JPS6280538A - 全反射赤外吸収スペクトル測定装置 - Google Patents
全反射赤外吸収スペクトル測定装置Info
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- JPS6280538A JPS6280538A JP60220031A JP22003185A JPS6280538A JP S6280538 A JPS6280538 A JP S6280538A JP 60220031 A JP60220031 A JP 60220031A JP 22003185 A JP22003185 A JP 22003185A JP S6280538 A JPS6280538 A JP S6280538A
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- infrared light
- infrared
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
- G01N21/552—Attenuated total reflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、全反射赤外吸収スペクトルの測定を行なうた
めの装置に係り、特に全反射赤外分光分析法（，４７７
？）で深さ分析を行なうの忙好適な全反射赤外吸収スペ
クトル測定装置に関する。
めの装置に係り、特に全反射赤外分光分析法（，４７７
？）で深さ分析を行なうの忙好適な全反射赤外吸収スペ
クトル測定装置に関する。
例えばジョン、Ｐ、シビリア（／ 、 ｐ 、 ５ｉｂ
ｉＩＬα）による論文「ザサー７エイス コンポジシｌ
ンオプバイコンステイチェーエントファイバーズ（Ｔｈ
ｅ Ｓｗｒｆａｃｇ ＣｏｍｐｚｉｔｉｏｒＬｏｆ Ｂ
ｉｃｏｎｓｔｉｔｗｇｎｔ Ｆｉｂｅｒｓ ）Ｊ （Ｊ
ＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＦＥＤ ＰＯＩＪＭ
ＥＲ５ＣＩＥＮＣＥ）においては、ＫＨ２−５のクリス
タルの表面に塩化三フッ化エチレンとフッ化ビニリデン
の混合物を直接ぬりつけてフィルム状にし、このフィル
ムの厚さ分だけ測定深さを縮めることによって、被測定
試料の浅い部分での測定を行なうようになっている。し
かしながら、これによる場合測定波長領域は５．５μｍ
（１８２０ｃｍ−１） 〜６．ｓμｍ （１５４０ｃ
ｍ−’ ）であり、この波長領域以外ではスペーサ自体
の吸収が生じるため、測定を行なうことは困難となって
いる。
ｉＩＬα）による論文「ザサー７エイス コンポジシｌ
ンオプバイコンステイチェーエントファイバーズ（Ｔｈ
ｅ Ｓｗｒｆａｃｇ ＣｏｍｐｚｉｔｉｏｒＬｏｆ Ｂ
ｉｃｏｎｓｔｉｔｗｇｎｔ Ｆｉｂｅｒｓ ）Ｊ （Ｊ
ＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＦＥＤ ＰＯＩＪＭ
ＥＲ５ＣＩＥＮＣＥ）においては、ＫＨ２−５のクリス
タルの表面に塩化三フッ化エチレンとフッ化ビニリデン
の混合物を直接ぬりつけてフィルム状にし、このフィル
ムの厚さ分だけ測定深さを縮めることによって、被測定
試料の浅い部分での測定を行なうようになっている。し
かしながら、これによる場合測定波長領域は５．５μｍ
（１８２０ｃｍ−１） 〜６．ｓμｍ （１５４０ｃ
ｍ−’ ）であり、この波長領域以外ではスペーサ自体
の吸収が生じるため、測定を行なうことは困難となって
いる。
本発明の目的は、同時に全赤外波長領域での深さ分析が
行なえる全反射赤外吸収スペクトル測定装置を提供する
にある。
行なえる全反射赤外吸収スペクトル測定装置を提供する
にある。
この目的のため本発明は、クリスタルと被測定試料との
間に、そのクリスタルよりも屈折率が小さく、且つ赤外
光に透明な無機化合物をスペーサとして厚さ可変にして
介在させるようにしたものである。
間に、そのクリスタルよりも屈折率が小さく、且つ赤外
光に透明な無機化合物をスペーサとして厚さ可変にして
介在させるようにしたものである。
スペーサ自体が赤外波長領域で吸収をもつ場合、スペー
サの吸収ピーク位置と測定試料の吸収ピーク位置とが重
なり、両者を判別することは困難である。したがりて、
このような場合にはスペーサによる吸収のない波長領域
しか使用し得ない。しかしながら、化合物の構造変化な
どを測定しようとする場合には、全赤外波長領域に亘っ
て同時に測定し得るのが望ましいと言える。しかして、
一般の赤外分光法で使用される波長領域（約２．５μｍ
〜約２５ＪＬｒｒＬ）において吸収をもたない無機化合
物をスペーサとして用いれば、スペーサの吸収による測
定波長領域の制限は生じなくなるというものである。
サの吸収ピーク位置と測定試料の吸収ピーク位置とが重
なり、両者を判別することは困難である。したがりて、
