JPS627545A - アセチレン重合体とチオフエン重合体との複合体 - Google Patents
アセチレン重合体とチオフエン重合体との複合体Info
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- JPS627545A JPS627545A JP60147959A JP14795985A JPS627545A JP S627545 A JPS627545 A JP S627545A JP 60147959 A JP60147959 A JP 60147959A JP 14795985 A JP14795985 A JP 14795985A JP S627545 A JPS627545 A JP S627545A
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- polymer
- acetylene
- thiophene
- acetylene polymer
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は未ドープアセチレン重合体を陽極として支持電
解質存在下でチオフェンあるいは置換チオフェンを電気
化学的に重合してなる複合体に関し、アセチレン重合体
の酸化安定性と化学的安定性を改良することを目的とす
る。
解質存在下でチオフェンあるいは置換チオフェンを電気
化学的に重合してなる複合体に関し、アセチレン重合体
の酸化安定性と化学的安定性を改良することを目的とす
る。
アセチレン重合体はその電気伝導度が半導体領域にある
ことにより電気・電子材料として有用である。特に該ア
セチレン重合体はI2.C2,BrちBFs。
ことにより電気・電子材料として有用である。特に該ア
セチレン重合体はI2.C2,BrちBFs。
Bcts、 IBr、 AaFs、 5bFs、 PF
6等の如き電子受容性化合物(アクセプター)またはN
a、 K、 Li @の如き電子供与性化合物(ドナー
)を化学的にドーピングすることによって電気伝導度を
広い範囲にわたって自由にコントロールできる。
6等の如き電子受容性化合物(アクセプター)またはN
a、 K、 Li @の如き電子供与性化合物(ドナー
)を化学的にドーピングすることによって電気伝導度を
広い範囲にわたって自由にコントロールできる。
また前記の化学的ドーピング以外の手法として ゛
電気化学的ドーピング法もすでに提案されている〔シエ
イーシー場ニス・ケミカルφコはユニケーyヨン(J、
C1S、 Chem、Commu、)1981% 3
17頁〕。この手法は該アセチレン重合体にα04−、
′BF4− PF6−、 等の如きアニオ
ンまたはR4N”(R:アルキル基)の如きカチオンを
電気化学的にドーグしp型またはn型のアセチレン重合
体を得る方法である。
電気化学的ドーピング法もすでに提案されている〔シエ
イーシー場ニス・ケミカルφコはユニケーyヨン(J、
C1S、 Chem、Commu、)1981% 3
17頁〕。この手法は該アセチレン重合体にα04−、
′BF4− PF6−、 等の如きアニオ
ンまたはR4N”(R:アルキル基)の如きカチオンを
電気化学的にドーグしp型またはn型のアセチレン重合
体を得る方法である。
しかしながら、このように有用なアセチレン重合体は酸
素によって容易に酸化劣化を受けるという欠点を有して
いた。この欠点のために該アセチレン重合体の取シ扱い
は困難であってまた高価な装置も必要であった。
素によって容易に酸化劣化を受けるという欠点を有して
いた。この欠点のために該アセチレン重合体の取シ扱い
は困難であってまた高価な装置も必要であった。
更に電気化学的に上記の如きアニオンあるいは :
カチオンをドープする場合、これらのドーパントの反応
性(アニオンの場合には酸化力)が該アセチレン重合体
の化学的安定性よりも高いために、該アセチレン重合体
が劣化することなくドープできるドーパントの量はアセ
チレン重合体の繰シ返し単位CH1モル当シ高々2.5
〜6モルチであつも該アセチレン重合体の化学的安定性
を向上させアセチレン重合体が劣化することなくドープ
できるドーパントの童を向上させることはアセチレン重
合体を電極に用いた二次電池のエネルギー密度を高めた
シ、あるいはアセチレン重合体にドーパントをドープし
て得られる各種の電気・電子材料を製造する点からも、
!賛な課題であった。
カチオンをドープする場合、これらのドーパントの反応
性(アニオンの場合には酸化力)が該アセチレン重合体
の化学的安定性よりも高いために、該アセチレン重合体
が劣化することなくドープできるドーパントの量はアセ
チレン重合体の繰シ返し単位CH1モル当シ高々2.5
〜6モルチであつも該アセチレン重合体の化学的安定性
を向上させアセチレン重合体が劣化することなくドープ
できるドーパントの童を向上させることはアセチレン重
合体を電極に用いた二次電池のエネルギー密度を高めた
シ、あるいはアセチレン重合体にドーパントをドープし
て得られる各種の電気・電子材料を製造する点からも、
!賛な課題であった。
アセチレン重合体の酸化安定性と化学的安定性を改良す
る試みもしばしば行われている。
る試みもしばしば行われている。
(1)を導性扁分子の素面をスルトンあるいはスルホン
酸(fHlハフ’ロパンスルトン)テコートシタもの(
米国特許願第556,739号)。
酸(fHlハフ’ロパンスルトン)テコートシタもの(
米国特許願第556,739号)。
(2)電導性高分子をあらかじめアクセプターでドープ
し、それをチオフエ/あるいはビロールの溶液あるいは
蒸気にさらすことによって作製される、電導性高分子の
表面をアクセプターをドープした′d14性高分子とチ
オフェン、ビロール、アズレンあるいはアニリンの重合
体によってコートした構造のもの(米国特許第4.47
2,488号)。
し、それをチオフエ/あるいはビロールの溶液あるいは
蒸気にさらすことによって作製される、電導性高分子の
表面をアクセプターをドープした′d14性高分子とチ
オフェン、ビロール、アズレンあるいはアニリンの重合
体によってコートした構造のもの(米国特許第4.47
2,488号)。
(8) アセチレン重合体にフッ素ガスによってフッ
素ドープを行ったもの(特願昭59−247469号)
。
素ドープを行ったもの(特願昭59−247469号)
。
(4) アセチレン重合体にフッ累アニオンを電気化
学的にドープしたもの(特願@60−104734号)
。
学的にドープしたもの(特願@60−104734号)
。
(6) アクセプターをドープしたアセチレン重合体
素面においてビロールを電解重合させたもの(特開昭5
9−8723号)。
素面においてビロールを電解重合させたもの(特開昭5
9−8723号)。
上記の方法が提案されているが、(1)の方法を用いた
場合にはアセチレン重合体の酸化安定性と化学的安定性
は実用上十分なものではなかった。また(2)または(
6)の方法を用いた場合にはアセチレン重合体を酸化力
の強いアクセプター(α04 、 PFa 。
場合にはアセチレン重合体の酸化安定性と化学的安定性
