JPS6261258A - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

Info

Publication number
JPS6261258A
JPS6261258A JP19900485A JP19900485A JPS6261258A JP S6261258 A JPS6261258 A JP S6261258A JP 19900485 A JP19900485 A JP 19900485A JP 19900485 A JP19900485 A JP 19900485A JP S6261258 A JPS6261258 A JP S6261258A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion
ion source
source
ion implantation
shutter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19900485A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Ishigaki
石垣 秀樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP19900485A priority Critical patent/JPS6261258A/ja
Publication of JPS6261258A publication Critical patent/JPS6261258A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、イオン注入装置に関し、特に、゛1′導体
基板にイオンを打ち込む装置において、その稼働効〉Y
を向I・し、効率的なイオン打ち込みができるような4
17注入装置に関する。
[従来の技術] イオンソースで発11する不純物イオンを高電界で加速
して甲導体基板内に打ち込むイオ/(1も込み装置とし
て、例えばフリーマン形で代表される熱ド3極形のイオ
ンソースを自するイオン注入装置があり、これは、イオ
ンが安定な状態で発生すること、メンテナンスが容易で
あることなとから゛1′導体製造装置用のイオン注入装
置として広く用いられている。そしてこのような装置で
は、イオンソースを定期的に清掃したり、イオンソース
チャンバ(イオンソースヘッド)等の部品の交換カ必姿
とされる。
第4図(a)は、このような従来のフリーマン形のイオ
ン注入装置の一例を示すものであって、第4図(b)は
、そのイオンソースの説明図である。
1は、イオンソースであり、イオンソース1からiEイ
オンカ仁一定のエネルギーで引き出し電極2により引き
出され、質M分析器3により質量分析される。そしてス
リット4で完全に分離した所望のイオンが加速管5で最
終エネルギーまで加速される。
次に、イオンビーl、は、4極レンズ6により基板面1
2に収束点を持つよう収束されて、走査電極7,8によ
り基板に−・様に1■ち込み晴が分布するように制御さ
れ、偏向電極9により曲げられて。
マスク10.フγラデーカノプ11を経てJ、(板12
に↑る。
ここで、イオンは、第4図(1))に見るように、真空
引きされてI X 10  ’ torr稈度のlo〔
空度となったイオンソースチャンバ22内でイオン化さ
れて、そこに配置された棒状フィラメント21と直角方
向にイオンビームとして引き出される。
なお、20はイオンソースハウジングであり、23.2
3は電磁右、24は接地電極、25はスリット、26は
ガス導入]−1,27はイオンビームである。
ところで、このようなイオンソースは、当然のことなが
ら使用して行くうちに棒状フィラメント21が消耗して
切れる。このイオンソースのフィラメントが切れた場合
には、イオンソースチャンバ自身がかなり加熱されてい
るので、真空に保持したまま自然冷却させなければなら
ない。
また、イオンソースハウジング20.イオンソースチャ
ンバ22かイオン類(すしてンli染されてしまうこと
が起きる。このような状態になったときには、イオン2
1人作業を停止1シ、イオンソースチャンバ22の交換
とか、イオンソースハウジング20自身の清掃作業を行
う必要がある。
[解決しようとする問題点コ 前記自然冷却には、少なくとも数時間はかかり、この時
間が短いとイオンソースチャンバ自身を人気に曝したこ
とにより、その祠料1例えばモリブデンを酸化させてし
まい、イオンソースチャンバ自身の寿命を短くするとい
う問題点がある。
また、イオンソースチャンバを交換した場合には、その
交換後に真空引きし、イオンソースチャンバ自体の空焼
きによるガス出し作業に入るため、少な(とも数時間は
、イオン注入装置を停止1・しなけらばならず、作業効
率が非常に悪い。
さらに、イオンソースハウジング自身の汚れにより高電
圧放電が起こった場合などでは、ハウジング自身を本体
