JPS6258825B2 - - Google Patents
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- JPS6258825B2 JPS6258825B2 JP1703879A JP1703879A JPS6258825B2 JP S6258825 B2 JPS6258825 B2 JP S6258825B2 JP 1703879 A JP1703879 A JP 1703879A JP 1703879 A JP1703879 A JP 1703879A JP S6258825 B2 JPS6258825 B2 JP S6258825B2
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- welding
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 24
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Landscapes
- Arc Welding Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、CO2溶接・MIG溶接に代表される消
耗電極アーク溶接用電源装置に係るものであり、
溶接用電源装置に新しい出力制御機能を付加する
ことにより溶接性の改善を図ると共に、溶接アー
クの制御を可能にするようにしたものである。
耗電極アーク溶接用電源装置に係るものであり、
溶接用電源装置に新しい出力制御機能を付加する
ことにより溶接性の改善を図ると共に、溶接アー
クの制御を可能にするようにしたものである。
消耗電極アーク溶接用電源装置としては通常、
定電圧特性のものが用いられ、最近は出力制御に
制御整流素子(サイリスタ)を用いる場合が多
い。
定電圧特性のものが用いられ、最近は出力制御に
制御整流素子(サイリスタ)を用いる場合が多
い。
また、出力制御方式として、出力信号(電圧
値)を帰還制御し定電圧特性を得る場合と、単に
出力電圧値を指定制御する場合がある。しかし、
アーク溶接の場合、負荷状態は短絡とアークをく
りかえし行うため、短絡時における負荷電流の立
上りなどの短絡特性は大きく溶接作業性に影響を
与える。
値)を帰還制御し定電圧特性を得る場合と、単に
出力電圧値を指定制御する場合がある。しかし、
アーク溶接の場合、負荷状態は短絡とアークをく
りかえし行うため、短絡時における負荷電流の立
上りなどの短絡特性は大きく溶接作業性に影響を
与える。
このため、通常は出力回路中にインダクタンス
を設け、短絡特性の調整を行うことにより、作業
性の改善を図つている。しかし、実際溶接時にお
いては、採用する溶接電流・溶接速度・溶接姿勢
により、最適なインダクタンス量が異るが、平均
的使用状態に合わせてインダクタンス量を決定し
ている。これは、インダクタンス量の調整が容易
でないことと、重量が重く高価になるため実際的
にインダクタンス量が調整可能となつていないの
である。
を設け、短絡特性の調整を行うことにより、作業
性の改善を図つている。しかし、実際溶接時にお
いては、採用する溶接電流・溶接速度・溶接姿勢
により、最適なインダクタンス量が異るが、平均
的使用状態に合わせてインダクタンス量を決定し
ている。これは、インダクタンス量の調整が容易
でないことと、重量が重く高価になるため実際的
にインダクタンス量が調整可能となつていないの
である。
本発明は、溶接作業に重要な影響を与える短絡
時の出力制御を電気的に行うことにより、適正な
溶接作業状態が容易に選択でき、かつ経済的な装
置を提供するものである。
時の出力制御を電気的に行うことにより、適正な
溶接作業状態が容易に選択でき、かつ経済的な装
置を提供するものである。
以下本発明の消耗電極アーク溶接用電源装置の
基本回路構成を第1図に示す。図において、TR1
は溶接用二重星型結線(ダブルスター結線)で構
成されたトランス、S1,S2,S3,S4,S5,S6は第
1群制御整流素子の各サイリスタ、K1,G1,
K2,G2,K3,G3,K4,G4,K5,G5,K6,G6は
それぞれのサイリスタのカソードとゲートを示
す。L1は相間リアクトル、L2は直流リアクトル
である。なおリアクトルL2は削除してもかまわ
ない。1は溶接用消耗電極、2は溶接トーチ、3
はアーク発生部である。Q1は第1群制御整流素
子を制御する第1の出力制御装置、S7は第2の制
御整流素子でG7とK7はそのゲートとカソード、
C1はコンデンサ、R0は抵抗、Tr1はスイツチング
素子で第1図の場合ではトランジスタである。P1
は端子4と5からの出力の状態がアーク状態であ
るか、短絡状態であるかを検知し、その両状態の
信号出力をそれぞれ出力信号線6,7,8,9に
発生させる認識回路、前記出力信号線6,8は短
絡時を認識した出力信号線、同7,9はアーク時