は実用上十分なものではなかった。また(2)または(
6)の方法を用いた場合にはアセチレン重合体を酸化力
の強いアクセプター(α04 、 PFa 。
BF4 、等)によってあらかじめ数モルチの程度まで
ドーピング処理を施さねばならなかった。そして上記の
反応の後にあらかじめドープしたドーパントを除こうと
しても数モルチが残留してしまい、このためにアセチレ
ン重合体が本来有する有用な性能が低下した。それ故上
記の方法で処理したアセチレン重合体の用途も限定され
るという欠点があった。
ドーピング処理を施さねばならなかった。そして上記の
反応の後にあらかじめドープしたドーパントを除こうと
しても数モルチが残留してしまい、このためにアセチレ
ン重合体が本来有する有用な性能が低下した。それ故上
記の方法で処理したアセチレン重合体の用途も限定され
るという欠点があった。
而して本発明の目的は、アセチレン重合体が本来有する
電気・電子材料としての高い有用性を失うことなく、さ
らに酸化安定性と化学的安定性が大幅に改良されたアセ
チレン重合体を提供することである。
電気・電子材料としての高い有用性を失うことなく、さ
らに酸化安定性と化学的安定性が大幅に改良されたアセ
チレン重合体を提供することである。
本発明者らは上記の目的に鑑みて鋭意研究したところ、
支持電解質存在下でアセチレン重合体をドープせずに陽
極としてチオフェンあるいは置換チオフェンを電気化学
的に重合することによって得られる複合体はアセチレン
重合体が本来有する有用な特性を失うことなく著しく酸
化安定性および化学的安定性が向上することを認め本発
明に至った。
支持電解質存在下でアセチレン重合体をドープせずに陽
極としてチオフェンあるいは置換チオフェンを電気化学
的に重合することによって得られる複合体はアセチレン
重合体が本来有する有用な特性を失うことなく著しく酸
化安定性および化学的安定性が向上することを認め本発
明に至った。
本発明において用いられるアセチレン重合体はアクセプ
ターによるドーピング処理を行わないものである事は重
要である0 アセチレン重合体にアクセプター(α04 、 BF4
等)を多盪にドープしたものの表面において、チオフェ
ン、ビロール、アニリン等の複素環あるいは芳香族化合
物を重合させることはすでに知られている(米国特許第
4.472,488号)。これは重合触媒となるアクセ
プターをドープしたアセチレン重合体を上記七ツマ−の
蒸気にさらすことによって、あるいは上記モノマーを含
む溶液に浸すことによって行うことができる。この場合
にはアクセプターは重合の開始点となるために存在は不
可欠なものであった。また使用するアクセプターも電子
吸引性の強いものを用いる必要があった。そして反応終
了の後にあらかじめドープしたアクセプターを除こうと
しても数モルー〇濃度のアクセプターが残留してしまう
ためにこれが後に使用する場合に物性に悪形書をおよほ
してしまうという欠点があった。
ターによるドーピング処理を行わないものである事は重
要である0 アセチレン重合体にアクセプター(α04 、 BF4
等)を多盪にドープしたものの表面において、チオフェ
ン、ビロール、アニリン等の複素環あるいは芳香族化合
物を重合させることはすでに知られている(米国特許第
4.472,488号)。これは重合触媒となるアクセ
プターをドープしたアセチレン重合体を上記七ツマ−の
蒸気にさらすことによって、あるいは上記モノマーを含
む溶液に浸すことによって行うことができる。この場合
にはアクセプターは重合の開始点となるために存在は不
可欠なものであった。また使用するアクセプターも電子
吸引性の強いものを用いる必要があった。そして反応終
了の後にあらかじめドープしたアクセプターを除こうと
しても数モルー〇濃度のアクセプターが残留してしまう
ためにこれが後に使用する場合に物性に悪形書をおよほ
してしまうという欠点があった。
我々は上記の欠点を改良するためにあらかじめアクセプ
タードープを行vない(未ドープ)アセチレン重合体を
用い−C各種の蚊素塊化合物重合体あるいは芳香族化合
物重合体とアセチレン重合体との複合体の検討を行った
。その結果、未ドープのアセチレン重合体を用いた場合
において得られた特定のり合体は形態が安定であシ従来
のものと比較し、格段に優れた酸化安定性と化学的安定
性を示し、またアセチレン重合体が本来有する特性を損
うことはなかった。
タードープを行vない(未ドープ)アセチレン重合体を
用い−C各種の蚊素塊化合物重合体あるいは芳香族化合
物重合体とアセチレン重合体との複合体の検討を行った
。その結果、未ドープのアセチレン重合体を用いた場合
において得られた特定のり合体は形態が安定であシ従来
のものと比較し、格段に優れた酸化安定性と化学的安定
性を示し、またアセチレン重合体が本来有する特性を損
うことはなかった。
また上記方法はあらかじめアクセプタードープを行う必
要かないために、作業工程が大幅に短縮された。このた
め従来の方法においてはドープ時間も含めて反応には数
十分以上の時間が必要であったが、本発明の方法では反
応に必要な時間は数分から数十分と短縮された。
要かないために、作業工程が大幅に短縮された。このた
め従来の方法においてはドープ時間も含めて反応には数
十分以上の時間が必要であったが、本発明の方法では反
応に必要な時間は数分から数十分と短縮された。
未ドープのアセチレン重合体を陽極として電解重合によ
って複合体を得ようとする場合には、アセチレン重合体
の電気伝導度が低いために安定な複合体を得ることがで
きる反応系はチオフェンあるいは置換チオフェンを用い
た場合に限られた。
って複合体を得ようとする場合には、アセチレン重合体
の電気伝導度が低いために安定な複合体を得ることがで
きる反応系はチオフェンあるいは置換チオフェンを用い
た場合に限られた。
ビロールあるいは置換ビロールを用いた場合には陽極側
で生成したビロール重合体がアセチレン重合体式面に付
着することができず微粒子の状態で次々に脱落してしま
うために、反応浴液が深青色に着色する様子がうかがえ
た。また他のモノマーを用いた場合でもアセチレン重合
体光面からtS重合によって生成した重合体が次々に脱
落するものが多かった。チオフェンあるいは置換チオフ
ェンを用いた場合には反応中に重合体の脱落による溶液
の着色はなかった。
で生成したビロール重合体がアセチレン重合体式面に付
着することができず微粒子の状態で次々に脱落してしま
うために、反応浴液が深青色に着色する様子がうかがえ
た。また他のモノマーを用いた場合でもアセチレン重合
体光面からtS重合によって生成した重合体が次々に脱
落するものが多かった。チオフェンあるいは置換チオフ
ェンを用いた場合には反応中に重合体の脱落による溶液
の着色はなかった。
未ドープアセチレン重合体を陽極として電N重合によっ
て複合体を得ようとする場合には電解型 □合によ
って生ずる重合体とアセチレン重合体との □親和
性のようなものが非常にi要な要素になると思われ、ま
た得られたものの物性の測定を行ったところ、例えば過
塩素酸イオンの電気化学的ドーピングに対する試験では
