JPS6279653A - ハイブリツドｉｃのパツケ−ジング構造 - Google Patents
ハイブリツドｉｃのパツケ−ジング構造Info
- Publication number
- JPS6279653A JPS6279653A JP22066585A JP22066585A JPS6279653A JP S6279653 A JPS6279653 A JP S6279653A JP 22066585 A JP22066585 A JP 22066585A JP 22066585 A JP22066585 A JP 22066585A JP S6279653 A JPS6279653 A JP S6279653A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hybrid
- case
- synthetic resin
- thin film
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔）概要〕
薄膜被覆でコーテングして封止したハイブリッドＩＣを
、補強バーを設けて変形し難くした合成樹脂よりなるケ
ースに収容することにより、ハイブリッドＩＣを機械的
に保護する。
、補強バーを設けて変形し難くした合成樹脂よりなるケ
ースに収容することにより、ハイブリッドＩＣを機械的
に保護する。
本発明は、ハイブリッドＩＣのパッケージング構造に関
する。
する。
セラミック基板に膜回路を形成し、さらに回路部品等を
実装したハイブリッドＩＣは、耐湿性。
実装したハイブリッドＩＣは、耐湿性。
耐衝撃性等を向上させるため、端子部分を除いた全表面
を合成樹脂等でパッケージングし、密封保護するのが一
般である。
を合成樹脂等でパッケージングし、密封保護するのが一
般である。
近年は、大形のセラミック基板に、高密度に膜回路１回
路部品等形成される傾向にあり、確実なパッケージング
手段の要求が強い。
路部品等形成される傾向にあり、確実なパッケージング
手段の要求が強い。
第３図は従来のパッケージング構造を示す斜視Ｍであっ
て、細長い板厚の薄い矩形板状のセラミック基板２の表
面に、所望の膜回路を形成し、さらに能動部品等を実装
してハイブリッドＩＣＩを構成している。
て、細長い板厚の薄い矩形板状のセラミック基板２の表
面に、所望の膜回路を形成し、さらに能動部品等を実装
してハイブリッドＩＣＩを構成している。
そして、セラミック基板２の一方の長手側縁に、端子３
を並列して設け、端子３をプリント板のスルーホールに
挿着、接続することにより、ハイブリッドＴＣＩをプリ
ント板に実装する。
を並列して設け、端子３をプリント板のスルーホールに
挿着、接続することにより、ハイブリッドＴＣＩをプリ
ント板に実装する。
従来はこのようなハイブリッドＩＣＩを、薄膜被覆５で
アンダコーテング後、薄膜被覆５の全表面を封着剤４で
厚くコーテングしてパッケージングしている。
アンダコーテング後、薄膜被覆５の全表面を封着剤４で
厚くコーテングしてパッケージングしている。
即ち、所望の温度に加熱したハイブリッドＩＣＩを、合
成樹脂、例えば溶融状態のシリコン樹脂にディップして
、端子３を除いた全表面に薄膜被覆５を形成させてコー
テングし、次に、ハイブリ・ラドＩＣＩを所望の温度（
例えばエポキシ樹脂の場合、１５０℃〜１７０°Ｃ）に
加熱して、封着剤４を構成する合成樹脂粉末、例えばエ
ポキシ樹脂粉末が浮遊流動している浸漬槽に浸漬して、
封着剤４を溶融付着させる手段、所謂、粉末流動浸漬法
により、薄膜被覆５′の全表面を、封着剤４で被覆して
いる。
成樹脂、例えば溶融状態のシリコン樹脂にディップして
、端子３を除いた全表面に薄膜被覆５を形成させてコー
テングし、次に、ハイブリ・ラドＩＣＩを所望の温度（
例えばエポキシ樹脂の場合、１５０℃〜１７０°Ｃ）に
加熱して、封着剤４を構成する合成樹脂粉末、例えばエ
ポキシ樹脂粉末が浮遊流動している浸漬槽に浸漬して、
封着剤４を溶融付着させる手段、所謂、粉末流動浸漬法
により、薄膜被覆５′の全表面を、封着剤４で被覆して
いる。
上述のアンダコーテングの薄膜被覆５は、厚さがＱ、１
ｍｍ〜０．２１の伸縮性ある被覆で、密着性が良いので
、防湿機能を備えている。
ｍｍ〜０．２１の伸縮性ある被覆で、密着性が良いので
、防湿機能を備えている。
また封着剤４は、例えば厚さが０．６ ＋ｕ〜０．８龍
であり、また硬いので、他の物品等が衝突等することに
よるハイブリッドＩＣ１，特にセラミック基板２が破損
するのを阻止する機能を有する。
であり、また硬いので、他の物品等が衝突等することに
よるハイブリッドＩＣ１，特にセラミック基板２が破損
するのを阻止する機能を有する。
しかしながら、近年の如（にハイブリッドＩＣのセラミ
ック基板２が、細長く且つ大形になると、封着剤４でパ
ッケージングする際、封着剤４とセラミック基板２の熱
膨張係数の差に起因して、セラミック基板２に大きな応
力が付与され、セラミック基板２が破損するという問題
点がある。
ック基板２が、細長く且つ大形になると、封着剤４でパ
ッケージングする際、封着剤４とセラミック基板２の熱
膨張係数の差に起因して、セラミック基板２に大きな応
力が付与され、セラミック基板２が破損するという問題
点がある。
上記従来の問題点を解決するため本発明は、第１図のよ
うに、合成樹脂よりなる薄膜被覆５でコーテングしたハ
イブリッドＩＣ１と、開口面より端子３が突出する如く
に、ハイブリッド（Ｃ１を収容する、合成樹脂よりなる
薄い箱形のケース１゜とよりなり、 ケース１０にハイブリッドＩＣＩを収容後に、ケース１
０の変形を阻止する補強バー１２を、対向する長手方向
の開口側縁１１に架橋・固着するように構成したもので
ある。