を認識した出力信号線である。P2は制御整流素子
S7を短絡時に導通させる制御装置、P3はアーク時
のみトランジスタTr1のエミツタとコレクタを導
通させるための制御装置、Q2は第2の出力制御
装置である。第1群制御整流素子は通常第1の出
力制御装置Q1によつて決定される設定位相角で
働らいている。しかし第2の出力制御装置Q2を
設置した時は、次のようになる。第2の出力制御
装置Q2により短絡時は第1群制御整流素子の導
通角は第1の出力制御装置Q1により設定された
所定の導通角より短絡の瞬時に短かくなり、漸次
導通角を第1の出力制御装置Q1による設定値に
復帰させる。このようにして、短絡時の出力を低
下させる。またアーク区間中、アークになつた瞬
時に第1の出力制御装置Q1による設定該導通角
より第2の出力制御装置Q2により長い該導通角
にし漸次該導通角を第1の出力制御装置Q1によ
る設定導通角に復帰させる。このようにしてアー
クになつた瞬時のみ出力は増大する。その後設定
出力値となる。
基本回路構成を第1図に示す。図において、TR1
は溶接用二重星型結線(ダブルスター結線)で構
成されたトランス、S1,S2,S3,S4,S5,S6は第
1群制御整流素子の各サイリスタ、K1,G1,
K2,G2,K3,G3,K4,G4,K5,G5,K6,G6は
それぞれのサイリスタのカソードとゲートを示
す。L1は相間リアクトル、L2は直流リアクトル
である。なおリアクトルL2は削除してもかまわ
ない。1は溶接用消耗電極、2は溶接トーチ、3
はアーク発生部である。Q1は第1群制御整流素
子を制御する第1の出力制御装置、S7は第2の制
御整流素子でG7とK7はそのゲートとカソード、
C1はコンデンサ、R0は抵抗、Tr1はスイツチング
素子で第1図の場合ではトランジスタである。P1
は端子4と5からの出力の状態がアーク状態であ
るか、短絡状態であるかを検知し、その両状態の
信号出力をそれぞれ出力信号線6,7,8,9に
発生させる認識回路、前記出力信号線6,8は短
絡時を認識した出力信号線、同7,9はアーク時
を認識した出力信号線である。P2は制御整流素子
S7を短絡時に導通させる制御装置、P3はアーク時
のみトランジスタTr1のエミツタとコレクタを導
通させるための制御装置、Q2は第2の出力制御
装置である。第1群制御整流素子は通常第1の出
力制御装置Q1によつて決定される設定位相角で
働らいている。しかし第2の出力制御装置Q2を
設置した時は、次のようになる。第2の出力制御
装置Q2により短絡時は第1群制御整流素子の導
通角は第1の出力制御装置Q1により設定された
所定の導通角より短絡の瞬時に短かくなり、漸次
導通角を第1の出力制御装置Q1による設定値に
復帰させる。このようにして、短絡時の出力を低
下させる。またアーク区間中、アークになつた瞬
時に第1の出力制御装置Q1による設定該導通角
より第2の出力制御装置Q2により長い該導通角
にし漸次該導通角を第1の出力制御装置Q1によ
る設定導通角に復帰させる。このようにしてアー
クになつた瞬時のみ出力は増大する。その後設定
出力値となる。
以上の出力制御の信号の流れを示したものが、
10,11である。11は特にサイリスタS1,
S2,S3,S4,S5,S6のゲートを働らかせる信号群
である。またU,V,WはトランスTR1の一次側
の三相入力部を示す。X,Y点はリアクトルL2
の両端を、Z点はコンデンサC1のアース側をそ
れぞれ示す。このZ点は点X,Yの間のいずれの
点であつてもかまわない。
10,11である。11は特にサイリスタS1,
S2,S3,S4,S5,S6のゲートを働らかせる信号群
である。またU,V,WはトランスTR1の一次側
の三相入力部を示す。X,Y点はリアクトルL2
の両端を、Z点はコンデンサC1のアース側をそ
れぞれ示す。このZ点は点X,Yの間のいずれの
点であつてもかまわない。
第2図は従来例に属するアーク電流電圧波形で
ある。これは半自動溶接に適正な電流電圧波形で
ある。その時の各時間t1,t2,t3,t4における電流
をI1,I2,I3,I4とする。この時のI2,I4はI1とI3に
比して非常に大なるものである。ところがこのよ
うな波形では全自動高速溶接は不可能である。そ
れはI2,I4がI1,I3に比して非常に大なるからであ
る。
ある。これは半自動溶接に適正な電流電圧波形で
ある。その時の各時間t1,t2,t3,t4における電流
をI1,I2,I3,I4とする。この時のI2,I4はI1とI3に
比して非常に大なるものである。ところがこのよ
うな波形では全自動高速溶接は不可能である。そ
れはI2,I4がI1,I3に比して非常に大なるからであ
る。
本発明回路を用いれば、第3図の電流波形のよ
うに単にリアクトルL2を極大にすることなく、
かつリアクトルL2がなくても可能となる。第3
図でt5,t6,t7,t8各時間に対応する電流をI5,