チオフェンあるいは置換チオフェンを用いて合成した複
合体は格段に化学的安定性能が向上していたが、反応中
にT8液の着色が観察されたもの(ビロールを用いて合
成した複合体)はかえって性能が低下する傾向にあつ九
本発明において得られる複合体の電導塵は一般的には1
0 Ω α 程度であるが、これにさらにヨウ素ドーピ
ングを行った場合には電導塵は300Ωα 程度に達す
る。この値はアセチレン重合体にヨウ素ドーピングを行
った場合の到達電導層(100〜800Ωc1n)よシ
低いがチオフェン重合体にヨウ素ドーピングを行った場
合の値(10”−”〜10ΩcIL)よりはるかに大き
い。このことは本発明で得られたものがアセチレン重合
体の表面が単にチオフェン重合体で被覆されたものでな
いことを示している。本発明で得られたものの詳細な構
造については不明であるが、名称としては複合体と呼ぶ
のが適当と考え、本文においてもその言葉を用いた。
て複合体を得ようとする場合には電解型 □合によ
って生ずる重合体とアセチレン重合体との □親和
性のようなものが非常にi要な要素になると思われ、ま
た得られたものの物性の測定を行ったところ、例えば過
塩素酸イオンの電気化学的ドーピングに対する試験では
チオフェンあるいは置換チオフェンを用いて合成した複
合体は格段に化学的安定性能が向上していたが、反応中
にT8液の着色が観察されたもの(ビロールを用いて合
成した複合体)はかえって性能が低下する傾向にあつ九
本発明において得られる複合体の電導塵は一般的には1
0 Ω α 程度であるが、これにさらにヨウ素ドーピ
ングを行った場合には電導塵は300Ωα 程度に達す
る。この値はアセチレン重合体にヨウ素ドーピングを行
った場合の到達電導層(100〜800Ωc1n)よシ
低いがチオフェン重合体にヨウ素ドーピングを行った場
合の値(10”−”〜10ΩcIL)よりはるかに大き
い。このことは本発明で得られたものがアセチレン重合
体の表面が単にチオフェン重合体で被覆されたものでな
いことを示している。本発明で得られたものの詳細な構
造については不明であるが、名称としては複合体と呼ぶ
のが適当と考え、本文においてもその言葉を用いた。
本発明において用いられるアセチレン重合体は従来公知
の方法(列えば特開昭58−42625号あるいは特公
昭48−32581号)にょシ得られたアセチレン重合
体がそのまま使用される。これらの重合体はドーピング
処理を行った場合に電導塵が二桁以上上昇する程度に共
役系が延びている重合 □体である。また形状は粉
末状、繊維状、フィルム状、ゲル状、塊状等いずれの形
状のものでもよい。 :未・ドープのアセチレン重合
体をハロゲンおよび □i□五フッ化ヒ素等のアク
セプターでドープした場合にはドーパント濃度が2〜3
モル−〇所まで電気伝導度は急激に増加し、それ以上で
ははtYf!和す、6 j & 、、iirより、□い
、。ア第54h”、フイ じト ジカ# −v p −(Appl、Phys、 Let
t、 ) 33巻、18 (頁(,9□8年)〕
。お。時。アセチレン重合体。 ル 活性化エネルギーも2〜3%clドーパントa度ま
弘で急激に減少し、それ以上の濃度ではほぼ一定の値
を示すこともすでに知られている〔ジャーナル □
″・オプ・ケミカル・フィジックス(J、Chem、
Phys、) ’69巻、5098頁(1978年
)〕。この活性化エネ ′ルギーの小さい領域が金
属領域である。
の方法(列えば特開昭58−42625号あるいは特公
昭48−32581号)にょシ得られたアセチレン重合
体がそのまま使用される。これらの重合体はドーピング
処理を行った場合に電導塵が二桁以上上昇する程度に共
役系が延びている重合 □体である。また形状は粉
末状、繊維状、フィルム状、ゲル状、塊状等いずれの形
状のものでもよい。 :未・ドープのアセチレン重合
体をハロゲンおよび □i□五フッ化ヒ素等のアク
セプターでドープした場合にはドーパント濃度が2〜3
モル−〇所まで電気伝導度は急激に増加し、それ以上で
ははtYf!和す、6 j & 、、iirより、□い
、。ア第54h”、フイ じト ジカ# −v p −(Appl、Phys、 Let
t、 ) 33巻、18 (頁(,9□8年)〕
。お。時。アセチレン重合体。 ル 活性化エネルギーも2〜3%clドーパントa度ま
弘で急激に減少し、それ以上の濃度ではほぼ一定の値
を示すこともすでに知られている〔ジャーナル □
″・オプ・ケミカル・フィジックス(J、Chem、
Phys、) ’69巻、5098頁(1978年
)〕。この活性化エネ ′ルギーの小さい領域が金
属領域である。
本発明において用いられる実質的に未ドープアセチレン
重合体とは電気伝導度が絶縁体から半導 1体領域に
あるものであって、金属領域にあるもの ゛は含まな
い。
重合体とは電気伝導度が絶縁体から半導 1体領域に
あるものであって、金属領域にあるもの ゛は含まな
い。
本発明において用いられるアセチレン重合体は未ドープ
状態のものが最も好ましいが、電気伝導度が絶縁体から
半専体までの領域ならばドープを行ってもよい。しかし
ドープ麓を上げることは好ましくなく、ドープ菫が増大
するに従い複合体の性能は低下する傾向にある。
状態のものが最も好ましいが、電気伝導度が絶縁体から
半専体までの領域ならばドープを行ってもよい。しかし
ドープ麓を上げることは好ましくなく、ドープ菫が増大
するに従い複合体の性能は低下する傾向にある。
本発明において複合体中に含有されるチオフェン重合体
あるいは置換チオフェン重合体の含有量に制限はないが
、アセチレン重合体あたJ1wt%C*t96)〜20
0 wt%にするのが良い。よシ好ましくは3wt%〜
l OQ wt%の範囲が良く、特に好ましくは5 w
tチ〜50Wt*の範囲がよい。該チオフェア重合体あ
るいは置換チオフェン重合体の含有量を必要以上に増大
させると酸化安定性は向上するがヨウ累ドーピングを行
った場合の到達電気伝導度が低下し、アセチレン重合体
の本来有する特性が低下する傾向が生じる。含有量が5
wt%〜50 wt%の範囲にある場合にはアセチレ
ン重合体の本来の特性が低下することなく顕著な酸化安
定性と化学的安定性を有する複合体が得られる。
あるいは置換チオフェン重合体の含有量に制限はないが
、アセチレン重合体あたJ1wt%C*t96)〜20
0 wt%にするのが良い。よシ好ましくは3wt%〜
l OQ wt%の範囲が良く、特に好ましくは5 w
tチ〜50Wt*の範囲がよい。該チオフェア重合体あ
るいは置換チオフェン重合体の含有量を必要以上に増大
させると酸化安定性は向上するがヨウ累ドーピングを行
った場合の到達電気伝導度が低下し、アセチレン重合体
の本来有する特性が低下する傾向が生じる。含有量が5
wt%〜50 wt%の範囲にある場合にはアセチレ
ン重合体の本来の特性が低下することなく顕著な酸化安
定性と化学的安定性を有する複合体が得られる。
本発明において用いられるチオフェンま喪は置換チオフ
ェン(以下チオフェン類という)としては、チオフェン
自体及びチオフェン骨格の任意の位置(好ましくは3.
