JPS6276591A - Multilayer ceramic circuit substrate - Google Patents

Multilayer ceramic circuit substrate

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JPS6276591A
JPS6276591A JP21535585A JP21535585A JPS6276591A JP S6276591 A JPS6276591 A JP S6276591A JP 21535585 A JP21535585 A JP 21535585A JP 21535585 A JP21535585 A JP 21535585A JP S6276591 A JPS6276591 A JP S6276591A
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JP
Japan
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carbide
multilayer ceramic
substrate
wiring board
aluminum nitride
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嶋田 勇三
秀男 高見沢
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、高熱伝導多層セラミック配線基板に関するも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board.

(従来技術とその問題点) 半導体技術の飛躍的な進展によりて、IC。(Prior art and its problems) With the rapid progress of semiconductor technology, IC.

L8Iが産業用、民需用に幅広く使用されるよりになっ
てきている。
L8I is becoming widely used for industrial and civilian purposes.

特に集積密度の高い、高速作動のLSIの実装用基板と
して多層セラミック基板が注目されている。この多層セ
ラミック基板は直接LS1.を実装することができ微細
多層配線が可能である〇一般にセラミック基板の材料と
しては、主にアルミナが使用されているが、近年電気装
置は一段と小型化され、回路の高密度化が強く要求され
、基板の単位面積当シの素子や回路要素の集積度が高く
なっている〇一方LSIにおいては、高速作動を行なう
に従いチップから発生する熱が多量になってくる傾向に
ある。この結果、基板の発熱が大幅に増加し、アルミナ
基板では、熱の放散性が十分ではないという問題が生じ
ている。そのため、アルミナ基板よシも熱伝導率が大き
く、熱の放散性に優れた絶縁基板が必要になってきた。
In particular, multilayer ceramic substrates are attracting attention as mounting substrates for high-speed operation LSIs with high integration density. This multilayer ceramic substrate is directly connected to LS1. 〇Generally, alumina is mainly used as the material for ceramic substrates, but in recent years electrical devices have become smaller and there is a strong demand for higher circuit densities. , the degree of integration of elements and circuit elements per unit area of the substrate is increasing.On the other hand, in LSIs, as they operate at high speeds, the chips tend to generate more heat. As a result, the heat generated by the substrate increases significantly, and the problem arises that the alumina substrate does not have sufficient heat dissipation properties. Therefore, there is a need for insulating substrates that have high thermal conductivity and excellent heat dissipation properties, as well as alumina substrates.

そこで熱放散性に対して優れた材料として炭化ケイ素を
主成分としたセラミック基板が開発された〔特開昭57
−180006号公報〕。炭化ケイ素はそれ自体電気的
に半導体に属し、比抵抗が1〜10Ω・譚程度で電気絶
縁性がないため、絶縁基板としては用いることができな
い0また炭化ケイ素は融点が高く非常に焼結しにくいの
で、通常焼結に際しては少量の焼結助剤を添加し、高温
で加圧するいわゆるホットプレス法によ9作られる。
Therefore, a ceramic substrate containing silicon carbide as a main component was developed as a material with excellent heat dissipation properties [JP-A-57
-180006 Publication]. Silicon carbide itself electrically belongs to a semiconductor, and has a resistivity of about 1 to 10 Ω・tan and is not electrically insulating, so it cannot be used as an insulating substrate.In addition, silicon carbide has a high melting point and is extremely difficult to sinter. Because it is difficult to sinter, a small amount of sintering aid is usually added during sintering, and the so-called hot press method is used, which involves applying pressure at high temperatures.

この焼結助剤として酸化ベリリウムや窒化ホウ素を用い
ると、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に対しても
有効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比抵抗が10 0
・譚以上となる。しかし%LSI等の実装基板において
1喪な要因の1つである誘電率はl■hで40とかなシ
高く、添加剤を加えた絶域性も電圧が5v程度になると
粒子間の絶縁が急激に低下するため耐電圧に対しても問
題があるO 又、BeO粉末を用いて多層セラミック基板を作成する
ことは可能であるが有毒性である為実用上困難な面がで
てぐる。
When beryllium oxide or boron nitride is used as this sintering aid, it is effective not only for the sintering aid but also for electrical insulation, and the specific resistance of the sintered substrate mainly composed of silicon carbide is 100.
・It becomes more than Tan. However, the dielectric constant, which is one of the most important factors in mounting boards such as %LSI, is as high as 40 at 1 h, and even with the addition of additives, the insulation between particles deteriorates when the voltage reaches about 5 V. There is also a problem with the withstand voltage due to the rapid drop in O.Also, although it is possible to create a multilayer ceramic substrate using BeO powder, it is difficult to put into practical use due to its toxicity.

