JPS6277384A - アゼチジン−2−オン誘導体及びその製造方法 - Google Patents
アゼチジン−2−オン誘導体及びその製造方法Info
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- JPS6277384A JPS6277384A JP60216127A JP21612785A JPS6277384A JP S6277384 A JPS6277384 A JP S6277384A JP 60216127 A JP60216127 A JP 60216127A JP 21612785 A JP21612785 A JP 21612785A JP S6277384 A JPS6277384 A JP S6277384A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学活性なアゼチジン−2−オン誘導体及びそ
の製造方法に関し、さらに詳しくはチェナマイシン等の
カルバペネム系抗生物質の新規な合成中間体である一般
式 〔式中、R1は水素原子、アルキル基又はアラルキル基
を表わし; R2は低級アルキル基、アリール基又はアラル基を表わ
し; R1は水素原子又は水酸基の保護基を表わす〕で表わさ
れるアゼチジン−2−オン誘導体の光学活性なジアステ
レオ異性体及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、さらに詳しくはチェナマイシン等の
カルバペネム系抗生物質の新規な合成中間体である一般
式 〔式中、R1は水素原子、アルキル基又はアラルキル基
を表わし; R2は低級アルキル基、アリール基又はアラル基を表わ
し; R1は水素原子又は水酸基の保護基を表わす〕で表わさ
れるアゼチジン−2−オン誘導体の光学活性なジアステ
レオ異性体及びその製造方法に関する。
β−ラクタム抗生物質にあっては、特定の立体配置を有
する光学活性体が、抗菌作用やβ−ラクタマーゼ阻害作
用等に関し、特に優れた特性を有することは周知のとお
りであり、その製造方法の開発が切望されている。本発
明の目的は、特定の立体配置を有するチェナマイシン等
のカルバペネム系抗生物質の合成中間体として有用な前
記式(1)のアゼチジン−2−オン誘導体の光学活性な
ジアステレオ異性体及びその製造方法を提供することに
ある。
する光学活性体が、抗菌作用やβ−ラクタマーゼ阻害作
用等に関し、特に優れた特性を有することは周知のとお
りであり、その製造方法の開発が切望されている。本発
明の目的は、特定の立体配置を有するチェナマイシン等
のカルバペネム系抗生物質の合成中間体として有用な前
記式(1)のアゼチジン−2−オン誘導体の光学活性な
ジアステレオ異性体及びその製造方法を提供することに
ある。
従来、β−ラクタム環の3位はヒドロキシエチル基を有
し且つ4位に脱離性基を有する化合物にアルキル化剤を
反応させて次の反応式[,41で示される如く4位をア
ルキル化する試みが数多くなされている。
し且つ4位に脱離性基を有する化合物にアルキル化剤を
反応させて次の反応式[,41で示される如く4位をア
ルキル化する試みが数多くなされている。
この反応において、式(ロ)の化合物の光学活性なジア
ステレオ異性体を製造する方法として、例えば、光学活
性カ6−アミノペニシラン酸、L−7スパラギン酸、D
−アロスレオニン等から光学活性な式(()の化合物を
得、これを出発物質として次に立体特異的に4位にアル
キル基を導入する方法が知られティる(Chem、 p
harm、Bull、 29 。
ステレオ異性体を製造する方法として、例えば、光学活
性カ6−アミノペニシラン酸、L−7スパラギン酸、D
−アロスレオニン等から光学活性な式(()の化合物を
得、これを出発物質として次に立体特異的に4位にアル
キル基を導入する方法が知られティる(Chem、 p
harm、Bull、 29 。
2899 .1 981 ; Tetrahgdro
n Letters。
n Letters。
23 、 2293 、 1 982 ; Te
trahedrOnLetterS、21 y447
3)1980 ;Tetra−hedron Lett
ers、 22 、5205 、1981等)。
trahedrOnLetterS、21 y447
3)1980 ;Tetra−hedron Lett
ers、 22 、5205 、1981等)。
一方、他の方法として、式(イ)のラセミ体を出発原料
として用い上記反応式CA>に従って式(ロ)のラセミ
体を製造し、次いでそのアルキル基を変換してカルバペ
ネム等に誘導するまでのいずれかの段階で、適当な方法
で光学分割する方法が考えられる。
として用い上記反応式CA>に従って式(ロ)のラセミ
体を製造し、次いでそのアルキル基を変換してカルバペ
ネム等に誘導するまでのいずれかの段階で、適当な方法
で光学分割する方法が考えられる。
本発明者らは、容易に入手可能な前記式(イ)のラセミ
体を出発原料とし7て、光学活性な式(ロ)の化合物を
製造する方法について鋭意研究を行った結果、今回、一
般式 〔式中、Lは低級アルカノイルオキシ基、低級アルキル
スルホニル基又はアリールスルホニル基を表わし;R3
は水素原子又は水酸基の保護基を表わす〕 で表わされる化合物のラセミ体を、一般式〔式中、R′
は水素原子、アルキル基又はアラルキル基を表わし; R2は低級アルキル基、アリール基又はアラルキル基を
表わす〕 で表わされる光学活性な化合物を塩基の存在下にスズ(
N)トリフレートと反応させて得られるエノール体とを
反応させることによって一般式〔式中、B< Rt及び
R8は前記の意味を有する〕 で表わされるアゼチジン−2−オン誘導体のジアステレ
オ異性体混合物を完成ぜレヘ次いで、この異性体混合物
をカラムクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフィー
等の分離手段により分割すれば上記一般式(1)の光学
活性なジアステレオ異性体を効率よく分離しうることを
見出し本発明を完成した。
体を出発原料とし7て、光学活性な式(ロ)の化合物を
製造する方法について鋭意研究を行った結果、今回、一
般式 〔式中、Lは低級アルカノイルオキシ基、低級アルキル
スルホニル基又はアリールスルホニル基を表わし;R3
は水素原子又は水酸基の保護基を表わす〕 で表わされる化合物のラセミ体を、一般式〔式中、R′
は水素原子、アルキル基又はアラルキル基を表わし; R2は低級アルキル基、アリール基又はアラルキル基を
表わす〕 で表わされる光学活性な化合物を塩基の存在下にスズ(
N)トリフレートと反応させて得られるエノール体とを
反応させることによって一般式〔式中、B< Rt及び
R8は前記の意味を有する〕 で表わされるアゼチジン−2−オン誘導体のジアステレ
オ異性体混合物を完成ぜレヘ次いで、この異性体混合物
をカラムクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフィー
等の分離手段により分割すれば上記一般式(1)の光学
活性なジアステレオ異性体を効率よく分離しうることを
見出し本発明を完成した。
本明細書において、「アルキル基」は直鎖状又は分岐鎖
状のいずれであってもよく、1〜15個の炭素原子を有
することができ、例えば、メチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、5ec−
ブチル、tart−ブチル、n−ペンチル、インペンチ
