JPS6276592A - Multilayer ceramic circuit substrate - Google Patents

Multilayer ceramic circuit substrate

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Publication number
JPS6276592A
JPS6276592A JP21535685A JP21535685A JPS6276592A JP S6276592 A JPS6276592 A JP S6276592A JP 21535685 A JP21535685 A JP 21535685A JP 21535685 A JP21535685 A JP 21535685A JP S6276592 A JPS6276592 A JP S6276592A
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JP
Japan
Prior art keywords
carbide
boride
multilayer ceramic
substrate
wiring board
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Application number
JP21535685A
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Japanese (ja)
Inventor
嶋田 勇三
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NEC Corp
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NEC Corp
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  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、高熱伝導多層セラミック配線基板に関するも
のである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board.

(従来技術とその問題点) 半導体技術の飛擢的表進展によって、IC,LSIが産
業用、民需用に幅広く使用されるようになってきている
(Prior art and its problems) With the rapid development of semiconductor technology, ICs and LSIs have come to be widely used for industrial and civilian purposes.

特に集積密度の高い、高速作動のLSIの実装用基板と
して多層セラミック基板が注目されている。この多層セ
ラミック基板は直接LSIを実装することができ微細多
層配線が可能である。
In particular, multilayer ceramic substrates are attracting attention as mounting substrates for high-speed operation LSIs with high integration density. This multilayer ceramic substrate can directly mount an LSI, and allows fine multilayer wiring.

一般にセラミック基板の材料としては、主にアルミナが
使用されているが、近年電気装置は一段と小型化され、
回路の高密度化が強く要求され、基板の単位面積当υの
素子や回路要素の集積度が高くなっている。一方LSI
においては、高速作動を行なうに従いチップから発生す
る熱が多量になってくる傾向にある。この結果、基板の
発熱が大幅に増加し、アルミナ基板では、熱の放散性が
十分ではないという問題が生じている。そのため、アル
ミナ基板よりも熱伝導率が大きく、熱の放散性に優れた
絶縁基板が必要になってきた。
Generally, alumina is mainly used as the material for ceramic substrates, but in recent years electrical devices have become smaller and smaller.
There is a strong demand for higher density circuits, and the degree of integration of elements and circuit elements per unit area of the substrate is increasing. On the other hand, LSI
, the chip tends to generate more heat as it operates at higher speeds. As a result, the heat generated by the substrate increases significantly, and the problem arises that the alumina substrate does not have sufficient heat dissipation properties. Therefore, there is a need for an insulating substrate that has higher thermal conductivity and better heat dissipation than an alumina substrate.

そこで熱放散性に対して優れた材料として炭化ケイ素を
主成分としたセラミック基板が開発された(特開昭57
−180006号公報)。炭化ケイ素はそれ自体電気的
に半導体に層し、比抵抗が1〜10Ω・1程度で電気絶
縁性がないため、絶縁基板としては用いることができな
い。また炭化ケイ素は融点が高く非常に焼結しにくいの
で、通常焼結に際しては少量の焼結助剤を添加し、高温
で加圧するいわゆるホットプレス法により作られる。こ
の焼結助剤として酸化べIJ リウムや窒化ホウ素を用
いると、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に対して
も有効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比抵抗が101
0Ω・1以上となる。しかし、LSI等の実装基板にお
いて重要な要因の1つである誘電率は1MHzで40と
かな夛高く、添加剤を加えた絶縁性も電圧が5v8度に
なると粒子間の絶縁が急激に低下するため耐電圧に対し
ても問題がある。
Therefore, a ceramic substrate mainly composed of silicon carbide was developed as a material with excellent heat dissipation properties (Japanese Patent Laid-Open No. 57
-180006). Silicon carbide itself is electrically layered on a semiconductor, has a specific resistance of about 1 to 10 Ω·1, and has no electrical insulation properties, so it cannot be used as an insulating substrate. Furthermore, since silicon carbide has a high melting point and is very difficult to sinter, it is usually sintered using a so-called hot press method in which a small amount of sintering aid is added and pressure is applied at high temperature. When beryllium oxide or boron nitride is used as this sintering aid, it is effective not only for the sintering aid but also for electrical insulation, and the specific resistance of the sintered substrate mainly composed of silicon carbide is 101%.
It becomes 0Ω・1 or more. However, the dielectric constant, which is one of the important factors in mounting boards such as LSI, is as high as 40 at 1 MHz, and even with the addition of additives, the insulation between particles drops rapidly when the voltage reaches 5V and 8 degrees. Therefore, there is also a problem with the withstand voltage.