I6,I7,I8としている。I6,I8はI2,I4に比して非
常に小さい。このようにI6,I8が小さい時は高速
度の溶接が可能である。
うに単にリアクトルL2を極大にすることなく、
かつリアクトルL2がなくても可能となる。第3
図でt5,t6,t7,t8各時間に対応する電流をI5,
I6,I7,I8としている。I6,I8はI2,I4に比して非
常に小さい。このようにI6,I8が小さい時は高速
度の溶接が可能である。
この理由は以下のように第1図で説明可能であ
る。すなわち短絡時は第2の制御整流素子S7が導
通し、コンデンサC1によりアーク負荷に流れる
エネルギーを吸収可能である。すなわちq1=
C1・Vxクーロンを吸収してくれる。なお、q1は
電荷量、V1はアーク負荷端電圧であり、アーク
時にq1の電荷量は抵抗R0、トランジスタTr1によ
つてリセツトされる。またさらに第2の出力制御
装置Q2により、瞬時的に短絡時のみ出力電圧を
低下してもこれを行わせることが可能である。ま
たリアクトルL2があるときは、短絡が破れアー
クになつた瞬時に通常キツク電圧を発生するが、
これに相当することを行わせるため、第2の出力
制御装置Q2によりアークになつた瞬時出力電圧
を上昇させるようにする。そうすれば短絡回数も
減少し、かつ第3図により近い電流波形になる。
る。すなわち短絡時は第2の制御整流素子S7が導
通し、コンデンサC1によりアーク負荷に流れる
エネルギーを吸収可能である。すなわちq1=
C1・Vxクーロンを吸収してくれる。なお、q1は
電荷量、V1はアーク負荷端電圧であり、アーク
時にq1の電荷量は抵抗R0、トランジスタTr1によ
つてリセツトされる。またさらに第2の出力制御
装置Q2により、瞬時的に短絡時のみ出力電圧を
低下してもこれを行わせることが可能である。ま
たリアクトルL2があるときは、短絡が破れアー
クになつた瞬時に通常キツク電圧を発生するが、
これに相当することを行わせるため、第2の出力
制御装置Q2によりアークになつた瞬時出力電圧
を上昇させるようにする。そうすれば短絡回数も
減少し、かつ第3図により近い電流波形になる。
次に第4図に第1図で示したP1,P2,P3部の詳
細回路図を示す。R1,R2……R14は抵抗、Tr2,
Tr3,Tr4はトランジスタ、PC1,PC2,PC3はフ
オトカプラを示す。すなわち例えばフオトカプラ
PC1のダイオード部に電流が流れた時に光を発
し、フオトカプラPC1のコレクタからエミツタに
電流を流す素子である。D1はダイオード、V1,
V2は前記回路を駆動する直流電源、その他第1
図と同一のものは同一記号としている。
細回路図を示す。R1,R2……R14は抵抗、Tr2,
Tr3,Tr4はトランジスタ、PC1,PC2,PC3はフ
オトカプラを示す。すなわち例えばフオトカプラ
PC1のダイオード部に電流が流れた時に光を発
し、フオトカプラPC1のコレクタからエミツタに
電流を流す素子である。D1はダイオード、V1,
V2は前記回路を駆動する直流電源、その他第1
図と同一のものは同一記号としている。
そしてその動作は次の通りである。端子4,5
間にアーク負荷端があり、アーク区間中は、トラ
ンジスタTr2,Tr1が導通である。また短絡時は
トランジスタTr2,Tr1は非導通でかつトランジ
スタTr3は導通である。短絡時トランジスタTr3
が導通であるからフオトカプラPC1,PC2,PC3
は発光する。すなわちフオトカプラPC1は短絡時
にエミツタ・コレクタ間が導通となる。さらにフ
オトカプラPC1が導通の時、トランジスタTr4は
導通となり、第2の制御整流素子S7は導通とな
る。すなわち短絡時、制御整流素子S7は導通とな
り、コンデンサC1にアーク負荷端の電気を充電
する。またアーク時はトランジスタTr1が導通と
なり、コンデンサC1の電荷をコンデンサC1と抵
抗R0で決定された時定数で放出し、リセツトが
かかる。
間にアーク負荷端があり、アーク区間中は、トラ
ンジスタTr2,Tr1が導通である。また短絡時は
トランジスタTr2,Tr1は非導通でかつトランジ
スタTr3は導通である。短絡時トランジスタTr3
が導通であるからフオトカプラPC1,PC2,PC3
は発光する。すなわちフオトカプラPC1は短絡時
にエミツタ・コレクタ間が導通となる。さらにフ
オトカプラPC1が導通の時、トランジスタTr4は
導通となり、第2の制御整流素子S7は導通とな
る。すなわち短絡時、制御整流素子S7は導通とな
り、コンデンサC1にアーク負荷端の電気を充電
する。またアーク時はトランジスタTr1が導通と
なり、コンデンサC1の電荷をコンデンサC1と抵
抗R0で決定された時定数で放出し、リセツトが
かかる。
次にQ1部の回路は第5図に示す通りであり、
第6図にその動作図を示す。第5図において、
D2,……D10はダイオード、R15……R29は抵抗、
C2……C6はコンデンサ、Tr5,Tr6,Tr7はトラン