このような場合にはスペーサによる吸収のない波長領域
しか使用し得ない。しかしながら、化合物の構造変化な
どを測定しようとする場合には、全赤外波長領域に亘っ
て同時に測定し得るのが望ましいと言える。しかして、
一般の赤外分光法で使用される波長領域（約２．５μｍ
〜約２５ＪＬｒｒＬ）において吸収をもたない無機化合
物をスペーサとして用いれば、スペーサの吸収による測
定波長領域の制限は生じなくなるというものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を第１図から第３図により説明する。
先ず本発明による装置について説明すれば、第１図はそ
の一例での基本的な構成を示したものである。これによ
ると、赤外光源１からの赤外光２はマイケルソン干渉計
３を介し試料ホルダ４内のクリスタル５へと入射された
後は、クリスタル５とスペーサ６との界面で全反射を繰
り返しつつクリスタル５内を伝播するようになっている
。このとき入射赤外光の一部７がその界面を越えて測定
試料８へとしみ出し、試料８による吸収の影響をうけて
反射してくる。したがって、クリスタル５からの反射赤
外光２には試料８による吸収の情報が含まれており、こ
れを検出器９で検出したうえデータ処理装置１０で変換
・処理すれば全反射赤外吸収スペクトルが得られるもの
である。この場合、全反射の際試料８にしみ込む赤外光
７はスペーサ６を通り抜けて試料８に達しているので、
スペーサ６の厚さを変えるよ５１Ｃすれば試料８にしみ
込む赤外光７のしみ込み深さも変わり、これを以て深さ
分析を行なうことが可能となるものである。
の一例での基本的な構成を示したものである。これによ
ると、赤外光源１からの赤外光２はマイケルソン干渉計
３を介し試料ホルダ４内のクリスタル５へと入射された
後は、クリスタル５とスペーサ６との界面で全反射を繰
り返しつつクリスタル５内を伝播するようになっている
。このとき入射赤外光の一部７がその界面を越えて測定
試料８へとしみ出し、試料８による吸収の影響をうけて
反射してくる。したがって、クリスタル５からの反射赤
外光２には試料８による吸収の情報が含まれており、こ
れを検出器９で検出したうえデータ処理装置１０で変換
・処理すれば全反射赤外吸収スペクトルが得られるもの
である。この場合、全反射の際試料８にしみ込む赤外光
７はスペーサ６を通り抜けて試料８に達しているので、
スペーサ６の厚さを変えるよ５１Ｃすれば試料８にしみ
込む赤外光７のしみ込み深さも変わり、これを以て深さ
分析を行なうことが可能となるものである。
さて、本例ではスペーサとしてＺｎ５ｇ 、 ＰｂＦｔ
を各々Ｇｇクリスタルの表面につけたが、スペーサに用
いた１ｎ５ｔ 、 ｐｂ八とクリスタルに用いたＧｇの
光学的性質は以下の表に示すようである。
を各々Ｇｇクリスタルの表面につけたが、スペーサに用
いた１ｎ５ｔ 、 ｐｂ八とクリスタルに用いたＧｇの
光学的性質は以下の表に示すようである。
表
この表からも判るようにクリスタル／スペーサ界面で全
反射が生じるようにスペーサの屈折率はクリスタルのそ
れよりも低く、また赤外波長領域でスペーサの吸収が生
じないよう赤外光に透明な材質が選定されているが、ス
ペーサに用いられる無機化合物としては上記以外にＣり
八。
反射が生じるようにスペーサの屈折率はクリスタルのそ
れよりも低く、また赤外波長領域でスペーサの吸収が生
じないよう赤外光に透明な材質が選定されているが、ス
ペーサに用いられる無機化合物としては上記以外にＣり
八。
ＢａＦ、 、 ＺｎＳ 、ＮａＣ１、ＣｄＳ 、 Ｚｎ
５ｇ 、 ＡｇＣ１、ＫＣｌ。
５ｇ 、 ＡｇＣ１、ＫＣｌ。
ＫＢｒ 、 ＡｇＢｒなどが考えられるものとなってい
る第２図、第５図は実際にＧεＺ殉Ｓｓ 、 Ｇａ／Ｐ
ｂへのクリスタル／スペーサを用い、プラズマ処理によ
るポリイミド系樹脂の表面構造変化を測定した結果を示
したもσ）である。但し、第２図。
る第２図、第５図は実際にＧεＺ殉Ｓｓ 、 Ｇａ／Ｐ
ｂへのクリスタル／スペーサを用い、プラズマ処理によ
るポリイミド系樹脂の表面構造変化を測定した結果を示
したもσ）である。但し、第２図。
第３図ともにスペクトルαはプラズマ処理した試料につ
いてのもの、スペクトルｂは未処理の試料についてのも
のである。
いてのもの、スペクトルｂは未処理の試料についてのも
のである。
第２図においてスペクトルα、ｂを比鮫するト、プラズ
マ９＆理によって１５００ｃｍ−！のベンゼン環、１２
４０ｃｍ−１のイミド環などの吸収強度が弱まり、逆に
１７２０ｃｍ−１のカルボニル基、１１００ｃｍ−’の
エーテル基などの吸収強度が強くなっているのが判る。
マ９＆理によって１５００ｃｍ−！のベンゼン環、１２
４０ｃｍ−１のイミド環などの吸収強度が弱まり、逆に
１７２０ｃｍ−１のカルボニル基、１１００ｃｍ−’の
エーテル基などの吸収強度が強くなっているのが判る。
第３図も同様の傾向を示しているが、−１１じ試料をス