ル、n−ヘキシル、イソヘキシル、外−オクチル、イソ
オクチル、ドデシル、テトラデシル基等が包含される。
状のいずれであってもよく、1〜15個の炭素原子を有
することができ、例えば、メチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、5ec−
ブチル、tart−ブチル、n−ペンチル、インペンチ
ル、n−ヘキシル、イソヘキシル、外−オクチル、イソ
オクチル、ドデシル、テトラデシル基等が包含される。
また、特に「低級アルキル基」とは上記アルキル基中炭
素原子6個までのアルキル基をいう。
素原子6個までのアルキル基をいう。
また、「アリール基」は単環式又は多環式であり、さら
に環上に1個もしくはそれ以上のアルキル基を有してい
てもよく、例えば、フェニル、トリル、キシリル、α−
ナフチル、β−す7チル、ビフェニリル基等が包含され
、「アラルキル基」はアルキル基及びアリール基がそれ
ぞれ上記の意味を有するアリール置換アルキル基であり
、具体的にハ、ベンジル、フェネチル、α−メチルベン
ジル、フェニルプロピル、ナフチルメチル基等が例示さ
れる。
に環上に1個もしくはそれ以上のアルキル基を有してい
てもよく、例えば、フェニル、トリル、キシリル、α−
ナフチル、β−す7チル、ビフェニリル基等が包含され
、「アラルキル基」はアルキル基及びアリール基がそれ
ぞれ上記の意味を有するアリール置換アルキル基であり
、具体的にハ、ベンジル、フェネチル、α−メチルベン
ジル、フェニルプロピル、ナフチルメチル基等が例示さ
れる。
Lによって示される基において、「低級アルカノイルオ
キシ基」としては炭素原子数6個まで、好ましくは2〜
4個のもの、例えばアセトキシ、プロピオニルオキシ、
ブチリルオキシ基等が挙げられ、「アリールスルホニル
基」としては例えばベンゼンスルホニル、トリルスルホ
ニル、ナフチルスルホニルMeの置換又は未置換了り−
ルスルホニル基が例示され、また、「低級アルキルスル
ホニル基」としては炭素原子数6個まで、好ましくは2
〜4個のもの、具体的にはメタンスルホニル、エタンス
ルホニル、プロパンスルホニル基等が包含される。
キシ基」としては炭素原子数6個まで、好ましくは2〜
4個のもの、例えばアセトキシ、プロピオニルオキシ、
ブチリルオキシ基等が挙げられ、「アリールスルホニル
基」としては例えばベンゼンスルホニル、トリルスルホ
ニル、ナフチルスルホニルMeの置換又は未置換了り−
ルスルホニル基が例示され、また、「低級アルキルスル
ホニル基」としては炭素原子数6個まで、好ましくは2
〜4個のもの、具体的にはメタンスルホニル、エタンス
ルホニル、プロパンスルホニル基等が包含される。
R3で示される「水酸基の保護基」としては、例えばト
リメチルシリル、トリエチルシリル、tert−ブチル
ジメチルシリル、ジフェニル−tert−ブチルシリル
等のシリル基;ベンジルオキシカルボニル基; P−ニ
トロベンジルオキシカルボニル、O−ニトロベンジルオ
キシカルボニル等の置換ベンジルオキシカルボニル基;
その他通常作用される水酸基の保護基が挙げられる。
リメチルシリル、トリエチルシリル、tert−ブチル
ジメチルシリル、ジフェニル−tert−ブチルシリル
等のシリル基;ベンジルオキシカルボニル基; P−ニ
トロベンジルオキシカルボニル、O−ニトロベンジルオ
キシカルボニル等の置換ベンジルオキシカルボニル基;
その他通常作用される水酸基の保護基が挙げられる。
本発明の出発物質でおる下記式(1)の化合物はラセミ
体が用いられるが、 〔式中、L及びBsは前記の意味を表わす〕生成する前
記式(1)の化合物のジアステレオ異性体の数を減少し
分離操作を一層容易にするためには、好適には、式(m
l)の化合物の(1’t 3)位の相対配置が下記式(
1’) 〔式中、L及びRsは前記の意味を表わす〕で表わされ
る( 1 ’P 3 )スレオ配置のラセミ体、或いは
下記式(!l’5 〔式中、L及びRaは前記の意味を表わす〕で表わされ
る( 1 ’43 )エリスロ配置のラセミ体を用いる
のが有利である。
体が用いられるが、 〔式中、L及びBsは前記の意味を表わす〕生成する前
記式(1)の化合物のジアステレオ異性体の数を減少し
分離操作を一層容易にするためには、好適には、式(m
l)の化合物の(1’t 3)位の相対配置が下記式(
1’) 〔式中、L及びRsは前記の意味を表わす〕で表わされ
る( 1 ’P 3 )スレオ配置のラセミ体、或いは
下記式(!l’5 〔式中、L及びRaは前記の意味を表わす〕で表わされ
る( 1 ’43 )エリスロ配置のラセミ体を用いる
のが有利である。
また、式(Iワ及び(+うの化合物に努いて、4位置換
基(L)は任意の立体配置であることができる。即ち、
3位に対し、シス及びトランスのいずれでもよい。通常
、トランス体が多く用いられる。
基(L)は任意の立体配置であることができる。即ち、
3位に対し、シス及びトランスのいずれでもよい。通常
、トランス体が多く用いられる。
式(Iりの化合物として、(1′、3)スレオ配置のラ
セミ体(1つを、そして式(+!りの化合物としてR1
置換基がS−配置である化合物を用する場合を例にとり
、以下に本発明の特孕をさらに説明する。
セミ体(1つを、そして式(+!りの化合物としてR1
置換基がS−配置である化合物を用する場合を例にとり
、以下に本発明の特孕をさらに説明する。
式(1つの化合物と式(II)の化合物のエルレートと
の反応は、下記式〔BEに従って、(l−a)〜(1−
C)の3種のジアステレオ異性体の混合物を与える。
の反応は、下記式〔BEに従って、(l−a)〜(1−
C)の3種のジアステレオ異性体の混合物を与える。
I81 る
。
。
〔式中、R之R1及びR3は前記の意味を表わす〕
混合物中の異性体量は一般に(1−1))(+−b )
> (I−c )の順序となり、特定の立体配置を有
する化合物〔本例では、式(■−α)の化合物〕が特例
有利に生成する。また、Rfが水素原子以下の置換基で
ある場合、(411’5立体配置がエリスロの化合物が
特異的に生成する。一方、予測1された下記式(菫−d
) 〔式中 B2 Bt及びBsは前記の意味を表わす〕 で表わされる化合物の生成は認められない。
> (I−c )の順序となり、特定の立体配置を有
する化合物〔本例では、式(■−α)の化合物〕が特例
有利に生成する。また、Rfが水素原子以下の置換基で
ある場合、(411’5立体配置がエリスロの化合物が
特異的に生成する。一方、予測1された下記式(菫−d
) 〔式中 B2 Bt及びBsは前記の意味を表わす〕 で表わされる化合物の生成は認められない。
さらに、上述の例において、式(Il’lの化合物のか
わりに、式(M′5の(1’t a )エリスロ配置の
ラセミ体を用いる場合は、下記式〔C〕〔式中、R−R
f及びR1は前記の意味を表わす〕 に従って生成する異性体量は(+ −e ) ) (1
−f)>(1−g)の順序となり、式(+−g)の化合
物が有利に生成する。こ\でも、下記式(l〔ヌ(中、
R1、R”及びRfは前記の意味を表わす〕 で表わされる化合物の生成は認められない。
わりに、式(M′5の(1’t a )エリスロ配置の
ラセミ体を用いる場合は、下記式〔C〕〔式中、R−R
f及びR1は前記の意味を表わす〕 に従って生成する異性体量は(+ −e ) ) (1
−f)>(1−g)の順序となり、式(+−g)の化合
物が有利に生成する。こ\でも、下記式(l〔ヌ(中、
