JPS6281707A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6281707A JPS6281707A JP22194685A JP22194685A JPS6281707A JP S6281707 A JPS6281707 A JP S6281707A JP 22194685 A JP22194685 A JP 22194685A JP 22194685 A JP22194685 A JP 22194685A JP S6281707 A JPS6281707 A JP S6281707A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid electrolytic
- quinone
- complex
- electrolytic capacitor
- tetrathiotetracene
- Prior art date
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- Granted
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fuel Cell (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
L(上夏■旦ユ1
本発明は、特定の右機銘体を固体電解質として用いた性
能の良好な固体電解コンデンサに関する。
能の良好な固体電解コンデンサに関する。
更釆五且1
例えば特開昭52−79255号公報および特開昭58
−17609号公報などに記載されるように、7,7゜
8.8−テトラシアノキノジメタン(以下、TCNQ塩
と略称する)を固体′電解質の主成分と1′る固体電解
コンデンサが知られている。
−17609号公報などに記載されるように、7,7゜
8.8−テトラシアノキノジメタン(以下、TCNQ塩
と略称する)を固体′電解質の主成分と1′る固体電解
コンデンサが知られている。
0が °亀しようとする111(
しかしながら、前記した従来の固体電解コンデンナは、
TCNQ塩が熱安定性に劣るために、高温で長時間保持
することは困難であった。また、この固体電解コンデン
サは、実用上、TCNQ塩のコストが高いため、固体電
解コンデンサ全体の製造コストが高くつくという問題が
あった。
TCNQ塩が熱安定性に劣るために、高温で長時間保持
することは困難であった。また、この固体電解コンデン
サは、実用上、TCNQ塩のコストが高いため、固体電
解コンデンサ全体の製造コストが高くつくという問題が
あった。
本発明は、従来の固体電解コンデンサに比較して、高温
C安定であり、製造コストが低い特定の右機銘体を固体
電解質とする固体電解コンデンナを提供することを目的
とする。
C安定であり、製造コストが低い特定の右機銘体を固体
電解質とする固体電解コンデンナを提供することを目的
とする。
間 、を 沖するためのニー「″
本発明に従えば、前記目的が極めて有効に達せられたテ
トラチオテトラセンとキノンとの錯体を固体電解質とし
て用いたことを特徴とする固体電解コンデン1)゛が提
供される。
トラチオテトラセンとキノンとの錯体を固体電解質とし
て用いたことを特徴とする固体電解コンデン1)゛が提
供される。
本発明にa3いて固体電解質として使用されるテトラチ
オテトラセンとキノンとの錯体は、例えばテトラセンど
イオウとを反応させて得られたテトラチオテトラセンを
適当な溶媒中でキノジと接触させることによって製造す
ることができる。このようにし′C得られたテトラチオ
テトラセンとキノンどの錯体は、300℃でも安定であ
り、従来のTCNQ塩の安定域を遥かに凌駕し、電導度
も10−2〜10−’5−ctn−’と高い。
オテトラセンとキノンとの錯体は、例えばテトラセンど
イオウとを反応させて得られたテトラチオテトラセンを
適当な溶媒中でキノジと接触させることによって製造す
ることができる。このようにし′C得られたテトラチオ
テトラセンとキノンどの錯体は、300℃でも安定であ
り、従来のTCNQ塩の安定域を遥かに凌駕し、電導度
も10−2〜10−’5−ctn−’と高い。
本発明の固体電解コンデンVの陽極には、アルミニウム
、タンタル、ニオブ等の弁金属箔またはこれらの弁金属
粉の焼結体が用いられる。金属9r+の場合は、表面を
エツチングして細孔をもたせる。
、タンタル、ニオブ等の弁金属箔またはこれらの弁金属
粉の焼結体が用いられる。金属9r+の場合は、表面を
エツチングして細孔をもたせる。
金属箔または焼結体は、例えばホウ酸アンモニウムの液
中で電8A酸化され、金属箔または焼結体上に誘電体の
薄層が形成される。
中で電8A酸化され、金属箔または焼結体上に誘電体の
薄層が形成される。
本発明において、テトラチオテトラセンとキノンとの錯
体を誘電体薄層の細孔内に導入形成覆る方法としては、
例えば錯体を1,3−プロパンジオール等のジオールに
溶かして導入する方法、テトラチオテトラセンを融解、
または1ヘリクロロベンゼンやアレトン等に溶かして細
孔内に導入した後、キノンの溶媒溶液(例えばアセトン
溶液)を導入して細孔内で錯体を形成させる方法、およ
びテトラチオテトラセンを融解、またはトリクロロベン
ゼンやアセトン等に溶かして細孔内に導入した復、キノ
ンのガスを導入して錯体を細孔内で形成させる方法等が
あげられる。
体を誘電体薄層の細孔内に導入形成覆る方法としては、
例えば錯体を1,3−プロパンジオール等のジオールに
溶かして導入する方法、テトラチオテトラセンを融解、
または1ヘリクロロベンゼンやアレトン等に溶かして細
孔内に導入した後、キノンの溶媒溶液(例えばアセトン
溶液)を導入して細孔内で錯体を形成させる方法、およ
びテトラチオテトラセンを融解、またはトリクロロベン
ゼンやアセトン等に溶かして細孔内に導入した復、キノ
ンのガスを導入して錯体を細孔内で形成させる方法等が
あげられる。
本発明の固体電解コンデンサは、例えば図のような構造
をNuている。即ち、アルミニウム、タンタル、ニオブ
等の弁金属表面に、電解酸化された多孔質誘電体酸化薄
層が続き、これにテ[〜ラヂオテトラセンとキノンとの
錯体が接触しでいて、錯体の一部が誘電体薄層の細孔内
に入っている。
をNuている。即ち、アルミニウム、タンタル、ニオブ
等の弁金属表面に、電解酸化された多孔質誘電体酸化薄