ペーサを用いずにＧｇクリスタルのみで測定してもこの
ような変化はみられなかった。
ペーサを用いずにＧｇクリスタルのみで測定してもこの
ような変化はみられなかった。
以上のことからして、赤外光に透明な無機化合物をスペ
ーサとして用いれば、スペーサによる吸収の影響をうけ
ることなく広い赤外波長領域で測置を行ない得るばかり
か、スペーサの使用によってこれまで測定し得なかった
表面変質層のような極く薄い試料についても測定を行な
い得ることになるものである。
ーサとして用いれば、スペーサによる吸収の影響をうけ
ることなく広い赤外波長領域で測置を行ない得るばかり
か、スペーサの使用によってこれまで測定し得なかった
表面変質層のような極く薄い試料についても測定を行な
い得ることになるものである。
以上説明したように本発明によれば、スペーサは赤外光
に透明なので、スペーサの吸収による測定波長領域の制
限を５することなく全赤外波長領域忙亘って全反射赤外
吸収スペクトルを同時に測定し得るという効果がある。
に透明なので、スペーサの吸収による測定波長領域の制
限を５することなく全赤外波長領域忙亘って全反射赤外
吸収スペクトルを同時に測定し得るという効果がある。
第１図は、本発明による装置の一例での基本的な構成を
示す図、第２図、第３図は、ともに本発明による効果の
程を考察するための実験結果の例を示す図である。 １・・・赤外光源 ５・・・マイケルソン干渉
計４・・・試料ホルダ ５・・・クリスタル６・・
・スペーサ ８・・・測定試料９・・・検出器
１０・・・データ処理装置代理人９Ｐ埋士 小
川 勝 男 率２図 喰数 〔Ｃ託１〕 雫３図 ｔａｏｏ ｔ４００ ｔ
０００腹数 （ｅｙｎ−’〕
示す図、第２図、第３図は、ともに本発明による効果の
程を考察するための実験結果の例を示す図である。 １・・・赤外光源 ５・・・マイケルソン干渉
計４・・・試料ホルダ ５・・・クリスタル６・・
・スペーサ ８・・・測定試料９・・・検出器
１０・・・データ処理装置代理人９Ｐ埋士 小
川 勝 男 率２図 喰数 〔Ｃ託１〕 雫３図 ｔａｏｏ ｔ４００ ｔ
０００腹数 （ｅｙｎ−’〕
Claims (1)
- １、高屈折率媒質としてのクリスタルと被測定試料との
間に、上記クリスタルよりも屈折率が小さく、且つ赤外
光に透明な無機化合物をスペーサとして厚さ可変にして
介在させてなる構成を特徴とする全反射赤外吸収スペク
トル測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220031A JPS6280538A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 全反射赤外吸収スペクトル測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60220031A JPS6280538A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 全反射赤外吸収スペクトル測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280538A true JPS6280538A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16744842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60220031A Pending JPS6280538A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 全反射赤外吸収スペクトル測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280538A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04294252A (ja) * | 1990-12-06 | 1992-10-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ディスク・ファイル並びに汚染物検知及び測定方法。 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60220031A patent/JPS6280538A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04294252A (ja) * | 1990-12-06 | 1992-10-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ディスク・ファイル並びに汚染物検知及び測定方法。 |
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