R1、R”及びRfは前記の意味を表わす〕 で表わされる化合物の生成は認められない。
このように、特定の立体配置の異性体が有利に生成する
ことが本発明の1つの特徴である。
ことが本発明の1つの特徴である。
上記式(+−a)の化合物は、R1が水素原子の場合は
、チェナマイシン型立体配置を有し、そして、R1がメ
チル基の場合は、MK−591〔ヘテロサイクA/ス(
Eeterocycleg) 、2±(1)29(19
84)]型立体配置を有するカルバペネム類の合成中間
体として有用である。また、上記式(1−+e)の化合
物からこれらのカルバペネム類を合成する場合には、3
位側鎖中のヒドロキシル基の立体配置を光延法等の常法
に従って反転させることができる。
、チェナマイシン型立体配置を有し、そして、R1がメ
チル基の場合は、MK−591〔ヘテロサイクA/ス(
Eeterocycleg) 、2±(1)29(19
84)]型立体配置を有するカルバペネム類の合成中間
体として有用である。また、上記式(1−+e)の化合
物からこれらのカルバペネム類を合成する場合には、3
位側鎖中のヒドロキシル基の立体配置を光延法等の常法
に従って反転させることができる。
このようにして生成するジアステレオ異性体混合物の各
異性体への分離が極めて容易に達成されう石ととも本発
明の利点である。即ち、式(Hの化合物は、黄色に着色
しており、例えば、カラムクロマトグラフィー、薄層ク
ロマトグラフィー等で分離する場合、クロマトグラム上
で各異性体の位置を視覚で確認できる点で極めて有利で
ある。
異性体への分離が極めて容易に達成されう石ととも本発
明の利点である。即ち、式(Hの化合物は、黄色に着色
しており、例えば、カラムクロマトグラフィー、薄層ク
ロマトグラフィー等で分離する場合、クロマトグラム上
で各異性体の位置を視覚で確認できる点で極めて有利で
ある。
さらに、得られる式(1)の化合物の光学活性なジアス
テレオ異性体が活性アミド構造を有していることも本発
明の利点の1つである。即ち、l。
テレオ異性体が活性アミド構造を有していることも本発
明の利点の1つである。即ち、l。
3−チアゾリジン−2−千オン誘導体部分は直ちにチェ
ナマイシン等への誘導に利用することができる。例えば
、前記式(1−a)の化合物は直接増炭反応に付すこと
により、又は、カルボン酸(IV)を経由して増炭反応
に付すことにより下記式〔D〕〔式中、R1及びR8は
前記の意味を表わし、R′は低級アルキル基又は未置換
もしくは置!7ラルキル基を表わす〕 ノ如<、チェナマイシン等の有用合成中間体(V)に誘
導することができる。
ナマイシン等への誘導に利用することができる。例えば
、前記式(1−a)の化合物は直接増炭反応に付すこと
により、又は、カルボン酸(IV)を経由して増炭反応
に付すことにより下記式〔D〕〔式中、R1及びR8は
前記の意味を表わし、R′は低級アルキル基又は未置換
もしくは置!7ラルキル基を表わす〕 ノ如<、チェナマイシン等の有用合成中間体(V)に誘
導することができる。
以上の如く、本発明の方法において、式(III)の化
合物は式(1)の化合物に対する一種の光学分割剤と言
えるが、通常の分割剤は異なり、前述の如く、■アルキ
ル化と分割を同時に行うものであり、しかもこのアルキ
ル化は不斉的に行われるので、特定の立体配置の光学活
性なジアステレオ異性体を特に有利に生成し、■得られ
るジアステレオ異性体混合物の分割は極めて容易であり
、さらに■分割剤(III)中の1,3−チアゾリジン
−2−チオン部分は他の誘導体の製造に役立ち、脱離す
る光学活性な1,3−チアゾリン−2−千オン誘導体は
回収、再利用が可能であり、またアシル部分はチェナマ
イシン等の最終目的物における構造の一部として利用で
きる、等の数々の特徴を有し、極めてユニークなもので
ある。
合物は式(1)の化合物に対する一種の光学分割剤と言
えるが、通常の分割剤は異なり、前述の如く、■アルキ
ル化と分割を同時に行うものであり、しかもこのアルキ
ル化は不斉的に行われるので、特定の立体配置の光学活
性なジアステレオ異性体を特に有利に生成し、■得られ
るジアステレオ異性体混合物の分割は極めて容易であり
、さらに■分割剤(III)中の1,3−チアゾリジン
−2−チオン部分は他の誘導体の製造に役立ち、脱離す
る光学活性な1,3−チアゾリン−2−千オン誘導体は
回収、再利用が可能であり、またアシル部分はチェナマ
イシン等の最終目的物における構造の一部として利用で
きる、等の数々の特徴を有し、極めてユニークなもので
ある。
次に本発明の方法について、更に詳しく説明する。
まず、式(1)l (1つ又は(175の化合物〔以下
、式(1)の化合物として示す〕中の水酸基は必要に応
じて保眼したのち、反応に供される。
、式(1)の化合物として示す〕中の水酸基は必要に応
じて保眼したのち、反応に供される。
そのような保護基として前述した如きもののうち、t−
ブチルジメチルシリル等のシリル基が好適に用いられる
。シリル化反応は常法に従って行われる。典型的には、
適当な不活性溶媒、例えば、テトラヒドロフラン、ジク
ロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、アセトニ
トリル、酢酸エチfル、ジメチルホルムアミド等の単独
又は混合溶媒中で、式(!−α)の化合物を、トリエチ
ルアミン、ジイソプロピル、エチルアミン、イミダゾー
ル等の塩基、特に好適にはトリエチルアミンの存在下に
t−ブチルジメチルクロロシラン等のシリル化剤で、通
常−20〜25℃の温度で、0.5〜24時間処理する
ことによってシリル保護された化合物を得ることができ
る。
ブチルジメチルシリル等のシリル基が好適に用いられる
。シリル化反応は常法に従って行われる。典型的には、
適当な不活性溶媒、例えば、テトラヒドロフラン、ジク
ロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、アセトニ
トリル、酢酸エチfル、ジメチルホルムアミド等の単独
又は混合溶媒中で、式(!−α)の化合物を、トリエチ
ルアミン、ジイソプロピル、エチルアミン、イミダゾー
ル等の塩基、特に好適にはトリエチルアミンの存在下に
t−ブチルジメチルクロロシラン等のシリル化剤で、通
常−20〜25℃の温度で、0.5〜24時間処理する
ことによってシリル保護された化合物を得ることができ
る。
本発明の方法によれば、前記した式(1)の化合物は先
ずスズ(1,) ) !Jフレートと塩基の存在下で反
応させることによりエルレートに変えられる。
ずスズ(1,) ) !Jフレートと塩基の存在下で反
応させることによりエルレートに変えられる。
このエノール化反応は通常反応に不活性な溶媒中、例え
ば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテ
ルMi)ルエン、キシレン、シクロヘキサン等の炭化水
素類;ジクロルメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭
化水素類など、特にテトラヒドロフランの中で好適に実
施することができる。
ば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテ
ルMi)ルエン、キシレン、シクロヘキサン等の炭化水
素類;ジクロルメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭
化水素類など、特にテトラヒドロフランの中で好適に実
