JPS6266503A - マイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物 - Google Patents
マイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6266503A JPS6266503A JP60204316A JP20431685A JPS6266503A JP S6266503 A JPS6266503 A JP S6266503A JP 60204316 A JP60204316 A JP 60204316A JP 20431685 A JP20431685 A JP 20431685A JP S6266503 A JPS6266503 A JP S6266503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- microwave
- composition
- dielectric ceramic
- ceramic composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物に関す
るものであり、特にマイクロ波領域で使用されるフィル
ター等の小型化に有用なマイクロ波用高誘電率誘電体磁
器組成物に関するものである。
るものであり、特にマイクロ波領域で使用されるフィル
ター等の小型化に有用なマイクロ波用高誘電率誘電体磁
器組成物に関するものである。
本発明は、一般式
％式％）
で表され、その組成範囲が
０．８８≦ｘ≦０．９８
０．０５６≦ｙ≦０．１１０
０．９５≦ｚ≦１．１１
である組成物を主成分とし、副成分として０．５重量％
以下のＣｒ、Ｏ，を添加することにより、マイクロ波用
高誘電率誘電体磁器組成物における比誘電率の向上、マ
イクロ波領域での誘電損失の減少、さらにそれらの温度
特性の改善、等を図ろうとするものである。
以下のＣｒ、Ｏ，を添加することにより、マイクロ波用
高誘電率誘電体磁器組成物における比誘電率の向上、マ
イクロ波領域での誘電損失の減少、さらにそれらの温度
特性の改善、等を図ろうとするものである。
従来より、誘電体はマイクロ波頭域においても、例えば
マイクロ波回路におけるインピーダンス整合用素子、誘
電体共振器、誘電体アンテナ等に用いられている。
マイクロ波回路におけるインピーダンス整合用素子、誘
電体共振器、誘電体アンテナ等に用いられている。
近年、マイクロ波領域での回路技術の進展や、応用範囲
及び使用周波数帯域の拡大等に伴って、特に比較的波長
の長いマイクロ波領域において、素子の小型化が要求さ
れている。
及び使用周波数帯域の拡大等に伴って、特に比較的波長
の長いマイクロ波領域において、素子の小型化が要求さ
れている。
このような背景から、以下の要件を満たすマイクロ波用
の誘電体材料が要望されている。
の誘電体材料が要望されている。
すなわち、
（１）小型化の目的に対しては誘電体の比誘電率ε２が
高いことが必要である０例えば、フィルタ等の容積を従
来の誘電体共振器用の誘電体材料（比誘電率ε、約３０
〜４０）を用いた場合のほぼ１７３以下にするには、少
なくとも比誘電率ε１が８０以上であることが望ましい
。
高いことが必要である０例えば、フィルタ等の容積を従
来の誘電体共振器用の誘電体材料（比誘電率ε、約３０
〜４０）を用いた場合のほぼ１７３以下にするには、少
なくとも比誘電率ε１が８０以上であることが望ましい
。
（１１）フィルタを構成した時の共振周波数の温度係数
τ、は、少なくとも他の回路構成素子の温度係数と同等
かそれ以上であることが望ましい０例えば、マイクロ波
ＩＣの基板として良く用いられる高純度アルミナ基板（
比誘電率の温度係数τ−＋ １２０ｐｐｍ／’Ｃ）上に
構成されたマイクロストリップラインフィルタの場合、
共振周波数の温度係数τ、はおよそ一５５ｐｐＩＩｌ／
℃である。したがって、τ、≦±５０ｐｐｓ＋／℃であ
ることが好ましい。
τ、は、少なくとも他の回路構成素子の温度係数と同等
かそれ以上であることが望ましい０例えば、マイクロ波
ＩＣの基板として良く用いられる高純度アルミナ基板（
比誘電率の温度係数τ−＋ １２０ｐｐｍ／’Ｃ）上に
構成されたマイクロストリップラインフィルタの場合、
