JPH11258175A - 異物検査方法 - Google Patents
異物検査方法Info
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- JPH11258175A JPH11258175A JP8282598A JP8282598A JPH11258175A JP H11258175 A JPH11258175 A JP H11258175A JP 8282598 A JP8282598 A JP 8282598A JP 8282598 A JP8282598 A JP 8282598A JP H11258175 A JPH11258175 A JP H11258175A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １．５μｍ以下の極めて薄い薄膜上の微小異
物を検出することが可能な異物検査方法を提供する。 【解決手段】 薄膜９の表面９ａに波長が４８８ｎｍよ
り短いＰ偏光レーザー１５をθ±３°（θはブリュース
ター角）の角度で入射し、前記薄膜９の表面９ａ上に存
在する異物２からの散乱光１６を受光してＳ偏光成分の
みを抽出し、該Ｓ偏光成分を電気信号に変換して分析す
ることにより異物の有無を検査する。特に、絶縁性基板
１０上に薄膜９が形成されたＳＯＩ基板１の表面に存在
する異物２を検査するのに適する。
物を検出することが可能な異物検査方法を提供する。 【解決手段】 薄膜９の表面９ａに波長が４８８ｎｍよ
り短いＰ偏光レーザー１５をθ±３°（θはブリュース
ター角）の角度で入射し、前記薄膜９の表面９ａ上に存
在する異物２からの散乱光１６を受光してＳ偏光成分の
みを抽出し、該Ｓ偏光成分を電気信号に変換して分析す
ることにより異物の有無を検査する。特に、絶縁性基板
１０上に薄膜９が形成されたＳＯＩ基板１の表面に存在
する異物２を検査するのに適する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は異物検査方法に関
する。さらに詳しくは、薄膜上に存在する微小異物の有
無を検査する方法に関する。
する。さらに詳しくは、薄膜上に存在する微小異物の有
無を検査する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に異物が存在すると、その
半導体基板を用いて半導体デバイスを製造した場合のデ
バイス製造歩留りに悪影響を及ぼすことが知られてい
る。そのため、異物の個数は非常に重要なウェーハ品質
であり、その評価には従来から種々の方法が行われてい
た。
半導体基板を用いて半導体デバイスを製造した場合のデ
バイス製造歩留りに悪影響を及ぼすことが知られてい
る。そのため、異物の個数は非常に重要なウェーハ品質
であり、その評価には従来から種々の方法が行われてい
た。
【０００３】図１０は、従来の異物検査装置の概要を示
す。この異物検査装置は、被検査対象物１を載置するテ
ーブル３と、レーザー光５を所定角度で被検査対象物１
に入射するレーザー光源４、被検査対象物１からの散乱
光６を検出するための光検出器７及び光検出器７から出
力される散乱光強度に応じた電気信号を処理する処理部
８などよりなる。
す。この異物検査装置は、被検査対象物１を載置するテ
ーブル３と、レーザー光５を所定角度で被検査対象物１
に入射するレーザー光源４、被検査対象物１からの散乱
光６を検出するための光検出器７及び光検出器７から出
力される散乱光強度に応じた電気信号を処理する処理部
８などよりなる。
【０００４】上記装置においては、レーザー光源４とし
て、波長４８８ｎｍのレーザーを発振するアルゴンレー
ザー管が一般に使用され、光検出器７として、散乱光を
検出して増幅する光電子増倍管が用いられる。また、処
理部８では、光検出器７からの信号のうち、所定の閾値
以下の信号をノイズとして除去し、異物の大きさが求め
られる。
て、波長４８８ｎｍのレーザーを発振するアルゴンレー
ザー管が一般に使用され、光検出器７として、散乱光を
検出して増幅する光電子増倍管が用いられる。また、処
理部８では、光検出器７からの信号のうち、所定の閾値
以下の信号をノイズとして除去し、異物の大きさが求め
られる。
【０００５】異物の粒径は、散乱光の強度から求めるこ
とができる。すなわち、粒径が既知のポリスチレン・ラ
テックス（ＰＳＬ）標準粒子と散乱光強度との相関式を
用い、検出した異物からの散乱光強度を相関式に当ては
めて異物の粒径を算出する。また、ある異物検査装置に
