JPS6284595A - Multilayer ceramic wiring substrate - Google Patents

Multilayer ceramic wiring substrate

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JPS6284595A
JPS6284595A JP22528285A JP22528285A JPS6284595A JP S6284595 A JPS6284595 A JP S6284595A JP 22528285 A JP22528285 A JP 22528285A JP 22528285 A JP22528285 A JP 22528285A JP S6284595 A JPS6284595 A JP S6284595A
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multilayer ceramic
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ceramic
ceramic wiring
conductor
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嶋田 勇三
秀男 高見沢
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は高熱伝導多層セラミック配線基板に関するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board.

(従来技術とその問題点) 半導体技術の飛藉的な進展によって、IC,LSIが産
業用、民需用に幅広く使用されるよう釦なってきている
(Prior art and its problems) With the rapid development of semiconductor technology, ICs and LSIs are becoming widely used for industrial and civilian purposes.

特に集積密度の高い、高速作動のL8Iの実装用基板と
して多層セラミック基板が注目されている。この多層セ
ラミック基板は直接LSIを実装することができ微細多
層配線が可能である。
In particular, multilayer ceramic substrates are attracting attention as mounting substrates for high-speed operation L8Is with high integration density. This multilayer ceramic substrate can directly mount an LSI, and allows fine multilayer wiring.

一般〈セラミック基板の材料としては、主にアルミナが
使用されているが、近年電気装置は一段と小型化され、
回路の高密度化が強く、要求濱れ、基板の単位面積当り
の素子や回路要素の集積度が高くなっている。一方L8
Iにおいては、高速作動を行なうに従いチップから発生
する熱が多情に麦ってくる傾向にある。−この結果、基
板の発熱が大幅に増加し、アルミナ基板では、熱の放散
性が十分ではないという問題が生じている。そのため、
アルミナ基板よりも熱伝導率が大きく、熱の放散性に優
れた絶縁基板が必要になってきた。
General〈Alumina is mainly used as a material for ceramic substrates, but in recent years electrical devices have become smaller and smaller.
There is a strong trend toward higher circuit densities, and the demand for higher integration of elements and circuit elements per unit area of the substrate is increasing. On the other hand L8
In I, the heat generated from the chip tends to increase as the chip operates at higher speeds. - As a result, the heat generated by the substrate increases significantly, and the problem arises that the alumina substrate does not have sufficient heat dissipation. Therefore,
Insulating substrates that have higher thermal conductivity and better heat dissipation than alumina substrates have become necessary.

そこで熱放散性に対して優れた材料として炭化ケイ素を
主成分としたセラミック基板が開発された(特開昭57
−180006号公報)。炭化ケイ素はそれ自体電気的
に半導体に属し、比抵抗が1〜10Ω・傭程度で電気絶
縁性がかいため、絶縁基板としては用いることができ力
い。また炭化ケイ素は融点が高く非常に焼結しにくいの
で、通常焼結忙際しては少量の焼結助剤を添加し、高温
で加圧するいわゆるホットプレス法により作られる。こ
の焼結助剤として酸化ベリリウムや窒化ホウ素を用いる
と、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に対しても有
効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比抵抗が101°Ω
・1以上とがる。しかしL8I等の実装基板罠おいて重
要力要因の1つである誘電率ij1MHzで40とかな
り高く、添加剤を加えた絶縁性も電圧が5v程度Knる
と粒子間の絶縁が急激に低下するため耐電圧に対しても
問題がある。
Therefore, a ceramic substrate mainly composed of silicon carbide was developed as a material with excellent heat dissipation properties (Japanese Patent Laid-Open No. 57
-180006). Silicon carbide itself electrically belongs to a semiconductor, has a specific resistance of about 1 to 10 Ω·m, and is highly electrically insulating, so it can be used as an insulating substrate. Furthermore, since silicon carbide has a high melting point and is very difficult to sinter, it is usually produced by the so-called hot press method, in which a small amount of sintering aid is added and pressure is applied at high temperature during sintering. When beryllium oxide or boron nitride is used as this sintering aid, it is effective not only for the sintering aid but also for electrical insulation, and the specific resistance of the sintered substrate mainly composed of silicon carbide is 101°Ω.
- 1 or more points. However, the dielectric constant, which is one of the important force factors in mounting board traps such as L8I, is quite high at 40 at 1MHz, and even with the addition of additives, the insulation between particles decreases rapidly when the voltage is about 5V. Therefore, there is also a problem with the withstand voltage.