から取り外して分解し、清掃作業をしなければならず、
分解清掃後、イオンソースハウジングの+jF組みN′
7.てを行い、イオン注入装置に取り付けて真空引きを
行うことになるが、このf[又は、先に述べたイオンソ
ースチャンバ自身の空焼きの場合よりもさらに時間がか
かる。
このようにイオンl’1人作業を中断してこれらの交換
イ1業とか、分解作業をしなけらばならないとIjうこ
七は、ユーザにとって装置がダウンしたことにも相当す
るし、また、これはMTBF(1均故障間隔)の時間が
伸びない等の原因ともなっている。
したがって、このようなフィラメントの交換からイオン
11人動作までの装置が稼働しない時間。
そして清掃作業からイオン71人動作までの装置が稼働
しない時間は、゛1′、導体装置の需要が伸びている現
在にあっては、大きなロスタイツ、であり、先のような
作業を行うことにより装置の稼働率が低ドすることは大
きな問題となる。
[発明の目的コ この発明は、このような従来技術の問題点等にかんがみ
てなされたものであって、このような問題点等を解決す
るとともに、装置の稼働率を向l。
させることができるイオン注入装置を提供することを目
的とする。
[問題点を解決するための−F段コ ところで、現肴のイオンソースチャンバの寿命が短かい
という原因には2つのものが考えられる。
■フィラメント自身の寿命に問題があること。すなわち
、フィラメントが細って切れてしまうこと。
■フィラメントが切れないまでも、イオンソースハウジ
ング自身が汚れることにより高電界放電が多く発生して
実質−1−使用できなくなること。
■の原因については、フィラメントの寿命が今後伸びた
としても、これは時間がたてば必ず起きる現象であると
言える。
そこで、この発明は、このような2つの原因を受は入れ
たにで、実質的なイオン注入作業の時間を伸ばすことに
青]”1したものである。すなわち、2個のイオンソー
スを搭載してこれらを切り替えて使用することにより、
 ・方が使用不能のときに、他方を稼働させてイオン注
入作業の中断時間を短くするというものであって、かつ
この切り替え使用時に同時に使用不能となった他のイオ
ンソースについてイオンソースチャンバを自然冷却する
時間にあてるとか、イオンソースハウジングの取り外し
作業に当てるものである。
このように使用不能のイオンソースについての稼働準備
処理を現4稼働中のイオンソースによるイオン注入作業
と同時進行させて、この間に、使用不能なイオンソース
側を待機状態までもって行き、次に稼働中の一方が使用
不能になったときには即座にイオン注入作業をバックア
ップできるようにする。
しかして、前記のような]1的を達成するためのこの発
明のイオン注入装置における手段は、第1及び第2のイ
オンソースと、これら第1及び第2のイオンソースの1
つを選択的に稼働する手段と、稼働中のイオンソースと
稼働していないイオンソースとが相Iノ′に影響しない
ように分離するための遮閉部とを備えていて、 −力の
イオンソースの稼働中に他方のイオンソースに対して稼
働準備処理を行うというものである。
[作用] このように構成することにより、−・方のイオンソース
のフィラメントがQ」れた場合にも、他方のイオンソー
スからイオンを発生させてイオン注入作業を続行でき、
−・方のイオンソースのイオンソースチャンバ自身を1
°〔空に保持したままゆっくりと自然冷却させる時間を
確保することができるので、十分な自然冷却ができる。
したがって、チャンバ自身の寿命を長くできるとともに
、この間、イオン注入を中断させなくても済む。
また、使用不能な一方のイオンソースがフィラメントの
交換後に真空引きに入り、イオンソースチャンバ及びイ
オンソース自体の空焼きによるガス出し作業に入ってい
ても、この間他方のイオンソースからイオン注入を行う
ことができるのでイオン21人作業の効ヰ(を向1−さ
せることができる。
さらに、イオンソースハウジング自身の1IIJれによ
り高電圧放電が起こった場合などでは、ハウジング自身
を本体から取り外して分解して清掃作業をし、分解清掃
後、イオンソースハウジングの+fr組み\γてを11
い、イオン注入装置に取り付けて1°【空引きを行うこ
とになるが、 〕」のイオンソースの分解消掃負業中で
あっても他ノ」のイオンソースからイオン21人伯業を
続11させることもてきる。
したがって、このようなフィラメントの交換からイオン
注入動性までの装置が稼働しない時間。
そして清掃作業からイオン11人動作までの装j6が稼
働しない時間は、これら作業の移11に関係するほとん
でわずかな時間となりイオン11人装置の稼働率が大き
く向1−する。
[実施例コ 以ト、この発明の一実施例について図面を′#;照して
詳細に説明する。
第1図は、この発明を適用したイオン11人装置aのイ
オンソース部分を中心としたwi姿図であり、第2図は
、その電源供給回路の説明図、第3図は、その遮断部の
説明図である。なお、第4図(a)。
(b)におけるものと同一のものは、同・の符吋で小ず
