JPS61281946A - 全反射赤外吸収スペクトル測定法 - Google Patents
全反射赤外吸収スペクトル測定法Info
- Publication number
- JPS61281946A JPS61281946A JP60122450A JP12245085A JPS61281946A JP S61281946 A JPS61281946 A JP S61281946A JP 60122450 A JP60122450 A JP 60122450A JP 12245085 A JP12245085 A JP 12245085A JP S61281946 A JPS61281946 A JP S61281946A
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- Japan
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- absorption
- sample
- total reflection
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
- G01N21/552—Attenuated total reflection
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は全反射赤外吸収スペクトルの測定に係シ、特に
全反射赤外分光分析法(以後ATR法と云う)で深さ分
析を行なうのに好適な全反射赤外吸収スペクトル測定法
に関する。
全反射赤外分光分析法(以後ATR法と云う)で深さ分
析を行なうのに好適な全反射赤外吸収スペクトル測定法
に関する。
従来ATR法では、KH2−5のクリスタルの表面に塩
化三フフ化エチレンとフッ化ビニリデンの混合物を直接
ぬシつけフィルム状にし、該フィルムの厚さ分だけ測定
深さを縮め、浅い所の測定を行なっている。しかし、こ
の方法での測定波長領域は5.5μm(1820cm−
リ−45,gs(1540m一つであり、該波長領域以
外ではスペーサ自体の吸収が生じるため、測定を行なう
ことは困難であった。〔ジャーナル・オブ・アプライド
・ポリマー・サイエンス(J、of Appl、Po1
yn*、Sci、)υ。
化三フフ化エチレンとフッ化ビニリデンの混合物を直接
ぬシつけフィルム状にし、該フィルムの厚さ分だけ測定
深さを縮め、浅い所の測定を行なっている。しかし、こ
の方法での測定波長領域は5.5μm(1820cm−
リ−45,gs(1540m一つであり、該波長領域以
外ではスペーサ自体の吸収が生じるため、測定を行なう
ことは困難であった。〔ジャーナル・オブ・アプライド
・ポリマー・サイエンス(J、of Appl、Po1
yn*、Sci、)υ。
2911(1973)〕
〔発明の目的〕
本発明の目的は前記従来技術の問題点をなくし、赤外光
の波長領域に吸収をもたない無機化合物をスペーサに用
いること(より、一度に全赤外波長領域での深さ分析が
行なえる全反射赤外吸収スペクトル測定法を提供するこ
とにある。
の波長領域に吸収をもたない無機化合物をスペーサに用
いること(より、一度に全赤外波長領域での深さ分析が
行なえる全反射赤外吸収スペクトル測定法を提供するこ
とにある。
スペーサ自身が赤外波長領域で吸収をもつ場合、スペー
サの吸収ピーク位置と測定試料の吸収ピーク位置が重な
り、両者の判別をつけることは困難である。従ってこの
ような場合にはスペーサによる吸収のない波長領域しか
使用できない。ところが化合物の構造変化などを測定し
ようとした場合には、やはり全赤外波長領域にわたって
測定できる方が望ましい。そのため一般の赤外分光法で
使われる波長領域(約2.5μ隅〜約15μ講)に吸収
をもたない無機化合物をスペーサに用いれば、スペーサ
の吸収による測定波長領域の制限は生じないと考えた。
サの吸収ピーク位置と測定試料の吸収ピーク位置が重な
り、両者の判別をつけることは困難である。従ってこの
ような場合にはスペーサによる吸収のない波長領域しか
使用できない。ところが化合物の構造変化などを測定し
ようとした場合には、やはり全赤外波長領域にわたって
測定できる方が望ましい。そのため一般の赤外分光法で
使われる波長領域(約2.5μ隅〜約15μ講)に吸収
をもたない無機化合物をスペーサに用いれば、スペーサ
の吸収による測定波長領域の制限は生じないと考えた。
この考えに基づいて、赤外光に透明な無機化合物をスペ
ーサに用いて測定を行なったところ、スペーサによる吸
収ピークのないスペクトルが得られた。該スペーサに用
いられる無機化合物としては、Cat、 、BaF、
、ZF&S 、NaC4,CdS 、ZrhSa 、A
gCL、KCL。
ーサに用いて測定を行なったところ、スペーサによる吸
収ピークのないスペクトルが得られた。該スペーサに用
いられる無機化合物としては、Cat、 、BaF、
、ZF&S 、NaC4,CdS 、ZrhSa 、A
gCL、KCL。
υr 、 AgBr などがある。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第1
図は本発明の一実施例の基本構成図である。赤外光源1
から出た赤外光2はマイケルソン干渉計3を通シ試料ホ
ルダ4内のクリスタル(高屈折率媒質、danger
rphaeLiut* ) 5 ヘと入射し、クリス