4位の位置)が任意の置換基で置換され九チオフェンで
ある。該置換基を例示するとメチル、エチル等の炭素数
が4個までの低級アルキル基、メトキシ、エトキク等の
炭素数が4個までの低級アルコキシ基、ハロゲン、カル
ボキシル基、複素環、芳香環が挙げられる。また置換基
数は2個以上でもよい。チオフェン類はダイマー或はオ
リゴi−の形態を取っていてもよい。
ェン(以下チオフェン類という)としては、チオフェン
自体及びチオフェン骨格の任意の位置(好ましくは3.
4位の位置)が任意の置換基で置換され九チオフェンで
ある。該置換基を例示するとメチル、エチル等の炭素数
が4個までの低級アルキル基、メトキシ、エトキク等の
炭素数が4個までの低級アルコキシ基、ハロゲン、カル
ボキシル基、複素環、芳香環が挙げられる。また置換基
数は2個以上でもよい。チオフェン類はダイマー或はオ
リゴi−の形態を取っていてもよい。
具体的な化合物を列挙すると次のものが挙げられる。3
−メチルチオフェン等のモノアルキルチオ7エン、3,
4−ジメチルチオフェン等のジアルキルチオフェン、3
−ブロモチオフェンまたハ3゜4−ジブロモチオフェン
等のモノまたはジハロゲン化チオフェン、3−メトキシ
チオフェンま九は3.4−ジメトキシチオ7二ン等のモ
ノまたはジアルコキシチオフェン、2.2−ビチオフェ
ン等のチオフェンのダイマーまたはオリゴマーまたはイ
ンチアナフテン寺の芳香環または複素環で直接置換され
た化合物である。これらの七ツマ−は単独であるいは混
合して用いてもよい。
−メチルチオフェン等のモノアルキルチオ7エン、3,
4−ジメチルチオフェン等のジアルキルチオフェン、3
−ブロモチオフェンまたハ3゜4−ジブロモチオフェン
等のモノまたはジハロゲン化チオフェン、3−メトキシ
チオフェンま九は3.4−ジメトキシチオ7二ン等のモ
ノまたはジアルコキシチオフェン、2.2−ビチオフェ
ン等のチオフェンのダイマーまたはオリゴマーまたはイ
ンチアナフテン寺の芳香環または複素環で直接置換され
た化合物である。これらの七ツマ−は単独であるいは混
合して用いてもよい。
本発明の複合体を製造する際には置換されていないチオ
フェンが特に有利であるが、3位が炭素原子で11!換
されたモノアルキルチオフェン、特にアルキル基中に1
〜3 Iffの炭素原子を有するもの、あるいハ3,4
−ジアルキルチオフェン、3−ブロモチオフェン、3−
メトキシチオフェン、3.4−ジメトキシチオフェン、
2.i−ビチオフェンモ有利である。
フェンが特に有利であるが、3位が炭素原子で11!換
されたモノアルキルチオフェン、特にアルキル基中に1
〜3 Iffの炭素原子を有するもの、あるいハ3,4
−ジアルキルチオフェン、3−ブロモチオフェン、3−
メトキシチオフェン、3.4−ジメトキシチオフェン、
2.i−ビチオフェンモ有利である。
電解重合に基づくアセチレン重合体とチオフェン類重合
体との複合体の合成には、陽極として未ドープのアセチ
レン重合体を用いる以外は電解重合によってチオフェア
重合体を得る従来公知の手法がそのまま採用される〔ジ
ャーナル・オプ・フィジカル・り6ストリー(J 、P
hys、Chem、)1983年、87巻%1459〜
1463頁〕。
体との複合体の合成には、陽極として未ドープのアセチ
レン重合体を用いる以外は電解重合によってチオフェア
重合体を得る従来公知の手法がそのまま採用される〔ジ
ャーナル・オプ・フィジカル・り6ストリー(J 、P
hys、Chem、)1983年、87巻%1459〜
1463頁〕。
即ち支持電解質としては一価金属イオン(Li”。
K” Na” Rb”、Ag” 等) 1 タハy
−) ニア yル*ルyンモニウムイオンとルイス酸イ
オン(BF4− 、PF6−。
−) ニア yル*ルyンモニウムイオンとルイス酸イ
オン(BF4− 、PF6−。
AaFs″″、α04−等)から成る塩を6媒(アセト
ニトリル、ベンゾニトリル、フロピレンカーボネート、
ジメチルフォルムアミド、テトラハイドロフラン、ニト
ロベンゼン等) K O,1へ1モル/l程に溶かした
溶液が用いられる。重合しようとするモノマーであるチ
オフェン類は0.01〜1モル/lの儂度で混入される
。この除塩は市販のものを熱安定性を考慮して80℃〜
160℃での真空加熱脱気を20時間以上行ったものを
用いるのがよい。またモノマーおよびM媒は加熱蒸留あ
るいは真空加P8蒸留を行った後に更に真空ラインを用
いて減圧蒸留を行ったものを使用するのがよい。このよ
うな方法で精製、乾燥、脱気した電解液を用いて合成し
た複合体は米粒製の電解液を用いて得られるものよりド
ーピング特性等の?S気的特性が渣れている。
ニトリル、ベンゾニトリル、フロピレンカーボネート、
ジメチルフォルムアミド、テトラハイドロフラン、ニト
ロベンゼン等) K O,1へ1モル/l程に溶かした
溶液が用いられる。重合しようとするモノマーであるチ
オフェン類は0.01〜1モル/lの儂度で混入される
。この除塩は市販のものを熱安定性を考慮して80℃〜
160℃での真空加熱脱気を20時間以上行ったものを
用いるのがよい。またモノマーおよびM媒は加熱蒸留あ
るいは真空加P8蒸留を行った後に更に真空ラインを用
いて減圧蒸留を行ったものを使用するのがよい。このよ
うな方法で精製、乾燥、脱気した電解液を用いて合成し
た複合体は米粒製の電解液を用いて得られるものよりド
ーピング特性等の?S気的特性が渣れている。
重合中における水又は酸素の存在は複合体の性質を低下
させる。
させる。
アセチレン重合体を不活性金属の白金板またはニッケル
板等の陽極板上に固定することによシ陽極を構成する。
板等の陽極板上に固定することによシ陽極を構成する。
アセチレン重合体の面積は陽極板の面積と同等のものを
用いるのがよい0陰極側も白金板が良いがニッケル板で
もよい。
用いるのがよい0陰極側も白金板が良いがニッケル板で
もよい。
セルの構造は通常の電解重合に使用する構造のものをそ
のまま用いてよい。空気中の酸素や水分の影響を避ける
ためにアルゴンガス雰吐気のドライボックス中で反応を
行うのがよいが、アルゴン置俣を行ったセル中で反応を
行ってもよ齢。電解重合用の電源は電圧O〜士SOV、
電流は0〜I八程への定電圧電源か定電流電源を用いる
0複合体中に含有される電解重合に基づくチオフェン類
重合体の含有量の調節は流れた電荷量の調節によって行
うことができる。好ましい電流量はアセチレン重合体1
dあたり1〜10mAである。電流を一定にした場合に
は通電電荷量は時間に比的するため電圧印加時間を調節