ついてＰＳＬ標準粒子と散乱光強度との相関式を求める
ことにより、その異物検査装置の検出可能な最小粒径も
推測され、従来の装置では検出可能な最小粒径は０．１
μｍ程度であった。
とができる。すなわち、粒径が既知のポリスチレン・ラ
テックス（ＰＳＬ）標準粒子と散乱光強度との相関式を
用い、検出した異物からの散乱光強度を相関式に当ては
めて異物の粒径を算出する。また、ある異物検査装置に
ついてＰＳＬ標準粒子と散乱光強度との相関式を求める
ことにより、その異物検査装置の検出可能な最小粒径も
推測され、従来の装置では検出可能な最小粒径は０．１
μｍ程度であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】異物の粒径は散乱光の
強度から求められるが、測定するウェーハ上の薄膜厚さ
が異なると、界面からの反射又は散乱光と異物の散乱光
との干渉が生じ、検出感度の差となって現れる。その結
果、異物の散乱光の強度が影響を受け、粒径が正確に評
価できないという問題があった。また、界面からの反射
によってバックグラウンドノイズが大きくなり、微小な
粒径の異物がノイズに隠れて測定できないという問題が
あった。
強度から求められるが、測定するウェーハ上の薄膜厚さ
が異なると、界面からの反射又は散乱光と異物の散乱光
との干渉が生じ、検出感度の差となって現れる。その結
果、異物の散乱光の強度が影響を受け、粒径が正確に評
価できないという問題があった。また、界面からの反射
によってバックグラウンドノイズが大きくなり、微小な
粒径の異物がノイズに隠れて測定できないという問題が
あった。
【０００７】図１１に示すように、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃ
ｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板のように基板１
０上に形成された薄膜９上の異物２を検査する場合、入
射したレーザー光５の一部は薄膜９の表面９ａで反射又
は散乱し、光検出器７で検出される。また、薄膜９内に
透過したレーザー光も、薄膜９と基板１０との間の界面
１０ａで反射又は散乱し、反射光１２として光検出器７
で検出される。これらはバックグラウンドノイズとな
る。
ｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板のように基板１
０上に形成された薄膜９上の異物２を検査する場合、入
射したレーザー光５の一部は薄膜９の表面９ａで反射又
は散乱し、光検出器７で検出される。また、薄膜９内に
透過したレーザー光も、薄膜９と基板１０との間の界面
１０ａで反射又は散乱し、反射光１２として光検出器７
で検出される。これらはバックグラウンドノイズとな
る。
【０００８】薄膜９の表面９ａでの反射又は散乱の問題
については、特開平９−２１０９１８号に開示されてい
るように、Ｐ偏光成分のみを有するレーザー光を表面に
対してブリュースター角で入射し、散乱光からＳ偏光成
分のみを抽出して検出することにより解決される。すな
わち、Ｐ偏光をブリュースター角で入射すると、表面で
の反射光はほとんどゼロになる。また、表面の粗さ（ヘ
イズ）が大きいことによる散乱も、そのほとんどがＰ偏
光であり、Ｓ偏光が少ないので、フィルターによりＰ偏
光をカットすれば、検出されるＳ偏光は極めて低レベル
となる。一方、異物２からの散乱光６は、Ｐ偏光及びＳ
偏光の両成分を含んでいるので、Ｓ偏光のみを抽出すれ
ば、感度よく散乱光を検出することができる。
については、特開平９−２１０９１８号に開示されてい
るように、Ｐ偏光成分のみを有するレーザー光を表面に
対してブリュースター角で入射し、散乱光からＳ偏光成
分のみを抽出して検出することにより解決される。すな
わち、Ｐ偏光をブリュースター角で入射すると、表面で
の反射光はほとんどゼロになる。また、表面の粗さ（ヘ
イズ）が大きいことによる散乱も、そのほとんどがＰ偏
光であり、Ｓ偏光が少ないので、フィルターによりＰ偏
光をカットすれば、検出されるＳ偏光は極めて低レベル
となる。一方、異物２からの散乱光６は、Ｐ偏光及びＳ
偏光の両成分を含んでいるので、Ｓ偏光のみを抽出すれ
ば、感度よく散乱光を検出することができる。
【０００９】しかし、薄膜９と基板１０との界面１０ａ
からの反射又は散乱の問題は解決されていない。特に薄
膜９が１．５μｍ以下であると、この影響は顕著であ
り、微小異物の検出は困難となる。例えば波長４８８ｎ
