液温度による不良率を示す。
この場合の不良は次の仕様を満足しないものである。仕
様 ■ 除去量 0.4土0.1仏m■ 表面あらさ
0.02仏m以内 これにより液温10qo以下では不良率が著しく低下し
ていることが明らかである。
様 ■ 除去量 0.4土0.1仏m■ 表面あらさ
0.02仏m以内 これにより液温10qo以下では不良率が著しく低下し
ていることが明らかである。
このように不良率が低下する原因は第1図に示す作業電
圧範囲が広くなって電圧変化による不良発生が防止でき
ること、また低温化により化学作用が抑制されること、
さらに第1図に示す様に低温化により電流密度が低下し
、除去速度が低下するので、除去量の精度なコントロー
ルが容易であることがあげられる。以上のように本発明
においては、多結晶であるため結晶軸がランンダムであ
り、化学エッチングにより単結晶のように鏡面加工し難
い場合においても電解研摩を採用し、しかも不良率の少
ない鏡面加工が得られらる。
圧範囲が広くなって電圧変化による不良発生が防止でき
ること、また低温化により化学作用が抑制されること、
さらに第1図に示す様に低温化により電流密度が低下し
、除去速度が低下するので、除去量の精度なコントロー
ルが容易であることがあげられる。以上のように本発明
においては、多結晶であるため結晶軸がランンダムであ
り、化学エッチングにより単結晶のように鏡面加工し難
い場合においても電解研摩を採用し、しかも不良率の少
ない鏡面加工が得られらる。
また多結晶フェライトを機械加工した場合の加工層をほ
ぼ完全に除去して鏡面を確保できるので磁気ヘッドの高
周波特性は署・しく改善され、ちなみに8MHZの再生
出力は電解研摩しないものに比べて父旧以上改善された
。
ぼ完全に除去して鏡面を確保できるので磁気ヘッドの高
周波特性は署・しく改善され、ちなみに8MHZの再生
出力は電解研摩しないものに比べて父旧以上改善された
。
第1図は磁気ヘッドの電圧−電流曲線、第2図は電解液
温度と不良率の関係を示す図である。 簾1図鞠2図
温度と不良率の関係を示す図である。 簾1図鞠2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電解液温度を10℃以下の低温に制御することを特
徴とする多結晶フエライトの電解研摩方法。 2 特許請求の範囲第1項において、多結晶フエライト
が予めラツピング等の機械的加工手段で鏡面となってお
り、電解研摩にて、もとの鏡面加工面の加工層を除去し
てかつ鏡面を維持することを特徴とする多結晶フエライ
トの電解研摩方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52070904A JPS608609B2 (ja) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | 多結昌フエライトの電解研摩方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52070904A JPS608609B2 (ja) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | 多結昌フエライトの電解研摩方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS545597A JPS545597A (en) | 1979-01-17 |
JPS608609B2 true JPS608609B2 (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=13444972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52070904A Expired JPS608609B2 (ja) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | 多結昌フエライトの電解研摩方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS608609B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55115995A (en) * | 1980-02-25 | 1980-09-06 | Sankyo Alum Ind Co Ltd | Long-length material rising and falling device for vertical suspension type surface treatment |
JPS56173668U (ja) * | 1980-05-22 | 1981-12-22 |
-
1977
- 1977-06-14 JP JP52070904A patent/JPS608609B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS545597A (en) | 1979-01-17 |
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