JPS6261236A - 含浸形陰極構体 - Google Patents
含浸形陰極構体Info
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- JPS6261236A JPS6261236A JP60199518A JP19951885A JPS6261236A JP S6261236 A JPS6261236 A JP S6261236A JP 60199518 A JP60199518 A JP 60199518A JP 19951885 A JP19951885 A JP 19951885A JP S6261236 A JPS6261236 A JP S6261236A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、電子管等に使用する含浸形陰極構体に関する
。
。
（発明の技術向背Ｆ、２ ａ３よびその問題点〕含浸形
陰極椙体は、タンゲスシン（Ｗ＞のシンうな高融点金属
の扮末を焼結し−Ｃつくった多孔ｆ’Ｉ Ｅ、を体の空
孔部に、酸化バリウム（［３ε１０） 、ＦＥ化カルシ
ウム（Ｃａｂ） 、おＪ：び酸化アルミニウム（Ａで２
０３）からなる電子数ｑＮｌ物？（１を溶融含浸させた
ものである。この陰極は、酸化物陰極に比べ動作温度が
高いが、高電流密度か得られ、またガス被毒に強いとい
う特質を右する。このため、例えばｉｎｊ星搭載用など
の進行波管、クーノイズ１−ロン、核融合プラズマ加熱
用の入電力クライス１〜［−１ンなどに実用されている
。そしてとくに艮）ｊ命、安定動作ｔアどの高信頼性ａ
３Ｊ−び高電流密度か一層要求されている１゜ 信頼性を高める１つの方策として、陰極表面にイリジウ
ム（Ｉｒｅ、オスミウム（Ｏ３＞、ルＪニウム（ＲＬＪ
）のよう％白金族金属、あるい（３１その合金からなる
被覆層を設けて陰極表面部のイ１事関数を下げ、動作温
度の低減を図ることかλ１１られている。このような被
覆層を設りることにＪ、す、被覆層かない場合と同じ電
流密度を得るのに、数十’ｃ乃〒白数十℃も動作温度を
小げることができる。このように被覆がない場合に比べ
て動作温度を低下させることかで゛きるとはいえ、しか
しその動作温度はおよそ９００〜１０００’ＣＴ−あり
、ヤ）はり動作に伴って多孔質基体を形成り−るＷか表
面被覆層中に拡散して表面被覆層金属とＷとの合金層を
形成することが避（プられない。この表面被覆層の合金
化過程は、電子放射特性を著しく劣化させ、安定動作、
艮右命特性など信頼性向上への１つの隘路となっている
、。
陰極椙体は、タンゲスシン（Ｗ＞のシンうな高融点金属
の扮末を焼結し−Ｃつくった多孔ｆ’Ｉ Ｅ、を体の空
孔部に、酸化バリウム（［３ε１０） 、ＦＥ化カルシ
ウム（Ｃａｂ） 、おＪ：び酸化アルミニウム（Ａで２
０３）からなる電子数ｑＮｌ物？（１を溶融含浸させた
ものである。この陰極は、酸化物陰極に比べ動作温度が
高いが、高電流密度か得られ、またガス被毒に強いとい
う特質を右する。このため、例えばｉｎｊ星搭載用など
の進行波管、クーノイズ１−ロン、核融合プラズマ加熱
用の入電力クライス１〜［−１ンなどに実用されている
。そしてとくに艮）ｊ命、安定動作ｔアどの高信頼性ａ
３Ｊ−び高電流密度か一層要求されている１゜ 信頼性を高める１つの方策として、陰極表面にイリジウ
ム（Ｉｒｅ、オスミウム（Ｏ３＞、ルＪニウム（ＲＬＪ
）のよう％白金族金属、あるい（３１その合金からなる
被覆層を設けて陰極表面部のイ１事関数を下げ、動作温
度の低減を図ることかλ１１られている。このような被