第1図において、30は、イオン注入装置i17であっ
て、第1.第2のイオンソース31,32を備えていて
、これら第1.第2のイオンソース31゜32は、それ
ぞれ質駄分析″a39に対して対称となる位置にレイア
ウトされている。そしてこれら各イオンソース31,3
2は、第2図に見る電源回路40により選択的にその1
つが稼働状態とされ、他の一方は稼働準備状態とされる
制御がなされる。
第1図において、33がこの電源回路40が内蔵された
電源部であり、イオンソース用電源41及び空焼き用の
電源42とその切り替え回路部43とからなる。また、
第1図における34は、ガスボックスであって、内部に
第1のイオンソース31及び第2のイオンソース32に
対応するそれぞれの弁を有していて、第1のイオンソー
ス31又は第2のイオンソース32のいずれか一方又は
双方に内蔵ボンベからガスを供給する。
また、35aは、第1のイオンソース31に対応して設
けられている第1のイオンソース拡散ポンプであり、3
5bは、第2のイオンソース32に対応して設けられて
いる第2のイオンソース拡散ポンプである。
第1のイオンソース拡散ポンプ35aは、第1のイオン
ビーム導入管3E3aに設けられた開閉可能な第1の遮
断部37aの後ろの質量分析器39側に連通している。
−・方、第2のイオンソース拡散ポンプ35bは、第2
のイオンビーム導入管36bに設けられた開閉可能な第
2の遮断部37bの後ろの質I分析器39側に連通して
いる。ここに遮断部37a、37bは、それぞれ稼働中
の・方のイオンソースと稼働準備中の他方のイオンソー
スとが相互に影響を与えないようにこれらを分離するた
めに設けられているものである。
さて、第1のイオンソース31は、イオンビーム38a
を発!I・し、第2のイオンソース32は、第2のイオ
ンビーム38bを発生し、これらは、同一・の質量分析
器39を通過してr+f変スリスリント4向へと収束さ
れて加速管5へと至る。
ここで、質量分析器39は、両方向からのイオンビート
を受は入れる関係からその清面構造を対称形に展開した
双頭形のものであり、第1のイオンソース31使用時と
第2のイオンソース32使用時乏では、その電流極Mが
切り替えられるものである。このことにより1個の質h
1分析器39を使用することができ、装置全体は小型化
できることになる。
この質h1分析器39のイオンビーム出[1には、出射
イオンビームを収束させるために、マグホブトフォー力
用の角度調整+jJ能な調整部として磁極ボール(又は
ijJ変角度ンム)等が設けられている。
この磁極ボールを第1.第2の位置にそれぞれ設定する
ことにより、第1のイオンソース31からのイオンビー
ムも、第2のイオンソース32からのイオンビームもそ
れぞれ可変スリット4の開[1位置に収束させることが
できる。
そして、磁極ボールは、これら第1の設定位置と第2の
設定位置との間において調節可能なようにステッピング
モータ等の駆動により特定範囲で角度調整か+iJ能で
ある。
このような構造の質量分析器39を設けることにより、
1つの質量分析器により可変スリット4側に対するイオ
ンビームの収束の調整が筒中にできる。
しかし、この発明は、このように1つの質11%分析器
39によるものに限定されないことはもちろんであって
、質B1分析器を2つ、それぞれ対応する位置に設けて
それぞれ調整するようにしてもよい。
さて、第2図における切り替え回路43は、連動して動
作する2つの切り替えスイッチ43a。
43bから構成されていて、切り替えスイッチ43aは
、イオンソース用電源41を第1.第2のイオンソース
31.32のいずれか−・方のイオンソースに切り替え
接続するスイッチである。また、切り替えスイッチ43
1)は、空焼き用電源42を第1.第2のイオンソース
31,32のうちイオンソース用電源41が接続されて
いないいずれか他方のイオンソースに切り替え接続する
スイッチであり、切り替えスイッチ43 aと連動して
動作する。
なお、44はイオンソース用電源41の電力供給スイッ
チであり、45は空焼き用の電源42の電力供給スイッ
チであって、この空焼き川の電源42は、精度の悪い電
源を用意すれば足りるものである。
ここで、第1.第2の遮断部37 al 37 bは、
同・の構成を何するものであって、第3図に見るように
、それぞれシャッタ50と空気バルブ51とを有してい
る。
シャッタ50は、イオンビー438a、38bを遮断す
るためのものであって、イオンビーム導入管36a、3
8bの質量分析器39側にそれぞれ配置されている。そ
してその表面には、グラファイトのコーティング層50
aが保護層として設けられている。
一方、空気バルブ51は、それぞれイオンビーム導入管
3E3a、3E3bのイオンソース31,32側にそれ
ぞれ配置されている。そしてそれぞれイオンビーム、導
入管38 a +  3 E3 bにおいて、イオンソ
ース側と質M分析器39側とを仕切り、圧カ的にも独X
′/、な部屋とするためのものである。このようにする
