JPS6269602A - 薄膜抵抗の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗の製造方法Info
- Publication number
- JPS6269602A JPS6269602A JP60210498A JP21049885A JPS6269602A JP S6269602 A JPS6269602 A JP S6269602A JP 60210498 A JP60210498 A JP 60210498A JP 21049885 A JP21049885 A JP 21049885A JP S6269602 A JPS6269602 A JP S6269602A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature coefficient
- thin film
- insulating substrate
- film resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
この発明は薄膜抵抗の温度係数をその製造工程において
簡易に測定し、よって薄膜抵抗を効率よく製造できるよ
うにするものである。
簡易に測定し、よって薄膜抵抗を効率よく製造できるよ
うにするものである。
〈従来技術〉
従来、絶縁基板上に抵抗膜を付着した後、その上に接触
抵抗の少ない導体膜を蒸着しく例えば抵抗膜の上にニク
ロムを蒸着し、更にその上に金を蒸着する）、この導体
膜の不要部分をエツチングにより取り除いて電極を形成
した後、この電極を通じて抵抗膜の温度係数を測定し、
良否判別を行っていた。従って最悪の場合は、薄膜抵抗
の温度係数は最初の抵抗膜を絶縁基板に付着させる工程
にのみ依存するのにもかかわらず、製造工程の最終段階
の検査でその薄膜抵抗を全て棄却しなければならないと
いう欠点があった。
抵抗の少ない導体膜を蒸着しく例えば抵抗膜の上にニク
ロムを蒸着し、更にその上に金を蒸着する）、この導体
膜の不要部分をエツチングにより取り除いて電極を形成
した後、この電極を通じて抵抗膜の温度係数を測定し、
良否判別を行っていた。従って最悪の場合は、薄膜抵抗
の温度係数は最初の抵抗膜を絶縁基板に付着させる工程
にのみ依存するのにもかかわらず、製造工程の最終段階
の検査でその薄膜抵抗を全て棄却しなければならないと
いう欠点があった。
〈発明の目的〉
この発明は薄膜抵抗の製造工程中において、その温度係
数を速やかに測定できるようにすることを目的とする。
数を速やかに測定できるようにすることを目的とする。
〈発明の概要〉
例えば窒素とアルゴンの混合気体中でタンタルをグロー
放電させて絶縁基板上に窒化タンタルを付着させるスパ
ッタリング法により薄膜抵抗を製造する場合、その抵抗
の温度係数は混合気体の圧力、窒素の濃度等、初めに行
われるスパノタリングの工程にのみ依存する。従ってこ
の発明による薄膜抵抗の製造方法は、絶縁基板上に電極
が形成された温度係数測定用基板を用意し、薄膜抵抗の
製造工程においてスパッタリング等により抵抗膜を絶縁
基板に付着させる時に、同時に上記絶縁基板と同じ基板
ホルダにセットされた上記温度係数測定用基板上にも抵
抗膜を付着させ、この温度係数測定用基板を用いて薄膜
抵抗の温度係数を測定し、良と判定された基板に対して
のみ、導体膜の蒸着、エツチングを行うことにより電極
を形成して製造を完了するようにしたものである。
放電させて絶縁基板上に窒化タンタルを付着させるスパ
ッタリング法により薄膜抵抗を製造する場合、その抵抗
の温度係数は混合気体の圧力、窒素の濃度等、初めに行
われるスパノタリングの工程にのみ依存する。従ってこ
の発明による薄膜抵抗の製造方法は、絶縁基板上に電極
が形成された温度係数測定用基板を用意し、薄膜抵抗の
製造工程においてスパッタリング等により抵抗膜を絶縁
基板に付着させる時に、同時に上記絶縁基板と同じ基板
ホルダにセットされた上記温度係数測定用基板上にも抵
抗膜を付着させ、この温度係数測定用基板を用いて薄膜
抵抗の温度係数を測定し、良と判定された基板に対して
のみ、導体膜の蒸着、エツチングを行うことにより電極
を形成して製造を完了するようにしたものである。
〈発明の実施例〉
第１図に温度係数測定用基板の一例を示す。第１図人は
上面図、第１図Ｂは断面図である。これは絶縁基板１１
上にニクロム１２、金１３を順次蒸着した後、金１３及
びニクロム１２を図に示すようにエツチングして絶縁基
板１１上に電極を形成したものである。
上面図、第１図Ｂは断面図である。これは絶縁基板１１
上にニクロム１２、金１３を順次蒸着した後、金１３及
びニクロム１２を図に示すようにエツチングして絶縁基
板１１上に電極を形成したものである。
第２図に示すように複数個の絶縁基板２１がセントされ
た基板ホルダ１４の隙間に温度測定用基板２２をセント
する。その断面図を第３図に示す。
た基板ホルダ１４の隙間に温度測定用基板２２をセント
する。その断面図を第３図に示す。
金１３が押さえ板１５により完全におおわれ、絶縁基板
１１及びニクロム１２が露出して基板ホルダ１４にセッ
トされている。この基板ホルダ１４を窒素とアルゴンの
混合気体中に入れ、タンタルをグロー放電させて窒化タ
ンタルの抵抗膜を付着させる。従って温度係数測定用基
板２２は第４図人及び第４図Ｂに示すように金１３の電
極を残して絶縁基板１１及びニクロム１２が抵抗膜１６
でおおわれる。次にこれを例えば室温及びホットプレー
ト上でそれぞれ抵抗値を測定することにより、その抵抗
膜の温度係数を求めることができる。ここで温度係数測
定用基板を第４図人に点線で示すように切断してより細
長くすることにより、より抵抗値が大きくなり、測定精
度を向上させることもできる。このように絶縁基板上に
抵抗膜を付着した際に直ちに温度係数を測定することが