又、BeO粉末を用いて多層キラミック基板を作成する
ことは可能であるが有毒性である為実用上困難な面がで
てくる。
Furthermore, although it is possible to create a multilayer chiramic substrate using BeO powder, it is difficult in practice due to its toxicity.

一方プロセス的観点からしてホットプレス法を適用しな
ければ々らず、装置が大がか9に々るばかりでなく、基
板の形状も大面積化は困難であり、表面平滑性に対して
も問題が多い。さらに炭化ケイ素系を用いたセラミック
基板においては、従来のグリーンシート法を用いたアル
ミナ多層セラミック基板技術を利用することはプロセス
的に極めて困難である。
On the other hand, from a process point of view, it is necessary to apply the hot press method, which not only requires a large equipment but also makes it difficult to increase the shape of the substrate, making it difficult to achieve surface smoothness. There are also many problems. Furthermore, in the case of ceramic substrates using silicon carbide, it is extremely difficult to use alumina multilayer ceramic substrate technology using the conventional green sheet method in terms of process.

ここでいうグリーンシート法多層セラしツク基板技術と
は次に示す技術である。まずセラミック粉末を有機ビヒ
クルとともに混合し、スラリー化する。このスラリーを
キャスティング製膜法により10μm〜400μm程度
の厚みを有するシートを有機フィルム上に形成する。該
シートを所定の大きさに切断し、各層間の導通を得るた
めのスルーホールを形成したのち、厚膜印刷法だより所
定の導体パターンを形成する。これらの各導体パターン
全形成したセラミックグリーンシートを積層プレスし、
脱バインダ一工程を経て焼成する。
The green sheet multilayer ceramic substrate technology referred to herein is the following technology. First, ceramic powder is mixed with an organic vehicle to form a slurry. This slurry is used to form a sheet having a thickness of about 10 μm to 400 μm on an organic film by a casting method. After cutting the sheet into a predetermined size and forming through holes for establishing electrical conduction between each layer, a predetermined conductor pattern is formed using a thick film printing method. These ceramic green sheets with each conductor pattern fully formed are laminated and pressed,
After a binder removal step, it is fired.

高密度実装基板として具備すべき主な性質としては、(
1)電気特性に対して誘電率が低く、誘電損失が小さく
、また電気絶縁性て優れていること、(2)機械的強度
が十分であること、(3)熱伝導性が高いこと、(4)
熱膨張係数がシリコンチップ等のそれに近いこと、(5
)表面平滑性が優れていること、および(6)高密度化
が容易であること等が必要である。
The main properties that a high-density mounting board should have are (
1) Low dielectric constant with respect to electrical properties, low dielectric loss, and excellent electrical insulation, (2) Sufficient mechanical strength, (3) High thermal conductivity, ( 4)
The coefficient of thermal expansion is close to that of silicon chips, etc. (5
) It must have excellent surface smoothness, and (6) it must be easy to increase the density.

これらの基板性質全般に対して前述のセラミック基板は
決して十分なものであるとはいえない。
The above-mentioned ceramic substrates cannot be said to be sufficient in terms of these substrate properties in general.

一方、高熱伝導性基板の材料として窒化アルミニウムが
開発されている(特開昭59−50077号公報など)
。しかしながらこの材料も高温で焼結しなければならず
、ホットプレス法による作製方法が主流となっており、
まだ窒化アルミニウムを用い九多層配線基板は実現され
てい力い。
On the other hand, aluminum nitride has been developed as a material for highly thermally conductive substrates (Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-50077, etc.)
. However, this material also has to be sintered at high temperatures, and the mainstream manufacturing method is the hot press method.
A nine-layer wiring board using aluminum nitride has yet to be realized.