又、BeO粉末を用いて多層セラミック基板を作成する
ことは可能であるが有毒性であるため実用上困難な面が
でてくる。
Furthermore, although it is possible to create a multilayer ceramic substrate using BeO powder, it is difficult in practice due to its toxicity.

一方プロセス的観点からしてホットプレス法を適用しな
ければならず、装置が犬がかシになるばかりでなく、基
板の形状も大面積化に困難であり、表面平滑性に対して
も問題が多い。さらに炭化ケイ素系を用いたセラミック
基板においては、従来のグリーンシート法を用いたアル
ミナ多層セラミック基板技術を利用することはプロセス
的に極めて困難である。
On the other hand, from a process standpoint, a hot press method must be applied, which not only makes the equipment bulky, but also makes it difficult to increase the size of the substrate, and there are problems with surface smoothness. There are many. Furthermore, in the case of ceramic substrates using silicon carbide, it is extremely difficult to use alumina multilayer ceramic substrate technology using the conventional green sheet method in terms of process.

ここでいうグリーンシート法多層セラミック基板技術と
は、次に示す技術である。まずセラミック粉末を有機ビ
ヒクルとともに混合し、スラリー化する。このスラリー
をキャスティング製膜法によシ10μm〜400μm程
度の厚みを有するシートを有機フィルム上に形成する。
The green sheet multilayer ceramic substrate technology referred to herein is the following technology. First, ceramic powder is mixed with an organic vehicle to form a slurry. This slurry is cast onto an organic film to form a sheet having a thickness of about 10 μm to 400 μm.

該シートを所定の大きさに切断し、各1・層間の導通を
得るためのスルーホールを形成したのち、厚膜印柚j法
により所定の導体パターンを形成する。これらの各導体
パターンを形成したセラミックグリーンシートを積層ブ
レスし、脱バインダ一工程を経て焼成する。
After cutting the sheet into a predetermined size and forming through holes for obtaining conduction between each layer, a predetermined conductor pattern is formed by a thick film printing method. The ceramic green sheets on which each of these conductor patterns have been formed are laminated and pressed, subjected to a binder removal step, and then fired.

高密度実装基板として具備すべき主な性質としては、(
1)電気特性に対して誘電率が低く、誘電損失が小さく
、オた電気絶縁性に潰れていること、(2)機械的強度
が十分であること、(3)熱伝導性が高いこと、(4)
熱膨張係政がシリコ/チップ等のそれに近いこと、(5
)表面平滑性が優れていること、および1′6)高密度
rヒが容易であること等が必要である。
The main properties that a high-density mounting board should have are (
1) It has a low dielectric constant with respect to its electrical properties, low dielectric loss, and is electrically insulating; (2) it has sufficient mechanical strength; (3) it has high thermal conductivity. (4)
Thermal expansion is close to that of silicon/chips, etc. (5
) It must have excellent surface smoothness, and 1'6) It must be easy to apply high-density heat treatment.

これらの基板性質全般に対して前述のセラミック基板は
決して十分なものでちるとはいえない。
It cannot be said that the above-mentioned ceramic substrates are sufficient for all of these substrate properties.

一方、高熱伝47性基板の材料として窒化アルミニウム
が開発されている(特開昭59−50077号公報など
)。しかしながら、この材料も高温で焼結しなければな
らず、ホットプレス法による作製方法が主流となってお
シ、まだ窒化アルミニウムを用いた多層配線基板は実現
されていない。
On the other hand, aluminum nitride has been developed as a material for substrates with high thermal conductivity (Japanese Patent Laid-Open No. 59-50077, etc.). However, this material must also be sintered at a high temperature, and a hot pressing method has become the mainstream, and a multilayer wiring board using aluminum nitride has not yet been realized.

(発明の目的) 本発明は、前述した従来のセラミック配線基板の欠点を
除去せしめて熱伝4゛真性の優れた、内部に導体を有す
る高密度、高熱伝導多層セラミック配線基板を提供する
ことにある。
(Object of the Invention) The present invention aims to eliminate the drawbacks of the conventional ceramic wiring boards mentioned above and provide a high-density, high-thermal-conductivity multilayer ceramic wiring board having excellent heat conductivity and having conductors inside. be.