ことによりイオンソースチャンバの交換作業を独立に社
うことかできる。
さて、シャ、り50は、エアーシリンダ52により開閉
駆動されるものであって、エアーシリンダ52の軸がシ
ャフト52aに結合され、シャフト52aの先端側にシ
ャッタ50が固定されている。そしてエアーシリンダ5
2を引込み作動してこれを引き込んだときに、シャッタ
50は、収納室50aに収納されることによりイオンビ
ーム導入管38a、36bから退避して、これを遮断状
態から解放状態にする。
また、エアーシリンダ52を伸張作動させたときには、
シャッタ50が収納室51bからイオンビーl・導入管
36a、3E3bの通路へと突出し、通路に蓋をする。
このことによりイオンソース31及びイオンソース32
からのイオンビームをそれぞれ遮断する。
なお、イオンビームを完全に遮断するためにイオンビー
ム導入管36a、3eb側には、フランジ50b、50
bが設けられていて、シャフト52aの収納室50a側
貫通部には、密閉状態を確保するために、/−ル部50
cが設けられ、シャッタ50と7ヤフ)52aとは内部
が中空であって、冷却のために冷媒(フォレオンガス等
)がその中に通される。
空気バルブ51は、エアーシリンダ53により開閉駆動
されるものであって、この空気バルブ51とシャッタ5
0とは連動して動作する。そして空気バルブ51は、エ
アーシリンダ53の軸がシャフト53aに結合され、シ
ャフト53aに下行リンク機構54.54を介して取り
付けられている。そこでエアーシリンダ53を引き込み
作動して引き込んだときに、空気バルブ51は、収納部
50dに収納されることによりイオンビーム導入管3(
3a、36bから退避して、これを遮断状態から解放状
態にする。
また、エアーシリンダ53を伸張作動させたときには、
空気バルブ51が収納部50dからイオンビーム導入管
36a、36bの通路へと突出し、この前進運動により
甲1■リンク機構54 + 54 ;’J’空気バルブ
51をイオンソース31.32側へと9押し出して、イ
オンソース31,32側の通路を完全に密閉状態に谷を
する。このことによりイオンソース31,32側が1力
的にみて独\rな部屋とすることができる。
その結果、イオン注入作業を中断することなしに、イオ
ンソースチャンバの交換作業を11うことかできる。
なお、第3図において、55は、第1.第2のイオンソ
ース拡散ポンプ35a、35bに連通する開[−1部分
であり、56は、隔壁である。また、シャフト53aの
収納部50d側貫通部には、密閉状態を確保するために
、7一ル部50eが設けられている。
ところで、この第1.第2の遮断部37a、37bは、
シヤツクか空気バルブのいずれか・力であってもよく、
特に、中にイオンビームを遮断するときには、ンヤ、夕
だけの構成とすることもできる。このような場合には、
−jl、イオン7.1人作業を停+L Lでからイオン
ソースチャンバ等の交換作業を1tうことになるが、冷
却作業とイオン11人作業とは同時に進行させることが
できる。
また、空気バルブ5またけのときには、空気バルブ51
の相手方のイオンソース側に保護層を設けるとよい。
次に、その取り扱い操作を説明すると、まず、・方ノイ
オンソース1例えば第1のイオンソース31のフィラメ
ントが切断した場合には、そのイオンソースチャンバの
冷却お行うことになる。このときには、第1の遮断部3
7aのエアーシリンダ52.53を伸張作動させて、シ
ャッタ5o及び空気バルブ51を閉めて、第1のイオン
ビーム導入管36aを閉じるとともに、第2の遮断部3
7bのエアーシリンダ52.53を引き込み作動させて
、/ヤッタ50及び空気バルブ51を開けて、第2のイ
オンビーム導入管38bを解放状態にする。
次に、第2図に見る電源部33の明り替え回路43を第
2のイオンソース32選択接続側に切り=21− 替えて、イオンソース用電源41から第2のイオンソー
ス32に電力を供給して、第2のイオンソース32側を
動作させてこれにてイオン注入0業を継続する。なお、
この切り替えは、イオンソース用電源供給スイッチ44
を投入した状態であっもよく、 ・]1.これを切断し
てから切り替えてもよい。
ところで、この場合、この第2のイオンソース32から
のイオン注入におけるイオンビーム38bが第1のイオ
ンソース31に入射してきても、第1の遮断部37a(
そのシヤツク50)が閉じられているので、第1のイオ
ンソース31は、影響を受けることはない。そして第1
のイオンソース31は、独立に自然冷却に状態に入るこ
とができる。第1のイオンソース31のイオンソースチ
ャンバが1・分冷却した時点で、第1のイオンソース3
1を切りはなし、人気1[シた後、イオンソースチャン
バ22の交換をする。
このようにすることにより、イオンソースチャンバ22
、イオンソースハウジング20の酸化ヲ防11シて、こ
れらのlj命を向1−させることができる。
さて、第1のイオンソース31のイオンソースチャンバ
の交換が終−rすると、交換したイオンソースチャンバ