覆層を設りることにＪ、す、被覆層かない場合と同じ電
流密度を得るのに、数十’ｃ乃〒白数十℃も動作温度を
小げることができる。このように被覆がない場合に比べ
て動作温度を低下させることかで゛きるとはいえ、しか
しその動作温度はおよそ９００〜１０００’ＣＴ−あり
、ヤ）はり動作に伴って多孔質基体を形成り−るＷか表
面被覆層中に拡散して表面被覆層金属とＷとの合金層を
形成することが避（プられない。この表面被覆層の合金
化過程は、電子放射特性を著しく劣化させ、安定動作、
艮右命特性など信頼性向上への１つの隘路となっている
、。
このため、表面被覆層への基体金属の拡散による合金化
およびその進行を、適切に規制して電子放射性Ｐ１の安
定な含浸形陰極構体の開発が望まれている。
およびその進行を、適切に規制して電子放射性Ｐ１の安
定な含浸形陰極構体の開発が望まれている。
（発明の目的）
本発明は、以上の事情に鑑み陰極表面被覆層への基体金
属の拡散、合金化を規制し、もって電子放射特性を早期
に安定化し目つ艮スｊ命特性を−０つ含浸形陰極椙体を
１ν供覆るものである。
属の拡散、合金化を規制し、もって電子放射特性を早期
に安定化し目つ艮スｊ命特性を−０つ含浸形陰極椙体を
１ν供覆るものである。
（発明の概要〕
本発明は、多孔質↓、（体の表面に形成りろ表面被覆層
としてイリジウムＡ３Ｊ、ひタンゲス１ンの合金を含み
、その組成比が、イリジウムか４１）原子％乃至８０原
子％の範囲、タングメーノンか５ ！〕１京子９（、乃
１ゝ２（）原ｒ−’ｘ、の範囲′（・ある含浸形陰極構
体（ある。
としてイリジウムＡ３Ｊ、ひタンゲス１ンの合金を含み
、その組成比が、イリジウムか４１）原子％乃至８０原
子％の範囲、タングメーノンか５ ！〕１京子９（、乃
１ゝ２（）原ｒ−’ｘ、の範囲′（・ある含浸形陰極構
体（ある。
それにより、表面被覆層の合金化の進行を当初から確実
に抑！ＩＩ−Ｊることか″（パさ、電子数ＩＩＪ＝ｌ特
↑］１を動作温度、動作時間にかかわり４ｆりはぽ安定
に維持することが（゛さろ３、こうし−Ｃ仁頼′１）１
の；７’Ｈ，い含浸型陰極構体か得られる。
に抑！ＩＩ−Ｊることか″（パさ、電子数ＩＩＪ＝ｌ特
↑］１を動作温度、動作時間にかかわり４ｆりはぽ安定
に維持することが（゛さろ３、こうし−Ｃ仁頼′１）１
の；７’Ｈ，い含浸型陰極構体か得られる。
（発明の実施例〕
１ス下図面を参照してその実施例をβ（四重る、。
本発明の含浸形陰極椙体は、第１図に示−りようにタン
クル（Ｔ ａ）あるい（５Ｌシリブア゛ン（Ｍ ｏ ）
のような高融点金属のスリーブ１１の内側に加熱用ヒー
タ１２がアルミ犬セラミック絶縁物１］：二よつ−Ｃ埋
込まれ、このスリーブ１１の一端にタングメランの多孔
質基体１４かろう何層１５を介して接合されている。こ
の多孔７１基体１４は、Ｗ粉末を例えば２０”ｌ。
クル（Ｔ ａ）あるい（５Ｌシリブア゛ン（Ｍ ｏ ）
のような高融点金属のスリーブ１１の内側に加熱用ヒー
タ１２がアルミ犬セラミック絶縁物１］：二よつ−Ｃ埋
込まれ、このスリーブ１１の一端にタングメランの多孔
質基体１４かろう何層１５を介して接合されている。こ
の多孔７１基体１４は、Ｗ粉末を例えば２０”ｌ。
の空孔率となるにうに焼結し、この空孔部に、Ｂ ａ
０１Ｃａｂ、およびＡｅ２０３からなる電子放射物質（
例えばモル比−４：１：１ ）を溶融含浸して形成した
ものである１、ぞしてこの多孔質基体１４の表面に、表
面被覆層１５が形成されている。この被覆層１５は、Ｉ
ｒおよびＷ合金、またはＨｒおよびＷを主として含む合
金（これを単にＩｒ−Ｗ合金と記す）からなり、厚さが
５０人乃至２００００人の間にあるａすい層である。こ