施することができる。
反応温度は厳密に制限されるものではなく、使用する出
発原料等に応じて広範に変えることができるが、一般に
は約−100℃ないしほぼ室温程度、好ましくは約−8
0℃〜約O℃の比較的低温が使用される。
発原料等に応じて広範に変えることができるが、一般に
は約−100℃ないしほぼ室温程度、好ましくは約−8
0℃〜約O℃の比較的低温が使用される。
式(1![)の化合物に対するスズ(II ) ) I
Jフレートの使用量は臨界的なものではないが、通常式
(ilりの化合物1モルに対してスズ(■)トリフレー
トは約1〜約2モル、好ましくは1〜t5モルの割合で
使用することができる。
Jフレートの使用量は臨界的なものではないが、通常式
(ilりの化合物1モルに対してスズ(■)トリフレー
トは約1〜約2モル、好ましくは1〜t5モルの割合で
使用することができる。
上記エノール化反応は塩基の存在下に実施され、使用し
うる塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ジイソ
プロピルエチルアミン、1,4−ジアザビシクロ[”
242.1オクタン、N−メチルモルホリン、N−エチ
ルピペリジン、ピリジン等の第三級アミン等が挙げられ
、中でもN−エチルピペリジンが有利に用いられる。こ
れらの塩基は一般に式(III)の化合物1モル当り約
1〜約3当量、好ましくは1〜2当量の割合で使用する
ことができる。
うる塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ジイソ
プロピルエチルアミン、1,4−ジアザビシクロ[”
242.1オクタン、N−メチルモルホリン、N−エチ
ルピペリジン、ピリジン等の第三級アミン等が挙げられ
、中でもN−エチルピペリジンが有利に用いられる。こ
れらの塩基は一般に式(III)の化合物1モル当り約
1〜約3当量、好ましくは1〜2当量の割合で使用する
ことができる。
上記エノール化反応は一般に約0.5〜約5時間、よシ
一般的には約2〜約4時間で終らせることができる。
一般的には約2〜約4時間で終らせることができる。
このエノール化反応に引続いてそのまま、生成するエル
レートに前記式(夏)の化合物が反応せしめられる。
レートに前記式(夏)の化合物が反応せしめられる。
前記エルレートと式(!I)の化合物とのアルキル化反
応は一般に約−100℃ないしほぼ室温、好ましくは約
−80℃〜0℃の温度において実施することができる。
応は一般に約−100℃ないしほぼ室温、好ましくは約
−80℃〜0℃の温度において実施することができる。
また、式(1)の化合物の使用量は臨界的ではなく適宜
変更することができるが、通常、前記エノール化反応に
用いた式(If)の化合物1モル当り約05〜約5モル
、好ましくは0.5〜2モルの割合で用いるのが適当で
ある。
変更することができるが、通常、前記エノール化反応に
用いた式(If)の化合物1モル当り約05〜約5モル
、好ましくは0.5〜2モルの割合で用いるのが適当で
ある。
前述のエノール化反応及び上記アルキル化反応は、必須
ではないが、不活性雰囲気下、例えば窒素ガス、アルゴ
ンガス雰囲気下に実施するのが望ましい。
ではないが、不活性雰囲気下、例えば窒素ガス、アルゴ
ンガス雰囲気下に実施するのが望ましい。
かかる条件下に上記アルキル化反応は一般に約0.5〜
約5時間、よシ一般的には0.5〜2時間程度で終了す
る。
約5時間、よシ一般的には0.5〜2時間程度で終了す
る。
最後に反応生成物は水で処理される。例えば、反応終了
後、pH7附近の燐師緩菅液を加え攪拌し、有機溶奴で
抽出して、ジアステレオ異性体混合物を得ることができ
る。
後、pH7附近の燐師緩菅液を加え攪拌し、有機溶奴で
抽出して、ジアステレオ異性体混合物を得ることができ
る。
かくして生成する異性体混合!吻から光学活性なジアス
テレオ異性体への分割は、シリカゲル等を用いる通常の
カラムクロマトグラフィー;薄層クロマトグラフィー等
によって、効率よ〈実施することができる。本発明の方
法により得られる各異性体は黄色物質であり、クロマト
グラム上で極めて容易に識別することができる。担体量
は、例えばシリカゲルであれば、ジアステレオ混合物1
(7に対し、通常20〜1009程度で十分である。
テレオ異性体への分割は、シリカゲル等を用いる通常の
カラムクロマトグラフィー;薄層クロマトグラフィー等
によって、効率よ〈実施することができる。本発明の方
法により得られる各異性体は黄色物質であり、クロマト
グラム上で極めて容易に識別することができる。担体量
は、例えばシリカゲルであれば、ジアステレオ混合物1
(7に対し、通常20〜1009程度で十分である。
かくして得られる式(りの化合物の光学活性なジアステ
レオ異性体の代表例を第1表に示す。
レオ異性体の代表例を第1表に示す。
第1表
式(I)の化合物の光学活性なノアステレオ異性体、例
えば、弐(I−a)の化合物から弐〇X’lの遊離のカ
ルボン酸への加水分解反応は、式(I−α)の化合物°
をメタノール、エタノール、テトラヒドロカリウム等の
稀アルカリ水溶液と、0〜50°C程度の反応温度で1
0分〜6時間程度処理することによって行われる。式む
)の化合物から弐Mの化合物への増炭反応は、マグネシ
ウムモノエステルマロネートを用いるそれ自体公知方法
の方法[JAC5102,6161(1980)〕によ
って行うことができる。また、式(I−a)の化合物か
ら弐Mの化合物への直接増炭反応は、例えば、酢酸エス
テルを反応試剤として、エステル1モルに対し、1〜2
モルのメチルリチウム、ブチルリチウム、5ec−ブチ
ルリチウム、フェニルリチウム、リチウムジイソプロピ
ルアミド、リチウムへキサメチレンジシラザン等の塩基
、好ましくは、リチウムジイソプロピルアミドの存在下
に、酢酸エステル1モルと0.85〜1.1モルの式(
I−(L)の化合物を反応させることによって行われる
。本反応は通常、ヅエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ソメトキンエタン、ツメチルホルムアミド等の溶媒
中で行われる。反応温度は一100°C〜室温程度、好
ましくは一80°C〜0°Cで、反応時間は1〜20分
程度である。
えば、弐(I−a)の化合物から弐〇X’lの遊離のカ
ルボン酸への加水分解反応は、式(I−α)の化合物°
をメタノール、エタノール、テトラヒドロカリウム等の
稀アルカリ水溶液と、0〜50°C程度の反応温度で1
0分〜6時間程度処理することによって行われる。式む
)の化合物から弐Mの化合物への増炭反応は、マグネシ
ウムモノエステルマロネートを用いるそれ自体公知方法
の方法[JAC5102,6161(1980)〕によ
って行うことができる。また、式(I−a)の化合物か
ら弐Mの化合物への直接増炭反応は、例えば、酢酸エス
テルを反応試剤として、エステル1モルに対し、1〜2
モルのメチルリチウム、ブチルリチウム、5ec−ブチ
ルリチウム、フェニルリチウム、リチウムジイソプロピ
ルアミド、リチウムへキサメチレンジシラザン等の塩基
、好ましくは、リチウムジイソプロピルアミドの存在下
に、酢酸エステル1モルと0.85〜1.1モルの式(
I−(L)の化合物を反応させることによって行われる
。本反応は通常、ヅエチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、ソメトキンエタン、ツメチルホルムアミド等の溶媒
中で行われる。反応温度は一100°C〜室温程度、好