共振周波数の温度係数τ、はおよそ一５５ｐｐＩＩｌ／
℃である。したがって、τ、≦±５０ｐｐｓ＋／℃であ
ることが好ましい。
（ｉｉｉ ）フィルタを構成する関係上、そのＱ値は出
来るだけ大きいことが望ましいが、用いる誘電体の無負
荷状態でのＱ、すなわちＱｏとしては、同軸共振器等を
構成した場合の電極の影響を考慮して、その導体損だけ
でほぼ決まるような値２例えば３〜４ＭＨｚでＱ０≧２
０００であることが望ましい。
来るだけ大きいことが望ましいが、用いる誘電体の無負
荷状態でのＱ、すなわちＱｏとしては、同軸共振器等を
構成した場合の電極の影響を考慮して、その導体損だけ
でほぼ決まるような値２例えば３〜４ＭＨｚでＱ０≧２
０００であることが望ましい。
しかしながら、従来の誘電体材料では、上述の各要件を
同時に満足させることは困難であった。
同時に満足させることは困難であった。
例えば、比誘電率ｔ、、が比較的大きく、温度特性が良
好な誘電体材料としては、従来、温度補償コンデンサ用
誘電体組成物が知られているが、これら組成物は数ＭＨ
ｚ程度の周波数領域では誘電損失が少ないものの、マイ
クロ波領域では誘電損失が大きくなりすぎ、前述の要件
を満足し得なかった。
好な誘電体材料としては、従来、温度補償コンデンサ用
誘電体組成物が知られているが、これら組成物は数ＭＨ
ｚ程度の周波数領域では誘電損失が少ないものの、マイ
クロ波領域では誘電損失が大きくなりすぎ、前述の要件
を満足し得なかった。
具体的には、ＢａＴｉ０ｓ−ＹｚＯｓ ・Ｔｉ０ｚ−Ｔ
ｉＯｚ系組成物では、ＩＭＨｚでのＱｏはおよそ１６７
０であるが、３０ＨｔでのＱｏは１６０程度である。
ｉＯｚ系組成物では、ＩＭＨｚでのＱｏはおよそ１６７
０であるが、３０ＨｔでのＱｏは１６０程度である。
そこで本発明は、前述の誘電特性に対する諸要求、すな
わち周波数３〜４ＧＨｚで比誘電率ε１≧８０、温度係
数ｒｔ ≦±５０ｐｐ閘、 Ｑｏ ２＝２０００、を満
足するマイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物を堤供す
ることを目的とする。
わち周波数３〜４ＧＨｚで比誘電率ε１≧８０、温度係
数ｒｔ ≦±５０ｐｐ閘、 Ｑｏ ２＝２０００、を満
足するマイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物を堤供す
ることを目的とする。
本発明者等は、かかるマイクロ波用高誘電率誘電体磁器
組成物を開発せんものと長期に亘り鋭意研究の結果、Ｂ
ａｄ−ＮｄＪｓ−ＴｉＯｘ系の誘電体磁器組成物のうち
、Ｂａ０−Ｎｄ□Ｏ１・５ＴｉＯ□付近の組成領域で１
１ａｏの一部をＬＯ＋Ｂｉ ｚＯｓで置換した誘電体磁
器組成物及びこれに微量のＣｒｚ（ｈを添加した誘電体
もＲ器組成物がこの目的に適合し、上記要求を満足する
ものであることを見出し本発明を完成するに至−）だ。
組成物を開発せんものと長期に亘り鋭意研究の結果、Ｂ
ａｄ−ＮｄＪｓ−ＴｉＯｘ系の誘電体磁器組成物のうち
、Ｂａ０−Ｎｄ□Ｏ１・５ＴｉＯ□付近の組成領域で１
１ａｏの一部をＬＯ＋Ｂｉ ｚＯｓで置換した誘電体磁
器組成物及びこれに微量のＣｒｚ（ｈを添加した誘電体
もＲ器組成物がこの目的に適合し、上記要求を満足する
ものであることを見出し本発明を完成するに至−）だ。
すなわち本発明は、 一般式
％式％）
で表され、その組成範囲が
０．８８≦ｘ≦０．９８
０、０５６≦ｙ≦０．１１０
０．９５≦ｚ≦１．１１
である組成物を主成分とし、副成分として０．５重量％
以下のＣｒｔＯｉを添加したことを特徴とするものであ
る。
以下のＣｒｔＯｉを添加したことを特徴とするものであ
る。
本発明のマイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物におい
て、ＢａＯのモル分率Ｘを０．８８〜０．９８としたの
は、このモル分率Ｘが０．８８未満では誘電率ε、が８
０よりも小さくなるか温度係数τ、が大となりすぎるこ
と、また、モル分率Ｘが０．９８を越えると誘電損失が
大きくなり過ぎ不適当であること、による。
て、ＢａＯのモル分率Ｘを０．８８〜０．９８としたの
は、このモル分率Ｘが０．８８未満では誘電率ε、が８
０よりも小さくなるか温度係数τ、が大となりすぎるこ