ｍのアルゴンレーザーをシリコン薄膜に入射した場合、
シリコン薄膜表面から透過したレーザー光の侵入深さ
（入射強度が１／ｅの強度になる深さ）は７００ｎｍ程
度であるため、界面からの反射又は散乱光の影響を無視
できない。
からの反射又は散乱の問題は解決されていない。特に薄
膜９が１．５μｍ以下であると、この影響は顕著であ
り、微小異物の検出は困難となる。例えば波長４８８ｎ
ｍのアルゴンレーザーをシリコン薄膜に入射した場合、
シリコン薄膜表面から透過したレーザー光の侵入深さ
（入射強度が１／ｅの強度になる深さ）は７００ｎｍ程
度であるため、界面からの反射又は散乱光の影響を無視
できない。
【００１０】そこで本発明は、１．５μｍ以下の極めて
薄い薄膜上の微小異物を検出することが可能な異物検査
方法を提供することを目的とする。
薄い薄膜上の微小異物を検出することが可能な異物検査
方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１記載の発
明は、薄膜の表面に波長が４８８ｎｍより短いＰ偏光レ
ーザーをθ±３°（θはブリュースター角）の角度で入
射し、前記薄膜の表面上に存在する異物からの散乱光を
受光してＳ偏光成分のみを抽出し、該Ｓ偏光成分を電気
信号に変換して分析することにより異物の有無を検査す
ることを特徴とする異物検査方法を提供する。
明は、薄膜の表面に波長が４８８ｎｍより短いＰ偏光レ
ーザーをθ±３°（θはブリュースター角）の角度で入
射し、前記薄膜の表面上に存在する異物からの散乱光を
受光してＳ偏光成分のみを抽出し、該Ｓ偏光成分を電気
信号に変換して分析することにより異物の有無を検査す
ることを特徴とする異物検査方法を提供する。
【００１２】本願の請求項２記載の発明は、請求項１に
おいて、波長が４３０ｎｍのＰ偏光レーザーを入射する
ことを特徴とする異物検査方法を提供する。
おいて、波長が４３０ｎｍのＰ偏光レーザーを入射する
ことを特徴とする異物検査方法を提供する。
【００１３】本願の請求項３記載の発明は、請求項１又
は請求項２において、絶縁性基板上に薄膜が形成された
ＳＯＩ基板の表面に存在する異物を検査することを特徴
とする異物検査方法を提供する。
は請求項２において、絶縁性基板上に薄膜が形成された
ＳＯＩ基板の表面に存在する異物を検査することを特徴
とする異物検査方法を提供する。
【００１４】本願の請求項４記載の発明は、請求項１な
いし請求項３のいずれかにおいて、厚さが０．５〜１．
５μｍの薄膜上の異物を検査することを特徴とする異物
検査方法を提供する。
いし請求項３のいずれかにおいて、厚さが０．５〜１．
５μｍの薄膜上の異物を検査することを特徴とする異物
検査方法を提供する。
【００１５】本願の請求項５記載の発明は、請求項１な
いし請求項４のいずれかにおいて、前記薄膜がシリコン
薄膜であり、前記レーザービームの入射角度が７５．５
°〜８１．０°であることを特徴とする異物検査方法を
提供する。
いし請求項４のいずれかにおいて、前記薄膜がシリコン
薄膜であり、前記レーザービームの入射角度が７５．５
°〜８１．０°であることを特徴とする異物検査方法を
提供する。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施形態の一例
を示す。ここで使用する異物検査装置は、被検査対象物
としてのＳＯＩ基板１を載置するテーブル１と、ＳＯＩ
基板１の表面に７５．５°〜８１．０°の入射角度で波
長が４８８ｎｍより短いＰ偏光レーザーを入射するレー
ザー光源１４と、異物２からの散乱光６をＳ偏光フィル
ター１９を介して検出する光検出器１７と、光検出器１
７から出力される散乱光強度に応じた電気信号を処理す
る処理部１８とを備えている。なお、実際には集光レン
ズ等も備えているが、ここではこれらを省略して説明す
る。被検査対象物としてのＳＯＩ基板１は、図２に示す
ように、絶縁性基板１０上に厚さ１．５μｍ以下のシリ
コン薄膜９が形成されている。
を示す。ここで使用する異物検査装置は、被検査対象物
としてのＳＯＩ基板１を載置するテーブル１と、ＳＯＩ
基板１の表面に７５．５°〜８１．０°の入射角度で波
長が４８８ｎｍより短いＰ偏光レーザーを入射するレー
ザー光源１４と、異物２からの散乱光６をＳ偏光フィル
ター１９を介して検出する光検出器１７と、光検出器１
７から出力される散乱光強度に応じた電気信号を処理す
る処理部１８とを備えている。なお、実際には集光レン
ズ等も備えているが、ここではこれらを省略して説明す