ジスタ、TR2,……TR5はトランス、特にTR5は
パルストランス、E1,E2は直流電源の電圧値、
E3はQ2部出力電圧、12,13はコンデンサC2
以下の省略回路、14はアース、PUT1はプログ
ラマブル・ユニ・ジヤンクシヨン・トランジスタ
であり、G8はそのゲート、K8はそのカソード、
A8はそのアノードである。この回路はプログラ
マブル・ユニジヤンクシヨン・トランジスタ
PUT1が基本となつたサイリスタS1……S6の移相
制御回路である。今プログラマブル・ユニジヤン
クシヨン・トランジスタPUT1はアース14とア
ノードA8間の電位がアース14とゲートG8間の
電位より上昇すればコンデンサC3に蓄積されて
いた電荷がアノードA8からカソードK8を通つて
流れるようにアノードA8とカソードK8間が導通
する素子である。PUTのゲート電圧G8は
R20/R20+R19×E3電圧で、今仮に一定の電圧
と仮定 し、第6図との関係を説明する。C3への充電は
時定数R18×C3で、E1電圧(一定)より充電され
る。充電を順次行い、E3電圧(PUTゲート電
圧)に達すればPUTのA8,K8間が導通となり、
C3の電荷はTr6を通して放電し、Tr6のコレク
タ、エミツタ間は導通となり、Tr5が駆動し、か
つ第1群の制御整流素子は導通となる。ところ
で、C3の電荷が放電し、PUTのアノード電圧が
ゲート電圧より低下すれば、PUTのアノード、
カソード間は阻止状態となり、Tr6はカツト・オ
フとなり、C3にはE1,R18,D6を通して充電され
る。このような状態を繰返して、第6図の様な発
振状態が形成される。第6図の様に発振している
区間は、第1群制御整流素子が導通している区間
である。なお、第6図のR20両端電圧はPUTのゲ
ート電圧を示す。ところで、PUTのゲート電圧
が上昇すれば、第6図の発振波形区間は遅れ、か
つ発振区間は短かくなる。即ち、第1群の制御整
流素子の導通角が短かくなる。即ち、溶接出力は
低下する。逆にPUTのゲート電圧が低下すれ
ば、前記の逆の現象となり、最終的に溶接出力が
増大する。以上の現象を利用したものが以下に詳
述する具体回路説明に記述されている。なお、
E3は第8図のQ2部出力に一致する。
第6図にその動作図を示す。第5図において、
D2,……D10はダイオード、R15……R29は抵抗、
C2……C6はコンデンサ、Tr5,Tr6,Tr7はトラン
ジスタ、TR2,……TR5はトランス、特にTR5は
パルストランス、E1,E2は直流電源の電圧値、
E3はQ2部出力電圧、12,13はコンデンサC2
以下の省略回路、14はアース、PUT1はプログ
ラマブル・ユニ・ジヤンクシヨン・トランジスタ
であり、G8はそのゲート、K8はそのカソード、
A8はそのアノードである。この回路はプログラ
マブル・ユニジヤンクシヨン・トランジスタ
PUT1が基本となつたサイリスタS1……S6の移相
制御回路である。今プログラマブル・ユニジヤン
クシヨン・トランジスタPUT1はアース14とア
ノードA8間の電位がアース14とゲートG8間の
電位より上昇すればコンデンサC3に蓄積されて
いた電荷がアノードA8からカソードK8を通つて
流れるようにアノードA8とカソードK8間が導通
する素子である。PUTのゲート電圧G8は
R20/R20+R19×E3電圧で、今仮に一定の電圧
と仮定 し、第6図との関係を説明する。C3への充電は
時定数R18×C3で、E1電圧(一定)より充電され
る。充電を順次行い、E3電圧(PUTゲート電
圧)に達すればPUTのA8,K8間が導通となり、
C3の電荷はTr6を通して放電し、Tr6のコレク
タ、エミツタ間は導通となり、Tr5が駆動し、か
つ第1群の制御整流素子は導通となる。ところ
で、C3の電荷が放電し、PUTのアノード電圧が
ゲート電圧より低下すれば、PUTのアノード、
カソード間は阻止状態となり、Tr6はカツト・オ
フとなり、C3にはE1,R18,D6を通して充電され
る。このような状態を繰返して、第6図の様な発
振状態が形成される。第6図の様に発振している
区間は、第1群制御整流素子が導通している区間
である。なお、第6図のR20両端電圧はPUTのゲ
ート電圧を示す。ところで、PUTのゲート電圧
が上昇すれば、第6図の発振波形区間は遅れ、か
つ発振区間は短かくなる。即ち、第1群の制御整
流素子の導通角が短かくなる。即ち、溶接出力は
低下する。逆にPUTのゲート電圧が低下すれ
ば、前記の逆の現象となり、最終的に溶接出力が
増大する。以上の現象を利用したものが以下に詳
述する具体回路説明に記述されている。なお、
E3は第8図のQ2部出力に一致する。
ところで、トランジスタTr5、ダイオードD4、
抵抗R15,R16は第6図のリセツト区間を決定する
回路である。コンデンサC6にはリセツト区間が
終つた後すなわちトランジスタTr5が非導通にな
つ後、抵抗R29、ダイオードD10を通して第6図で
示す電圧が充電される。またコンデンサC3は抵