(発明の目的) 本発明は、前述した従来のセラミック配線基板の欠点を
除去せしめて熱伝導性の優れた、内部に導体を有する高
密度、高熱伝導多層セラミック配線基板を提供すること
にある。
(Objective of the Invention) An object of the present invention is to provide a high-density, high-thermal-conductivity multilayer ceramic wiring board that eliminates the above-described drawbacks of the conventional ceramic wiring board and has excellent thermal conductivity and has a conductor inside.

(発明の構成) 本発明によれば、セラミックス構造体が窒化アルミニウ
ムを主成分とする多結晶体で構成され、導体層の主成分
がジルコニウム金属又はジルコニウム金属と窒化ジルコ
ニウムの混合物から力ることを特徴とする高熱伝導多層
セラミック配線基板が得られる。
(Structure of the Invention) According to the present invention, the ceramic structure is composed of a polycrystalline body mainly composed of aluminum nitride, and the main component of the conductor layer is composed of zirconium metal or a mixture of zirconium metal and zirconium nitride. A multilayer ceramic wiring board with characteristic high thermal conductivity can be obtained.

(構成の詳細な説明) 本発明は、上述の構成をとることにより従来技術の問題
点を解決した。
(Detailed Description of Configuration) The present invention solves the problems of the prior art by adopting the above-described configuration.

まず、多層セラばツク基板を構成する絶縁セラミックス
材料として、熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用いた
。この材料は焼成後、窒化アルミニウム多結晶の緻密々
構造体を形成する。高熱伝導率を得るためには焼結体の
含有酸素量が少ない方が好ましくその為に添加物として
還元効果のある還元剤を入れることが好ましい。
First, aluminum nitride, which has high thermal conductivity, was used as the insulating ceramic material constituting the multilayer ceramic board. After firing, this material forms a dense structure of polycrystalline aluminum nitride. In order to obtain high thermal conductivity, it is preferable that the amount of oxygen contained in the sintered body is small, and therefore it is preferable to add a reducing agent having a reducing effect as an additive.

次に、導体層に関しては、窒化アルミニウムで構成され
ているセラミックス層に複数の電源層、グランド層およ
び微細な信号線等の導体層を形成し、これらの複数の導
体層をセラミックス層中に設けたピアホールを介して電
気的に接続されている。
Next, regarding the conductor layer, multiple conductor layers such as a power supply layer, a ground layer, and fine signal lines are formed on a ceramic layer made of aluminum nitride, and these multiple conductor layers are provided in the ceramic layer. It is electrically connected via a peer hole.

したがって、実装基板の配線密度が非常に高められると
ともに、L8I等の素子から発生する熱を、効率的に外
部に放散することが可能と々る。
Therefore, the wiring density of the mounting board can be greatly increased, and the heat generated from elements such as L8I can be efficiently dissipated to the outside.

(実施例) 以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
(Example) Examples of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明による高熱伝導多層セラミック基板の実
施例を示す説明図である。1は絶縁セラミックス層であ
り、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構成さ
れている。2は信号線および電源等の導体層であシ、ジ
ルコニウム金属又はジルコニウム金属と窒化ジルコニウ
ムとの混合物を主成分として形成されており、絶縁セラ
ミックス層に形成されたピアホール3を介して各層間を
電気的に接続している。このように構成されている多層
セラミック基板上/CはL8Iチップがマウント出来る
ようにダイパッド4およびポンディングパッド5が形成
され、該実装基板外に信号を堰り出したり、基板内へ信
号を入れたりするための入出力用バッド6が基板裏面に
形成されている。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of a highly thermally conductive multilayer ceramic substrate according to the present invention. Reference numeral 1 denotes an insulating ceramic layer, which is mainly composed of polycrystalline aluminum nitride. 2 is a conductor layer for signal lines, power supplies, etc., and is mainly made of zirconium metal or a mixture of zirconium metal and zirconium nitride, and conducts electricity between each layer through a peer hole 3 formed in the insulating ceramic layer. connected. On the multilayer ceramic substrate/C configured in this way, a die pad 4 and a bonding pad 5 are formed so that the L8I chip can be mounted, and the die pad 4 and the bonding pad 5 are formed so that the L8I chip can be mounted. An input/output pad 6 is formed on the back surface of the board.