る。被検査対象物としてのＳＯＩ基板１は、図２に示す
ように、絶縁性基板１０上に厚さ１．５μｍ以下のシリ
コン薄膜９が形成されている。
【００１７】波長が４８８ｎｍより短いレーザーとして
は、例えば波長４３０ｎｍのレーザーである半導体レー
ザー励起のＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ
Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）レーザーが、従来のアルゴンレ
ーザーの波長４８８ｎｍより短波長であり、微小異物の
検査に適している。
は、例えば波長４３０ｎｍのレーザーである半導体レー
ザー励起のＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ
Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）レーザーが、従来のアルゴンレ
ーザーの波長４８８ｎｍより短波長であり、微小異物の
検査に適している。
【００１８】この装置系において、レーザー光源１４か
らシリコン薄膜９の表面９ａに７５．５°〜８１．０°
の角度、すなわちθ±３°（θはブリュースター角）で
入射したＰ偏光レーザー１５は、薄膜９の表面９ａでは
ほとんど反射せずに透過する。なお、実際にはレーザー
光の波長や入射角に若干の分布があること、薄膜の表面
には自然酸化膜が存在すること、および入射した特定波
長（例えば４３０ｎｍ）の光吸収により薄膜の屈折率が
微妙に変化すること等の理由により、正確にブリュース
ター角で入射しても、反射が完全にはゼロにはならない
が、その強度は極めて小さい。また、表面９ａの粗さに
よる散乱光もそのほとんどがＰ偏光である。
らシリコン薄膜９の表面９ａに７５．５°〜８１．０°
の角度、すなわちθ±３°（θはブリュースター角）で
入射したＰ偏光レーザー１５は、薄膜９の表面９ａでは
ほとんど反射せずに透過する。なお、実際にはレーザー
光の波長や入射角に若干の分布があること、薄膜の表面
には自然酸化膜が存在すること、および入射した特定波
長（例えば４３０ｎｍ）の光吸収により薄膜の屈折率が
微妙に変化すること等の理由により、正確にブリュース
ター角で入射しても、反射が完全にはゼロにはならない
が、その強度は極めて小さい。また、表面９ａの粗さに
よる散乱光もそのほとんどがＰ偏光である。
【００１９】一方、シリコン薄膜９上に存在する異物２
により、Ｐ偏光及びＳ偏光を含んだ散乱光１６を生じ
る。散乱光１６のうち、Ｓ偏光フィルター１９を通った
ものはＰ偏光がカットされ、Ｓ偏光のみが抽出されて光
検出器１７で検出され、電気信号に変換されて処理部１
８で処理される。したがって、シリコン薄膜９で反射又
は散乱した光はその強度が極めて微弱で且つそのほとん
どがＰ偏光成分なので、Ｓ偏光フィルター１９を通って
得られるＳ偏光成分は極めて少なく、処理部１８での閾
値処理により除去でき、異物２からの散乱光１６のうち
のＳ偏光成分のみが有効な信号として把握される。
により、Ｐ偏光及びＳ偏光を含んだ散乱光１６を生じ
る。散乱光１６のうち、Ｓ偏光フィルター１９を通った
ものはＰ偏光がカットされ、Ｓ偏光のみが抽出されて光
検出器１７で検出され、電気信号に変換されて処理部１
８で処理される。したがって、シリコン薄膜９で反射又
は散乱した光はその強度が極めて微弱で且つそのほとん
どがＰ偏光成分なので、Ｓ偏光フィルター１９を通って
得られるＳ偏光成分は極めて少なく、処理部１８での閾
値処理により除去でき、異物２からの散乱光１６のうち
のＳ偏光成分のみが有効な信号として把握される。
【００２０】また、シリコン薄膜９の表面９ａから薄膜
９内に透過した透過光２１は減衰し、そのほとんどがシ
リコン薄膜９下の基板１０に到達しない。すなわち、波
長４３０ｎｍのレーザー光は、シリコン薄膜９への侵入
深さが２５０ｎｍ程度であるため、薄膜９の厚さが侵入
深さの約２倍以上である０．５μｍ以上あれば、薄膜と
基板との間の界面での反射又は散乱による影響を無視で
きる。
９内に透過した透過光２１は減衰し、そのほとんどがシ
リコン薄膜９下の基板１０に到達しない。すなわち、波
長４３０ｎｍのレーザー光は、シリコン薄膜９への侵入
深さが２５０ｎｍ程度であるため、薄膜９の厚さが侵入
深さの約２倍以上である０．５μｍ以上あれば、薄膜と
基板との間の界面での反射又は散乱による影響を無視で
きる。
【００２１】Ｐ偏光のブリュースター角は薄膜の屈折率