うに、合成樹脂よりなる薄膜被覆５でコーテングしたハ
イブリッドＩＣ１と、開口面より端子３が突出する如く
に、ハイブリッド（Ｃ１を収容する、合成樹脂よりなる
薄い箱形のケース１゜とよりなり、 ケース１０にハイブリッドＩＣＩを収容後に、ケース１
０の変形を阻止する補強バー１２を、対向する長手方向
の開口側縁１１に架橋・固着するように構成したもので
ある。
上記本発明の手段によれば、ハイブリッドＩＣ１は薄膜
被覆５で封止されているので、耐湿性が高く、且つケー
ス１０に収容されているので、機械的に保護されている
。
被覆５で封止されているので、耐湿性が高く、且つケー
ス１０に収容されているので、機械的に保護されている
。
また、ケース１０は、長手方向の対向する開口側縁１１
が、適宜の個所で補強バー１２で支持、固定されて、開
口面が補強されているので、不用意なハイブリッドＩＣ
の取扱いに起因して、ケース１０に強い外力が付与され
ても、開口部が変形したり、或いは破壊する恐れがない
。
が、適宜の個所で補強バー１２で支持、固定されて、開
口面が補強されているので、不用意なハイブリッドＩＣ
の取扱いに起因して、ケース１０に強い外力が付与され
ても、開口部が変形したり、或いは破壊する恐れがない
。
したがって、外力がハイブリッドＩＣ１におよぶことが
なく、セラミック基板２が破損する恐れが少ない。
なく、セラミック基板２が破損する恐れが少ない。
以下図示実施例により、本発明を具体的に説明する。な
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
お、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第１図は本発明の１実施例の一部破断斜視図、第２図は
側断面図である。
側断面図である。
第１図乃至第２図において、細長く大きい薄厚の矩形板
状のセラミック基板２の表面に、所望の膜回路を形成し
、さらに能動部品等を実装してハイブリッドＩＣＩを構
成している。なお、セラミック基板２の一方の長手側縁
には、端子３が並列している。
状のセラミック基板２の表面に、所望の膜回路を形成し
、さらに能動部品等を実装してハイブリッドＩＣＩを構
成している。なお、セラミック基板２の一方の長手側縁
には、端子３が並列している。
このようなハイブリッドＩＣＩは、合成樹脂、例えばシ
リコン樹脂の薄膜被覆５により、端子３を除いた全表面
がコーテングされている。
リコン樹脂の薄膜被覆５により、端子３を除いた全表面
がコーテングされている。
この薄膜被覆５は、厚さがＱ、１ｍｍ〜０．２ｕ＋の伸
縮性ある被覆で、且つ密着性が良いので、防湿機能を有
する。
縮性ある被覆で、且つ密着性が良いので、防湿機能を有
する。
ケース１０は、熱可ワ性樹脂、例えばポリブチレンテレ
フタレートよりなり、ハイブリッドＩＣＩを収容可能な
鞘厚が薄い箱形で、ハイブリッドＩＣ１を挿入収容した
場合に、端子３例の側面が開口するように成形されてい
る。
フタレートよりなり、ハイブリッドＩＣＩを収容可能な
鞘厚が薄い箱形で、ハイブリッドＩＣ１を挿入収容した
場合に、端子３例の側面が開口するように成形されてい
る。
ケース１０の鞘厚側の側壁１３の内壁には、セラミック
基板２の両側の側縁が挿入されるガイド１４を対向して
設けである。
基板２の両側の側縁が挿入されるガイド１４を対向して
設けである。
このガイド１４にハイブリッドＩＣＩの側縁を挿入して
、案内となし、ハイブリッドＩＣ１をケース１０に挿入
・収容した後に、ガイド１４の開口面側の端部を熱かし
め等して塞ぎ、ハイブリッドＩＣ１をケース１０に固定
して、抜落しないようにしている。
、案内となし、ハイブリッドＩＣ１をケース１０に挿入
・収容した後に、ガイド１４の開口面側の端部を熱かし
め等して塞ぎ、ハイブリッドＩＣ１をケース１０に固定
して、抜落しないようにしている。
一方、ケース１０の開口面の長手方向の一方の開口側縁
１１には、予め平側板に並行に突出して、点線で示すよ
うに補強バー１２を並列させである。この補強バー１２
は、ハイブリッド■Ｃ１をケース１０に収容した状態で
、端子３の間に位置する個所に設けたものである。
１１には、予め平側板に並行に突出して、点線で示すよ
うに補強バー１２を並列させである。この補強バー１２
は、ハイブリッド■Ｃ１をケース１０に収容した状態で
、端子３の間に位置する個所に設けたものである。
ケース１０にハイブリッドＩＣＩを挿入収容後、補強バ
ー１２の根本を加熱して軟化させ、補強バー１２を実線
で示すように、対向する開口側縁１１方向に直角に折曲
げて、その先端部を熱かしめ等して固定することにより
、対向する一対の開口側縁１１に架橋・固着している。
ー１２の根本を加熱して軟化させ、補強バー１２を実線
で示すように、対向する開口側縁１１方向に直角に折曲
げて、その先端部を熱かしめ等して固定することにより
、対向する一対の開口側縁１１に架橋・固着している。
上述のように、ハイブリッドＩＣＩは、薄膜被覆５で封
止されているので、耐湿性が高い。
止されているので、耐湿性が高い。
また、ケース１０は、長手方向の対向する開口側縁１１
が、適宜の個所で補強バー１２で支持、固定されて、開
口面が補強されているので、不用意なハイブリッドＩＣ
の取扱いに起因して、ケース１０に強い外力が付与され
ても、開口部が変形したり、或いは破壊する恐れがない
。
が、適宜の個所で補強バー１２で支持、固定されて、開
口面が補強されているので、不用意なハイブリッドＩＣ
の取扱いに起因して、ケース１０に強い外力が付与され
ても、開口部が変形したり、或いは破壊する恐れがない
。
また、ケース１０に収容しであるので、他の物品が直接
、ハイブリッドＩＣＩに衝突することが阻止され、機械