基板上てマウントされたLSIチップから発生する熱を
ダイパッド4を介してセラミック基板内へ拡散させろ。
Diffuse the heat generated from the LSI chip mounted on the substrate into the ceramic substrate via the die pad 4.

セラミック基板の熱伝導率が高いことにより熱拡散が効
率的に行々わhること′でカリ、L8Tチップの発熱て
よろ高温化を防止することがで角ろ。
The high thermal conductivity of the ceramic substrate allows for efficient heat diffusion, which prevents the L8T chip from heating up and becoming too hot.

本実施例の配線基板の製造方法は次のとおりである。本
発明の基板を構成しているセラミックス材料としては、
窒化アルばニウムの焼結性を高めるため添加物としてC
aC1を混入させている。オず9化アルばニウム粉末)
:CaC2粉末とを秤猾し、ボールミルにより有機溶媒
中での湿式混合を48時間行力うたう この混合粉末をポリカプロラクトン系あるいはポリアク
リレート系樹脂等の中性雰囲気下で分解されやすい有機
バインダーとともに溶媒中に分散し粘度:+ 000〜
7000cpの範囲の泥漿を作成する。
The method for manufacturing the wiring board of this example is as follows. Ceramic materials constituting the substrate of the present invention include:
C is added as an additive to improve the sinterability of aluminum nitride.
Contains aC1. Albanium oxide powder)
:Weigh CaC2 powder and wet mix in an organic solvent using a ball mill for 48 hours.This mixed powder is mixed with an organic binder that easily decomposes in a neutral atmosphere, such as polycaprolactone or polyacrylate resin, in a solvent. Dispersed in viscosity: +000~
Creates a sludge in the 7000cp range.

該泥漿をキャスティング製膜法疋より10μ専〜200
μm8度の均一な厚みに力るように、有機フィルム上に
グリーンシートを作成する。
The slurry was coated with a coating film of 10μ to 200μ by the casting method.
A green sheet is created on the organic film so that it has a uniform thickness of 8 μm.

次にこのグリーンシートを有・機フィルムから剥離した
のち、各層間を電気的に接続するためのピアホールを形
成する。ここで形成したピアホールは、機械的にポンチ
およびダイを用いて打抜いたが、他にレーザー加工等の
方法によっても開けることが可能である。
Next, after this green sheet is peeled off from the organic film, peer holes are formed to electrically connect each layer. The pier holes formed here were punched out mechanically using a punch and die, but they can also be punched out by other methods such as laser machining.

ピアホールの形成されたグリーンシート上へ、♀累算囲
気あるいは他の中性雰囲気あるいは還元雰囲気の下で焼
成した際、ジルコニウム金属又はジルコニウム金属と窒
化ジルコニウムの混合物となる化合物を主成分とした導
体ペーストをスクリーン印刷法により所定の位置に所定
のパターンを印刷する。こうして導体を印刷した各グリ
ーンシートを所望の枚数積層し加熱プレスする。その後
必要な形状になるようにカッターを用いて切断し、14
00’C〜2000℃の温度で非酸化性雰囲気中で焼成
する。焼成の際、その昇温過程で4009C〜600℃
の温度で脱バインダーを充分に行なった。
A conductive paste whose main component is a compound that becomes zirconium metal or a mixture of zirconium metal and zirconium nitride when fired under a ♀ cumulative atmosphere or other neutral atmosphere or reducing atmosphere is applied onto the green sheet in which the pier holes are formed. A predetermined pattern is printed at a predetermined position using a screen printing method. A desired number of green sheets having conductors printed thereon are laminated and hot pressed. After that, use a cutter to cut it into the required shape, 14
Calcinate in a non-oxidizing atmosphere at a temperature of 00'C to 2000C. During firing, the temperature rises from 4009C to 600℃
The binder was sufficiently removed at a temperature of .

作製した基板の特性を表に示す。The characteristics of the fabricated substrate are shown in the table.