によって異なり、薄膜の屈折率をｎとすると、ｎ＝ｔａ
ｎθの関係式から求められる。したがって、例えば波長
４３０ｎｍのブリュースター角は、例えば薄膜が屈折率
４．９２のシリコンの場合は７８．５°、屈折率４．７
４のポリシリコンの場合は７８．１°（一例）、屈折率
１．４７のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）の場合は５５．
７、屈折率２．０６の窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）の場合は６
４．１（一例）となる。
によって異なり、薄膜の屈折率をｎとすると、ｎ＝ｔａ
ｎθの関係式から求められる。したがって、例えば波長
４３０ｎｍのブリュースター角は、例えば薄膜が屈折率
４．９２のシリコンの場合は７８．５°、屈折率４．７
４のポリシリコンの場合は７８．１°（一例）、屈折率
１．４７のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）の場合は５５．
７、屈折率２．０６の窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）の場合は６
４．１（一例）となる。
【００２２】したがって、薄膜がシリコン以外の場合
は、その屈折率ｎからブリュースター角θを求め、θ±
３°の角度範囲で波長が４８８ｎｍより短いＰ偏光レー
ザーを入射すればよい。
は、その屈折率ｎからブリュースター角θを求め、θ±
３°の角度範囲で波長が４８８ｎｍより短いＰ偏光レー
ザーを入射すればよい。
【００２３】図３は、表面に自然酸化膜（厚さ１ｎｍ程
度）が形成されたシリコンウェーハに、波長４３０ｎｍ
のＰ偏光レーザーを入射した場合の反射率の入射角依存
性を示す。一般に、反射率が０．０１５（１．５％）以
下であれば、バックグラウンドノイズに影響されずに正
確な測定が可能となる。図３から、反射率を０．０１５
以下にするには、入射角を７８．５±３°に設定すれば
よいことが分かる。
度）が形成されたシリコンウェーハに、波長４３０ｎｍ
のＰ偏光レーザーを入射した場合の反射率の入射角依存
性を示す。一般に、反射率が０．０１５（１．５％）以
下であれば、バックグラウンドノイズに影響されずに正
確な測定が可能となる。図３から、反射率を０．０１５
以下にするには、入射角を７８．５±３°に設定すれば
よいことが分かる。
【００２４】図４〜図９は、シリコンウェーハ上に酸化
膜（厚さ０．５μｍ）及び薄膜（種々の厚さ）を順次形
成したＳＯＩ基板（表面に自然酸化膜付き）に、波長４
３０ｎｍのＰ偏光レーザーを入射した場合の入射角に対
する反射強度の膜厚依存性を示す。各図から分かるよう
に、薄膜の膜厚が１．５μｍ、１．０μｍ（以上図
４）、０．９μｍ、０．８μｍ（以上図５）、０．７μ
ｍ、０．６μｍ（以上図６）及び０．５μｍ（図７）で
は、それぞれ波形に大きな乱れが発生しないのに対し、
０．４μｍ、０．３μｍ（以上図８）、０．２μｍ及び
０．１μｍ（以上図９）では波形に乱れが発生してい
る。従って、本発明の方法における測定可能な最小膜厚
は０．５μｍであると言える。
膜（厚さ０．５μｍ）及び薄膜（種々の厚さ）を順次形
成したＳＯＩ基板（表面に自然酸化膜付き）に、波長４
３０ｎｍのＰ偏光レーザーを入射した場合の入射角に対
する反射強度の膜厚依存性を示す。各図から分かるよう
に、薄膜の膜厚が１．５μｍ、１．０μｍ（以上図
４）、０．９μｍ、０．８μｍ（以上図５）、０．７μ
ｍ、０．６μｍ（以上図６）及び０．５μｍ（図７）で
は、それぞれ波形に大きな乱れが発生しないのに対し、
０．４μｍ、０．３μｍ（以上図８）、０．２μｍ及び
０．１μｍ（以上図９）では波形に乱れが発生してい
る。従って、本発明の方法における測定可能な最小膜厚
は０．５μｍであると言える。
【００２５】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、従来
のアルゴンレーザーを用いた方法では不可能であった
１．５μｍ以下の極めて薄い薄膜上の微小異物を検出す
ることが可能となった。また、測定ウェーハの薄膜厚さ
が異なることに起因した感度変化がなくなるため、測定
された散乱光の強度によって、異物の粒径を正確に評価
することができる。
のアルゴンレーザーを用いた方法では不可能であった
１．５μｍ以下の極めて薄い薄膜上の微小異物を検出す
ることが可能となった。また、測定ウェーハの薄膜厚さ
が異なることに起因した感度変化がなくなるため、測定