的に保護されるばかりでなく、薄膜被覆５が衝突等によ
り損傷することがないので、耐湿性の信頼度が高い。
、ハイブリッドＩＣＩに衝突することが阻止され、機械
的に保護されるばかりでなく、薄膜被覆５が衝突等によ
り損傷することがないので、耐湿性の信頼度が高い。
なお、補強バー１２は、図示例と異なり、ビン形の補強
バーを別個に設け、対向する長手方向の開口側縁１１の
間に、圧入固着、あるいは熱かしめ固着等して設けるこ
ともできる。
バーを別個に設け、対向する長手方向の開口側縁１１の
間に、圧入固着、あるいは熱かしめ固着等して設けるこ
ともできる。
以上説明したように本発明は、薄膜被覆でコーテングし
たハイブリッドＩＣを、補強バーを設は補強した、合成
樹脂よりなるケースに収容するようにしたもので、耐湿
性が高く、機械的に損傷する恐れが少ない等、実用上で
優れた効果がある。
たハイブリッドＩＣを、補強バーを設は補強した、合成
樹脂よりなるケースに収容するようにしたもので、耐湿
性が高く、機械的に損傷する恐れが少ない等、実用上で
優れた効果がある。
第１図は本発明の１実施例の斜視図、
第２図は本発明の側断面図、
第３図は従来のパッケージング構造を示す斜視図である
。 図において、 １はハイブリッドＩＣ。 ２はセラミック基板、 ３は端子、 ４は封着剤、 ５は薄膜被覆、 １０はケース、 １１は開口側縁、 １２は（市強バー、 １４はガイドを示す。
。 図において、 １はハイブリッドＩＣ。 ２はセラミック基板、 ３は端子、 ４は封着剤、 ５は薄膜被覆、 １０はケース、 １１は開口側縁、 １２は（市強バー、 １４はガイドを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 合成樹脂よりなる薄膜被覆（５）でコーテングしたハ
イブリッドＩＣ（１）と、 開口面より端子（３）が突出する如くに、該ハイブリッ
ドＩＣ（１）を収容する、合成樹脂よりなる薄い箱形の
ケース（１０）とよりなり、 該ケース（１０）に該ハイブリッドＩＣ（１）を収容後
に、該ケース（１０）の変形を阻止する補強バー（１２
）が、対向する長手方向の開口側縁（１１）に架橋固着
するように、設けられたことを特徴とするハイブリッド
ＩＣのパッケージング構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22066585A JPS6279653A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | ハイブリツドｉｃのパツケ−ジング構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22066585A JPS6279653A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | ハイブリツドｉｃのパツケ−ジング構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6279653A true JPS6279653A (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=16754530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22066585A Pending JPS6279653A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | ハイブリツドｉｃのパツケ−ジング構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6279653A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1881530A1 (en) * | 2006-07-18 | 2008-01-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor apparatus |
| KR100879273B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2009-01-19 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP22066585A patent/JPS6279653A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100879273B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2009-01-19 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
| EP1881530A1 (en) * | 2006-07-18 | 2008-01-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor apparatus |
| US7449726B2 (en) | 2006-07-18 | 2008-11-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor apparatus |
| KR100898774B1 (ko) * | 2006-07-18 | 2009-05-20 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 전력용 반도체장치 |
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