の空焼き作業を開始する。これは、第2図の空焼き開始
スイッチ45を投入することにより行われる。
この空焼き中においても、第2のイオンソース32のイ
オン71人伯業は継続される。そして空焼きが終rした
時点でそのまま又はa空引きがされた後に、第1のイオ
ンソース32は、待機状態となりその稼働準備処理を終
rする。
なお、イオンソースチャンバの交換作業の時間は、数分
で済むので、全体的な稼働時間に対しては、無視できる
程度である。また、遮断部が中なるイオンビームを遮断
するシャッタだけの構成のときには、−j’l、イオン
注入作業を中鎖することになるが、このような場合は、
第2のイオンソース32によるイオン?1人作業は、 
・jl、 J’[、空引きした後に行うことになる。
このようにして、第2のイオンソース32によりイオン
?1人伯業が続行されて、やがて、第2のイオンソース
32のフィラメントが切れたときには、今度は、第2の
イオンソース32のイオンソースチャンバの冷却お1−
1うことになる。
このときには、第2の遮断部371)のエアーシリンダ
52.53を伸張作動させて、シャッタ50及び空気バ
ルブ51を閉めて、第2のイオンビーム導入管3E3b
を閉じるとともに、第1の遮断部37bのエアーシリン
ダ52.53を引き込み作動させて、シャッタ50及び
空気バルブ51を開けて、第1のイオンビーム導入管3
C3bを解放状態にする。次に、第2図に見る電源部3
3の切り替え回路43を第1のイオンソース31選択接
続側に切り替えて、イオンソース用電源41から第1の
イオンソース32に電力を供給して、第1のイオンソー
ス31側を動作させてこれにてイオン?1人作業を継続
する。
そして前記と同様に第1のイオンソース31は稼働状態
として、第2のイオンソース32に対して稼働準備処理
を行う。
ところで、イオンソースハウジング自身が汚れたときに
は、イオンソース自身を本体から取り出して、イオンソ
ースハウジングを取り外し、分解クリーニングすること
になる。この場合も1)11記のイオンソースチャンバ
の交換の場合に学することになるが、第1.第2の遮断
部37 a + 371)に設けられた空気バルブ51
により、イオンソース側と質11分析器39側とを仕切
り、■内的にみてこれらを独ヴな部屋とすることにより
、その分解作業は、他方の稼働中のイオンソースによる
イオン注入作業とは独qにできる。
また、遮断部37 a、 37 bが、甲に、シャッタ
からなるものであれば、イオンソース自体を取り外すと
きのみ他方の稼働中のイオンソースからのイオン注入作
業を中断する。そして分解クリーニング後の組み\γて
終了後に、再び同様に、イオンi1人伯業を中断して、
取り付ける。このことによりイオン注入作業の稼働率を
従来より向l・、させることがijJ能である。
このように、第1及び第2のイオンソースのうちの稼働
1iJ能な状態にある電力を稼働し、この ・方のイオ
ンソースの稼働中に他方のイオンソースに対して稼働準
備処理を行う。すなわち、 力のイオンソースのメンテ
ナンス作業中に他方のイオンソースを使用してイオノン
1人作業を続けることができ、特に、イオンソースチャ
ンバ等の交換作業は、1分に冷却してから行えるもので
ある。
ところで、空焼き用の電源は、精度の高くない電源を使
用できるので経済的なものとなり、他方のイオンソース
を稼働しているときに、−・方のイオンソースをすぐに
使用できる状態まで\γち1−げることができる。した
がって、実質的にほぼ100%に近い稼働率を確保する
ことができる。
以1−説明してきたが、実施例にあっては、イオンl’
1人作業中にもイオンソースチャンバの空焼きができる
ように、2つのイオンソース系を設けているが、イオン
ソースは、複数あればよく、2個に限定されるものでは
なく、また、その配置は、実施例に見るように、対抗す
る位置に対称に設ける必要はない。
また、実施例では、2つのイオンソース系を設けて、こ
れらに独11にf〔空排気系を設け、かつ独\γの空焼
き専用電源を設け、電源系統とか、ガスボックスを共通
に利用しているか、その他共用できるのもには、ベーポ
ライザー系、イオンソース電磁石電源系をはじめ各種の
ものがある。しかし、ガスボックスをはじめとして各種
の電源系等はそれぞれ独自に設けられてもよいことはも
ちろんである。
なお、実施例では、イオンビーム導入管側にイオンソー
スからのイオンビームを遮断するために遮断部を設けて
いるが、イオンビームを遮断できれば、その位置は問わ
ない。特に、複数のイオンソースが対抗位置に配置され
ない構造のときには、このような遮断部は、必ずしも必
要でない。
また、実施例では、シャッタと空気バルブとを連動させ
ているが、これらは必ずしも連動させる必要はない。
[発明の効果] 以1−の説明から理解できるように、この発明のイオン
注入装置にあっては、第1及び第2のイオンソースと、
第1及び第2のイオンソースの1つを選択的に稼働する
手段と、稼働中のイオンソースと稼働していないイオン