抗R18、ダイオードD6を通して第6図のB1,B2,
B3曲線のように充電される。ところであらかじ
め設定されたゲートG8、アース14間電圧以上
にコンデンサC3の電荷はプログラマブル・ユニ
ジヤンクシヨン・トランジスタPUT1のアノード
A8とカソードK8を通つて流れ、トランジスタTr6
を駆動する。トランジスタTr6が駆動すれば、パ
ルストランスTR5が駆動し、サイリスタS1,……
S6を点弧導通させる。すなわち第6図でB3点、
B4点区間がパルストランス駆動区間である。と
ころでゲートG8とアーク14間の電圧はE3×
R20/R20+R19で表わされる。この電圧は第6
図で示す R20両端電圧である。今電圧E3を減少させれば、
サイリスタの導通域は広がり、逆に電圧E3を増
大させればサイリスタの導通域は狭くなる。すな
わち電圧E3を増大させれば、溶接電源出力は瞬
時的に低出力となり、逆に電圧E3を低下させれ
ば溶接電源出力は高出力となる。ところで通常第
2の出力制御装置Q2が存在しないときは、電圧
E3はあらかじめ設定された電圧E3で一定であ
る。
抵抗R15,R16は第6図のリセツト区間を決定する
回路である。コンデンサC6にはリセツト区間が
終つた後すなわちトランジスタTr5が非導通にな
つ後、抵抗R29、ダイオードD10を通して第6図で
示す電圧が充電される。またコンデンサC3は抵
抗R18、ダイオードD6を通して第6図のB1,B2,
B3曲線のように充電される。ところであらかじ
め設定されたゲートG8、アース14間電圧以上
にコンデンサC3の電荷はプログラマブル・ユニ
ジヤンクシヨン・トランジスタPUT1のアノード
A8とカソードK8を通つて流れ、トランジスタTr6
を駆動する。トランジスタTr6が駆動すれば、パ
ルストランスTR5が駆動し、サイリスタS1,……
S6を点弧導通させる。すなわち第6図でB3点、
B4点区間がパルストランス駆動区間である。と
ころでゲートG8とアーク14間の電圧はE3×
R20/R20+R19で表わされる。この電圧は第6
図で示す R20両端電圧である。今電圧E3を減少させれば、
サイリスタの導通域は広がり、逆に電圧E3を増
大させればサイリスタの導通域は狭くなる。すな
わち電圧E3を増大させれば、溶接電源出力は瞬
時的に低出力となり、逆に電圧E3を低下させれ
ば溶接電源出力は高出力となる。ところで通常第
2の出力制御装置Q2が存在しないときは、電圧
E3はあらかじめ設定された電圧E3で一定であ
る。
ところで第2の出力制御装置Q2を附加するこ
とにより第7図のようにイのアーク電圧に従い、
ロのQ2出力電圧をE3,E3′,E3″と変化させれ
ば、短絡時には溶接電源出力は設定値E3での出
力電圧よりも低下し、またアーク時には該出力は
増大する。なお、E3′>E3>E3″>0に設定す
る。ところで、第1図に示した素子S7、コンデン
サC1、抵抗R0、トランジスタTr1等の回路の存在
しない場合は第7図ハのようにΔt時間内の溶接
電流はI9,I10となる。すなわちQ1,Q2回路によ
り、サイリスタS1,……S7を制御しても、導通の
サイリスタは初期設定E3の導通角を保持しつづ
けるからである。しかし、素子S7、コンデンサ
C1、抵抗R0、トランジスタTr1からなる回路を附
加すれば第7図ニのように、I9はI11に、I10はI12
にそれぞれなる。なおI9,I10>I11,I12である。
また第7図ハ,ニは、リアクトルL2を削除もし
くはそのリアクタンスを非常に小さくした時の波
形である。
とにより第7図のようにイのアーク電圧に従い、
ロのQ2出力電圧をE3,E3′,E3″と変化させれ
ば、短絡時には溶接電源出力は設定値E3での出
力電圧よりも低下し、またアーク時には該出力は
増大する。なお、E3′>E3>E3″>0に設定す
る。ところで、第1図に示した素子S7、コンデン
サC1、抵抗R0、トランジスタTr1等の回路の存在
しない場合は第7図ハのようにΔt時間内の溶接
電流はI9,I10となる。すなわちQ1,Q2回路によ
り、サイリスタS1,……S7を制御しても、導通の
サイリスタは初期設定E3の導通角を保持しつづ
けるからである。しかし、素子S7、コンデンサ
C1、抵抗R0、トランジスタTr1からなる回路を附
加すれば第7図ニのように、I9はI11に、I10はI12
にそれぞれなる。なおI9,I10>I11,I12である。
また第7図ハ,ニは、リアクトルL2を削除もし
くはそのリアクタンスを非常に小さくした時の波
形である。
以上より以下の点が判明する。
コンデンサC1を付加することにより、第7
図ハの電流波形I9,I10が第7図ニの電流波形
I11,I12のように変化する。
図ハの電流波形I9,I10が第7図ニの電流波形
I11,I12のように変化する。
即ち、I9,I10>I11,I12となる。
前記第7図ニの電流波形I11,I12は第2図の
電流波形I2,I4より、短絡状態におけるピーク