のＩｒ−Ｗ合金被覆層のｌｒとＷとの組成比は、Ｉｒが
４５原子％乃至８０原子％の範囲、Ｗが５５原子％乃￥
２０原子％の範囲である。
０１Ｃａｂ、およびＡｅ２０３からなる電子放射物質（
例えばモル比−４：１：１ ）を溶融含浸して形成した
ものである１、ぞしてこの多孔質基体１４の表面に、表
面被覆層１５が形成されている。この被覆層１５は、Ｉ
ｒおよびＷ合金、またはＨｒおよびＷを主として含む合
金（これを単にＩｒ−Ｗ合金と記す）からなり、厚さが
５０人乃至２００００人の間にあるａすい層である。こ
のＩｒ−Ｗ合金被覆層のｌｒとＷとの組成比は、Ｉｒが
４５原子％乃至８０原子％の範囲、Ｗが５５原子％乃￥
２０原子％の範囲である。
製作にあたってはまず、多孔質基体１４として、ディス
クの直径が４．５ｍｍ、厚さが１．３ｍｍ、空孔キが２
０％のＷからなる多孔質基体を用意し、これを−丁″ａ
からなるＩＡ極ススリーブ１１ころう接する。ヒータ１
２を）フルミナ粉末の絶縁物を充填して埋込み、その後
電子放射物質を空孔部に溶融含浸（）、さらに表面に残
っている過剰含浸剤の除去を行なう。
クの直径が４．５ｍｍ、厚さが１．３ｍｍ、空孔キが２
０％のＷからなる多孔質基体を用意し、これを−丁″ａ
からなるＩＡ極ススリーブ１１ころう接する。ヒータ１
２を）フルミナ粉末の絶縁物を充填して埋込み、その後
電子放射物質を空孔部に溶融含浸（）、さらに表面に残
っている過剰含浸剤の除去を行なう。
その後凹面状の陰極表面に、二元スパッタリング法によ
りＩｒか５０原子％、Ｗが５（）原子％（両名の原子最
が同等なので、重量比も略同等％となる）からなる厚さ
５０００人の被覆層を形成する。１このスパッタ１ノン
グ時の基板温度（。］、３００°Ｃである。この二元ス
パッタリングにより陰極表面に上記組成比のＴ ｒ−Ｗ
合金被覆層か形成される１、スパックリング後、被覆層
と多孔質Ｗ１ｊ、体の密着↑（１を増すため、水系雰囲
気中で１０００℃、３０分の熱処理を施した。
りＩｒか５０原子％、Ｗが５（）原子％（両名の原子最
が同等なので、重量比も略同等％となる）からなる厚さ
５０００人の被覆層を形成する。１このスパッタ１ノン
グ時の基板温度（。］、３００°Ｃである。この二元ス
パッタリングにより陰極表面に上記組成比のＴ ｒ−Ｗ
合金被覆層か形成される１、スパックリング後、被覆層
と多孔質Ｗ１ｊ、体の密着↑（１を増すため、水系雰囲
気中で１０００℃、３０分の熱処理を施した。
これによって表面被覆層は動作初期から安定−（あり、
この被覆層への基体金属（Ｗ＞の拡散は茗しく規制され
、したがって陰極の動作初期から長時間にわたって安定
な電子数ｑ４特性がＦｊられる、。
この被覆層への基体金属（Ｗ＞の拡散は茗しく規制され
、したがって陰極の動作初期から長時間にわたって安定
な電子数ｑ４特性がＦｊられる、。
次にこのような本発明による安定な動作特性が得られる
理由を詳細に説明する。
理由を詳細に説明する。
本発明との比較のため、ｉｒだ（・すからなる）７さＥ
ｉ０００人の被覆層をもつ含浸形陰極をも用意した。
ｉ０００人の被覆層をもつ含浸形陰極をも用意した。
そして本発明の上記実施例の陰極と比較の紳■１・被覆
層をもつ陰極について、真空高温Ｘ線回折菰”Ｂ３３よ
び走査形オージェ電子分光装置を使用し、装置内でその
場１１！ｉ！察し、さらに測定後の陰極の断面を走査形
電子顕微鏡で解析した結果、以下に示す事実が明らかに
なった。なお、陰＠温度はこの実験に供した陰極のＴａ
製スリーブ十で測定した輝度温度（’Ｃｂ−Ｔａ＞を採
用している。これはＪｒ表面上では合金化に伴って熱敢