ましくは一80°C〜0°Cで、反応時間は1〜20分
程度である。
酢酸エステルに於けるエステル残基としては、メチル、
エチル、n−プロピル、イソプロピル、5ec−ブチル
、tert−ブチル等の低級アルキル基:ヘンジル、p
−ニトロベンツル、O−ニトロベンツル等の情、換又は
未置換のアラルキル基等の通常のカルボキシ保詭基を挙
けることができる。
エチル、n−プロピル、イソプロピル、5ec−ブチル
、tert−ブチル等の低級アルキル基:ヘンジル、p
−ニトロベンツル、O−ニトロベンツル等の情、換又は
未置換のアラルキル基等の通常のカルボキシ保詭基を挙
けることができる。
以下に実施例及び参考例により本発明をさらに詳述する
。
。
実施例1
35−(1R−1eτt−ブチルツメチルシロキシエチ
ル)−4R−〔(4S−エチル−1,3−チアゾリノン
−2−チオン−3−イル)カルボニルメチル〕アゼチジ
ン−2−オン (ラセミ体) (光学活性体) −50〜−40℃に冷却したスズ知トリフレートN、8
9f、4.54 mmole)の無水テトラヒドロフラ
ン(8ml )溶液に1.アルゴン雰囲気下、N−エチ
ルビペリソ7(0,74m1.5.45 mmo l
e )及び6−アセチル−45−エチル−1,3−チア
ゾリノン−2−チオ7 (454π’;! + 2.4
mmole)の無水テトラヒドロフラン(6mt )
fa液を加え、同温度で4時間攪拌した。これに、3
−(1−1crt−ブチルツメチルシロキシエチル)−
4−アセトキシアゼチジン−2−オンC(1’、3)ト
レオー(3,4))ランスのラセミ体’:l (690
■+ 2.4 mmo le )の無水テトラヒドロフ
ラン(6ml )溶液を加え、0℃で5Q分間攪拌した
。反応混合物にp H7,0の0.1M燐酸緩衝液(3
me)及びソエテルエ〜チル(50mlを加え、セライ
トを用いて、不溶物を戸別し、P液を無水1jA酸ナト
リウムで乾式した後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホル
ム/酢酸エチル=20/1)に付し、第2溶離物として
黄色固体の標題化合物(42ONp 、 42に)を得
た。
ル)−4R−〔(4S−エチル−1,3−チアゾリノン
−2−チオン−3−イル)カルボニルメチル〕アゼチジ
ン−2−オン (ラセミ体) (光学活性体) −50〜−40℃に冷却したスズ知トリフレートN、8
9f、4.54 mmole)の無水テトラヒドロフラ
ン(8ml )溶液に1.アルゴン雰囲気下、N−エチ
ルビペリソ7(0,74m1.5.45 mmo l
e )及び6−アセチル−45−エチル−1,3−チア
ゾリノン−2−チオ7 (454π’;! + 2.4
mmole)の無水テトラヒドロフラン(6mt )
fa液を加え、同温度で4時間攪拌した。これに、3
−(1−1crt−ブチルツメチルシロキシエチル)−
4−アセトキシアゼチジン−2−オンC(1’、3)ト
レオー(3,4))ランスのラセミ体’:l (690
■+ 2.4 mmo le )の無水テトラヒドロフ
ラン(6ml )溶液を加え、0℃で5Q分間攪拌した
。反応混合物にp H7,0の0.1M燐酸緩衝液(3
me)及びソエテルエ〜チル(50mlを加え、セライ
トを用いて、不溶物を戸別し、P液を無水1jA酸ナト
リウムで乾式した後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホル
ム/酢酸エチル=20/1)に付し、第2溶離物として
黄色固体の標題化合物(42ONp 、 42に)を得
た。
JR(neat) : 1750 + 1695cm−
’’H−NkfR(δppm、 CDC1,) : 0
.08 (6H。
’’H−NkfR(δppm、 CDC1,) : 0
.08 (6H。
8)、0.87(977、a)、1.02(3H。
t 、 J=F3Hz )、1.25(5H,d、J=
6Hz)、1.71〜2.06 (2H、m>、2.8
1〜3.32 (3H,m)、5.46〜168(2H
,m)、3.92〜4.35 (2H、m)、5.02
〜5.25 (1H、7FL)、6゜05(IJ7゜b
rs )。
6Hz)、1.71〜2.06 (2H、m>、2.8
1〜3.32 (3H,m)、5.46〜168(2H
,m)、3.92〜4.35 (2H、m)、5.02
〜5.25 (1H、7FL)、6゜05(IJ7゜b
rs )。
Rf:0.38(クロロホルム/酢酸エチル=47又、
第1及び第3溶離物として以下の化合物を得だ。
第1及び第3溶離物として以下の化合物を得だ。
3R−(1S −tert−ブチルツメチルシロキシエ
チル)−45−[(45−エチル−1,3−チアゾリノ
ン−2−チオン−6−イル)カルボニルメチル〕アゼチ
ソン−2−オン IR(neat) : 1750 、1695cm−’
IH−NMR(δ’pptn、 CDC1,) : 0
.06 (6M 。
チル)−45−[(45−エチル−1,3−チアゾリノ
ン−2−チオン−6−イル)カルボニルメチル〕アゼチ
ソン−2−オン IR(neat) : 1750 、1695cm−’
IH−NMR(δ’pptn、 CDC1,) : 0
.06 (6M 。
8)、0.87(17,8)、1.02f3H。
t、J=F3Hz)、1.21(3H,d、J=6H2
)、1.66〜220(2H,′rIL)、2.80〜
126(3H,毒)、3.46〜3.77(2H、m)
、186〜4.07 (IH,m)、4.15〜4.3
3(IH,雷)、5.02〜5.26(I H、m)、
6.25 (IH,brs)。
)、1.66〜220(2H,′rIL)、2.80〜
126(3H,毒)、3.46〜3.77(2H、m)
、186〜4.07 (IH,m)、4.15〜4.3
3(IH,雷)、5.02〜5.26(I H、m)、
6.25 (IH,brs)。
Rf:0.50(クロロホルム/酢酸エチル=4/3R
−(15−tert−ブチルヅメチルシロキシエチル>
−4R<<45−エチル−1,3−チアゾリジン−2−
チオン−3−イル)カルボニルメチル〕アゼチジン−2
−オン IR(nttat) : f 755 、1685cm
−”111−NMR(δppm、CDCl、 ) :
0.09 (6H。
−(15−tert−ブチルヅメチルシロキシエチル>
−4R<<45−エチル−1,3−チアゾリジン−2−
チオン−3−イル)カルボニルメチル〕アゼチジン−2
−オン IR(nttat) : f 755 、1685cm
−”111−NMR(δppm、CDCl、 ) :
0.09 (6H。
8)、0.86 <9H,8)、1.02 (377゜
t 、J=8Hz)、1.32 (3H,d、J=6/
72)、 1.7 D 〜2.02 (2H、fi
)、146〜4.42 (4H,m+、5.05〜5
.25(1H,m+、6.06 (1H,hrsl、R
f:0.30(クロロホルム/酢酸エチル−4/1)実
施例2 5S−(1R−tart−プ’y−ルソメfルシOキ’
/エチルl−4/?−(:IR−45−インプロピル−
1,3−チアゾリノン−2−チオン−3−イルl(ラセ
ミ体) (光学活性体) 5−アセチル−4S−エチル−1,6−チアゾリン−2
−チオンのかわりに、3−プロビオニル−45−イソプ
ロピル−1,5−チアゾリジン−2−チオンを用いる以
外は実施例1と同様に反応を行い、カラムクロマトグラ
フィーにより主溶離物として黄色結晶の標題化合物(収
率52.6%)を得た。
t 、J=8Hz)、1.32 (3H,d、J=6/