ソースとが相【Iに影響しないように分離するための遮
閉部とを備えていて、 ・方のイオンソースの稼働中に
他方のイオンソースに対して稼働準備処理をjlうもの
であるので、 ・力のイオンソースのフィラメントが切
れた場合にも、他方のイオンソースからイオンを発生さ
せてイオン注入装置を続11でき、 ・力のイオンソー
スのイオンソースチャンバ自身を真空に保持したままゆ
っくりと自然冷却させる時間を確保することができる。
その結果、1分な自然冷却かでき、チャンバ自身の寿命
を長くできるとともに、この間イオンン1人を中断させ
なくても済む。
また、使用不能な 方のイオンソースがフィラメントの
交換後にI′も空引きに入り、イオンソースチャンバ及
びイオンソース自体のの空焼きによるガス出し作業に入
っていても、この間他方のイオンソースからイオン注入
を行うことができるのでイオンバー人作文の効率を向1
−1させることができる。
さらに、イオンソースハウジング自身のzりれにより高
電圧放電が起こった場合などでは、チャンバ自身を本体
から取り外して分解して清掃作業をし、分解清掃後、イ
オンソースハウジングの再組み〜γてを行い、イオン注
入装置に取り付けて真空引きを行うことになるが、−・
方が分解清掃作業中であっても他方のイオンソースから
イオン注入作業を続行させることもできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明のイオン注入装置を適用したイオン
注入装置のイオンソース部分を中心とした概要図、第2
図は、その電源供給回路の説明図、第3図は、その遮断
部の説明図、第4図(a)は、従来のフリーマン形のイ
オン注入装置の・例を示す説明図、第4図(b)は、そ
のイオンソースの説明図である。 30・・・イオン注入装置、31・・・第1のイオンソ
一ス、32・・・第2のイオンソース、33・・・電源
部、34・・・ガスボックス、35a・・・ff1lの
イオンソース拡散ポンプ、35])・・・第2のイオン
ソース拡散ポンプ、36a・・・第1のイオンビーム導
入管、36b・・・第2のイオンビーム導入管、37a
・・・第1の遮断部、37a・・・第1の遮断部、39
・・・質量分析器、40・・・電源回路、41・・・イ
オンソース用電源、 42・・・空焼き用の電源、43・・・切り替え回路部
、50・・・シャッタ、51・・・空気バルブ。 特許出願人 東京エレクトロン株式会社代理人   弁
理1− 梶 山 拮 是弁理1 山 木 富り男 第1図 j 第2図 第4図(a) 第4図(b)

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)第1及び第2のイオンソースと、これら第1及び
    第2のイオンソースの1つを選択的に稼働する手段と、
    稼働中のイオンソースと稼働していないイオンソースと
    が相互に影響しないように分離するための遮閉部とを備
    えるイオン注入装置であって、一方のイオンソースの稼
    働中に他方のイオンソースに対して稼働準備処理を行う
    ことを特徴とするイオン注入装置。
  2. (2)第1のイオンソースと第2のイオンソースとは同
    一面上においてほぼ対抗する位置に配置されていて、選
    択的に稼働する手段は第1及び第2のイオンソースのう
    ちいずれか一方に選択的にイオンを発生するのための電
    力を供給する電源回路を有していることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載のイオン注入装置。
  3. (3)イオン注入装置は、第1及び第2のイオンソース
    に対応して設けられた第1及び第2の引き出し電極と第
    1及び第2のイオンソースから引き出されたイオンを質
    量分析器へ導入する第1および第2のイオンビーム導入
    管とを有し、遮断部は、第1及び第2の遮断部として第
    1及び第2のイオンビーム導入管の管路にそれぞれ対応
    して設けられ、選択的に稼働する手段は、イオンソース
    用電源とこのイオンソース用電源からの電力を第1及び
    第2のイオンソースのうちどちらか一方へ供給する切り
    替え手段とを有していてることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載のイオン注入装置。
  4. (4)第1及び第2の遮断部は、それぞれ第1及び第2
    の空気バルブと、これら第1及び第2の空気バルブにそ
    れぞれ対応して設けられこれらとそれぞれ連動してイオ
    ンビームを遮断する第1及び第2のシャッタとを有する
    ことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載のイオン注
    入装置。
  5. (5)第1の遮断部及び第2の遮断部のいずれか一方を
    解放状態とし、他方を遮断状態として解放状態に対応す