電流値が小なる波形となる。
電流波形I2,I4より、短絡状態におけるピーク
電流値が小なる波形となる。
即ち、I2,I4≫I11,I12となる。
ところで溶接現象論より、「短絡状態におけ
るピーク電流値が少ない程、溶融池に与える、
該ピーク電流による衝撃は少ない。したがつて
該衝撃により起る溶融池の乱れは少なく、乱れ
により起るスパツタの発生も少なく、溶接速度
を上げた時の溶接ビード(前記溶融池が凝固し
たもの)の乱れも少ない。」ということが判明
している。
るピーク電流値が少ない程、溶融池に与える、
該ピーク電流による衝撃は少ない。したがつて
該衝撃により起る溶融池の乱れは少なく、乱れ
により起るスパツタの発生も少なく、溶接速度
を上げた時の溶接ビード(前記溶融池が凝固し
たもの)の乱れも少ない。」ということが判明
している。
以上より、本発明による回路構成にすれば、
従来例(第2図波形)の時より、スパツタの発
生、溶接速度をあげることが可能である。
従来例(第2図波形)の時より、スパツタの発
生、溶接速度をあげることが可能である。
さらに本回路構成によれば、Q2回路出力電
圧(E3′またはE3″)を変化させ、かつコンデン
サC1の助けを借りることにより、容易に所望
溶接電流波形を得ることが可能である。
圧(E3′またはE3″)を変化させ、かつコンデン
サC1の助けを借りることにより、容易に所望
溶接電流波形を得ることが可能である。
前記のように適宜所望溶接電流波形を得る
ことは、所定コイル巻数と鉄芯より構成される
リアクトルL2のみの従来溶接電源構成では不
可能である。
ことは、所定コイル巻数と鉄芯より構成される
リアクトルL2のみの従来溶接電源構成では不
可能である。
ここにQ2部制御回路の一例を第8図に示す。
PC2,PC3は第4図に示したフオトカプラ、
PC4も同じくフオトカプラ、R30……R41は抵抗、
D11,D12,D13はダイオード、ZD1はツエナーダ
イオード、C7,C8はコンデンサ、Tr8,Tr9,
Tr10,Tr11はトランジスタ、E4は電池、なお、
フオトカプラPC2は負荷が短絡の時コレクタ・エ
ミツタ間が導通、またフオトカプラPC3は負荷が
短絡の時コレクタ・エミツタ間が導通である。ま
たフオトカプラPC4は負荷がアークでコレクタ・
エミツタ間が導通である。またトランジスタTr8
は負荷が短絡でコレクタ・エミツタ間が導通であ
る。また抵抗R30、フオトカプラPC2、コンデン
サC7、ダイオードD11、抵抗R31による回路は
E3′を決める回路、その他はE3″を決める回路であ
る。第7図ロと第8図の関係をさらに述べれば以
下の様になる。短絡時のE3′電圧は、E3′=E4電圧
である。その放電時定数(ta)はTa=C7×R31
である。また、アーク区間E3″はツエナーZD1の
電圧で決まる。さらに、アーク区間中のE3″から
E3に向かう時定数(Tb)はTb=R31×R33/R3
1+R33×C8で あり、またアーク区間中のE3電圧はE3=
R31/R33+R31×E4で決まる。なお、短絡中、
導通 (活性領域)になる素子は、PC2,PC8,Tr8、ま
たはアーク時、導通になる素子は、PC4,Tr10で
ある。ところで、短絡時にはPC2が導通し、アー
ク時にE3′までC7に充電された電荷がC7,R31を
通して放電される。また、アーク時にはPC2が非
導通のため、E4,E30を通してC7にE3′までR30×
C7の時定数で充電される。また、アーク時に
は、短絡終了時にE3″(ZD1電圧相当)電圧にな
つていたC8の電位が、E4,R33,C8,R31,D12と
流れるため、前述の様に時定数TbでE3=
R31/R33+R31×E4電圧に向かつて充電する。
また、 短絡時はTr8が導通になるため、C8の電荷(E3電
圧)はR32,ZD1,Tr8を通して、ZD1電圧まで放
電する。以上の状態を繰返して、第7図ロの波形
が形成される。以上の動作により第1群の制御整
流素子を制御し、短絡時には、溶接電流を第2図
のI2,I4から第3図のI6,I8に低減し、アーク時に
はアークエネルギーを増大(アーク切れが起こら
ないように)し、良好な溶接アークを作る。
PC4も同じくフオトカプラ、R30……R41は抵抗、
D11,D12,D13はダイオード、ZD1はツエナーダ
イオード、C7,C8はコンデンサ、Tr8,Tr9,
Tr10,Tr11はトランジスタ、E4は電池、なお、
フオトカプラPC2は負荷が短絡の時コレクタ・エ
ミツタ間が導通、またフオトカプラPC3は負荷が
短絡の時コレクタ・エミツタ間が導通である。ま
たフオトカプラPC4は負荷がアークでコレクタ・
エミツタ間が導通である。またトランジスタTr8
は負荷が短絡でコレクタ・エミツタ間が導通であ
る。また抵抗R30、フオトカプラPC2、コンデン
サC7、ダイオードD11、抵抗R31による回路は
E3′を決める回路、その他はE3″を決める回路であ