された散乱光の強度によって、異物の粒径を正確に評価
することができる。
【図１】本発明で用いる異物検査装置の一例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明における薄膜付近でのレーザー光の光路
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】シリコンウェーハに波長４３０ｎｍのＰ偏光レ
ーザーを入射した場合の反射率の入射角依存性を示すグ
ラフである。
ーザーを入射した場合の反射率の入射角依存性を示すグ
ラフである。
【図４】ＳＯＩ基板に波長４３０ｎｍのＰ偏光レーザー
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
【図５】ＳＯＩ基板に波長４３０ｎｍのＰ偏光レーザー
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
【図６】ＳＯＩ基板に波長４３０ｎｍのＰ偏光レーザー
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
【図７】ＳＯＩ基板に波長４３０ｎｍのＰ偏光レーザー
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
【図８】ＳＯＩ基板に波長４３０ｎｍのＰ偏光レーザー
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
【図９】ＳＯＩ基板に波長４３０ｎｍのＰ偏光レーザー
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
を入射した場合の入射角に対する反射強度の膜厚依存性
を示すグラフである。
【図１０】従来の方法で用いる異物検査装置の一例を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図１１】従来の方法における薄膜付近でのレーザー光
の光路を示す説明図である。
の光路を示す説明図である。
１ ＳＯＩ基板 ２ 異物 ３ テーブル ９ シリコン薄膜 ９ａ シリコン薄膜の表面 １０ 基板 １０ａ 薄膜と基板の界面 １４ レーザー光源 １５ レーザー光 １６ 散乱光 １７ 光検出器 １８ 処理部 １９ Ｓ偏光フィルター
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年３月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図９】
Claims (5)
- 【請求項１】 薄膜の表面に波長が４８８ｎｍより短い
Ｐ偏光レーザーをθ±３°（θはブリュースター角）の
角度で入射し、前記薄膜の表面上に存在する異物からの
散乱光を受光してＳ偏光成分のみを抽出し、該Ｓ偏光成
分を電気信号に変換して分析することにより異物の有無
を検査することを特徴とする異物検査方法。 - 【請求項２】 波長が４３０ｎｍのＰ偏光レーザーを入
射することを特徴とする請求項１記載の異物検査方法。 - 【請求項３】 絶縁性基板上に薄膜が形成されたＳＯＩ
基板の表面に存在する異物を検査することを特徴とする
請求項１又は請求項２記載の異物検査方法。 - 【請求項４】 厚さが０．５〜１．５μｍの薄膜上の異
物を検査することを特徴とする請求項１ないし請求項３
のいずれか記載の異物検査方法。 - 【請求項５】 前記薄膜がシリコン薄膜であり、前記レ
ーザービームの入射角度が７５．５°〜８１．０°であ
ることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか
記載の異物検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8282598A JPH11258175A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8282598A JPH11258175A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 異物検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11258175A true JPH11258175A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13785190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8282598A