    る側のイオンソースに前記イオンソース用電源を接続す
    ることのよりイオンビームを発生させて稼働状態とし、
    前記遮断状態に対応する側のイオンソースに対しては稼
    働準備処理状態とすることを特徴とする特許請求の範囲
    第3項記載のイオン注入装置。
  6. (6)第1及び第2の遮断部は、第1及び第2の空気バ
    ルブと、これら第1及び第2の空気バルブにそれぞれ対
    応して設けられこれらとそれぞれ連動してイオンビーム
    を遮断する第1及び第2のシャッタとを備えていて、第
    1の空気バルブ及び第1のシャッタ並びに第2の空気バ
    ルブ及び第2のシャッタのいずれか一方をそれぞれ開状
    態にし、他方を閉状態にして開状態に対応するイオンソ
    ース側に前記イオンソース用電源を接続することにより
    イオンビームを発生させて稼働状態とし、かつ、前記閉
    状態に対応するイオンソース側に対しては稼働準備処理
    状態とすることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載
    のイオン注入装置。
  7. (7)第1の空気バルブ及び第1のシャッタと第2の空
    気バルブ及び第2のシャッタとがそれぞれ一体的に形成
    されていることを特徴とする特許請求の範囲第4項乃至
    6項のうちから選択されたいずれか1項記載のイオン注
    入装置。
  8. (8)稼働準備処理のイオンソースにイオンソース用電
    源とは別の電源を接続して空焼き処理を行うことを特徴
    とする特許請求の範囲第4項乃至6項のうちから選択さ
    れたいずれか1項記載のイオン注入装置。
JP19900485A 1985-09-09 1985-09-09 イオン注入装置 Pending JPS6261258A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19900485A JPS6261258A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 イオン注入装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19900485A JPS6261258A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 イオン注入装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6261258A true JPS6261258A (ja) 1987-03-17

Family

ID=16400501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19900485A Pending JPS6261258A (ja) 1985-09-09 1985-09-09 イオン注入装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6261258A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013187057A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Toshiba Corp イオン源、重粒子線照射装置、イオン源の駆動方法、および、重粒子線照射方法
WO2023192100A1 (en) * 2022-03-28 2023-10-05 Axcelis Technologies, Inc. Dual source injector with switchable analyzing magnet

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5787055A (en) * 1980-11-20 1982-05-31 Seiko Epson Corp Ion implantation device
JPS6044953A (ja) * 1983-08-20 1985-03-11 Fujitsu Ltd イオン注入装置
JPS61133544A (ja) * 1984-11-30 1986-06-20 Toshiba Corp イオン打込み装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5787055A (en) * 1980-11-20 1982-05-31 Seiko Epson Corp Ion implantation device
JPS6044953A (ja) * 1983-08-20 1985-03-11 Fujitsu Ltd イオン注入装置