タル5とスペーサ6の界面で全反射する。このとき入射
赤外光の一部7が界面を越えて測定試料8へとしみ出し
、試料8による吸収の影響をうけて反射してくる。従っ
て反射赤外光2′は試料8による吸収の情報をもりてお
シ、これを検出器9で検出し、検出器9からの電気信号
をデータ処理装置10で変換・処理し、全反射赤外吸収
スペクトルを得る。ここで全反射の際試料8にしみ込む
赤外光7はスペーサ6を通り抜けて試料8に達している
ので、スペーサ6の厚さを変えれば試料8にしみ込む赤
外光7のしみ込み深さも変わり、もって深さ分析を行な
うことが可能である。
図は本発明の一実施例の基本構成図である。赤外光源1
から出た赤外光2はマイケルソン干渉計3を通シ試料ホ
ルダ4内のクリスタル(高屈折率媒質、danger
rphaeLiut* ) 5 ヘと入射し、クリス
タル5とスペーサ6の界面で全反射する。このとき入射
赤外光の一部7が界面を越えて測定試料8へとしみ出し
、試料8による吸収の影響をうけて反射してくる。従っ
て反射赤外光2′は試料8による吸収の情報をもりてお
シ、これを検出器9で検出し、検出器9からの電気信号
をデータ処理装置10で変換・処理し、全反射赤外吸収
スペクトルを得る。ここで全反射の際試料8にしみ込む
赤外光7はスペーサ6を通り抜けて試料8に達している
ので、スペーサ6の厚さを変えれば試料8にしみ込む赤
外光7のしみ込み深さも変わり、もって深さ分析を行な
うことが可能である。
本実施例では、スペーサとしてZn5g 、F bJ’
tを各々G−クリスタルの表面につけた。スペーサに用
いたZnS a 、 PbF、 及びクリスタルに用
い九〇−の光学的性質を第1表に示した。クリスタル/
スペーサ界面で全反射が生じるようにスペーサの屈折率
はクリスタルのそれよりも低く、また赤外波長領域でス
ペーサの吸収が生じないよう赤外光に透明な材質を選定
した。
tを各々G−クリスタルの表面につけた。スペーサに用
いたZnS a 、 PbF、 及びクリスタルに用
い九〇−の光学的性質を第1表に示した。クリスタル/
スペーサ界面で全反射が生じるようにスペーサの屈折率
はクリスタルのそれよりも低く、また赤外波長領域でス
ペーサの吸収が生じないよう赤外光に透明な材質を選定
した。
第 1 表
実際にGa/Zn5a、 Ga/PbFt のクリス
タル/スペーサを用いて、プラズマ処理によるポリイミ
ド系樹脂の表面構造変化を測定した結果を第2図。
タル/スペーサを用いて、プラズマ処理によるポリイミ
ド系樹脂の表面構造変化を測定した結果を第2図。
第3図に示す。第2図、第3図ともにαはプラズマ処理
した試料、bは未処理の試料である。
した試料、bは未処理の試料である。
第2図のα、hを比較すると、プラズマ処理によって1
500cm のベンゼン環、 1240Cna−’
のイミド環などの吸収強度が弱まり、逆K 1720
cw−’のカルボニル基、 1100C++a−’
のエーテル基などの吸収強度が強くなっているのがわか
る。第3図も同様の傾向を示している。ところが同じ試
料をスペーサを用いずにG#クリスタルのみで測定して
もこのような変化はみられない。
500cm のベンゼン環、 1240Cna−’
のイミド環などの吸収強度が弱まり、逆K 1720
cw−’のカルボニル基、 1100C++a−’
のエーテル基などの吸収強度が強くなっているのがわか
る。第3図も同様の傾向を示している。ところが同じ試
料をスペーサを用いずにG#クリスタルのみで測定して
もこのような変化はみられない。
以上のことから、赤外光に透明な無機化合物のスペーサ
を用いれば、スペーサによる吸収の影響をうけることな
く広い赤外波長領域で測定を行なうことができる。また
スペーサの使用によってこれまで測定できなかった表面
変質層のような極く薄い試料でも測定が可能になる。
を用いれば、スペーサによる吸収の影響をうけることな
く広い赤外波長領域で測定を行なうことができる。また
スペーサの使用によってこれまで測定できなかった表面
変質層のような極く薄い試料でも測定が可能になる。
本発明によれば、スペーサは赤外光に透明なので、スペ
ーサの吸収による測定波長領域の制限をうけず、全赤外
波長領域にわたっての測定ができるという効果がある。
ーサの吸収による測定波長領域の制限をうけず、全赤外
波長領域にわたっての測定ができるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例の基本構成図、第2図はポリ
イミド系樹脂の表面変質層の全反射赤外吸収スペクトル
(スペーサ:Z+sSg)、93図はポリイミド系樹脂
の表面変質層の全反射赤外吸収スペクトル(スペーサ:
pbp、)である。 1・・・赤外光源 2,2′・・・赤外光3・
・・マイケルソン干渉計 4・・・試料ホルダ 5・・・クリスタル6・・
・スペーサ 7・・・試料側にしみ出す赤外光 8・・・測定試料 9・・・検出器10−・・
データ処理装置 17図 $ 2 図 1θθθ 1400 1000=
、F!1 衣 (cmづ〕第 3 図 Iθθ0140θ l000波 数
〔け−′〕 手続補正書(自発) 事件の表示 昭和60 年特許願第 122450号発明の名称
全反射赤外吸収スペクトル測定法補正をする者 ・餠と1I)lII係 特許出願人 名 称 15101株式会tト 日 立