一方プロセス的観点からしてホットプレス法を適用しな
ければならず、装置が大がかカになるばかりでなく、基
板の形状も大面積化は困難であり、表面平滑性に対して
も問題が多い。さらに炭化ケイ素系を用いたセラミック
基板においては、従来のグリーンシート法を用いたアル
ミナ多層セラミック基板技術を利用することはプロセス
的に極めて困難である。
On the other hand, from a process perspective, a hot press method must be applied, which not only increases the size of the equipment, but also makes it difficult to increase the size of the substrate, and there are problems with surface smoothness. There are many. Furthermore, in the case of ceramic substrates using silicon carbide, it is extremely difficult to use alumina multilayer ceramic substrate technology using the conventional green sheet method in terms of process.

ここでいうグリーンシート法多層セラミック基板技術と
は次に示す技術である0まずセラミック粉末を有機ビヒ
クルとともに混合し、スラリー化する。このスラリーを
キャスティング製膜法によりIOμm〜400μm程度
の厚みを有するシートを有機フィルム上に形成する。該
シートを所定の大きさに切断し、各層間の導通を得るだ
めのスルーホールを形成したのち、厚膜印刷法により所
定の導体パターンを形成する0これらの各導体ノくター
ンを形成したセラミックグリーンシートを積層プレスし
、脱バインダ一工程を経て焼成する。
The green sheet multilayer ceramic substrate technology referred to herein is the following technology: First, ceramic powder is mixed with an organic vehicle to form a slurry. A sheet having a thickness of about IO μm to 400 μm is formed on an organic film by casting this slurry. After cutting the sheet into a predetermined size and forming through-holes for establishing conduction between each layer, a predetermined conductor pattern is formed using a thick film printing method. The green sheets are laminated and pressed, undergo a binder removal process, and then fired.

高密度実装基板として具備すべき主な性質としては、(
1)電気特性に対して誘電率が低く、誘電損失が小さく
、また電気絶縁性に優れていること、(2)機械的強度
が十分であること、(3)熱伝導性が高いこと、(4)
熱膨張係数がシリコンチップ等のそれに近いこと、(5
)表面平滑性が優れていること、および(6)Ei1@
度化が容易であること等が必要であるりこれらの基板性
質全般に対して前述のセラミック基板は決して十分なも
のであるとはいえない〇一方、高熱伝導性基板の材料と
して窒化アルミニウムが開発されている(特開昭59−
50077号公報など)。しかしながらこの材料も高温
で焼結しなければならず、ホットプレス法による作製方
法が主流となっており、まだ窒化アルミニウムを用い九
多層配線基板は実現されていない。
The main properties that a high-density mounting board should have are (
1) Low dielectric constant with respect to electrical properties, low dielectric loss, and excellent electrical insulation, (2) Sufficient mechanical strength, (3) High thermal conductivity, ( 4)
The coefficient of thermal expansion is close to that of silicon chips, etc. (5
) excellent surface smoothness, and (6) Ei1@
The above-mentioned ceramic substrates cannot be said to be sufficient for these general substrate properties, such as being easy to heat conductive. On the other hand, aluminum nitride is used as a material for highly thermally conductive substrates. It has been developed (Japanese Unexamined Patent Publication No. 1983-
50077, etc.). However, this material also has to be sintered at high temperatures, and hot-pressing is the mainstream manufacturing method, and a multilayer wiring board using aluminum nitride has not yet been realized.