則率が変化し、輝度温度が変化するためである。
層をもつ陰極について、真空高温Ｘ線回折菰”Ｂ３３よ
び走査形オージェ電子分光装置を使用し、装置内でその
場１１！ｉ！察し、さらに測定後の陰極の断面を走査形
電子顕微鏡で解析した結果、以下に示す事実が明らかに
なった。なお、陰＠温度はこの実験に供した陰極のＴａ
製スリーブ十で測定した輝度温度（’Ｃｂ−Ｔａ＞を採
用している。これはＪｒ表面上では合金化に伴って熱敢
則率が変化し、輝度温度が変化するためである。
まず比較のだめの紳Ｊｒ被覆層をもつ陰極につき、真空
高温Ｘ線回折装置を用い、陰極の動作温庭を９８０’Ｃ
ｂ−Ｔａ、 ９００′Ｃｂ−Ｔａ、１１８０’Ｑｂ−
Ｔａの３点で等温加熱しながらその合金化に伴なう被覆
層の結晶構造の経時変化を追跡したところ、動作温度９
８０’Ｑｂ−ＴａにおけるＸ線回折ピークの変化は第２
図に示スにうな結果が得られた。同図から明らかように
加熱開始とともにまず１分後ではｌｒの強度ピークが最
も急峻になっていることがら）ｒ被覆層の再結晶化が起
るとともに、次第にＪｒとＷとの合金相を示す回折ピー
クが現われる。この合金相は、稠密六方構造（以下、こ
れをε相と記１）を有する。この時点では、Ｗ基体とＩ
ｒ被覆層との界面近傍で合金相が形成され−Ｃいるもの
と考えられる。ざらに加熱を続εプて行くと、Ｉｒのピ
ークは低減し、４０分後にはこれが消失し、ε相とＦ地
基体のＷのピークだけが認められるようになる。
高温Ｘ線回折装置を用い、陰極の動作温庭を９８０’Ｃ
ｂ−Ｔａ、 ９００′Ｃｂ−Ｔａ、１１８０’Ｑｂ−
Ｔａの３点で等温加熱しながらその合金化に伴なう被覆
層の結晶構造の経時変化を追跡したところ、動作温度９
８０’Ｑｂ−ＴａにおけるＸ線回折ピークの変化は第２
図に示スにうな結果が得られた。同図から明らかように
加熱開始とともにまず１分後ではｌｒの強度ピークが最
も急峻になっていることがら）ｒ被覆層の再結晶化が起
るとともに、次第にＪｒとＷとの合金相を示す回折ピー
クが現われる。この合金相は、稠密六方構造（以下、こ
れをε相と記１）を有する。この時点では、Ｗ基体とＩ
ｒ被覆層との界面近傍で合金相が形成され−Ｃいるもの
と考えられる。ざらに加熱を続εプて行くと、Ｉｒのピ
ークは低減し、４０分後にはこれが消失し、ε相とＦ地
基体のＷのピークだけが認められるようになる。
このε相の回折ピークは引きつづく加熱で低角度側にブ
ロードになり、最終的にば仝て低角度側に移行してしま
う。
ロードになり、最終的にば仝て低角度側に移行してしま
う。
第３図に、現在まで知られているＩｒとＷどの状態図を
示すが、第２図に示し上述したε相の回折ピークのシフ
トは、第３図に示ず領域Ａに沿って反応が進行したもの
と考えられる。この状態までに要する時間は、動作温度
９８０’Ｃｂで２９時間と早く、このまま被覆層の■ｒ
−Ｗ合金化が進めば、数百時間で被覆層は完全に変質し
、当初の紬■ｒ被覆層による効果が消失してしまうので
はないかと懸念される。
示すが、第２図に示し上述したε相の回折ピークのシフ
トは、第３図に示ず領域Ａに沿って反応が進行したもの
と考えられる。この状態までに要する時間は、動作温度
９８０’Ｃｂで２９時間と早く、このまま被覆層の■ｒ
−Ｗ合金化が進めば、数百時間で被覆層は完全に変質し
、当初の紬■ｒ被覆層による効果が消失してしまうので
はないかと懸念される。
そこで次に、走査形オージェ電子分光装置を使用し、装
置内で等温加熱しながら表面のＩｒとＷとのａ度変化を
追跡した。第５図に、１１８０’Ｃｂで行なった３００
０時間までのその結果を示す。同図がら、一定組成のε