72)、 1.7 D 〜2.02 (2H、fi
)、146〜4.42 (4H,m+、5.05〜5
.25(1H,m+、6.06 (1H,hrsl、R
f:0.30(クロロホルム/酢酸エチル−4/1)実
施例2 5S−(1R−tart−プ’y−ルソメfルシOキ’
/エチルl−4/?−(:IR−45−インプロピル−
1,3−チアゾリノン−2−チオン−3−イルl(ラセ
ミ体) (光学活性体) 5−アセチル−4S−エチル−1,6−チアゾリン−2
−チオンのかわりに、3−プロビオニル−45−イソプ
ロピル−1,5−チアゾリジン−2−チオンを用いる以
外は実施例1と同様に反応を行い、カラムクロマトグラ
フィーにより主溶離物として黄色結晶の標題化合物(収
率52.6%)を得た。
融点:126〜127°C
IR(C,’H(−’ls):1760 、1695c
rn −’1B−#&R(δppm、 t’DCL、)
’、 0.08 (6H,ji、D、87(9H,、t
l、0.96(5E、d、J==7Hzl、1.04
(3H、d 、 J=7Hz)、1.19 (3H、d
、 J =7Hz )、1.23(3# 、d +’
J=7Hz l、2.14〜2.42(1B1m)、
2.94〜3.12 (2H,ml、5.47(1B、
dd、J=11Hz、8Hz)、3.87〜4.3 O
f 2H、m )、4.95〜5.24(2H,m)、
6.17 (iH,brtl、実施例6 55−(15−ttrt−ブチルツメチルシロキシエチ
ル) −4N−〔(as−エチル−1,3−チアゾリノ
ン−2−チオン−3−イル1カルがニルメチル〕アゼチ
ジンー2−オン 05t−′+ −50〜−40℃に冷却したスxllTl トリフレー
ト(2,09り、5mmole)ノ無水テトラヒドロフ
ラン(8rrt l溶液ニ、アルゴン雰囲気下、N−x
q−ルビペリソ7 (0,85mi、、6mmolel
及び3−アセチル−4S−エチル−1,3−チアゾリノ
ン−2−チオン(sloyw、2.7 mrnoLt
lの無水テトラヒドロフラン(6mt l溶液を加え、
同温度で35時間撹拌した。これに、5−(1−iar
t −ブチルツメチルシロキシ)エチル−4−アセトキ
シアゼチジン−2−オン((1’、5)エリスロー(3
,41hランスのラセミ体)(775〜、2.7 mm
oLt )の無水テトラヒドロフラン(6#I/l溶液
を加え、0℃で50分間攪拌した。
rn −’1B−#&R(δppm、 t’DCL、)
’、 0.08 (6H,ji、D、87(9H,、t
l、0.96(5E、d、J==7Hzl、1.04
(3H、d 、 J=7Hz)、1.19 (3H、d
、 J =7Hz )、1.23(3# 、d +’
J=7Hz l、2.14〜2.42(1B1m)、
2.94〜3.12 (2H,ml、5.47(1B、
dd、J=11Hz、8Hz)、3.87〜4.3 O
f 2H、m )、4.95〜5.24(2H,m)、
6.17 (iH,brtl、実施例6 55−(15−ttrt−ブチルツメチルシロキシエチ
ル) −4N−〔(as−エチル−1,3−チアゾリノ
ン−2−チオン−3−イル1カルがニルメチル〕アゼチ
ジンー2−オン 05t−′+ −50〜−40℃に冷却したスxllTl トリフレー
ト(2,09り、5mmole)ノ無水テトラヒドロフ
ラン(8rrt l溶液ニ、アルゴン雰囲気下、N−x
q−ルビペリソ7 (0,85mi、、6mmolel
及び3−アセチル−4S−エチル−1,3−チアゾリノ
ン−2−チオン(sloyw、2.7 mrnoLt
lの無水テトラヒドロフラン(6mt l溶液を加え、
同温度で35時間撹拌した。これに、5−(1−iar
t −ブチルツメチルシロキシ)エチル−4−アセトキ
シアゼチジン−2−オン((1’、5)エリスロー(3
,41hランスのラセミ体)(775〜、2.7 mm
oLt )の無水テトラヒドロフラン(6#I/l溶液
を加え、0℃で50分間攪拌した。
反応混合物にp H7,0の0.1M燐酸緩衝液(5d
)及びソエチルエーテル(50dlを加え、セライトを
用いて不溶物を戸別し、炉液を無水硫酸ナトリウムで乾
燥したのち、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム/酢酸
エチル=15/1117Rtし、第2溶離物として、黄
色油状の標題化合物(510〜、454%)を得た。
)及びソエチルエーテル(50dlを加え、セライトを
用いて不溶物を戸別し、炉液を無水硫酸ナトリウムで乾
燥したのち、溶媒を減圧留去した。残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム/酢酸
エチル=15/1117Rtし、第2溶離物として、黄
色油状の標題化合物(510〜、454%)を得た。
I ノイ IneCLtl : 1 750 、
1 680 c!n −’IH−NMR(δppm
、 L’DC’7sl : 0.08 (6,H。
1 680 c!n −’IH−NMR(δppm
、 L’DC’7sl : 0.08 (6,H。
S)、0.819H,ff+、1.03(3H。
t、J−8fizl、1.52(511,cl、J=6
BZ)、1.66〜2.09 (2H,m l、2.8
6〜3.73 (5H、fi +、3.82〜4.37
(2B、m)、5.01〜5.27 (1H,ml、6
.12(1B、bτS)、 Rf:0.55(クロロホルム/酢酸エチル=4711
また、第1及び第5溶離物として以下の化合物を得た。
BZ)、1.66〜2.09 (2H,m l、2.8
6〜3.73 (5H、fi +、3.82〜4.37
(2B、m)、5.01〜5.27 (1H,ml、6
.12(1B、bτS)、 Rf:0.55(クロロホルム/酢酸エチル=4711
また、第1及び第5溶離物として以下の化合物を得た。
3R−(1R−ttrt−ブチルジメチルシロキシエチ
ル)−4S4 fas−エチル−1,3−チアソリノン
−2−チオン−6−イル)カルボニルメチル〕アゼチソ
ン−2−オン、 IRIrtatl :1755,1690cy−’I
N−NMR(δppm、(、’DC’l、l : 0.
07 (6H。
ル)−4S4 fas−エチル−1,3−チアソリノン
−2−チオン−6−イル)カルボニルメチル〕アゼチソ
ン−2−オン、 IRIrtatl :1755,1690cy−’I
N−NMR(δppm、(、’DC’l、l : 0.
07 (6H。
!)、0.88(91ff+、1.02(3H。
t、J=8H2l、1.31 (311、d 、 J=
6H1l、1.63〜2.09 (2H、m l、2.
86〜1.06 < 511 、 m 1.3.45〜
3.72(2H,ml、3.76〜4.35 F 2#
、 m +、5.02〜5.33 (IH,l、6.
os(1H。
6H1l、1.63〜2.09 (2H、m l、2.
86〜1.06 < 511 、 m 1.3.45〜
3.72(2H,ml、3.76〜4.35 F 2#
、 m +、5.02〜5.33 (IH,l、6.
os(1H。
bγり)。
Rf:o、6o<クロロホルム/酢酸エチル=4/11
5R−(I R−ttrt−1fhソメチルシロキ’/
エチル+ −4R−C(4S〜エチル−1,5−チアゾ
リジン−2−オン−6−イル)カルがニルメチル〕アゼ
チソンー2−オン、 JR(neatl :175D、1690+Ml−’1
# −、NMR(δpPm、(−’I)(−#、l :
0.1(6R、s l、o、5811/、y+、1.
03(1/、t、J=BBz )、1.58 (5H、
d 、 / =6Hzl、1.69〜2.08 (2H
、m l、2.86〜3.04(2H,mr、122〜
’h6B (5H,ml、6.92〜4.sll、+、
5.00〜3.31(1H,ml、5.96(1,hf
l?l。
5R−(I R−ttrt−1fhソメチルシロキ’/
エチル+ −4R−C(4S〜エチル−1,5−チアゾ
リジン−2−オン−6−イル)カルがニルメチル〕アゼ
チソンー2−オン、 JR(neatl :175D、1690+Ml−’1
# −、NMR(δpPm、(−’I)(−#、l :
0.1(6R、s l、o、5811/、y+、1.
03(1/、t、J=BBz )、1.58 (5H、
d 、 / =6Hzl、1.69〜2.08 (2H
、m l、2.86〜3.04(2H,mr、122〜
’h6B (5H,ml、6.92〜4.sll、+、
5.00〜3.31(1H,ml、5.96(1,hf
l?l。
Rf:0.40(クロロホルム/酢酸エチル=4/参考
例1 5S−(1R−teri−ブチルツメチルシロキシエチ
ル)−48−カルボキシメチルアゼチノン−35−(I
R−tart−ブチルツメチルシロキシエチル)−aR
−C(4s−エチル−1,5−チアゾリジン−2−オン
−3−イル)カルボニルメチル〕アゼチンー2−オン(
実施例1の主生成物: 60m1t、 0.144
mmolt lをメタノール(3me I及び水(5m
l+の混液に溶解しこれに1N−苛性ソーダ水溶液(0
,6耐)を711]え、室温で20分間攪拌した。メタ
ノールを減圧貿去した後、水(2ON+を力1え、クロ
ロホルム(10m/!lで洗浄した。水層をI N −
HCl水溶液で酸性とし、酢酸エチル(20dlで6回
抽出した。抽出液を飽和食塩水(2o#l/+で洗浄し
、無水硫酸す) IJウムで乾燥した後、溶媒を減圧貿
去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(
溶離W1.:クロロホルム/メタノール−20/11で
精製シ、微黄色固体の標題化合物(29〜、70%)を
得た。
例1 5S−(1R−teri−ブチルツメチルシロキシエチ
ル)−48−カルボキシメチルアゼチノン−35−(I
R−tart−ブチルツメチルシロキシエチル)−aR
−C(4s−エチル−1,5−チアゾリジン−2−オン
−3−イル)カルボニルメチル〕アゼチンー2−オン(
実施例1の主生成物: 60m1t、 0.144
mmolt lをメタノール(3me I及び水(5m
l+の混液に溶解しこれに1N−苛性ソーダ水溶液(0
,6耐)を711]え、室温で20分間攪拌した。メタ
ノールを減圧貿去した後、水(2ON+を力1え、クロ
ロホルム(10m/!lで洗浄した。水層をI N −
HCl水溶液で酸性とし、酢酸エチル(20dlで6回
抽出した。抽出液を飽和食塩水(2o#l/+で洗浄し
、無水硫酸す) IJウムで乾燥した後、溶媒を減圧貿
去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(
溶離W1.:クロロホルム/メタノール−20/11で
精製シ、微黄色固体の標題化合物(29〜、70%)を
得た。
JR(KBτl:1720σ−1
1H−NAfR(δppm、C,°DcL、) : 0
.07 (6H。
.07 (6H。
り、0.87(9H,、rl、1.22(3H。
d、J=6Hzl、2.51〜2.90 (3H。
m)、3.82〜4.07 (I H、m l、4.0
8〜4.56(1H,ml、7.11 (1H、hrt
)〔α)”:+11.7° (0,65,’−’HC“
Z、IR 参考例2 5R−(I S −tart−ブチルジメチルシロキシ
エチル)−45−カルポキンメチルアゼチゾンー2−オ
ン 5R−(I 5−tart−ブチルツメチルシロキシエ
チル)−4,5−((4S−エチル−1,3−チアゾリ
ン−2−チオン−6−イル)カルボニルメチル〕アゼチ
ジン−2−オン(実施例1で4F)れた化合物)から、
参考例1と同様にして、標題化合物を微黄白色固体(6
6%)として得た。
8〜4.56(1H,ml、7.11 (1H、hrt
)〔α)”:+11.7° (0,65,’−’HC“
Z、IR 参考例2 5R−(I S −tart−ブチルジメチルシロキシ
エチル)−45−カルポキンメチルアゼチゾンー2−オ
ン 5R−(I 5−tart−ブチルツメチルシロキシエ
チル)−4,5−((4S−エチル−1,3−チアゾリ
ン−2−チオン−6−イル)カルボニルメチル〕アゼチ
ジン−2−オン(実施例1で4F)れた化合物)から、
参考例1と同様にして、標題化合物を微黄白色固体(6
6%)として得た。
JR及び1H−N)dRは参考例1の生成物と一致し乞
〔αげニー12.0°I C1,27、c−“HC’l
、)参考例3 55−jlS−ttrt−ブチルツメチルシロ守シ)エ
チル−aR−カルボキシメチルアゼチソン−25S −
(1S−ttrt−プfルジメチルシ口キシエチルr
−4R−((aS−エチル−1,3−チアゾリノン−2
−チオン−3−イル)カルボニルメチル〕了ゼチソン−
2−オン(実施例乙の主生成物)から、参考例1とlT
l1,1様にして、標題化合物(収率69.7%)を微
黄白色固体として得た。
、)参考例3 55−jlS−ttrt−ブチルツメチルシロ守シ)エ
チル−aR−カルボキシメチルアゼチソン−25S −
(1S−ttrt−プfルジメチルシ口キシエチルr
−4R−((aS−エチル−1,3−チアゾリノン−2
−チオン−3−イル)カルボニルメチル〕了ゼチソン−
2−オン(実施例乙の主生成物)から、参考例1とlT
l1,1様にして、標題化合物(収率69.7%)を微
黄白色固体として得た。
融廣: 137.9〜1680°C
JR(人BY l : 1710cz−’’/7−1’
JMR(δpPm、0’I)CLsl ’、 0.07
(6H、yl、0.89fl/、、rl、1.30(
3H,d、J=6H2+、2.50〜2.7612H、
m )、2.88〜3.00 (L#、ml、3.73
〜3.96(1H,ml、4.02〜4.35 (1#
、ml、6.95 (1H、brs)。
JMR(δpPm、0’I)CLsl ’、 0.07
(6H、yl、0.89fl/、、rl、1.30(
3H,d、J=6H2+、2.50〜2.7612H、
m )、2.88〜3.00 (L#、ml、3.73
〜3.96(1H,ml、4.02〜4.35 (1#
、ml、6.95 (1H、brs)。
〔α)25:+42.5° (0°1,01 、 (−
170’ t、1尚、X紳結晶解析によって、本生成物
が標題の立体配置を有することが確認された。
170’ t、1尚、X紳結晶解析によって、本生成物
が標題の立体配置を有することが確認された。
参渚例4
5S−(15−tgrt−ブチルツメチルシロキシエチ
ル)−4R−(3−P−ニトロベンツルオキシカルボニ
ル−2−オキソプロピル)アゼチジン−2−オン モノノセラニトロペンソルマe’ネ−)(2391tr
y 、 1 mmole lとマグネシウムエトキシド
(57,2trh、′、 0.5mmo1.g )を無
水テトラヒドロフラン(2tnt ) VC溶解しアル
ゴン雰囲気下室温で1時間攪拌した。溶媒を減圧留去し
、残置を無水テトラヒドロフラン(2dlK溶解し、こ
れをあらかじめアルゴン気流下、室温で6時間攪拌して
おいた55− (I S−tgrt−ブチルジメチルシ
ロキシエチル)−4R−カルがキシメチルアゼチジン−
2−オン、(1151W 、 0.4 mmoLt l
及びカルボニルジイミダゾール[71,3■、0.44
mmOZglの無水テトラヒドロフラン(3Id!l溶
液中に那え、室温で19時間攪拌した。溶媒を減圧留去
し、残渣にエーテル(30y+を加え0,1N−Hct
(1Drrzlで洗浄した。水層をエーテルf 10m
lで抽出し、合したエーテル層を飽和食塩水で洗浄し、
乾燥(Ha、5o41 した後、溶媒を減圧留去した。
ル)−4R−(3−P−ニトロベンツルオキシカルボニ
ル−2−オキソプロピル)アゼチジン−2−オン モノノセラニトロペンソルマe’ネ−)(2391tr
y 、 1 mmole lとマグネシウムエトキシド
(57,2trh、′、 0.5mmo1.g )を無
水テトラヒドロフラン(2tnt ) VC溶解しアル
ゴン雰囲気下室温で1時間攪拌した。溶媒を減圧留去し
、残置を無水テトラヒドロフラン(2dlK溶解し、こ
れをあらかじめアルゴン気流下、室温で6時間攪拌して
おいた55− (I S−tgrt−ブチルジメチルシ
ロキシエチル)−4R−カルがキシメチルアゼチジン−