と、また、モル分率Ｘが０．９８を越えると誘電損失が
大きくなり過ぎ不適当であること、による。
また、ＫｚＯ・Ｂｉ！Ｏ，のモル分率ｙを０．０５６〜
０゜１１０としたのは、このモル分率ｙが０．０５６未
満では温度係数τ、が大となりすぎ、また０、１１０を
越えると、誘電損失が大となり過ぎるか、あるいは誘電
率ｇ、が８０よりも小さくなる等、不適当なためである
６例えば、 （０，９ＢａＯ・７ ＣＫｚＯ・ＢｉｔＯｓ）） ・
ＮｄｘＯｓ ・５ＴｉＯｔとし、Ｋ２０・Ｂ’１ｘ（ｈ
のモル分率ｙを変えてその温度係数τ、の変化を調べた
ところ、第１図に示すように、）’ −０，０５６以上
で温度係数τｔがおよそ＋ ２５ｐｐｍと極めて小さな
値を示すことがわかった。
０゜１１０としたのは、このモル分率ｙが０．０５６未
満では温度係数τ、が大となりすぎ、また０、１１０を
越えると、誘電損失が大となり過ぎるか、あるいは誘電
率ｇ、が８０よりも小さくなる等、不適当なためである
６例えば、 （０，９ＢａＯ・７ ＣＫｚＯ・ＢｉｔＯｓ）） ・
ＮｄｘＯｓ ・５ＴｉＯｔとし、Ｋ２０・Ｂ’１ｘ（ｈ
のモル分率ｙを変えてその温度係数τ、の変化を調べた
ところ、第１図に示すように、）’ −０，０５６以上
で温度係数τｔがおよそ＋ ２５ｐｐｍと極めて小さな
値を示すことがわかった。
同様に、４ＧＨｚにおけるＱｏの変化を調べたところ、
第２図に示すように、０．０５６≦ｙ≦０．１１０の範
囲で極大値を示し、その大きさは２０００以上であった
。
第２図に示すように、０．０５６≦ｙ≦０．１１０の範
囲で極大値を示し、その大きさは２０００以上であった
。
ＮｄｚＯｘのモル分率２を０．９５〜１．１１としたの
は、このモル分率２が０．９５未満では誘ｔｔｙｔ夫が
大となり過ぎるかあるいは温度係数τ、が大となりすぎ
、また１、１１を越えると誘電損失が大となり過ぎるか
あるいは誘電率Ｃ１が８０よりも小さくなるので不適当
なためである０例えば、 （０，９ＢａＯＨ０，１（ＫｔＯ−ＢｉｔＯｓ））
・２ ＮｄｔＯｘ ’ （６−Ｚ）ＴｉＯｇとし、Ｎｄ
ｔＯｘのモル分率２を変えてその温度係数τ、の変化を
調べたところ、第３図に示すように、２≧０．９５で温
度係数ｒ ｔ ＃＋２５ｐｐｍが達成されることがわか
った。同様に、４ＧＩＩｚにおけるＱｏの変化を調べた
ところ、第４図に示すように、２−１．０付近で極大値
を示し、その値を２０００以上とするためには０．９５
≦ｚ≦１．ｌＯとすれば良いことがわかった。
は、このモル分率２が０．９５未満では誘ｔｔｙｔ夫が
大となり過ぎるかあるいは温度係数τ、が大となりすぎ
、また１、１１を越えると誘電損失が大となり過ぎるか
あるいは誘電率Ｃ１が８０よりも小さくなるので不適当
なためである０例えば、 （０，９ＢａＯＨ０，１（ＫｔＯ−ＢｉｔＯｓ））
・２ ＮｄｔＯｘ ’ （６−Ｚ）ＴｉＯｇとし、Ｎｄ
ｔＯｘのモル分率２を変えてその温度係数τ、の変化を
調べたところ、第３図に示すように、２≧０．９５で温
度係数ｒ ｔ ＃＋２５ｐｐｍが達成されることがわか
った。同様に、４ＧＩＩｚにおけるＱｏの変化を調べた
ところ、第４図に示すように、２−１．０付近で極大値
を示し、その値を２０００以上とするためには０．９５
≦ｚ≦１．ｌＯとすれば良いことがわかった。
一方、Ｃｒ、０．１の添加は焼結性の改善に有効である
。例えば、 （０，９Ｂａ０ ・０．１（ＫｔＯ・ＢｉｔＯｓ）ｌ
・ＮｄｚＯ＋ ・５ＴｉＯｔなる誘電体組成物にＣｒ
２０＝を０．２重量％添加した場合と、未添加の場合に
ついて、それぞれ焼成温度と得ら−れる焼結体の密度ρ
の関係を調べたところ、第５図に示すように、Ｃｒ１Ｏ
，の添加により焼成温度を低下させることができること
がわかった。
。例えば、 （０，９Ｂａ０ ・０．１（ＫｔＯ・ＢｉｔＯｓ）ｌ
・ＮｄｚＯ＋ ・５ＴｉＯｔなる誘電体組成物にＣｒ
２０＝を０．２重量％添加した場合と、未添加の場合に
ついて、それぞれ焼成温度と得ら−れる焼結体の密度ρ
の関係を調べたところ、第５図に示すように、Ｃｒ１Ｏ
，の添加により焼成温度を低下させることができること
がわかった。
ただし、このＣｒ□０．の添加は、誘ｉｌｌ損失の増加
（Ｑｌｌの低下）や温度係数τ、の増加をもたらすので
、その添加量は０．５重量％までに押えることが好まし
い９例えば、 （０，９ＢａＯ・０． Ｉ ＣＫｚＯ・旧ｇｏｓ））