することによってチオフェン類重合体の重合量を調節で
きる。好ましい複合体が得られる条件は電流量をアセチ
レン重合体1−あたり3〜6 m Aとし電圧印加時間
を数分以上20分以下にした場合である。
のまま用いてよい。空気中の酸素や水分の影響を避ける
ためにアルゴンガス雰吐気のドライボックス中で反応を
行うのがよいが、アルゴン置俣を行ったセル中で反応を
行ってもよ齢。電解重合用の電源は電圧O〜士SOV、
電流は0〜I八程への定電圧電源か定電流電源を用いる
0複合体中に含有される電解重合に基づくチオフェン類
重合体の含有量の調節は流れた電荷量の調節によって行
うことができる。好ましい電流量はアセチレン重合体1
dあたり1〜10mAである。電流を一定にした場合に
は通電電荷量は時間に比的するため電圧印加時間を調節
することによってチオフェン類重合体の重合量を調節で
きる。好ましい複合体が得られる条件は電流量をアセチ
レン重合体1−あたり3〜6 m Aとし電圧印加時間
を数分以上20分以下にした場合である。
印加する電圧はモノマー、支持奄解貞、溶媒の種類によ
って異なるが1通常2〜20Vの範囲がよい。電解1合
時の温度は一40℃〜30°Cの間がよく、唇に好まし
くは一40℃〜5℃の範囲である0所望のチオフェンM
重合体の含有差に遵した後に電圧の印加を止め、陽極と
#i極とを30分〜20時間程度短絡する0そして得ら
れた複合体を電解液中より准り出し真空乾1N!七行う
。*m重合に使用した溶媒がニトロベンゼン、プロピレ
ンカーボネート等の?4沸点浴媒の場合には覆合体に付
着した溶媒をアセトニトリル、メタノール、ヘキサン等
の低沸点溶媒によって洗い流した後に真空乾燥を行うと
よい。得られる重合体の′a気伝4には1O−40−I
C,−1〜10−10−1.A−1である。
って異なるが1通常2〜20Vの範囲がよい。電解1合
時の温度は一40℃〜30°Cの間がよく、唇に好まし
くは一40℃〜5℃の範囲である0所望のチオフェンM
重合体の含有差に遵した後に電圧の印加を止め、陽極と
#i極とを30分〜20時間程度短絡する0そして得ら
れた複合体を電解液中より准り出し真空乾1N!七行う
。*m重合に使用した溶媒がニトロベンゼン、プロピレ
ンカーボネート等の?4沸点浴媒の場合には覆合体に付
着した溶媒をアセトニトリル、メタノール、ヘキサン等
の低沸点溶媒によって洗い流した後に真空乾燥を行うと
よい。得られる重合体の′a気伝4には1O−40−I
C,−1〜10−10−1.A−1である。
両極と陰極とを短絡することなく電圧印加の停止直後に
複合体を電解液中より取9出した場合には電気伝導度が
誦い(10−”Ω−’ Cl1−” % 102Q−’
cm−” )複合体が得られる。
複合体を電解液中より取9出した場合には電気伝導度が
誦い(10−”Ω−’ Cl1−” % 102Q−’
cm−” )複合体が得られる。
本発明においては電解重合時のモノマーとしてチオフェ
ン類が存在することが本質的である。チオフェア類が存
在しなければ本発明の効果は得られない。
ン類が存在することが本質的である。チオフェア類が存
在しなければ本発明の効果は得られない。
不発明の複合体は未ドープのアセチレン重合体を陽極と
してチオフェン類を電気化学的に重合することによって
得られるが、本発明の効果を損なわない範囲で他の電解
重合を行うモノマーとチオフェン類を混合して用いても
よい。この場合に併用されるモノマーとしてはピロール
および置換ピロールあるいは芳香族化合物等があげられ
る。電解重合条件はチオフェア類の場合と同じ反応条件
を用いることができる。
してチオフェン類を電気化学的に重合することによって
得られるが、本発明の効果を損なわない範囲で他の電解
重合を行うモノマーとチオフェン類を混合して用いても
よい。この場合に併用されるモノマーとしてはピロール
および置換ピロールあるいは芳香族化合物等があげられ
る。電解重合条件はチオフェア類の場合と同じ反応条件
を用いることができる。
本発明に基づき製造された複合体はそのままで或は電気
伝導度を所望の値にするために各種のドナーやアクセプ
ターをドープした後必要な後加工を施すことによシ種々
の電気・電子材料としてM用である0し1jえば電極、
スイッチ、二次電池の電極活物質、太陽電池、半導体素
子、電気伝導体として使用することができる。特に不発
明の方法によって得られる該複合体は従来のアセチレン
重合体の有用な特性を生かしたまま、従来のアセチレン
重合体の芙用上の大きな煩所である酸化簀に性と化学的
安定性の悪さが大輪に改良されている。
伝導度を所望の値にするために各種のドナーやアクセプ
ターをドープした後必要な後加工を施すことによシ種々
の電気・電子材料としてM用である0し1jえば電極、
スイッチ、二次電池の電極活物質、太陽電池、半導体素
子、電気伝導体として使用することができる。特に不発
明の方法によって得られる該複合体は従来のアセチレン
重合体の有用な特性を生かしたまま、従来のアセチレン
重合体の芙用上の大きな煩所である酸化簀に性と化学的
安定性の悪さが大輪に改良されている。
以下実施例によシネ発明をより具体的に説明する0
参考例1
〔アセチレン重合体膜の合成〕
高純度アルゴン雰囲気下で200 mlのガラス製反応
容器に20.0mのトルエンに溶解させた3、4d(1
0、Oミリモル)のチタニウムテトラブトキサイドを加
え一78℃に冷却゛した後に攪拌しながら3.8g/(
28,1ミリモル)のトリエチルアルミニウムを加えて
反応させた。反応容器を室温において1時間放置するこ
とによって触媒溶液を熟成させた。次いでこの反応容器
をドライアイス−メタノール寒剤で一78℃に冷却し、
系中の高純度アルゴンガスを真空ポンプで排気した。
容器に20.0mのトルエンに溶解させた3、4d(1
0、Oミリモル)のチタニウムテトラブトキサイドを加
え一78℃に冷却゛した後に攪拌しながら3.8g/(
28,1ミリモル)のトリエチルアルミニウムを加えて
反応させた。反応容器を室温において1時間放置するこ
とによって触媒溶液を熟成させた。次いでこの反応容器
をドライアイス−メタノール寒剤で一78℃に冷却し、
系中の高純度アルゴンガスを真空ポンプで排気した。
反応容器を強く回転させて触媒溶液を反応容器の内壁に
均一に付着させ九後、反応容器を−78℃の温度に保ち
静止させた状態で直ちに1気圧の圧力の精製アセチレン
ガスを導入して重合を開始した。重合開始と同時に反応
容器の内壁に金属光沢を有するアセチレン重合体が析出