(発明の構成) 本発明によれば、セラミックス構造体が窒化アルミニウ
ムを主成分とする多結晶体で構成され、導体層の主成分
がホウ化金属と炭化金属の混合物からなることを特徴と
する高熱伝導多層セラミック配線基板が得られる。
(Structure of the Invention) According to the present invention, the ceramic structure is composed of a polycrystalline body containing aluminum nitride as a main component, and the main component of the conductor layer is composed of a mixture of metal boride and metal carbide. A highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board is obtained.

(構成の詳細な説明) 本発明は、上述の構成をとることにより従来技術の問題
点を解決した。
(Detailed Description of Configuration) The present invention solves the problems of the prior art by adopting the above-described configuration.

まず、多層セラミック基板を構成する絶1潰セラミック
ス材料として、熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用い
た。この材料は焼成後、窒化アルミニウム多結晶の緻密
な構造体を形成する。高熱伝得率をイ(Jるためには焼
結体の含有酸素着が少ない方が好ましくそのために添加
物として還元効果のある還元剤を入れることが好ましい
First, aluminum nitride, which has high thermal conductivity, was used as the incomparable ceramic material constituting the multilayer ceramic substrate. After firing, this material forms a dense structure of polycrystalline aluminum nitride. In order to obtain a high heat transfer rate, it is preferable that the sintered body contains less oxygen, and therefore it is preferable to add a reducing agent having a reducing effect as an additive.

矢に、導体層に関しては、窒化アルミニウムで構成され
ているセラミックス層に複数の電源層、グランド層およ
び微細な信号線等の導体層を形成し、これらの複数の導
体層をセラミックス層中に設けたピアホールを介して電
気的に接続されている。
Regarding conductor layers, multiple power layers, ground layers, fine signal lines, and other conductor layers are formed on a ceramic layer made of aluminum nitride, and these multiple conductor layers are provided within the ceramic layer. It is electrically connected via a peer hole.

したがって、実装基板の配線密度が非常に高められると
ともに、LSI等の素子から発生する熱を、効率的に外
部に放散することが可能となる。
Therefore, the wiring density of the mounting board can be greatly increased, and the heat generated from elements such as LSI can be efficiently dissipated to the outside.

(実施例) 以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
(Example) Examples of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明による高熱伝導多層セラミック基板の実
施例を示す説明図である。lは絶縁セラミックス層であ
り、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構成さ
れている。2は信+F線および電源等の導体層であシ、
ホウ化金属と炭化金属の混合物を主成分として形成され
ており、絶縁セラミックス層に形成されたピアホール3
を介して各層間をηj′気的に接続している。このよう
に構成されている多層セラミック基板上にはLSIチッ
プがマウント出来るようにダイパッド4およびボンディ
ングパッド5が形成され、該実装基板外に信号を取シ出
したり、基板内へ信号を入れた力するための入出力用パ
ッド6が基板裏面に形成されている。基板上にマウント
されたLSIチップから発生する熱をダイパッド4を介
してセラミック基板内へ拡散させる。セラミック基板の
熱伝導率が高いことにより熱拡散が効率的に行なわれる
ことになり、LSIチップの発熱による高温化を防止す
ることができる。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of a highly thermally conductive multilayer ceramic substrate according to the present invention. 1 is an insulating ceramic layer, which is mainly composed of polycrystalline aluminum nitride. 2 is the conductor layer for the signal + F wire and power supply, etc.
Pier hole 3 is formed mainly from a mixture of metal boride and metal carbide, and is formed in an insulating ceramic layer.
Each layer is electrically connected via .eta.j'. A die pad 4 and a bonding pad 5 are formed on the multilayer ceramic substrate configured in this manner so that an LSI chip can be mounted. An input/output pad 6 is formed on the back surface of the substrate. Heat generated from the LSI chip mounted on the substrate is diffused into the ceramic substrate via the die pad 4. The high thermal conductivity of the ceramic substrate allows for efficient heat diffusion, thereby preventing the LSI chip from increasing in temperature due to heat generation.