・ＮｄｚＯｉ ・５ＴｉＯ１なる組成物にＣｒ２Ｏ３
を添加し、その添加量を徐々に増やしていくと、第６図
に示すように、温度係数τ１も増加し、特に添加量が０
．５重量％を越えるとその傾向が顕著であった。同様に
、ＣｒｚＱ２の添加量を増やしていくと、第７図に示す
ように、Ｑｏが徐々に低下し、添加量が０．５重量％を
越えるとＱ６ ＜２０００となることがわかった。
（Ｑｌｌの低下）や温度係数τ、の増加をもたらすので
、その添加量は０．５重量％までに押えることが好まし
い９例えば、 （０，９ＢａＯ・０． Ｉ ＣＫｚＯ・旧ｇｏｓ））
・ＮｄｚＯｉ ・５ＴｉＯ１なる組成物にＣｒ２Ｏ３
を添加し、その添加量を徐々に増やしていくと、第６図
に示すように、温度係数τ１も増加し、特に添加量が０
．５重量％を越えるとその傾向が顕著であった。同様に
、ＣｒｚＱ２の添加量を増やしていくと、第７図に示す
ように、Ｑｏが徐々に低下し、添加量が０．５重量％を
越えるとＱ６ ＜２０００となることがわかった。
したがって、本発明の誘電体磁器組成物は、例えばＢａ
ＣＯ２，ＮｄｚＯｓ、 Ｔｉ０ｚ＋ Ｋ１ＣＯ３，Ｂｉ
ｚｏｓ及びＣｒ２Ｏ２の各原料粉末を、前述の組成範
囲で混合し、焼成することにより作成することができる
。この場合、焼成温度は１３００〜１３５０℃の範囲内
とすることが好ましい。
ＣＯ２，ＮｄｚＯｓ、 Ｔｉ０ｚ＋ Ｋ１ＣＯ３，Ｂｉ
ｚｏｓ及びＣｒ２Ｏ２の各原料粉末を、前述の組成範
囲で混合し、焼成することにより作成することができる
。この場合、焼成温度は１３００〜１３５０℃の範囲内
とすることが好ましい。
Ｂａ０−ＮｄＪｓ−ＴｉＯｇ系の誘電体磁器組成物のう
ち、ＢａＯＨＮｄｔ０３ ・５ＴｉＯｔ付近の組成領域
でＢａＯの一部をＫｚＯ＋ＢｔＪ２で置換することによ
り、温度係数τｆが低下し、Ｑ０≧２０００が達成され
る。
ち、ＢａＯＨＮｄｔ０３ ・５ＴｉＯｔ付近の組成領域
でＢａＯの一部をＫｚＯ＋ＢｔＪ２で置換することによ
り、温度係数τｆが低下し、Ｑ０≧２０００が達成され
る。
また、Ｃｒａｂｓの添加により、焼成温度が低下し、焼
結性が改善される。
結性が改善される。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものではない。
発明がこれら実施例に限定されるものではない。
先ず、純度９９．９％以上のＢａＣＯｘ＊ＮｄｔＯｘ＋
Ｔｉ０ｔ＋ＫｔＣＣｈ＋ＢＲＯ１及びＣｒｔ（ｈの各原
料粉末を用意した。
Ｔｉ０ｔ＋ＫｔＣＣｈ＋ＢＲＯ１及びＣｒｔ（ｈの各原
料粉末を用意した。
次に、これら各原料粉末をそれぞれ所望の組成となるよ
うに秤量し、エタノールを混合溶媒としてボールミルで
混合処理した後、エタノールを蒸発・除去した。
うに秤量し、エタノールを混合溶媒としてボールミルで
混合処理した後、エタノールを蒸発・除去した。
続いて、１０００ ｋｇ／ｃａｔの圧力で加圧成形し、
成形体を１ｏｏｏ〜１１００℃で３時間、空気中で仮焼
した。
成形体を１ｏｏｏ〜１１００℃で３時間、空気中で仮焼
した。
これを乳鉢で粉砕し、再びエタノールを混合溶媒として
ボールミルにて混合処理し、エタノールを蒸発・除去し
た。
ボールミルにて混合処理し、エタノールを蒸発・除去し
た。
その後、１５００に＋ｒ／ｃｆｌＩの圧力で加圧成形し
、１３００−１３５０℃で３時間、空気中で焼成した。
、１３００−１３５０℃で３時間、空気中で焼成した。
上述の方法に従い、原料粉末の組成を変えて誘電体磁器
組成物を作製し、実施例１〜実施例８とした。同様に、
本発明の組成範囲を外れる組成となるように原料粉末を
秤量し、誘電体磁器組成物を作製して比較例１〜比較例
８とした。
組成物を作製し、実施例１〜実施例８とした。同様に、
本発明の組成範囲を外れる組成となるように原料粉末を
秤量し、誘電体磁器組成物を作製して比較例１〜比較例
８とした。
このようにして得られた誘電体磁器組成物を加工して円
柱状誘電体共振器とし、その共振特性と温度変化、共振
器の寸法とから、比誘電率ε、。
柱状誘電体共振器とし、その共振特性と温度変化、共振
器の寸法とから、比誘電率ε、。
温度係数τ１．Ｑ０とを求めた。なお、測定周波数はお
よそ４ＧＨｒ、であった、結果を次表に示す。
よそ４ＧＨｒ、であった、結果を次表に示す。
（以下余白）