(発明の目的) 本発明は、前述した従来のセラミック配線基板の欠点を
除去せしめて熱伝導性の浸れた内部に導体を有する高密
度、高熱伝導多層セラミック配線基板を提供することに
ある〇 (発明の構成) 本発明によれば、セラミックス構造体が窒化アルミニウ
ムを主成分とする多結晶体で構成され、導体層の主成分
が炭化金属からなることを%徴とする高熱伝導多層セラ
ミック配線基板が得られる0(構成の詳細な説明) 本発明は、上述の構成をとることにより従来技術の問題
点を解決した。
(Object of the Invention) The present invention is to provide a high-density, high-thermal-conductivity multilayer ceramic wiring board that eliminates the drawbacks of the conventional ceramic wiring board described above and has a conductor inside a thermally conductive soaked interior. Arrangement of the Invention) According to the present invention, there is provided a high thermal conductivity multilayer ceramic wiring board in which the ceramic structure is composed of a polycrystalline body mainly composed of aluminum nitride, and the conductor layer is mainly composed of metal carbide. 0 (Detailed Description of Configuration) The present invention has solved the problems of the prior art by adopting the above-mentioned configuration.

まず、多層セラミック基板を構成する絶縁セラミックス
材料として、熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用いた
。この材料は焼成後、窒化アルミニウム多結晶の緻密な
構造体を形成する0高熱伝導率を得るためには焼結体θ
〕含有酸索址が少々い方が好ましくその為に添加物とし
て還元効果のある還元剤を入れることが好ましい0 次に、導体ノ脅に関しては、窒化アルミニウムで構成さ
れているセラミックス層に複数の電源層。
First, aluminum nitride, which has high thermal conductivity, was used as the insulating ceramic material constituting the multilayer ceramic substrate. After firing, this material forms a dense structure of polycrystalline aluminum nitride.In order to obtain high thermal conductivity, the sintered body θ
] It is preferable to have a small amount of acid residue, and therefore it is preferable to add a reducing agent with a reducing effect as an additive.Next, regarding the threat to the conductor, it is preferable to add a reducing agent with a reducing effect as an additive. power layer.

グランド層および微細な信号線等の導体層を形成し、こ
れらの複数の導体層をセラミックス層中に設けたピアホ
ールを介して電気的に接続されているO したがって、実装基板の配線密度が非常に高められると
ともに、LSI等の素子から発生する熱を、効率的に外
部に放散することが可能となる。
Conductor layers such as a ground layer and fine signal lines are formed, and these multiple conductor layers are electrically connected via peer holes provided in the ceramic layer. Therefore, the wiring density of the mounting board is extremely high. At the same time, it becomes possible to efficiently dissipate heat generated from elements such as LSIs to the outside.

(実施例) 以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
(Example) Examples of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明による高熱伝導多層セラミック配線基板
の実施例を示す説明図である。lは絶縁セラミックス層
であり、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構
成されている02は信号線および電源等の導体層であり
、炭化金属を主成分として形成されており、絶縁セラミ
ックス層に形成されたピアホール3を介して各層間を電
気的に接続している。このように構成されている多層セ
ラミック基板上にはLSIチ、ブがマウント出来るよう
にダイパッド4およびポンディングパッド5が形成され
、該実装基板外に信号を取り出したり、基板内へ信号を
入れたりするための入出力用バッド6が基板裏面に形成
されている。基板上にマウントされたLSIチップから
発生する熱をダイパッド4を介してセラミック基板内へ
拡散させる。セラミック基板0〕熱伝導率が高いことに
よ)熱拡散が効率的に行なわれることになり、L S 
Iチップの発熱による高温化を防止することができる。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of a highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board according to the present invention. 02 is a conductor layer for signal lines, power supplies, etc., which is mainly composed of metal carbide, and is composed of polycrystalline aluminum nitride as a main component. Each layer is electrically connected through the formed peer hole 3. A die pad 4 and a bonding pad 5 are formed on the multilayer ceramic substrate configured in this manner so that an LSI chip can be mounted, and a die pad 4 and a bonding pad 5 are formed so that a signal can be taken out from the mounting board or input into the board. An input/output pad 6 is formed on the back surface of the board. Heat generated from the LSI chip mounted on the substrate is diffused into the ceramic substrate via the die pad 4. Ceramic substrate 0] Due to its high thermal conductivity) heat diffusion is carried out efficiently, and L S
It is possible to prevent the I-chip from increasing in temperature due to heat generation.