製 11 所代 理 人 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 1、 明細書第3頁、第5行目の「約15μm」を、「
約25μm」 に訂正する。 2 明細書第6頁、第9行目の「・旧・・をうけず。 全赤外波長領域・・・・・・」を、「・・・・・・をう
けず、−0度に全赤外波長領域・・・・・・」に訂正す
る。 以上
イミド系樹脂の表面変質層の全反射赤外吸収スペクトル
(スペーサ:Z+sSg)、93図はポリイミド系樹脂
の表面変質層の全反射赤外吸収スペクトル(スペーサ:
pbp、)である。 1・・・赤外光源 2,2′・・・赤外光3・
・・マイケルソン干渉計 4・・・試料ホルダ 5・・・クリスタル6・・
・スペーサ 7・・・試料側にしみ出す赤外光 8・・・測定試料 9・・・検出器10−・・
データ処理装置 17図 $ 2 図 1θθθ 1400 1000=
、F!1 衣 (cmづ〕第 3 図 Iθθ0140θ l000波 数
〔け−′〕 手続補正書(自発) 事件の表示 昭和60 年特許願第 122450号発明の名称
全反射赤外吸収スペクトル測定法補正をする者 ・餠と1I)lII係 特許出願人 名 称 15101株式会tト 日 立
製 11 所代 理 人 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 1、 明細書第3頁、第5行目の「約15μm」を、「
約25μm」 に訂正する。 2 明細書第6頁、第9行目の「・旧・・をうけず。 全赤外波長領域・・・・・・」を、「・・・・・・をう
けず、−0度に全赤外波長領域・・・・・・」に訂正す
る。 以上
Claims (1)
- 全反射赤外吸収スペクトル測定方法において、高屈折率
媒質と測定試料との間に前記高屈折率媒質よりも屈折率
が低く赤外光に透明な無機化合物を介在させ、試料表面
に入り込む赤外光の入り込み深さを調節することを特徴
とする全反射赤外吸収スペクトル測定法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60122450A JPS61281946A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 全反射赤外吸収スペクトル測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60122450A JPS61281946A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 全反射赤外吸収スペクトル測定法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61281946A true JPS61281946A (ja) | 1986-12-12 |
Family
ID=14836142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60122450A Pending JPS61281946A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 全反射赤外吸収スペクトル測定法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61281946A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994008224A1 (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Infrared optical part and measuring instrument |
US5942754A (en) * | 1994-11-25 | 1999-08-24 | Kyoto Dai Ichi Kagaku Co., Ltd. | Method of and apparatus for determining hydrogen peroxide |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP60122450A patent/JPS61281946A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994008224A1 (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Infrared optical part and measuring instrument |
US5569921A (en) * | 1992-10-07 | 1996-10-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Infrared optical part and measuring instrument |
US5942754A (en) * | 1994-11-25 | 1999-08-24 | Kyoto Dai Ichi Kagaku Co., Ltd. | Method of and apparatus for determining hydrogen peroxide |
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