可能になる。
１１及びニクロム１２が露出して基板ホルダ１４にセッ
トされている。この基板ホルダ１４を窒素とアルゴンの
混合気体中に入れ、タンタルをグロー放電させて窒化タ
ンタルの抵抗膜を付着させる。従って温度係数測定用基
板２２は第４図人及び第４図Ｂに示すように金１３の電
極を残して絶縁基板１１及びニクロム１２が抵抗膜１６
でおおわれる。次にこれを例えば室温及びホットプレー
ト上でそれぞれ抵抗値を測定することにより、その抵抗
膜の温度係数を求めることができる。ここで温度係数測
定用基板を第４図人に点線で示すように切断してより細
長くすることにより、より抵抗値が大きくなり、測定精
度を向上させることもできる。このように絶縁基板上に
抵抗膜を付着した際に直ちに温度係数を測定することが
可能になる。
上記の温度係数測定において、良と判定された場合、上
記温度係数測定用基板と同じ基板ホルダ上で絶縁基板上
に抵抗膜が付着された製造工程中の基板にニクロム及び
金を順次蒸着した後、このニクロム及び金の不要部分を
エツチングにより取り除いて電極を形成して製造を完了
する。
記温度係数測定用基板と同じ基板ホルダ上で絶縁基板上
に抵抗膜が付着された製造工程中の基板にニクロム及び
金を順次蒸着した後、このニクロム及び金の不要部分を
エツチングにより取り除いて電極を形成して製造を完了
する。
〈発明の効果〉
以上のように薄膜抵抗の製造工程中において、抵抗膜を
絶縁基板上に付着させる時に、同時に別に用意された温
度係数測定用絶縁基板上にも付着させ、速やかに温度条
件の異なる環境下で抵抗測定して温度係数を求めてその
良否を判定し、良と判定された基板上に導体膜の蒸着、
エツチングを行うようにしたので、不良と判定された基
板に対し、一番複雑な工程である導体膜付、エツチング
を省略できるので、大幅に製造時間を短縮できると共に
、その薄膜抵抗の歩留りも向上させることができる。
絶縁基板上に付着させる時に、同時に別に用意された温
度係数測定用絶縁基板上にも付着させ、速やかに温度条
件の異なる環境下で抵抗測定して温度係数を求めてその
良否を判定し、良と判定された基板上に導体膜の蒸着、
エツチングを行うようにしたので、不良と判定された基
板に対し、一番複雑な工程である導体膜付、エツチング
を省略できるので、大幅に製造時間を短縮できると共に
、その薄膜抵抗の歩留りも向上させることができる。
第１図人は温度係数測定用基板の上面図、第１図Ｂはそ
の断面図、第２図は製造工程中の絶縁基板及び温度係数
測定用基板を基板ホルダにセットした時の上面図、第３
図は温度係数測定用基板を基板ホルダにセットした時の
断面図、第４図人は温度係数測定用基板に抵抗膜を付着
させた時の上面図、第４図Ｂはその断面図である。 １１．２１：絶縁基板、 １２：ニクロム、 １３：金、 １４：基板ホルダ、 １５：押さえ板、１６：抵抗膜
、 ２２：温度係数測定用基板、
の断面図、第２図は製造工程中の絶縁基板及び温度係数
測定用基板を基板ホルダにセットした時の上面図、第３
図は温度係数測定用基板を基板ホルダにセットした時の
断面図、第４図人は温度係数測定用基板に抵抗膜を付着
させた時の上面図、第４図Ｂはその断面図である。 １１．２１：絶縁基板、 １２：ニクロム、 １３：金、 １４：基板ホルダ、 １５：押さえ板、１６：抵抗膜
、 ２２：温度係数測定用基板、
Claims (1)
- （１）薄膜抵抗の製造工程において、絶縁基板に抵抗膜
を付着させる時に、同時に絶縁基板上に電極が形成され
た温度係数測定用基板にも抵抗膜を付着させ、該温度係
数測定用基板を複数の温度条件下において抵抗値を測定
して温度係数を測定して良否を判定し、良と判定された
製造工程中の基板にのみ導体膜の蒸着及びエッチングを
行って電極を形成するようにしたことを特徴とする薄膜
抵抗の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210498A JPS6269602A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 薄膜抵抗の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210498A JPS6269602A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 薄膜抵抗の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269602A true JPS6269602A (ja) | 1987-03-30 |
Family
ID=16590352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210498A Pending JPS6269602A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 薄膜抵抗の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6269602A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5054282A (ja) * | 1973-09-10 | 1975-05-13 |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60210498A patent/JPS6269602A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5054282A (ja) * | 1973-09-10 | 1975-05-13 |
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