Pending JPH11258175A (ja) | 1998-03-13 | 1998-03-13 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11258175A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203087A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Sumco Corp | 薄膜ｓｏｉウェーハのマイクロラフネス評価方法 |
| JP2008542755A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-11-27 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 試料からの反射エネルギーの薄膜干渉による変動の低減 |
| JP2010092984A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Sumco Corp | 表面検査方法 |
| JP2010197352A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| CN102890094A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种非图案化表面缺陷的离线检测方法 |
-
1998
- 1998-03-13 JP JP8282598A patent/JPH11258175A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006203087A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Sumco Corp | 薄膜ｓｏｉウェーハのマイクロラフネス評価方法 |
| JP2008542755A (ja) * | 2005-05-31 | 2008-11-27 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 試料からの反射エネルギーの薄膜干渉による変動の低減 |
| JP2010092984A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Sumco Corp | 表面検査方法 |
| JP2010197352A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
| US8638429B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-01-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspecting method and defect inspecting apparatus |
| US9228960B2 (en) | 2009-02-27 | 2016-01-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspecting method and defect inspecting apparatus |
| US9841384B2 (en) | 2009-02-27 | 2017-12-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspecting method and defect inspecting apparatus |
| US10254235B2 (en) | 2009-02-27 | 2019-04-09 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspecting method and defect inspecting apparatus |
| CN102890094A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种非图案化表面缺陷的离线检测方法 |
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