層が続き、これにテ[〜ラヂオテトラセンとキノンとの
錯体が接触しでいて、錯体の一部が誘電体薄層の細孔内
に入っている。
ざらに、アルミニウム等の金属箔を陰極に取った後、樹
脂封口されている。
脂封口されている。
1胛夏皇1
本発明の固体電解コンデンサは、従来公知の固体電解コ
ンデンサに比較して以下のような利点を右している。
ンデンサに比較して以下のような利点を右している。
■ 高温に加熱することなく、電解質層を形成できるの
で陽極の酸化被膜を損傷する恐れがなく、補修のための
陽極酸化(再化成)を行なう必要もない。そのため、定
格電圧を従来の数18に上げることができ、同容量、同
定格電圧のコンデンサを得るのに、従来のものに比較し
て形状を小J〜゛!化できる。
で陽極の酸化被膜を損傷する恐れがなく、補修のための
陽極酸化(再化成)を行なう必要もない。そのため、定
格電圧を従来の数18に上げることができ、同容量、同
定格電圧のコンデンサを得るのに、従来のものに比較し
て形状を小J〜゛!化できる。
■ 漏れ電流が小さく、高耐圧性のコンデンサを作製す
ることができる。
ることができる。
■ 電解質の電導度が10−2〜10”S−1−1と十
分に高いため、グラファイトなどの導電層を設ける必要
がなく、そのため工程が簡略化され、コスト的にも有利
となる。
分に高いため、グラファイトなどの導電層を設ける必要
がなく、そのため工程が簡略化され、コスト的にも有利
となる。
■ 高周波数特性が良い。
夫−塁−1
以下、実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明する。
なお、各個における固体電解コンデンサの特性値を表に
示した。
示した。
実施例 1
厚さ100μmのアルミニウム箔(純度99.09%)
を陽極とし、直流および交流を交互使用して、箔の表面
を電気化学的にエツチングして平均細孔径が2μ7rL
で、比表面積を12R2/!:Jの多孔室アルミニ1ク
ム箔とした。次いで、このエツチング処理したアルミニ
ウム箔をホウ酸アンモニウムの液中に浸潤し、液中で電
気化学的にアルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成し
た。
を陽極とし、直流および交流を交互使用して、箔の表面
を電気化学的にエツチングして平均細孔径が2μ7rL
で、比表面積を12R2/!:Jの多孔室アルミニ1ク
ム箔とした。次いで、このエツチング処理したアルミニ
ウム箔をホウ酸アンモニウムの液中に浸潤し、液中で電
気化学的にアルミニウム箔の上に誘電体の薄層を形成し
た。
一方、テトラチオテトラセンとP−キノンとの錯体であ
る黒色結晶を1,3−プロパンジオールに溶解させた。
る黒色結晶を1,3−プロパンジオールに溶解させた。
得られた溶液を前記誘電体層に塗布し、減圧脱気を繰り
返して細孔まで充分溶液を満たした接、溶媒を除去して
誘電体層上に錯体からなる固体電解質層を形成した。陰
極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口して固体電解コ
ンデンサをf製した。なお、固体電解質層の電導度は1
x 1O−2S−ctx−1であった。
返して細孔まで充分溶液を満たした接、溶媒を除去して
誘電体層上に錯体からなる固体電解質層を形成した。陰
極にアルミニウム箔を使用し、樹脂封口して固体電解コ
ンデンサをf製した。なお、固体電解質層の電導度は1
x 1O−2S−ctx−1であった。
実施例 2
テトラチオテトラセンのトリクロロベンゼン溶液を実施
例1と同様にしてViた誘゛七体層に塗布し、減圧脱気
を繰り返して細孔まで充分溶液を満たした復、溶媒を除
去した。さらに、キノンの蒸気を窒素ガスと共に導入し
、誘電体層上でテトラチオテトラセンとキノンとの錯体
をつくった。その後実施例1と同様にして固体電解コン
デンサを作製した。
例1と同様にしてViた誘゛七体層に塗布し、減圧脱気
を繰り返して細孔まで充分溶液を満たした復、溶媒を除
去した。さらに、キノンの蒸気を窒素ガスと共に導入し
、誘電体層上でテトラチオテトラセンとキノンとの錯体
をつくった。その後実施例1と同様にして固体電解コン
デンサを作製した。
本 120に++2での測定値
一50Vでの値
図は、本発明による固体電解質の一具体例を示す断面図
である。 1・・・陽極リード線 2・・・陽 極3・・
・酸化皮膜 4・・・陰 極5・・・陰極
リード線 6・・・鉗 休7・・・樹 脂
である。 1・・・陽極リード線 2・・・陽 極3・・
・酸化皮膜 4・・・陰 極5・・・陰極
リード線 6・・・鉗 休7・・・樹 脂
Claims (1)
- テトラチオテトラセンとキノンとの錯体を固体電解質と
して用いたことを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22194685A JPH0650709B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22194685A JPH0650709B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6281707A true JPS6281707A (ja) | 1987-04-15 |
JPH0650709B2 JPH0650709B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=16774630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22194685A Expired - Fee Related JPH0650709B2 (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0650709B2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP22194685A patent/JPH0650709B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0650709B2 (ja) | 1994-06-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |