JPS6263632A - 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 - Google Patents
半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材Info
- Publication number
- JPS6263632A JPS6263632A JP20311885A JP20311885A JPS6263632A JP S6263632 A JPS6263632 A JP S6263632A JP 20311885 A JP20311885 A JP 20311885A JP 20311885 A JP20311885 A JP 20311885A JP S6263632 A JPS6263632 A JP S6263632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- content
- alloy lead
- semiconductor device
- elongation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置の製造に用
いられるＣｕ合金リード素材に関するものである。
いられるＣｕ合金リード素材に関するものである。
一般に、半導体装置のリード材となるＣｕ合金リード素
材には。
材には。
（１） 良好なプレス打抜き性。
（２） 半導体素子の加熱接着あるいは加熱拡散圧着
に際して熱歪および熱軟化が生じないｉｔ＋ｉ′！熱性
−（３） 良好な放熱性と導電性、 （４）、半導体装置の輸送あるいは１イ気機器への組込
みに際して曲がりや繰り返し曲げによって破損が生じな
い強度および伸び− が要求され、特性的には、特定便用分野に限って見れば
。
に際して熱歪および熱軟化が生じないｉｔ＋ｉ′！熱性
−（３） 良好な放熱性と導電性、 （４）、半導体装置の輸送あるいは１イ気機器への組込
みに際して曲がりや繰り返し曲げによって破損が生じな
い強度および伸び− が要求され、特性的には、特定便用分野に限って見れば
。
強度全評価する目的で、引張り強さ：４０に９ｆ／−以
上。
上。
伸び：４％以上。
放熱性および導′准性を評価する目的で、導電率２６０
％ｌＡＣ３以上。
％ｌＡＣ３以上。
耐熱性を評価する目的で、軟化点：４００℃以上−を具
備することが必要とされるが、これらの特性を有するＣ
ｕ合金リード素材としては材料的に多数のものが提案さ
れ、実用に供されている。
備することが必要とされるが、これらの特性を有するＣ
ｕ合金リード素材としては材料的に多数のものが提案さ
れ、実用に供されている。
しかし一近年の半導体装置における集積度の益々の向上
に伴って、 Ｃｕ合金リード素材には、上記の特性を具
備した上で、さらに高強度および高伸びが要求されるよ
うになっており、この要求に十分対応できる特性を具備
しｆｃｕＣｕ合金リード素材発が強く望まれている。
に伴って、 Ｃｕ合金リード素材には、上記の特性を具
備した上で、さらに高強度および高伸びが要求されるよ
うになっており、この要求に十分対応できる特性を具備
しｆｃｕＣｕ合金リード素材発が強く望まれている。
そこで一本発明者等は、上述の工うな観点から一半導体
装置用Ｃｕ合金リード素材に要求される特性を具備し几
上で−さらに一段と高強度および高伸びを有するＣｕ合
金リード素材全開発すべく研究全行なった結果−屯漬％
で（以下％は重λ彊を示す）。
装置用Ｃｕ合金リード素材に要求される特性を具備し几
上で−さらに一段と高強度および高伸びを有するＣｕ合
金リード素材全開発すべく研究全行なった結果−屯漬％
で（以下％は重λ彊を示す）。
Ｃｒ： ０．０５〜１ ＋、 Ｚｒ： ０．００５
〜０．ＩＱ４−Ｌｉ：０．００１〜０．０５％−Ｎｉ：
０．０５〜１傷。
〜０．ＩＱ４−Ｌｉ：０．００１〜０．０５％−Ｎｉ：
０．０５〜１傷。
Ｓｎ： ０．０５〜Ｉ Ｑ４− Ｔｉ： ０．０５
〜１ ％−ｓｉ：ｏ、ｏｏｉ 〜 ０．１９６゜を含
有し、さらに。
〜１ ％−ｓｉ：ｏ、ｏｏｉ 〜 ０．１９６゜を含
有し、さらに。
Ｐ Ｔ Ｍｇ ＋ＡＬ Ｚｎ ＋およびＭｎのうちの１
種または２種以上二〇。００１〜０，３９６゜ を含有し、残りがＣｕと０．１９６以下の不可避不純物
からなる組成を有するＣｕ合金で構成されたリード素材
は。
種または２種以上二〇。００１〜０，３９６゜ を含有し、残りがＣｕと０．１９６以下の不可避不純物
からなる組成を有するＣｕ合金で構成されたリード素材
は。
引張り強さ： ６５Ｋｐｆ／Ｗｊ以上。
伸び：６％以上。
導電率：６２％ＩＡ’Ｃ８以上−
軟（上点：４８０℃以上。
の特性を有し、これらの特性を有するＣｕ合金リード素
材は、集積度の高い半導体装置のリード材として十分満
足する性能を発揮するという知見を装定のである。
材は、集積度の高い半導体装置のリード材として十分満
足する性能を発揮するという知見を装定のである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て一以下に成分組成全上記の通りに限定し′ｆｃ亜由金
説明する。
て一以下に成分組成全上記の通りに限定し′ｆｃ亜由金
説明する。
ｆａｔ ＣｒおよびＺｒ
これらの成分には一強度および耐熱性を向上させる作用
があるが、その含Ｋ ’＋ＡがそれぞれＣｒ：０．０５
％未満、およびＺｒ： ０．００５ ％未満では前記作
１月に所望の効果が得られず、一方その含有ト１１がそ
れぞれＣｒ：１％およびＺｒ ： ０．１％を越えると
。
があるが、その含Ｋ ’＋ＡがそれぞれＣｒ：０．０５
％未満、およびＺｒ： ０．００５ ％未満では前記作
１月に所望の効果が得られず、一方その含有ト１１がそ
れぞれＣｒ：１％およびＺｒ ： ０．１％を越えると
。
非金属介在物が宅生し易くなって−めつき性や°５電率
が低下するようになることがら−その含有［【↑ＴｈＣ
ｒ： ０．０５〜１％、Ｚｒ： ０．００５〜０．Ｌ
％と定めた。
が低下するようになることがら−その含有［【↑ＴｈＣ
ｒ： ０．０５〜１％、Ｚｒ： ０．００５〜０．Ｌ
％と定めた。
（ｂｌ Ｌｔ
Ｌｉｌｌｊ２分には、脱酸作用があるほか、結晶１α金
微細化し、もって強度および伸び金一段と向上させかつ
プレス打抜き性を向上させる作用があるが、その含仔頃
が０．００１％未満では前（２咋用に所望の効果が得ら
れず一一一方その含ｎ寸が０．０５％を越えると導電性
が低下するように、なることから。
微細化し、もって強度および伸び金一段と向上させかつ
プレス打抜き性を向上させる作用があるが、その含仔頃
が０．００１％未満では前（２咋用に所望の効果が得ら
れず一一一方その含ｎ寸が０．０５％を越えると導電性
が低下するように、なることから。
その含・仔；ｊｔを０．００１−０．０５％と定め友。
（ｃｌ ＮｉおよびＳｎ
これらの成分には強度を向北させる作用のはか一プレス
打抜き時の変形およびパリ発生全防止する作用があるが
、その含有賃が、それぞれさＴｉ：０．０５％未満、お
よびＳｎ：０．０５％未満では−こハ、らの作用に所望
の効果が得られず、一方その含有けがそれぞれＮｉ：１
％およびＳｎ：１％を越えると導電性が低下するように
なることがら−その含有１） ｋ −それぞれＮｉ：
０．０５〜１ 傷、Ｓｎ： ０．０５〜１ ％と定めｔ
ｏ （ｄｌ Ｔｉ Ｔｉ成分には一耐熱性、めっき性（はんだ付は性）。
打抜き時の変形およびパリ発生全防止する作用があるが
、その含有賃が、それぞれさＴｉ：０．０５％未満、お
よびＳｎ：０．０５％未満では−こハ、らの作用に所望
の効果が得られず、一方その含有けがそれぞれＮｉ：１
％およびＳｎ：１％を越えると導電性が低下するように
なることがら−その含有１） ｋ −それぞれＮｉ：
０．０５〜１ 傷、Ｓｎ： ０．０５〜１ ％と定めｔ
ｏ （ｄｌ Ｔｉ Ｔｉ成分には一耐熱性、めっき性（はんだ付は性）。
および導電性を向トさせる作用があるが−その含有ζ１
が０．０５％未満では前記作用ｆ所望の効果が得られず
、一方その含有けが１％を越えると、析出物の艷ごが多
くなりすぎて導電性が低下するようになることから−そ
の含有（誹を０．０５〜１％と定めた。
が０．０５％未満では前記作用ｆ所望の効果が得られず
、一方その含有けが１％を越えると、析出物の艷ごが多
くなりすぎて導電性が低下するようになることから−そ
の含有（誹を０．０５〜１％と定めた。
（ｅｌ ５ｔ
Ｓｌ １Ｊ！２分ては、脱酸作用があるほか、耐熱性全
回上させる作用があるが、その含有量がＯ，０Ｏ１９６
未満では前記作用に所望の効果が得られず、一方七の含
有量が０．１％を悼えると伸びが低下するようになるこ
とがら−その含有量を０．００１〜０．１％と定めたー
。
回上させる作用があるが、その含有量がＯ，０Ｏ１９６
未満では前記作用に所望の効果が得られず、一方七の含
有量が０．１％を悼えると伸びが低下するようになるこ
とがら−その含有量を０．００１〜０．１％と定めたー
。
げｌ Ｐ、Ｍｇ、ＡＪ、Ｚｎ、および励これらの成分
には、脱酸作用があるほか、めっき性やはんだ付は性−
さらに導電性を同上させる作用があるが、その含有Ｍが
ｏ、ｏｏｉ９４未満では前記作用に所望の効果が得られ
ず、一方その含有量か０．３％を越えると一前記作用に
劣化傾向が現われるようになることから、その含有量を
ｏ、ｏｏｉ〜０．３彰と定め之。
には、脱酸作用があるほか、めっき性やはんだ付は性−
さらに導電性を同上させる作用があるが、その含有Ｍが
ｏ、ｏｏｉ９４未満では前記作用に所望の効果が得られ
ず、一方その含有量か０．３％を越えると一前記作用に
劣化傾向が現われるようになることから、その含有量を
ｏ、ｏｏｉ〜０．３彰と定め之。
なお、不可避不純物の含有量が０．１ ｇ６’ｅ越える
と、上記のリード素材に要求される特性のうちのいずれ
かに劣化傾向が現われるようになることから、その含有
量を０．１％以下にとどめなければならない。
と、上記のリード素材に要求される特性のうちのいずれ
かに劣化傾向が現われるようになることから、その含有
量を０．１％以下にとどめなければならない。
つぎに、この発明のＣｕ合金リード素材を実捲例により
具体的に説明する。
具体的に説明する。
連層の低周波溝型誘導炉を用い、それぞれ弔１表にポさ
れる成分組成をもったＣｕ合金溶湯を調製し、水冷鋳型
にて、平面形状＝５０鰭口×潴；さ：１００篩の寸法を
もった鋳塊とした後−この鋳塊に１開削後、８００〜９
５０°Ｃの範囲内の所定温度で熱間圧延を開始して厚さ
：１１ｍの熱延板とし、ついで水冷後、前記熱延板の上
下両面ｆｔ０．５箇づつ開削して厚さ：１０■とし、引
続いてこれに通慴の条件で冷間圧延と焼鈍を交互に繰返
し梅して、厚さ：０．３ｍｓの条材とし、最終的に５５
０〜６００℃の範囲内の所定温度で歪取り焼鈍を逸すこ
とによって本発明Ｃｕ合金リード素材１〜２４をそれぞ
れｇ造した。
れる成分組成をもったＣｕ合金溶湯を調製し、水冷鋳型
にて、平面形状＝５０鰭口×潴；さ：１００篩の寸法を
もった鋳塊とした後−この鋳塊に１開削後、８００〜９
５０°Ｃの範囲内の所定温度で熱間圧延を開始して厚さ
：１１ｍの熱延板とし、ついで水冷後、前記熱延板の上
下両面ｆｔ０．５箇づつ開削して厚さ：１０■とし、引
続いてこれに通慴の条件で冷間圧延と焼鈍を交互に繰返
し梅して、厚さ：０．３ｍｓの条材とし、最終的に５５
０〜６００℃の範囲内の所定温度で歪取り焼鈍を逸すこ
とによって本発明Ｃｕ合金リード素材１〜２４をそれぞ
れｇ造した。
ついで、この結果得られた本発明Ｃｕ合金リード素材１
〜２４について一引張り強さ、伸び、導電率、および軟
化点を測定し友。これらの結果を第１表に示した。
〜２４について一引張り強さ、伸び、導電率、および軟
化点を測定し友。これらの結果を第１表に示した。
第１表に示される結果から１本発明Ｃｕ合金リ−ド素材
１〜２□工は、いずれも。
１〜２□工は、いずれも。
６５ Ｋｑｆ ／−以上の引張り強さ。
６％以上の伸び−
６２礪ｌＡＣ３以上の導電率。
４８０ ’Ｃ以上の軟化点。
を示し−これらの値は半４Ｉ一体装置のリード素材に要
求される特性を十分満足して（４備することを示し、か
つ強度と伸びが一段と高い埴ケ示すことが明らかである
。
求される特性を十分満足して（４備することを示し、か
つ強度と伸びが一段と高い埴ケ示すことが明らかである
。
上述のように−この発明のＣｕ合金リード１ａｉ−ｔ−
通なの半導体装ｉｔ用Ｃｕ合金リード素材に娶求さＩし
る導電率および軟Ｉｔ点を具備した。ヒで、さらに一段
と高い強度と伸びをに４ （１ａ Ｔるので１通濱の半
導体装置は勿論のこと、集積度の高い半導体装置のリー
ド素材として丁ぐれた性能を発揮するものである。
通なの半導体装ｉｔ用Ｃｕ合金リード素材に娶求さＩし
る導電率および軟Ｉｔ点を具備した。ヒで、さらに一段
と高い強度と伸びをに４ （１ａ Ｔるので１通濱の半
導体装置は勿論のこと、集積度の高い半導体装置のリー
ド素材として丁ぐれた性能を発揮するものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｃｒ：０．０５〜１％、 Ｚｒ：０．００５〜０．１％、 Ｌｉ：０．００１〜０．０５％、 Ｎｉ：０．０５〜１％、 Ｓｎ：０．０５〜１％、 Ｔｉ：０．０５〜１％、 Ｓｉ：０．００１〜０．１％、 を含有し、さらに、 Ｐ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、およびＭｎのうちの１種または
２種以上：０．００１〜０．３％、 を含有し、残りがＣｕと０．１％以下の不可避不純物か
らなる組成（以上重量％）を有するＣｕ合金で構成され
たことを特徴とする高強度および高伸びを有する半導体
装置用Ｃｕ合金リード素材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20311885A JPS6263632A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
| US06/903,514 US4749548A (en) | 1985-09-13 | 1986-09-03 | Copper alloy lead material for use in semiconductor device |
| GB8621958A GB2181742B (en) | 1985-09-13 | 1986-09-11 | Copper alloy lead material for use in semiconductor device |
| DE19863631119 DE3631119A1 (de) | 1985-09-13 | 1986-09-12 | Leitermaterial auf basis von kupferlegierungen zur anwendung fuer halbleitervorrichtungen |
| US07/166,217 US4872048A (en) | 1985-09-13 | 1988-03-10 | Semiconductor device having copper alloy leads |
| GB8907058A GB2219473B (en) | 1985-09-13 | 1989-03-29 | Copper alloy lead material for use in semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20311885A JPS6263632A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6263632A true JPS6263632A (ja) | 1987-03-20 |
| JPS6311416B2 JPS6311416B2 (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16468697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20311885A Granted JPS6263632A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6263632A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256417A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Nitta Ind Corp | 無端搬送用ベルト |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4994524A (ja) * | 1973-01-16 | 1974-09-07 | ||
| JPS5131632A (ja) * | 1974-09-10 | 1976-03-17 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | Igata |
| JPS5319136A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-22 | Kabel Metallwerke Ghh | Method of using copper alloy as mold material for continuous casting |
| JPS59193233A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Toshiba Corp | 銅合金 |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP20311885A patent/JPS6263632A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4994524A (ja) * | 1973-01-16 | 1974-09-07 | ||
| JPS5131632A (ja) * | 1974-09-10 | 1976-03-17 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | Igata |
| JPS5319136A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-22 | Kabel Metallwerke Ghh | Method of using copper alloy as mold material for continuous casting |
| JPS59193233A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Toshiba Corp | 銅合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6311416B2 (ja) | 1988-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4418028B2 (ja) | 電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金 | |
| US20020039542A1 (en) | Silver containing copper alloy | |
| JPH0625388B2 (ja) | 高強度、高導電性銅基合金 | |
| JP4157899B2 (ja) | 曲げ加工性に優れた高強度銅合金板 | |
| JPS5974251A (ja) | 電気，電子部品用銅合金の製造方法 | |
| JPH0229737B2 (ja) | ||
| JPH01272733A (ja) | 半導体装置用Ｃｕ合金製リードフレーム材 | |
| KR101613357B1 (ko) | 구리 합금판, 그리고 그것을 구비하는 대전류용 전자 부품 및 방열용 전자 부품 | |
| CN105838915B (zh) | 铜合金条、具备该铜合金条的大电流用电子元件以及散热用电子元件 | |
| JP4166196B2 (ja) | 曲げ加工性が優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金条 | |
| JP6730784B2 (ja) | 電子部品用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｓｉ合金 | |
| JP3049137B2 (ja) | 曲げ加工性が優れた高力銅合金及びその製造方法 | |
| JP2008024995A (ja) | 耐熱性に優れた電気電子部品用銅合金板 | |
| JPS6270540A (ja) | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 | |
| JPS61257443A (ja) | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 | |
| JPH0453936B2 (ja) | ||
| JPS6296638A (ja) | リ−ドフレ−ム用アルミニウム合金 | |
| JPS6263632A (ja) | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 | |
| JPS6142772B2 (ja) | ||
| JPS6263631A (ja) | 半導体装置用Ｃｕ合金リ−ド素材 | |
| JPS6311418B2 (ja) | ||
| JPS6338413B2 (ja) | ||
| JPS628491B2 (ja) | ||
| JPS58147140A (ja) | 半導体装置のリ−ド材 | |
| JPS58123746A (ja) | 曲げ加工性に優れた半導体機器リード材 |