本実施例の配線基板の製造方法は次のとおりである。本
発明の基板を構成しているセラミックヌ材料としては、
窒化アルミニウムの焼結性を高めるため添加剤としてC
aC,全混入させている。才ず窒化アルミニウム粉末と
CaC,粉末とをff量し、ボールミルにより有機溶媒
中での湿式混合を、18時間行なった。
The method for manufacturing the wiring board of this example is as follows. The ceramic material constituting the substrate of the present invention includes:
C as an additive to improve the sinterability of aluminum nitride
aC, all are mixed. Aluminum nitride powder and CaC powder were weighed in ff amounts, and wet mixed in an organic solvent using a ball mill for 18 hours.

この混合粉末をポリカブo、yクトン系あるいはポリア
クリレート系樹脂等の中性雰囲気下で分解されやすい有
機バインダーとともに溶媒中に分散し粘度3000〜7
000ep  の範囲の泥漿を作成する。該泥漿をキャ
スティング製脱法によF)10pm〜200Pm程度の
均一な厚みになるように、有機フィルム上にグリーンシ
ートを作成する。
This mixed powder is dispersed in a solvent together with an organic binder that is easily decomposed in a neutral atmosphere, such as polykabu o, y lactone or polyacrylate resin, and the viscosity is 3000-7.
Create a slurry in the range of 000ep. F) A green sheet is prepared on an organic film so that the slurry has a uniform thickness of about 10 pm to 200 pm by a casting method.

次にこのグリーンシートを有機フィルムから剥離したの
ち、各層間を電気的に接続するためのピアホールを形成
する。ここで形成したピアホールは、機械的にポンチお
よびダイを用いて打抜いたが、他にレーザー加工等の方
法によっても開けることが可能である。
Next, after this green sheet is peeled off from the organic film, peer holes are formed to electrically connect each layer. The pier holes formed here were punched out mechanically using a punch and die, but they can also be punched out by other methods such as laser machining.

ピアホールの形成されたグリーンシート上へ、窒素雰囲
気あるいは他の中性雰囲気あるいは還元雰囲気の下で焼
成した際、ホウ化金属と炭化金属の混合物となる化合物
を主成分とした導体ペーストをスクリーン印刷法により
所定の位置に所定のパターンを印刷する。こうして導体
を印刷した各グリーンシートを所望の枚数積層し加熱ブ
レスする。その後必要な形状になるようにカッターを用
いて切断し、1400℃〜2000t:の温度で非酸化
性雰囲気中で焼成する。焼成の際、その昇温過程で40
0℃〜600℃の温度で脱バインダーを充分に行なった
。作製した試料に用いた導体ペーストの組成を第1表に
示し、試料の特性を第2表に示す。
A conductive paste whose main component is a compound that becomes a mixture of metal boride and metal carbide when fired in a nitrogen atmosphere, other neutral atmosphere, or reducing atmosphere is screen printed onto a green sheet with peer holes formed. A predetermined pattern is printed at a predetermined position. A desired number of green sheets having conductors printed thereon are laminated and heated under heat. Thereafter, it is cut into the desired shape using a cutter and fired in a non-oxidizing atmosphere at a temperature of 1400° C. to 2000 t. During firing, the temperature rises to 40
The binder was sufficiently removed at a temperature of 0°C to 600°C. Table 1 shows the composition of the conductive paste used in the prepared samples, and Table 2 shows the characteristics of the samples.

以下仝白 導体ペースト材料としてT iB* 、MoB 、VB
、 。
The following white conductor paste materials include T iB*, MoB, and VB.
, .

ZrB、、HfB、、NbJ、TaB、、とHfC、N
bC、TaC。
ZrB, , HfB, , NbJ, TaB, , and HfC, N
bC, TaC.

T+C,UC,’VC,ZrCを用いた。T+C, UC, 'VC, and ZrC were used.

ここに示した添加物(CaCs)の量は窒化アルミニウ
ムを100としたときの値である。またフリット惜は導
体材料とフリット材料を合せた重量に対しての値である
The amount of additive (CaCs) shown here is the value when aluminum nitride is taken as 100. Further, the frit weight is a value relative to the combined weight of the conductor material and the frit material.

作成した基板の電気的特性を測定した結果、比抵抗が1
0′1Ω・1以上であわ、誘電率は87(IMHz)、
誘電損失はlXl0−3以下(IMHz)であった。電
気的特性においても従来の基板に対して同程度以上あり
実装基板として十分であることがわかる。
As a result of measuring the electrical characteristics of the created substrate, the specific resistance was 1.
0'1Ω・1 or more, dielectric constant is 87 (IMHz),
The dielectric loss was less than lXl0-3 (IMHz). It can be seen that the electrical characteristics are also at least the same as those of conventional boards, and are sufficient as a mounting board.