JPS61133544A (ja) * 1984-11-30 1986-06-20 Toshiba Corp イオン打込み装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013187057A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Toshiba Corp イオン源、重粒子線照射装置、イオン源の駆動方法、および、重粒子線照射方法
US9087678B2 (en) 2012-03-08 2015-07-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Ion source, heavy particle beam irradiation apparatus, ion source driving method, and heavy particle beam irradiation method
DE102013203803B4 (de) 2012-03-08 2022-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Ionenquelle, Schwerpartikelstrahl-Betrahlungsvorrichtung, Ionenstrahl-Antriebsverfahren und Schwerpartikelstrahlen-Bestrahlungsverfahren
DE102013203803B8 (de) 2012-03-08 2022-12-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Ionenquelle, schwerpartikelstrahl-bestrahlungsvorrichtung, ionenstrahl-antriebsverfahren und schwerpartikelstrahlen-bestrahlungsverfahren
WO2023192100A1 (en) * 2022-03-28 2023-10-05 Axcelis Technologies, Inc. Dual source injector with switchable analyzing magnet
US11823858B2 (en) 2022-03-28 2023-11-21 Axcelis Technologies, Inc. Dual source injector with switchable analyzing magnet

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3425154B2 (ja) イオン銃
US6147354A (en) Universal cold-cathode type ion source with closed-loop electron drifting and adjustable ionization gap
US4346301A (en) Ion implantation system
JPH10330939A (ja) イオン注入装置、二重排気チューブ組立体及びその交換方法
JPS6261258A (ja) イオン注入装置
US20150130353A1 (en) Arc chamber with multiple cathodes for an ion source
JPS6261259A (ja) イオン注入装置
JPH1050247A (ja) イオン注入装置
JPH051588B2 (ja)
JPS5827620B2 (ja) イオン衝撃装置
JP2000090868A (ja) 光学鏡筒及びそのクリーニング方法
JPH09210965A (ja) 液体クロマトグラフ質量分析装置
JPS54124966A (en) Exhasut system of particle-beam equipment
JP4649774B2 (ja) イオン源及びフィラメントの交換方法
Wengrow et al. Development of the next generation H− ion source for the LANSCE facility
Huixing et al. The Beijing metal vapor vacuum arc ion source program
JP3544483B2 (ja) イオンビーム装置
JPH0676775A (ja) イオン打込み方法
Delmore et al. An autoneutralizing neutral molecular beam gun
JPH05325813A (ja) 負イオン源
JP2620859B2 (ja) 熱陰極型イオン源
JPH10199466A (ja) イオンビーム加工観察装置
JPH04274153A (ja) ガスクロマトグラフ−質量分析計のイオン源
JP2003272554A (ja) イオン注入装置及びその稼動制御方法
JPS63299042A (ja) イオン注入装置