る。第7図ロと第8図の関係をさらに述べれば以
下の様になる。短絡時のE3′電圧は、E3′=E4電圧
である。その放電時定数(ta)はTa=C7×R31
である。また、アーク区間E3″はツエナーZD1の
電圧で決まる。さらに、アーク区間中のE3″から
E3に向かう時定数(Tb)はTb=R31×R33/R3
1+R33×C8で あり、またアーク区間中のE3電圧はE3=
R31/R33+R31×E4で決まる。なお、短絡中、
導通 (活性領域)になる素子は、PC2,PC8,Tr8、ま
たはアーク時、導通になる素子は、PC4,Tr10で
ある。ところで、短絡時にはPC2が導通し、アー
ク時にE3′までC7に充電された電荷がC7,R31を
通して放電される。また、アーク時にはPC2が非
導通のため、E4,E30を通してC7にE3′までR30×
C7の時定数で充電される。また、アーク時に
は、短絡終了時にE3″(ZD1電圧相当)電圧にな
つていたC8の電位が、E4,R33,C8,R31,D12と
流れるため、前述の様に時定数TbでE3=
R31/R33+R31×E4電圧に向かつて充電する。
また、 短絡時はTr8が導通になるため、C8の電荷(E3電
圧)はR32,ZD1,Tr8を通して、ZD1電圧まで放
電する。以上の状態を繰返して、第7図ロの波形
が形成される。以上の動作により第1群の制御整
流素子を制御し、短絡時には、溶接電流を第2図
のI2,I4から第3図のI6,I8に低減し、アーク時に
はアークエネルギーを増大(アーク切れが起こら
ないように)し、良好な溶接アークを作る。
なお、本発明は第1群制御整流素子をトランジ
スタ等(他のスイツチング素子)に置換した様な
チヨツパ方式、インバータ方式における導通角制
御を行つても同一の効果が得られることは、素子
の動作上(トランジスタもサイリスタも共にスイ
ツチング素子)明らかである。
スタ等(他のスイツチング素子)に置換した様な
チヨツパ方式、インバータ方式における導通角制
御を行つても同一の効果が得られることは、素子
の動作上(トランジスタもサイリスタも共にスイ
ツチング素子)明らかである。
以上のような構成よりなる本発明の消耗電極ア
ーク溶接用電源装置によれば、次のような効果が
ある。
ーク溶接用電源装置によれば、次のような効果が
ある。
Q2回路の出力電圧を変化させ、またコンデ
ンサC1の助けを受けることにより容易に適宜
所望溶接電流を得ることが可能である。
ンサC1の助けを受けることにより容易に適宜
所望溶接電流を得ることが可能である。
短絡状態におけるピーク電流を、適度に減少
させることが可能である。
させることが可能である。
前記ピーク電流の衝撃により起る溶融池の乱
れを該ピーク電流を本発明の装置により適宜減
少させることにより減らすことが可能である。
れを該ピーク電流を本発明の装置により適宜減
少させることにより減らすことが可能である。
以上より、スパツタの減少が可能となり、ま
た溶接速度を上昇させた時の溶接ビードの改善
も可能となる。
た溶接速度を上昇させた時の溶接ビードの改善
も可能となる。
第1図は本発明によるアーク溶接電源装置の基
本的な回路図、第2図は従来の半自動アーク用電
流電圧波形図、第3図は本発明の装置による高速
溶接用電流波形図、第4図は第1図の主要部の詳
細回路図、第5図も同じく第1図の主要部の詳細
回路図、第6図は第5図の回路における要部の電
圧波形図、第7図イ,ロ,ハ,ニはアーク電圧と
Q2出力電圧と溶接電流の関係図、第8図は第1
図の主要部の詳細回路図である。 1……溶接用消耗電極、2……溶接トーチ、3
……アーク発生部、S1〜S6……第1群の制御整流
素子、S7……第2の制御整流素子、C1……コン
デンサ、Tr1……スイツチング素子(トランジス
タ)、P1……認識回路、P2……第1の制御装置、
P3……第2の制御装置、Q1……第1の出力制御
装置、Q2……第2の出力制御装置。
本的な回路図、第2図は従来の半自動アーク用電
流電圧波形図、第3図は本発明の装置による高速
溶接用電流波形図、第4図は第1図の主要部の詳
細回路図、第5図も同じく第1図の主要部の詳細
回路図、第6図は第5図の回路における要部の電
圧波形図、第7図イ,ロ,ハ,ニはアーク電圧と
Q2出力電圧と溶接電流の関係図、第8図は第1
図の主要部の詳細回路図である。 1……溶接用消耗電極、2……溶接トーチ、3
……アーク発生部、S1〜S6……第1群の制御整流
素子、S7……第2の制御整流素子、C1……コン
デンサ、Tr1……スイツチング素子(トランジス
タ)、P1……認識回路、P2……第1の制御装置、
P3……第2の制御装置、Q1……第1の出力制御
装置、Q2……第2の出力制御装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 出力制御手段としてゲート回路に第1の出力
制御装置を備えた複数個の第1群の制御整流素子