した。その後アセチレン重合体をおよそ1気圧に保ちつ
つ10分間重合を行った後未反応の7セテレンを真空ポ
ンプで排気し重合を停止した。高純度アルゴン雰囲気下
で残存り媒溶液を注射器で除去した後精製トルエン30
WI!で20回洗浄を操り返し、次いで室温で真空乾燥
した。
均一に付着させ九後、反応容器を−78℃の温度に保ち
静止させた状態で直ちに1気圧の圧力の精製アセチレン
ガスを導入して重合を開始した。重合開始と同時に反応
容器の内壁に金属光沢を有するアセチレン重合体が析出
した。その後アセチレン重合体をおよそ1気圧に保ちつ
つ10分間重合を行った後未反応の7セテレンを真空ポ
ンプで排気し重合を停止した。高純度アルゴン雰囲気下
で残存り媒溶液を注射器で除去した後精製トルエン30
WI!で20回洗浄を操り返し、次いで室温で真空乾燥
した。
、−*媒溶液がガラス製の反応器内壁に付着した部分に
その部分と面積が等しく厚さが150μmでシス含量が
98チのアセチレン重合体嘆が得られたQ このアセチレン重合体膜の電気伝導度をアセチレン正合
体1漠の表・裏画面に金属金を蒸着することによって電
極を取り付け、測定した。電気伝導度は25℃の温度に
おいてlXl0−’Ω−1α−1であった。またこれに
ヨウ素ドープを行ったところ電気伝導度は7800−1
cIn″−Itで上昇した。
その部分と面積が等しく厚さが150μmでシス含量が
98チのアセチレン重合体嘆が得られたQ このアセチレン重合体膜の電気伝導度をアセチレン正合
体1漠の表・裏画面に金属金を蒸着することによって電
極を取り付け、測定した。電気伝導度は25℃の温度に
おいてlXl0−’Ω−1α−1であった。またこれに
ヨウ素ドープを行ったところ電気伝導度は7800−1
cIn″−Itで上昇した。
実施例1
〔アセチレン重合体とチオフェン重合体との複合体の合
成〕 参考レリ1で合成したアセチレン重合体膜より、幅が1
.5cm長さが51の小片を切シ出した0この小片の重
量は0.0440Fであった。電解液としてハチドラフ
ルオロはう酸テトラノル々ルプチルア<モニタA :
((CH3) (CF(2)3:14NBF4ノo、
1−r−ル/!のアセトニトリル溶液50dを用いた。
成〕 参考レリ1で合成したアセチレン重合体膜より、幅が1
.5cm長さが51の小片を切シ出した0この小片の重
量は0.0440Fであった。電解液としてハチドラフ
ルオロはう酸テトラノル々ルプチルア<モニタA :
((CH3) (CF(2)3:14NBF4ノo、
1−r−ル/!のアセトニトリル溶液50dを用いた。
テトラフルオロはう酸テトラノルマルブチルアンモニウ
ムは140℃にて20時間真空乾燥を行ったものを用い
た。またアセトニトリルは常圧で2回蒸留を行った後に
さらに真空4留を行ったものを用いた0モノマーにはチ
オフェンを用いた。チオフェンは蒸留等の操作によって
精製した。電解液中でのモノマ一端層は0.3モル/l
とした。1走実験は高純度アルゴン下で行った。
ムは140℃にて20時間真空乾燥を行ったものを用い
た。またアセトニトリルは常圧で2回蒸留を行った後に
さらに真空4留を行ったものを用いた0モノマーにはチ
オフェンを用いた。チオフェンは蒸留等の操作によって
精製した。電解液中でのモノマ一端層は0.3モル/l
とした。1走実験は高純度アルゴン下で行った。
アセチレン重合体膜の上記小片は白金線によりリードさ
れた白金板に取り付けられ陽極とされた。 ゛白金
板の大きさはアセチレン重合体の小片と同面情とした。
れた白金板に取り付けられ陽極とされた。 ゛白金
板の大きさはアセチレン重合体の小片と同面情とした。
一方陰極には白金線によシリードされた白金板が用いら
れた。陽極側と陰グτiffを篭*p液中に浸した後に
系内を数秒間減圧し、高純度アルゴンガスによる置換を
行った。この操作を数回繰buし、アセチレン重合体膜
中に存在する気泡の脱気を行った。
れた。陽極側と陰グτiffを篭*p液中に浸した後に
系内を数秒間減圧し、高純度アルゴンガスによる置換を
行った。この操作を数回繰buし、アセチレン重合体膜
中に存在する気泡の脱気を行った。
系内の@度を4℃に保ち、電圧4.OV、電流27?M
Aの条件で1[解液を攪拌しながら7分間通電した。そ
の後陽極と陰極をショートし2時間放置した。得られた
アセチレン重合体とチオフェン重合体との複合体を電解
液中より取り出し室温で10時間真空乾燥を行った。
Aの条件で1[解液を攪拌しながら7分間通電した。そ
の後陽極と陰極をショートし2時間放置した。得られた
アセチレン重合体とチオフェン重合体との複合体を電解
液中より取り出し室温で10時間真空乾燥を行った。
得られた複合体の重量は0.05425’であって、も
とのアセチレン重合体膜に対し23 wt%増加してい
た。また元素分析から求めた複合体の組成は(CH)x
(C4H2S )on3xであった。
とのアセチレン重合体膜に対し23 wt%増加してい
た。また元素分析から求めた複合体の組成は(CH)x
(C4H2S )on3xであった。
複合体の電気伝導度は2 X I 0−2Q−’ cm
−’であって、これにさらにヨウ素ドーピングを行った
ところ電気伝導度は320Ω−’Cm7’まで上昇した
。電気伝導& ノ測定12フィルムを白金線にカーボン
ペースト握 によって接着し2点法か4点法(44針法)によって行
った。試料の電気伝導度がl X 10−2Ω−ICf
fi−1以上の場合には4点法を用いそn以下の場合に
は2点法を用いた。
−’であって、これにさらにヨウ素ドーピングを行った
ところ電気伝導度は320Ω−’Cm7’まで上昇した
。電気伝導& ノ測定12フィルムを白金線にカーボン
ペースト握 によって接着し2点法か4点法(44針法)によって行
った。試料の電気伝導度がl X 10−2Ω−ICf
fi−1以上の場合には4点法を用いそn以下の場合に
は2点法を用いた。
チオフェン類の種類、篭屏實、浴媒、′−圧、電流、電
圧印加時間等の電解条件を変更した以外は実施ガ1JI
e同様にしてイ」々の条件で電解東金を行い重合体を得
た。反応条件をplに示し、得られた複合体の電気的性
質2よび組成を技2に示した。
圧印加時間等の電解条件を変更した以外は実施ガ1JI
e同様にしてイ」々の条件で電解東金を行い重合体を得
た。反応条件をplに示し、得られた複合体の電気的性
質2よび組成を技2に示した。
以下余白
表2 組成および電気伝導度
比較例1
〔アセチレン重合体を陽極としたピロールの電解重合〕
電解液中の七ツマ−をピロールとしモノマー濃度を0.