相か形成されると、その後の合金化の進行は箸しく遅く
なることがわかる。これは、Ｉｒ中のＷの拡散速度に比
べε相のＷの拡散速度が著しく遅いためであると考えら
れる。
置内で等温加熱しながら表面のＩｒとＷとのａ度変化を
追跡した。第５図に、１１８０’Ｃｂで行なった３００
０時間までのその結果を示す。同図がら、一定組成のε
相か形成されると、その後の合金化の進行は箸しく遅く
なることがわかる。これは、Ｉｒ中のＷの拡散速度に比
べε相のＷの拡散速度が著しく遅いためであると考えら
れる。
さらに等温加熱前後の被覆層付近の断面を走査形電子顕
微鏡で観察した。この結果の写真を第４図に示す。同図
（ａ）は加熱前の状態、同図（ｂ）は加熱後の状態を示
している。それらから加熱後は被覆層の膜厚が加熱前に
比べ２倍以−にになっていることがわかる。これは、Ｉ
ｒ被覆層中に基体のＷが拡散するだけでなく、Ｗ基体中
にＩｒが拡散した結果であるか、あるいはＩｒ被覆層が
Ｗとの合金化に伴い体積変化を起した結果であるかのい
ずれかであると考えられる。いずれにしても合金化に伴
い被覆層の膜厚が変化することは、陰極温度ａ３よび時
間により被覆層の合金化が署しく状態変化を生じている
ことを示しており、それにより電子放射特性が変化する
ことを意味しており、望ましくない現象である。
微鏡で観察した。この結果の写真を第４図に示す。同図
（ａ）は加熱前の状態、同図（ｂ）は加熱後の状態を示
している。それらから加熱後は被覆層の膜厚が加熱前に
比べ２倍以−にになっていることがわかる。これは、Ｉ
ｒ被覆層中に基体のＷが拡散するだけでなく、Ｗ基体中
にＩｒが拡散した結果であるか、あるいはＩｒ被覆層が
Ｗとの合金化に伴い体積変化を起した結果であるかのい
ずれかであると考えられる。いずれにしても合金化に伴
い被覆層の膜厚が変化することは、陰極温度ａ３よび時
間により被覆層の合金化が署しく状態変化を生じている
ことを示しており、それにより電子放射特性が変化する
ことを意味しており、望ましくない現象である。
これに対し、本発明による○浸形陰極構体はｒ＝ ８
− めε相の組成に相当する組成のＪｒ−Ｗ合金被覆層を形
成しであるので、その後の合金化、状態変化がほとんど
認められない。すなわら、本発明実施例の陰極と、比較
のための１１゛のみの被Ｗ層をｂつ陰極とを、走査形オ
ージェ電子分光装置内（１１８０°ｃｂで等温加熱しな
がら表面濃度をその場観察し測定した。この時の真空度
は、７Ｘ １０’Ｐａである。さらに各時間ごとの層卸
の変化を測定した。
− めε相の組成に相当する組成のＪｒ−Ｗ合金被覆層を形
成しであるので、その後の合金化、状態変化がほとんど
認められない。すなわら、本発明実施例の陰極と、比較
のための１１゛のみの被Ｗ層をｂつ陰極とを、走査形オ
ージェ電子分光装置内（１１８０°ｃｂで等温加熱しな
がら表面濃度をその場観察し測定した。この時の真空度
は、７Ｘ １０’Ｐａである。さらに各時間ごとの層卸
の変化を測定した。
これらの結果を第６図および第７図に示す。同図に実線
で示すＰは被覆層に一上記組成比のＩ ｒ −’ＩＡ／
合金を用いた本発明の陰極の結果を、また点線（示ずＱ
は紬Ｉｒを用いた比較例の結果をあられしている。この
比較結果から、本発明に係わる陰極は、加熱に伴なう被
覆層のＷ２９度の変化（Ｆ３ Ｊ、σ層厚の変化がほと
んど牛しないことがわかる。
で示すＰは被覆層に一上記組成比のＩ ｒ −’ＩＡ／
合金を用いた本発明の陰極の結果を、また点線（示ずＱ
は紬Ｉｒを用いた比較例の結果をあられしている。この
比較結果から、本発明に係わる陰極は、加熱に伴なう被
覆層のＷ２９度の変化（Ｆ３ Ｊ、σ層厚の変化がほと