一方添加物としてCa O、B e O、Y、O* 、
Cu O。
On the other hand, as additives CaO, B e O, Y, O*,
Cu O.

Ago 、BaC,、S rC,、Na、C,、K、C
1、CuC,。
Ago, BaC,, S rC,, Na, C,, K, C
1.CuC,.

MgC9,AgtC* 、Z rcl等を用いた鳴今に
おいても窒化アルミニウムの焼結性を向上させる効果が
得られた。
The effect of improving the sinterability of aluminum nitride was also obtained by using MgC9, AgtC*, Zrcl, etc.

(発明の効果) 実施例からも明らかなように、本発明の構造を有するこ
とにより、容易に信号線および電源層等を含めた導体を
有する高密度な回路を形成することが出来、熱放散性に
対しても非常に有効な高熱伝導多層セラミック配線基板
が得られる。
(Effects of the Invention) As is clear from the examples, by having the structure of the present invention, it is possible to easily form a high-density circuit having conductors including signal lines and power supply layers, and to improve heat dissipation. A highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board which is also very effective in terms of performance can be obtained.

従来用いられているアルミナ基板の熱伝導率は17W/
mKであり、本発明基板の熱伝導率が非常に高いレベル
であることがわかる。また熱膨張係数においては、アル
ミナ基板が65X 1 o−’/l;であるのに対して
本発明基板は小さな値をもち、よりシリコンチップの熱
膨張係数に近い値になっており有利である。
The thermal conductivity of the conventionally used alumina substrate is 17W/
mK, which indicates that the thermal conductivity of the substrate of the present invention is at a very high level. In addition, the thermal expansion coefficient of the alumina substrate is 65X 1 o-'/l; whereas the present substrate has a small value, which is closer to the thermal expansion coefficient of a silicon chip, which is advantageous. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す高熱伝導多層セラミッ
ク配線基板の概略図である。1・−・絶縁セラミック層
、2・・・導体層、3−・・ピアホール、4・・・ダイ
パッド、5・・・ポンディングパッド、6・・・人出刃
用パッド。
FIG. 1 is a schematic diagram of a highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board showing an embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 -- Insulating ceramic layer, 2 -- Conductor layer, 3 -- Pier hole, 4 -- Die pad, 5 -- Ponding pad, 6 -- Hitodeba pad.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)セラミックス層を介して三次元的に導体が形成さ
れた多層セラミック配線基板において、窒化アルミニウ
ムを主成分とするセラミック層と、ホウ化金属と炭化金
属の混合物を主成分とする導体とを備えたことを特徴と
する多層セラミック配線基板。
(1) In a multilayer ceramic wiring board in which a conductor is formed three-dimensionally through a ceramic layer, a ceramic layer whose main component is aluminum nitride and a conductor whose main component is a mixture of metal boride and metal carbide are used. A multilayer ceramic wiring board characterized by:
(2)上記ホウ化金属が、ホウ化チタン、ホウ化タンタ
ル、ホウ化ジルコニウム、ホウ化ニオブ、ホウ化バナジ
ウム、ホウ化モリブデンおよびホウ化ハフニウムから選
ばれた1種以上の物質である特許請求の範囲第1項記載
の多層セラミック配線基板。
(2) The metal boride is one or more substances selected from titanium boride, tantalum boride, zirconium boride, niobium boride, vanadium boride, molybdenum boride, and hafnium boride. A multilayer ceramic wiring board according to scope 1.
(3)上記炭化金属が、炭化ジルコニウム、炭化タンタ
ル、炭化ニオブ、炭化バナジウム、炭化ウラン、炭化ハ
フニウムおよび炭化チタンから選ばれた1種以上の物質
である特許請求の範囲第1項記載の多層セラミック配線
基板。
(3) The multilayer ceramic according to claim 1, wherein the metal carbide is one or more substances selected from zirconium carbide, tantalum carbide, niobium carbide, vanadium carbide, uranium carbide, hafnium carbide, and titanium carbide. wiring board.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128305A (en) * 2002-10-04 2004-04-22 Yamaha Corp Electronic device
JP2010153738A (en) * 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi Ltd Electronic device, housing, and substrate unit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004128305A (en) * 2002-10-04 2004-04-22 Yamaha Corp Electronic device
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