この表より、実施例１〜実施例８においては、各構成成
分のモル分率ｘ、ｙ、ｚおよびＣｒｚＯｓ添加量のいず
れも前述した範囲にあり、優れた誘電特性が発揮された
のに対して、比較例１〜比較例８ではこれらのうちいず
れかが範囲外にあり、そのため必要な誘電特性を満足し
ていないことがわかる。
分のモル分率ｘ、ｙ、ｚおよびＣｒｚＯｓ添加量のいず
れも前述した範囲にあり、優れた誘電特性が発揮された
のに対して、比較例１〜比較例８ではこれらのうちいず
れかが範囲外にあり、そのため必要な誘電特性を満足し
ていないことがわかる。
以上の説明からも明らかなように、本発明によるマイク
ロ波用高誘電率誘電体磁器組成物にあっては、４ＧＨｚ
程度の周波数における比誘電率ε。
ロ波用高誘電率誘電体磁器組成物にあっては、４ＧＨｚ
程度の周波数における比誘電率ε。
≧８０．温度係数τ、≦±５０ｐｐｍ／’ｃ、 Ｑｏ≧
２０００の各要求を満足させることができる。
２０００の各要求を満足させることができる。
したがって、本発明の採用により、従来の誘電体共振器
用材料を用いた場合に比べて、マイクロ波フィルターの
大きさを、他の特性を（員なうことなく容積でおよそ１
／３以下に小型化することができる。また、本発明によ
るマイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物は、マイクロ
波＋Ｃの基板としても有用で、従来のアルミナ基板に比
べて、その面積を１／９以下に小型化することができる
。
用材料を用いた場合に比べて、マイクロ波フィルターの
大きさを、他の特性を（員なうことなく容積でおよそ１
／３以下に小型化することができる。また、本発明によ
るマイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物は、マイクロ
波＋Ｃの基板としても有用で、従来のアルミナ基板に比
べて、その面積を１／９以下に小型化することができる
。
さらに、本発明のマイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成
物は、マイクロ波領域のコンデンサ等、素子用誘電体と
しても好適なものである。
物は、マイクロ波領域のコンデンサ等、素子用誘電体と
しても好適なものである。
第１図はＫｚＯ−Ｂｉｔ（ｈのモル分率と温度係数τ。
の関係を示す特性図、第２図はに、Ｏ・Ｂｉａｓｓのモ
ル分率とＱｏの関係を示す特性図、第３図はＮｄｚＯｉ
のモル分率と温度係数τ、の関係を示す特性図、第４図
はＮｄ、０３のモル分率と００の関係を示す特性図であ
る。 第５図はＣｒｚｆ）３を添加した場合と添加しない場合
の焼成温度と得られる誘電体磁器組成物の密度ρの関係
を示す特性図、第６図はＣｒｚＯ１添加量と温度係数τ
、の関係を示す特性図、第７図はＣｒ２ｏｚ添加量とＱ
ｏの関係を示す特性図である。 ｔｐｐｒｎ／ｌ＞ 上 と ｉ、９ＢａＯ°Ｏｊｔφ−Ｂｉ２ｏす）’ｊ４４ｃｂｏ
ｘ−＋６−ｔ＋’ｎｃｂ （Ｑ９ＢａＯ（１１（ＫｚＯ
・５ｔ２ｏ３）ｌ−ｑｏ３°i６−）ＩＴｉｏｚ 第３図 第４図 （Ｖ−） 第５図 手続主甫正書岨発） 昭和６０年１１月２６日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 昭和６０年 特許側 第２０４３１６号２、発明の名称 マイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称 （２
１Ｂ） ソ ニ − 株 式 会 社代表者 大 賀
典 雄 ７、補正の内容 明細書第４頁第１０行目に「３〜４ＭＨｚＪとある記載
を［３〜４Ｇ）ＩＺＪと訂正する。 （以上）
ル分率とＱｏの関係を示す特性図、第３図はＮｄｚＯｉ
のモル分率と温度係数τ、の関係を示す特性図、第４図
はＮｄ、０３のモル分率と００の関係を示す特性図であ
る。 第５図はＣｒｚｆ）３を添加した場合と添加しない場合
の焼成温度と得られる誘電体磁器組成物の密度ρの関係
を示す特性図、第６図はＣｒｚＯ１添加量と温度係数τ
、の関係を示す特性図、第７図はＣｒ２ｏｚ添加量とＱ
ｏの関係を示す特性図である。 ｔｐｐｒｎ／ｌ＞ 上 と ｉ、９ＢａＯ°Ｏｊｔφ−Ｂｉ２ｏす）’ｊ４４ｃｂｏ
ｘ−＋６−ｔ＋’ｎｃｂ （Ｑ９ＢａＯ（１１（ＫｚＯ
・５ｔ２ｏ３）ｌ−ｑｏ３°i６−）ＩＴｉｏｚ 第３図 第４図 （Ｖ−） 第５図 手続主甫正書岨発） 昭和６０年１１月２６日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 昭和６０年 特許側 第２０４３１６号２、発明の名称 マイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称 （２
１Ｂ） ソ ニ − 株 式 会 社代表者 大 賀
典 雄 ７、補正の内容 明細書第４頁第１０行目に「３〜４ＭＨｚＪとある記載
を［３〜４Ｇ）ＩＺＪと訂正する。 （以上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＢａＯ・ｙ（Ｋ＿２Ｏ−Ｂｉ＿２Ｏ＿３）・ｚＮｄ＿
２Ｏ＿３・（６−ｚ）ＴｉＯ＿２で表され、その組成範
囲が ０．８８≦ｘ≦０．９８ ０．０５６≦ｙ≦０．１１０ ０．９５≦ｚ≦１．１１ である組成物を主成分とし、副成分として０．５重量％
以下のＣｒ＿２Ｏ＿３を添加したことを特徴とするマイ
クロ波用高誘電率誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60204316A JPH0644406B2 (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | マイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60204316A JPH0644406B2 (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | マイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266503A true JPS6266503A (ja) | 1987-03-26 |
| JPH0644406B2 JPH0644406B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16488460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60204316A Expired - Lifetime JPH0644406B2 (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | マイクロ波用高誘電率誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644406B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BRPI0718734B1 (pt) | 2006-12-15 | 2018-01-02 | Invista Technologies S.A.R.L. | Fio elástico de poliuretano e método de produção de fio elástico de poliuretano contendo um polímero que possui um grupo sulfonato |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5997913A (ja) * | 1982-11-25 | 1984-06-06 | Anritsu Corp | 物品供給装置 |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP60204316A patent/JPH0644406B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5997913A (ja) * | 1982-11-25 | 1984-06-06 | Anritsu Corp | 物品供給装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644406B2 (ja) | 1994-06-08 |
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