3モル/lとした。これ以外は実施%J 1と同様にし
て複合体の合成を試みた。
3モル/lとした。これ以外は実施%J 1と同様にし
て複合体の合成を試みた。
系内の温度を4℃に保ち電圧を4.OV印カロした。
この時に流れた電流は26mAであった。電圧印加直後
よシ陽極のポリアセチレン重合体膜上より深青色の微粒
子の沈殿物が生成した。これが溶液内に拡散し九ために
電解液は深青色に着色した。
よシ陽極のポリアセチレン重合体膜上より深青色の微粒
子の沈殿物が生成した。これが溶液内に拡散し九ために
電解液は深青色に着色した。
この沈殿物は重合したピロールがアセチレン重合体膜上
よシ脱落したものと思われた。アセチレン重合体とチオ
フェン重合体の複合体の合成時にはこのような電解液の
着色は起こらず電解液は透明であった。
よシ脱落したものと思われた。アセチレン重合体とチオ
フェン重合体の複合体の合成時にはこのような電解液の
着色は起こらず電解液は透明であった。
両極をショートした後に試料を取シ出した。処理後のア
セチレン重合体の重量はもとのアセチレン重合体に対し
12wt%増加していた。この膜の電気伝導度は3 X
10−4Ω−1i1であったがこれにヨウ素ドーピン
グを行ったところ電気伝導度は2900m まで上昇し
た。
セチレン重合体の重量はもとのアセチレン重合体に対し
12wt%増加していた。この膜の電気伝導度は3 X
10−4Ω−1i1であったがこれにヨウ素ドーピン
グを行ったところ電気伝導度は2900m まで上昇し
た。
比較例2
〔アクセプタードープアセチレン重合体を陽極としたチ
オフェンの電解重合〕 モノマーを添加しないこと以外は実施例1と同様にして
アクセプタードープのための系を調整した0 次いで系内の温度を4℃に保ち電圧を4.Ov印加する
ことによりアクセプターをドープした。この時に流れた
電流は24mAであったが、電圧の印加を20分間続け
たところ電流は15mAまで低下した。続いてチオフェ
ンを0.3モル/lの濃度ま □で系内に添加したと
ころ、電流は28mAまで増加 □(、:、:o)丁
:二二富=::’ sit l料の重量はもとのアセチ
レン重合体に対し42%増加していた。
オフェンの電解重合〕 モノマーを添加しないこと以外は実施例1と同様にして
アクセプタードープのための系を調整した0 次いで系内の温度を4℃に保ち電圧を4.Ov印加する
ことによりアクセプターをドープした。この時に流れた
電流は24mAであったが、電圧の印加を20分間続け
たところ電流は15mAまで低下した。続いてチオフェ
ンを0.3モル/lの濃度ま □で系内に添加したと
ころ、電流は28mAまで増加 □(、:、:o)丁
:二二富=::’ sit l料の重量はもとのアセチ
レン重合体に対し42%増加していた。
アセチレン重合体が酸化劣化を受けやすいことはよく知
られている。アセチレン重合体の酸化劣 □化特性を
次のように測定した。
られている。アセチレン重合体の酸化劣 □化特性を
次のように測定した。
参考例1で得られたアセチレン重合体膜をガラス容器に
入れ、脱気、真空にした後に純粋酸素1気圧を容器内に
入れた。そして25°Cの温度で数時間から数十時間放
置した彼に試料を取り出し室 □温においてヨウ素ド
ープを行った。なおヨウ素ド−プを行った場合の到達電
気伝導度の測定を次のように行った0試料を密閉ガラス
容器(X空ライン)の中に入れ容器内をlXl0−3■
H2の真空度になるまで排気した後に容器内にヨウ素の
蒸気(25℃におけるヨウ素の蒸気圧は0.3 wmH
f ’)を導入し一定時間放置後のヨウ素ドープ試料の
電気伝導度を4点法(四探針法)を用いて測定した。
入れ、脱気、真空にした後に純粋酸素1気圧を容器内に
入れた。そして25°Cの温度で数時間から数十時間放
置した彼に試料を取り出し室 □温においてヨウ素ド
ープを行った。なおヨウ素ド−プを行った場合の到達電
気伝導度の測定を次のように行った0試料を密閉ガラス
容器(X空ライン)の中に入れ容器内をlXl0−3■
H2の真空度になるまで排気した後に容器内にヨウ素の
蒸気(25℃におけるヨウ素の蒸気圧は0.3 wmH
f ’)を導入し一定時間放置後のヨウ素ドープ試料の
電気伝導度を4点法(四探針法)を用いて測定した。
なおヨウ素の蒸気雰囲気下における放置時間は電気伝導
度がほぼ飽和に達する時間に設定された。
度がほぼ飽和に達する時間に設定された。
アセチレン重合体膜の酸素中での放置時間とヨウ素ドー
プ後の到達電気伝導度の関係を表3に示した。またX線
回折法より求めたアセチレン重合体の結晶化度と酸素中
での放置時間の関係もあわせて示した。
プ後の到達電気伝導度の関係を表3に示した。またX線
回折法より求めたアセチレン重合体の結晶化度と酸素中
での放置時間の関係もあわせて示した。
表3(参考例)アセチレン重合体の酸化安定性注)電導
変死;数時間酸素にさらした後にさらにヨウ素ドープを
行った場合の到達電気伝導 度を酸素にさらす前の電気伝導度(こ の場合は780Ω−111)で割った値。
変死;数時間酸素にさらした後にさらにヨウ素ドープを
行った場合の到達電気伝導 度を酸素にさらす前の電気伝導度(こ の場合は780Ω−111)で割った値。
アセチレン重合体の到達電気伝導度は酸素にさらすこと
Kよって大きく低下したが、一方結晶化度はほとんど低
下しなかった。このことはアセチレン重合体の酸化劣化
は電気特性に最も顕著にあられれることを示している。
Kよって大きく低下したが、一方結晶化度はほとんど低
下しなかった。このことはアセチレン重合体の酸化劣化
は電気特性に最も顕著にあられれることを示している。
そしてアセチレン重合体は電気電子材料として用いられ
るために電気特性の劣化が問題となる。このため上記と
同様な手法を用いてアセチレン重合体とチオフェン類重
合体の複合体の酸化劣化特性を評価した0この結果を表
4に示した。
るために電気特性の劣化が問題となる。このため上記と
同様な手法を用いてアセチレン重合体とチオフェン類重
合体の複合体の酸化劣化特性を評価した0この結果を表
4に示した。
以下余白
表4における酸化後の到達電気伝導度の大きさの比較に
よりアセチレン重合体および複合体の酸化安定性の度合
を比較することができる。例えば20時間酸素にさらし
た後にヨウ素ドープを行った場合の到達電気伝導度が2
600−’a+w−’(電導変死で0.81)まで上昇
した複合体(実験番号2)は0.56Ω−’tylI−
’(電導変死で7.2 x 10−’) tでしか上昇
しないアセチレン重合体(参考例1)より格段に酸化安
定性が優れている。
よりアセチレン重合体および複合体の酸化安定性の度合
を比較することができる。例えば20時間酸素にさらし
た後にヨウ素ドープを行った場合の到達電気伝導度が2