2−オン、(1151W 、 0.4 mmoLt l
及びカルボニルジイミダゾール[71,3■、0.44
mmOZglの無水テトラヒドロフラン(3Id!l溶
液中に那え、室温で19時間攪拌した。溶媒を減圧留去
し、残渣にエーテル(30y+を加え0,1N−Hct
(1Drrzlで洗浄した。水層をエーテルf 10m
lで抽出し、合したエーテル層を飽和食塩水で洗浄し、
乾燥(Ha、5o41 した後、溶媒を減圧留去した。
残渣をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル102、
溶離液:クロロホルム/酢酸エチル=4/11に付し、
微黄色油状の標題化合物(140〜)を得た(収率75
.6%)。
溶離液:クロロホルム/酢酸エチル=4/11に付し、
微黄色油状の標題化合物(140〜)を得た(収率75
.6%)。
〔α)l”d:+52.7° ((、’ o、 97
、 cHct、IJR(naatl :1750,17
20.15251350α−1 ’H−1O11((δppm、CI)t’l、) :
0.07 (6B 。
、 cHct、IJR(naatl :1750,17
20.15251350α−1 ’H−1O11((δppm、CI)t’l、) :
0.07 (6B 。
J−1,0,87(9M、、r l、1.28(3H。
d、J=6Hzl、2.BD−2,96(511゜m)
、156(2H,sl、3.73−3.99(IH,y
xl、4.02−4.54 (IH,trLt、5.2
6(2H,I+、5.96(1H、brtl、7.52
(2H、d 、 J =9Hz l、824(211
、d 、J=9Hz l。
、156(2H,sl、3.73−3.99(IH,y
xl、4.02−4.54 (IH,trLt、5.2
6(2H,I+、5.96(1H、brtl、7.52
(2H、d 、 J =9Hz l、824(211
、d 、J=9Hz l。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、Lは低級アルカノイルオキシ基、低級アルキル
スルホニル基又はアリールスルホニル基を表わし;R^
3は水素原子又は水酸基の保護基を表わす〕 で表わされる化合物のラセミ体を、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、R^1は水素原子、アルキル基又はアラルキル
基を表わし; R^2は低級アルキル基、アリール基又はアラルキル基
を表わす〕 で表わされる光学活性な化合物を塩基の存在下にスズ(
II)トリフレートで処理して得られるエノール体と反応
させて一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R^1、R^2及びR^3は前記の意味を有す
る〕 で表わされるアゼチジン−2−オン誘導体のジアステレ
オ異性体混合物を生成せしめ、次いで、これを分割する
ことを特徴とする上記一般式( I )のアゼチジン−2
−オン誘導体の光学活性なジアステレオ異性体の製造方
法。 2、一般式(II)の化合物のラセミ体として、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式
、表等があります▼(II) 〔式中、Lは低級アルカノイルオキシ基、低級アルキル
スルホニル基又はアリールスルホニル基を表わし;R^
3は水素原子又は保護基を表わす〕 で表わされる(1′,3)位がスレオ配置のラセ体を用
いる特許請求の範囲第1項記載の方法。 3、一般式(II)の化合物のラセミ体として、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式
、表等があります▼(II″) 〔式中、Lは低級アルカノイルオキシ基、低級アルキル
スルホニル基又はアリールスルホニル基を表わし;R^
3は水素原子又は水酸基の保護基を表わす〕 で表わされる(1′,3)位がエリスロ配置のラセミ体
を用いる特許請求の範囲第1項記載の方法。 4、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R^1は水素原子、アルキル基又はアラルキル
基を表わし; R^2は低級アルキル基、アリール基又はアラルキル基
を表わし; R^3は水素原子又は水酸基の保護基を表わす〕で表わ
されるアゼチジン−2−オン誘導体及びその光学活性な
ジアステレオ異性体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60216127A JPS6277384A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | アゼチジン−2−オン誘導体及びその製造方法 |
CA000517002A CA1282415C (en) | 1985-08-31 | 1986-08-28 | Azetidin-2-on derivatives and process for production thereof |
EP86111895A EP0213610A1 (en) | 1985-08-31 | 1986-08-28 | Azetidin-2-one derivatives and process for production thereof |
AU62146/86A AU596606B2 (en) | 1985-08-31 | 1986-09-01 | Azetidin-2-one derivatives and process for production thereof |
US07/137,089 US4918184A (en) | 1985-08-31 | 1987-12-23 | Azetidin-2-one derivatives, and process for production thereof using tin enolates |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60216127A JPS6277384A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | アゼチジン−2−オン誘導体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6277384A true JPS6277384A (ja) | 1987-04-09 |
Family
ID=16683680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60216127A Pending JPS6277384A (ja) | 1985-08-31 | 1985-10-01 | アゼチジン−2−オン誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6277384A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63284176A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Nippon Redarii Kk | (1r,5r,6s)−6−〔(1r)−1−ヒドロキシエチル〕−1−メチルカルバペネム−3−カルボン酸誘導体の高立体選択的製造方法 |
EP0597423A3 (en) * | 1992-11-13 | 1995-04-12 | Tanabe Seiyaku Co | Azetidinone compound and process for its preparation. |
-
1985
- 1985-10-01 JP JP60216127A patent/JPS6277384A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63284176A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-21 | Nippon Redarii Kk | (1r,5r,6s)−6−〔(1r)−1−ヒドロキシエチル〕−1−メチルカルバペネム−3−カルボン酸誘導体の高立体選択的製造方法 |
EP0597423A3 (en) * | 1992-11-13 | 1995-04-12 | Tanabe Seiyaku Co | Azetidinone compound and process for its preparation. |
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