んど牛しないことがわかる。
なお、ｆ ｌ”−Ｗ合金被覆層に、他の金属が鱈干含ま
れてもよく、その場合もＩｒとＷとの組成比がＩｒ４５
原子％乃至８０原子％の範囲、Ｗ５５原了％乃至２０原
子％の範囲であることか必要である。この範囲に設定す
ることにより、第３３図からし明しかなように広範な動
作温度範囲で安定なε合金相が得られ、合金化の進行、
層厚、および電子放射特性の変化を確実に規制づ−るこ
とができる。
れてもよく、その場合もＩｒとＷとの組成比がＩｒ４５
原子％乃至８０原子％の範囲、Ｗ５５原了％乃至２０原
子％の範囲であることか必要である。この範囲に設定す
ることにより、第３３図からし明しかなように広範な動
作温度範囲で安定なε合金相が得られ、合金化の進行、
層厚、および電子放射特性の変化を確実に規制づ−るこ
とができる。
なおまた、被覆層の層厚は、５０Å以下では被覆層が早
期にＷ層に置換されＣしまい、この被覆層を形成した効
果が充分得られない。さらにまた、２００００Δ以上で
は多孔質基体中のＢ ａ １７）陰極表面への拡散が阻
害され、電子放射特性がむしろ損われてしまう。
期にＷ層に置換されＣしまい、この被覆層を形成した効
果が充分得られない。さらにまた、２００００Δ以上で
は多孔質基体中のＢ ａ １７）陰極表面への拡散が阻
害され、電子放射特性がむしろ損われてしまう。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、使用時の加熱に伴
なう表面被覆層の合金化の進行を当初から確実に抑制−
りることができ、電子放射特性を動作温度、動作時間に
かかわりなくほぼ安定に維持することができる。このよ
うに信頼性の高い含浸型陰極構体が１ｑられる。
なう表面被覆層の合金化の進行を当初から確実に抑制−
りることができ、電子放射特性を動作温度、動作時間に
かかわりなくほぼ安定に維持することができる。このよ
うに信頼性の高い含浸型陰極構体が１ｑられる。
第１図は本発明に係わる○渦形陰極構体を示ず要部縦断
面図、第２図は加熱に伴なうＸ線回折パターンの変化を
示す特性図、第３図はＪｒ−１１＝ とＷとの合金化状態図、第４図（ａ） 、Ｆ３よび（ｂ
）は陰極表面部の結晶梠）青を示づ一電子顕微鏡′／７
′白、第５図は加熱に伴なう表面Ｗ濃石の変化を；ｐ、
７ｊ特性図、第６図および第７図（。１それぞれ加熱に
伴なう表面Ｗ温石および層１７の経時変化を承り特性図
である。 １４・・・多孔質は体、 １５・・・表向被覆層。 代理人弁理士 則 近 点 （ｆｉ 同 入団す１ｑ人 一１２＝ 一咀輯（。、ｕ） 第２図 （ゝ％％＠） ｃ 、、力°ｃｂ３唾
内後）（ａ）（δ） 第４図 加熱哨向（端内）→ 第５図
面図、第２図は加熱に伴なうＸ線回折パターンの変化を
示す特性図、第３図はＪｒ−１１＝ とＷとの合金化状態図、第４図（ａ） 、Ｆ３よび（ｂ
）は陰極表面部の結晶梠）青を示づ一電子顕微鏡′／７
′白、第５図は加熱に伴なう表面Ｗ濃石の変化を；ｐ、
７ｊ特性図、第６図および第７図（。１それぞれ加熱に
伴なう表面Ｗ温石および層１７の経時変化を承り特性図
である。 １４・・・多孔質は体、 １５・・・表向被覆層。 代理人弁理士 則 近 点 （ｆｉ 同 入団す１ｑ人 一１２＝ 一咀輯（。、ｕ） 第２図 （ゝ％％＠） ｃ 、、力°ｃｂ３唾
内後）（ａ）（δ） 第４図 加熱哨向（端内）→ 第５図
Claims (2)
- （１）多孔質基体にアルカリ土類金属酸化物が含浸され
、この多孔質基体の表面部にイリジウムおよびタングス
テンの合金被覆層が形成されてなる含浸形陰極構体にお
いて、 上記被覆層のイリジウムおよびタングステンの組成比は
、イリジウムが４５原子％乃至８０原子％の範囲、タン
グステンが５５原子％乃至２０原子％の範囲であること
を特徴とする含浸形陰極構体。 - （２）被覆層の厚さは、５０Å乃至２００００Åの範囲
である特許請求の範囲第１項記載の含浸形陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199518A JPS6261236A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 含浸形陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60199518A JPS6261236A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 含浸形陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6261236A true JPS6261236A (ja) | 1987-03-17 |
Family
ID=16409156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60199518A Pending JPS6261236A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | 含浸形陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6261236A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990027741A (ko) * | 1997-09-30 | 1999-04-15 | 김영남 | 전자총용 음극구조체 |
| JP2010038306A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Daiichi Kogyo Kk | 掛止具 |
| RU2747505C1 (ru) * | 2020-09-21 | 2021-05-06 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" имени Шокина") | Молекулярно-напыленный оксидный катод |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435458A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-06 | Hitachi Chemical Co Ltd | Production of toner for electrophotography |
-
1985
- 1985-09-11 JP JP60199518A patent/JPS6261236A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435458A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-06 | Hitachi Chemical Co Ltd | Production of toner for electrophotography |
Cited By (3)
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