本実施例の配線基板の製造方法は次のとおりである。本
発明の基板を構成しているセラミックス材料としては、
窒化アルミニウムの焼結性を高めるため添加物としてC
aC2を混入させている。まず窒化アルミニウム粉末と
Ca自粉末とを秤量し、ボールミルにより有機溶媒中で
の湿式混合を48時間行なった。
The method for manufacturing the wiring board of this example is as follows. Ceramic materials constituting the substrate of the present invention include:
C is added as an additive to improve the sinterability of aluminum nitride.
Contains aC2. First, aluminum nitride powder and Ca self-powder were weighed and wet mixed in an organic solvent using a ball mill for 48 hours.

この混合粉末をポリカプロラクトン系あるいはポリアク
リレート系樹脂等の中性雰囲気下で分解されやすい有機
バインダーとともに溶媒中に分散し粘度3000〜70
00cpの範囲の泥漿を作成する。該泥漿をキャスティ
ング製膜法により10μm〜200μm程度の均一な厚
みになるように、有機フィルム上にグリーンシートを作
成する。
This mixed powder is dispersed in a solvent with an organic binder that easily decomposes in a neutral atmosphere, such as polycaprolactone or polyacrylate resin, and the viscosity is 3000-70.
Creates a slurry in the range of 00 cp. A green sheet is formed on an organic film using the slurry casting method so as to have a uniform thickness of about 10 μm to 200 μm.

次にこのグリーンシートを有機フィルムから剥離したの
ち、各層間を電気的に接続するためのピアホールを形成
する。ここで形成したピアホールは、機械的にポンチお
よびダイを用いて打抜いたが、他にレーザー加工等の方
法によっても開けることが可能である〇 ピアホールの形成されたグリーンシート上へ、窒素雰囲
気あるいは他の中性雰囲気あるいは還元雰囲気の下で焼
成した際、炭化金属となる化合物を主成分とした導体ペ
ーストをスクリーン印刷法により所定の位喧に所定0)
パターンを印刷する。
Next, after this green sheet is peeled off from the organic film, peer holes are formed to electrically connect each layer. The pier holes formed here were punched out mechanically using a punch and die, but they can also be punched out using other methods such as laser processing. A conductive paste mainly composed of a compound that becomes metal carbide when fired in a neutral or reducing atmosphere is applied to a predetermined size using a screen printing method.
Print the pattern.

こうして導体を印刷した各グリーンシートを所望の枚数
81t層し加熱プレスする。その後必要な形状になるよ
うにカッターを用いて切断し、1400℃〜2000℃
の温度で非酸化性雰囲気中で焼成する〇焼成の際、その
昇温過程で400℃〜600℃U)温度で脱バインダー
を充分に行なった。作製した試料に用いた導体ペースト
の組成を第1表に、また試料の特性を第2表に示す。
A desired number of 81 tons of green sheets printed with conductors are layered and hot pressed. After that, cut it into the required shape using a cutter and heat it at 1400°C to 2000°C.
During firing, the binder was sufficiently removed at a temperature of 400° C. to 600° C. (U) during the heating process. Table 1 shows the composition of the conductor paste used in the prepared samples, and Table 2 shows the characteristics of the samples.

導体ペースト材料としてHfC,NbC,TaC。HfC, NbC, TaC as conductor paste materials.

’!’iC,UC,VCおよびZrC’ji−用’A 
7t oここに示したηx7IO物(CaC2)の量は
窒化アルミニウムを100としたときの値である。また
フリット量は導体材料とフリット材料を合せた重量に対
しての値である。
'! 'A for 'iC, UC, VC and ZrC'ji-
7to The amount of ηx7IO compound (CaC2) shown here is the value when aluminum nitride is taken as 100. Further, the amount of frit is a value relative to the combined weight of the conductor material and the frit material.