を用い、溶接負荷と並列に第2の制御整流素子と
コンデンサの直列回路を接続するとともに前記コ
ンデンサと並列にスイツチング素子を接続し、前
記溶接負荷がアーク状態であるか短絡状態である
かを検知し両状態信号を発生させる認識回路を前
記溶接負荷に並列に接続し、前記認識回路の出力
信号を受け前記溶接負荷の短絡時に前記第2の制
御整流素子を導通させる第1の制御装置を第2の
制御整流素子の制御入力側に接続し、前記認識回
路の出力信号を受け前記溶接負荷のアーク時に前
記スイツチング素子を導通させる第2の制御装置
をスイツチング素子の制御入力側に接続した消耗
電極アーク溶接用電源装置。 2 出力制御手段としてゲート回路に第1の出力
制御装置を備えた複数個の第1群の制御整流素子
を用い、溶接負荷と並列に第2の制御整流素子と
コンデンサの直列回路を接続するとともに前記コ
ンデンサと並列にスイツチング素子を接続し、前
記溶接負荷がアーク状態であるか短絡状態である
かを検知し両状態信号を発生させる認識回路を前
記溶接負荷に並列に接続し、前記認識回路の出力
信号を受け前記溶接負荷の短絡時に前記第2の制
御整流素子を導通させる第1の制御装置を第2の
制御整流素子の制御入力側に接続し、前記認識回
路の出力信号を受け前記溶接負荷のアーク時に前
記スイツチング素子を導通させる第2の制御装置
をスイツチング素子の制御入力側に接続し、前記
認識回路の出力信号を受け前記溶接負荷の短絡時
に前記第1群の制御整流素子の導通角を設定値よ
り瞬時的に小さくしかつ漸次導通角を設定値に復
帰させ、また溶接負荷のアーク時に前記第1群の
制御整流素子の導通角を瞬時的に設定値より大き
くしかつ漸次導通角を設定値に帰復させる第2の
出力制御装置を設け、前記第2の出力制御装置に
より前記第1の出力制御装置を駆動するように構
成した消耗電極アーク溶接用電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1703879A JPS55109572A (en) | 1979-02-15 | 1979-02-15 | Power unit for consumable electrode arc welding |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1703879A JPS55109572A (en) | 1979-02-15 | 1979-02-15 | Power unit for consumable electrode arc welding |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55109572A JPS55109572A (en) | 1980-08-23 |
JPS6258825B2 true JPS6258825B2 (ja) | 1987-12-08 |
Family
ID=11932823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1703879A Granted JPS55109572A (en) | 1979-02-15 | 1979-02-15 | Power unit for consumable electrode arc welding |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS55109572A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57202974A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Controlling method for arc welding machine using consumable electrode |
JPS59206159A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-21 | Shinko Electric Co Ltd | 溶接電源の制御方法および装置 |
US4717807A (en) * | 1986-12-11 | 1988-01-05 | The Lincoln Electric Company | Method and device for controlling a short circuiting type welding system |
-
1979
- 1979-02-15 JP JP1703879A patent/JPS55109572A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55109572A (en) | 1980-08-23 |
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