以下仝白 導体ペースト材料としてZr金属、ZrN&よびZrH
lを用いた。ここ忙示した添加物(CaC1)のtは窒
化アルミニウムを100としたときの値である。またフ
リット量は導体材料とフリット材料を合わせた重量に対
しての値である。
Below, Zr metal, ZrN & ZrH are used as conductor paste materials.
l was used. The value t of the additive (CaC1) shown here is the value when aluminum nitride is taken as 100. Further, the amount of frit is a value relative to the combined weight of the conductor material and the frit material.

作成した基板の電気的特性を測定した結果、比抵抗が1
Q11Q働z以上であり、誘電率は8.7(IMHzχ
誘電損失は1×10″″S以下(IMUz)であった。
As a result of measuring the electrical characteristics of the created substrate, the specific resistance was 1.
Q11Q working z or more, and the dielectric constant is 8.7 (IMHzχ
The dielectric loss was less than 1×10″S (IMUz).

電気的特性においても従来の基板に対して同程度以上あ
り実装基板として十分であることがわかる。
It can be seen that the electrical characteristics are also at least the same as those of conventional boards, and are sufficient as a mounting board.

−力添加物としてCaO,BeO,Y2O3,Cub、
Ago。
- CaO, BeO, Y2O3, Cub as power additives,
Ago.

Back、 5rC2,Na2C2,に2C1,CuC
2,MgC2,Ag2C2,Zr(4等を用いた場合に
おいても窒化アルミニウムの焼結性を向上させる効果が
得られた。
Back, 5rC2, Na2C2, 2C1, CuC
Even when 2, MgC2, Ag2C2, Zr (4, etc.) were used, the effect of improving the sinterability of aluminum nitride was obtained.

(発明の効果) 実施例からも明らか力ように、本発明により、容易に信
号線および電源層等を含めた導体を有する高密変力回路
を形成することが出来、熱放散性に対しても非常に有効
な高熱伝導多層セラばツク配線基板が得られる。
(Effects of the Invention) As is clear from the examples, according to the present invention, it is possible to easily form a high-density variable power circuit having conductors including signal lines, power supply layers, etc., and the heat dissipation property is also improved. A highly effective and highly thermally conductive multilayer ceramic circuit board can be obtained.

従来用いられているアルミナ基板の熱伝導率は17 W
/inKであり、本発明基板の熱伝導率が非常圧高いレ
ベルであることがわかる。また熱膨張係数においては、
アルミナ基板が65 x 1O−77Cであるのに対し
て本発明基板は小さ力値をもち、よりシリコンチップの
熱膨張係数((近い値に々っており有利である。
The thermal conductivity of the conventionally used alumina substrate is 17 W.
/inK, which shows that the thermal conductivity of the substrate of the present invention is at an extremely high level. In addition, regarding the coefficient of thermal expansion,
While the alumina substrate has a value of 65 x 1O-77C, the substrate of the present invention has a small force value and is advantageous because it has a coefficient of thermal expansion closer to that of a silicon chip.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す高熱伝導多層セラミッ
ク配線基板の概略図である。1・・・絶縁セラミック層
、2・・・導体層−13・・・ピアホール、4・・・ダ
イパッド、5・・・ポンディングパッド、6・・・入出
力用パッド。
FIG. 1 is a schematic diagram of a highly thermally conductive multilayer ceramic wiring board showing an embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Insulating ceramic layer, 2... Conductor layer-13... Pier hole, 4... Die pad, 5... Bonding pad, 6... Input/output pad.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] セラミックス層を介して三次元的に導体が形成された多
層セラミック配線基板において、窒化アルミニウムを主
成分とするセラミック層と、ジルコニウム金属単体ある
いはジルコニウム金属と窒化ジルコニウムの混合物を主
成分とする導体とを備えていることを特徴とする多層セ
ラミック配線基板。
In a multilayer ceramic wiring board in which a conductor is formed three-dimensionally through a ceramic layer, a ceramic layer whose main component is aluminum nitride and a conductor whose main component is zirconium metal alone or a mixture of zirconium metal and zirconium nitride are used. A multilayer ceramic wiring board characterized by:
JP22528285A 1985-10-08 1985-10-08 Multilayer ceramic wiring substrate Granted JPS6284595A (en)

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