作成した基板の電気的特性8測定した結果、比抵抗が1
00・口取上であり、誘電率は8.7(1%1Hz )
、誘電損失はlXl0  以F CI MHz )であ
りた、 Tl(気菌特性においても従来の基板に対して
同程度以上あり実装基板として十分でろることがわかる
As a result of measuring the electrical characteristics 8 of the created substrate, the specific resistance was 1.
00.The dielectric constant is 8.7 (1% 1Hz).
, the dielectric loss was 1X10 or more (FCI MHz), and Tl (the air-bacteria properties were also at least the same level as the conventional board, indicating that it would be sufficient as a mounting board).

一方チΣ加物としてCab、 Bed、 Y、O,、C
ub、 Ago。
On the other hand, as additions, Cab, Bed, Y, O,, C
ub, Ago.

BaC2,SrC,、Na2C2,K2C2,CuC,
、MgC,、Ag、C,。
BaC2, SrC, , Na2C2, K2C2, CuC,
,MgC,,Ag,C,.

ZrC2等を用いた場合においても窒化アルミニウム0
〕焼結性を向上させる効果が得られた。
Aluminum nitride 0 even when using ZrC2 etc.
] The effect of improving sinterability was obtained.

(発明の効果) 実施例からも明らかなように、本発明により、容易に信
号線および電ぢ1層等を含めた導体を有する尚重度な回
路を形成することが出来、熱放散性に対し−Cも非常に
有効fL筒熱伝導多層セシミック基板が得られる。
(Effects of the Invention) As is clear from the examples, according to the present invention, it is possible to easily form a heavy-duty circuit having conductors including signal lines and a conductor layer, etc., and the heat dissipation property is improved. -C also provides a very effective fL-tube thermally conductive multilayer sesmic substrate.

従来用いられているアルミナ基板の熱伝導率は17w、
’mKであシ、本発明基板の熱伝導率が非常に高いレベ
ルであることがわかる。また熱膨張係数においては、ア
ルミナ基板が65X10 7℃であるのに対して本発明
基板は小さな値をもち、よりシリコンチップの熱膨張係
数に近い値になっておシ有利である。
The thermal conductivity of the conventionally used alumina substrate is 17W,
It can be seen that the thermal conductivity of the substrate of the present invention is at a very high level. In addition, the thermal expansion coefficient of the alumina substrate is 65×10 7° C., whereas the substrate of the present invention has a small value, which is advantageous because it is closer to the thermal expansion coefficient of a silicon chip.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す高熱伝導多層セラミッ
ク配線基板の概略図である。 1・・・絶縁セラミック層%2・・・導体層、3・・・
ビアホーk、4・・・ダイパッド、5・・−ポンディン
グパッド、6・・・入出力用パッド。
FIG. 1 is a schematic diagram of a highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board showing an embodiment of the present invention. 1... Insulating ceramic layer %2... Conductor layer, 3...
Beer hole k, 4... die pad, 5...-ponding pad, 6... input/output pad.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)導体セラミックス構造体内部で三次元的に形成さ
れた多層セラミック配線基板において、窒化アルミニウ
ムを主成分とするセラミック層と、炭化金属を主成分と
する導体とを備えたことを特徴とする多層セラミック配
線基板。
(1) A multilayer ceramic wiring board formed three-dimensionally inside a conductive ceramic structure, characterized by comprising a ceramic layer mainly composed of aluminum nitride and a conductor mainly composed of metal carbide. Multilayer ceramic wiring board.
(2)上記炭化金属として炭化ジルコニウム、炭化タン
タル、炭化ニオブ、炭化バナジウム、炭化ウラン、炭化
ハフニウム、および炭化チタンから選ばれた1種もしく
は2種以上の混合物である特許請求の範囲第1項記載の
多層セラミック配線基板。
(2) Claim 1, wherein the metal carbide is one or a mixture of two or more selected from zirconium carbide, tantalum carbide, niobium carbide, vanadium carbide, uranium carbide, hafnium carbide, and titanium carbide. multilayer ceramic wiring board.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57180006A (en) * 1981-04-30 1982-11-05 Hitachi Ltd High thermally conductive electric insulator
JPS6077177A (en) * 1983-09-30 1985-05-01 株式会社東芝 Ceramic bonded body
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