600−’a+w−’(電導変死で0.81)まで上昇
した複合体(実験番号2)は0.56Ω−’tylI−
’(電導変死で7.2 x 10−’) tでしか上昇
しないアセチレン重合体(参考例1)より格段に酸化安
定性が優れている。
表4に示されるようにアセチレン重合体とチオフェン類
重合体との複合体の酸化安定性は極めて優れていた。
重合体との複合体の酸化安定性は極めて優れていた。
参考例1%実施例1、比較例1、比較例2で得られた試
料を用い、過塩素酸イオン(α04−)を電気化学的に
ドーピングし、アニオンに対する化学的安定性を試験し
た。化学的安定性が低い場合にはアセチレン重合体める
いは複合体の一部が酸化反応を受けて劣化し可逆的な過
塩素酸イオンの脱着ができなくなる。
料を用い、過塩素酸イオン(α04−)を電気化学的に
ドーピングし、アニオンに対する化学的安定性を試験し
た。化学的安定性が低い場合にはアセチレン重合体める
いは複合体の一部が酸化反応を受けて劣化し可逆的な過
塩素酸イオンの脱着ができなくなる。
実施例1で得られた複合体を用い、負極側に金属リチウ
ム、正極側に複合体を用いた二次電池を試作した。複合
体と金属リチウムはテフロンメンブランフィルタ−(ポ
アサイズ3μ)を介して両極に設置された。電解液には
グロピレンカーボネートに過塩素酸リチウムを1モル/
lの濃度で溶解させたものを40t/用いた。集電用の
電極として正負極とも白金メツシュを用いた。用いた複
合体の大きさは1wX1.5mでろって重量は11′q
であった。なお電池の作製はアルゴン雰囲気下で行った
。
ム、正極側に複合体を用いた二次電池を試作した。複合
体と金属リチウムはテフロンメンブランフィルタ−(ポ
アサイズ3μ)を介して両極に設置された。電解液には
グロピレンカーボネートに過塩素酸リチウムを1モル/
lの濃度で溶解させたものを40t/用いた。集電用の
電極として正負極とも白金メツシュを用いた。用いた複
合体の大きさは1wX1.5mでろって重量は11′q
であった。なお電池の作製はアルゴン雰囲気下で行った
。
この二次電池の定電流充放電特性を測定した。
1mA定シ流充電を60分間行った後に(α04−が複
合体に対して4.4モルチドープされる。複合体はすべ
てアセチレン重合体から成ると仮定した)1mA定電流
放電を行った。
合体に対して4.4モルチドープされる。複合体はすべ
てアセチレン重合体から成ると仮定した)1mA定電流
放電を行った。
複合体の繰り返し充放電1回目の充放電曲線を第1図に
示した。また充放電曲線から求めたエネルギー効率〔(
放電エネルギー)÷(充電エネルギー)〕と電荷効率〔
セル電圧が2vまでの範囲で取シ出せる電荷の割合:(
放電時においてセル電圧が2vまで低下する時間)÷(
充電時間)〕を表5に示した。また繰り返し回数が5回
目、10回目、20回目におけるエネルギー効率と電荷
効率も示した。
示した。また充放電曲線から求めたエネルギー効率〔(
放電エネルギー)÷(充電エネルギー)〕と電荷効率〔
セル電圧が2vまでの範囲で取シ出せる電荷の割合:(
放電時においてセル電圧が2vまで低下する時間)÷(
充電時間)〕を表5に示した。また繰り返し回数が5回
目、10回目、20回目におけるエネルギー効率と電荷
効率も示した。
参考例1、比較例1、比較例2の試料についても同様な
条件で定電流充放電特性の測定を行った。
条件で定電流充放電特性の測定を行った。
表5 充放電線シ返し回数とエネルギー効率および電荷
効率性)E;エネルギー効率(チ) C;電荷効率(%) 表中の“測定不可能”とは電極の劣化のために充放電が
行えなくなったという意味である。
効率性)E;エネルギー効率(チ) C;電荷効率(%) 表中の“測定不可能”とは電極の劣化のために充放電が
行えなくなったという意味である。
第1図と表5に示すように本発明による複合体(実施例
1)は過塩素酸イオンのドープによって劣化することが
ほとんどなく他の比較例に比し、極めて良好な化学的安
定性を示していた。
1)は過塩素酸イオンのドープによって劣化することが
ほとんどなく他の比較例に比し、極めて良好な化学的安
定性を示していた。
本発明に従えばアセチレン重合体の本来布する特性を損
うことなく酸化安定性と化学的安定性が大幅に改良され
た複合体を極めて容易に作ることができる。更に本発明
で得られる複合体は形態が安定であり従来のアセチレン
重合体とまったく同。
うことなく酸化安定性と化学的安定性が大幅に改良され
た複合体を極めて容易に作ることができる。更に本発明
で得られる複合体は形態が安定であり従来のアセチレン
重合体とまったく同。
様に取や扱うことができる。
Claims (1)
- 実質的に未ドープのアセチレン重合体を陽極として支
持電解質存在下で、チオフェンあるいは置換チオフェン
を電気化学的に重合してなる複合体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60147959A JPS627545A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | アセチレン重合体とチオフエン重合体との複合体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60147959A JPS627545A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | アセチレン重合体とチオフエン重合体との複合体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS627545A true JPS627545A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15441951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60147959A Pending JPS627545A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | アセチレン重合体とチオフエン重合体との複合体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS627545A (ja) |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP60147959A patent/JPS627545A/ja active Pending
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