JPS6258763A - イメ−ジスキヤナ - Google Patents
イメ−ジスキヤナInfo
- Publication number
- JPS6258763A JPS6258763A JP60198260A JP19826085A JPS6258763A JP S6258763 A JPS6258763 A JP S6258763A JP 60198260 A JP60198260 A JP 60198260A JP 19826085 A JP19826085 A JP 19826085A JP S6258763 A JPS6258763 A JP S6258763A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- saw
- electrode
- strip electrode
- light
- transducers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光像（イメージ）を−次元的に走査して光像
を検出した電気信号をとりだすイメージスキャナに関す
る。
を検出した電気信号をとりだすイメージスキャナに関す
る。
（従来の技術）
一般に、弾性表面波（以下、ＳＡＷという）によるイメ
ージスキャナは機械的な可動部分がなく、しかも全固体
化が可能なため研究開発が盛んであり、タトえば、ＩＩ
ＥＯＲＤＯＮ Ｓ、 ＫＩＮＯ氏の研究論文ｒＡｃｏｕ
ｓｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ
ｉｎ Ａｃｏｕｓｔｉｃ−３ｕｒｆａｃｅ−Ｗａｖｅ
ＤｅｖｉｃｅｓＪ （Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ
ｔｈｅ ＩＥＥＥ １９７６年５月号ｐｐ、７２４〜
７４８） ニは詳り、＜ ＳＡＷの研究内容が開示され
ている。
ージスキャナは機械的な可動部分がなく、しかも全固体
化が可能なため研究開発が盛んであり、タトえば、ＩＩ
ＥＯＲＤＯＮ Ｓ、 ＫＩＮＯ氏の研究論文ｒＡｃｏｕ
ｓｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ
ｉｎ Ａｃｏｕｓｔｉｃ−３ｕｒｆａｃｅ−Ｗａｖｅ
ＤｅｖｉｃｅｓＪ （Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ
ｔｈｅ ＩＥＥＥ １９７６年５月号ｐｐ、７２４〜
７４８） ニは詳り、＜ ＳＡＷの研究内容が開示され
ている。
第２図は従来のイメージスキャナの代表例を示す断面的
模式図である。１は、たとえばニオブ酸ナトリウム等の
圧電性基板（以下、単に基板という）で、その上に２つ
のインターディジタルトランスジューサ（以下、ＩＤＴ
という）２および３が設けられている。一方のＩＤＴ、
たとえば２がら角周波数ωのＲＦパルスを印加し、他方
のＩＤＴ３から角周波数ωの連続電気信号を印加すれば
、印加した電気信号はＳＡＷに変換されて基板１の表面
に沿って伝播し、それが出会う位置の非線形性によりコ
ンボリューションを生じて、その部分の基板１の表面は
直流成分を重畳した２ωの信号を発生する。
模式図である。１は、たとえばニオブ酸ナトリウム等の
圧電性基板（以下、単に基板という）で、その上に２つ
のインターディジタルトランスジューサ（以下、ＩＤＴ
という）２および３が設けられている。一方のＩＤＴ、
たとえば２がら角周波数ωのＲＦパルスを印加し、他方
のＩＤＴ３から角周波数ωの連続電気信号を印加すれば
、印加した電気信号はＳＡＷに変換されて基板１の表面
に沿って伝播し、それが出会う位置の非線形性によりコ
ンボリューションを生じて、その部分の基板１の表面は
直流成分を重畳した２ωの信号を発生する。
ここで基板１の表面に、たとえば硫化カドミウム（Ｃｄ
Ｓ）による光導電性膜４を形成しておき、基板１の裏面
から光５を照射すれば、その照射した光５の強度分布が
上記光導電性膜４の抵抗の分布に変換され、上記光導電
性膜４上に設けた電極６と基板１の裏面に設けた透明電
極７との間に、直流成分または角周波数２ωの成分の電
圧として光５の強度分布に対応する電圧が検出される。
Ｓ）による光導電性膜４を形成しておき、基板１の裏面
から光５を照射すれば、その照射した光５の強度分布が
上記光導電性膜４の抵抗の分布に変換され、上記光導電
性膜４上に設けた電極６と基板１の裏面に設けた透明電
極７との間に、直流成分または角周波数２ωの成分の電
圧として光５の強度分布に対応する電圧が検出される。
このように従来のＳＡＷによるイメージスキャナは構成
され動作している。
され動作している。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上述のような従来のイメージスキャナでは
ＳＡＷの伝播方向に沿って光のイメージ、すなわち光の
強弱分布を検出するから、（ａ）１ラインの読み取り時
間が、音速とラインの長さで決定されてしまい、真に必
要な用途に合致する設計が困難、 （ｂ） １寸のイメ
ージスキャナでは、検出するラインの長さが長くなると
、ＳＡＷの伝播損失が大きくなり、たとえば、伝播損失
が１■当り１デシベルであっても、約２０国のＡ４判用
のイメージスキャナでは全体で２０デシベルもの大きさ
になり、したがってノイズの少ない品質の良い検出信号
を得ることは困芝である、などの大きな欠点があった。
ＳＡＷの伝播方向に沿って光のイメージ、すなわち光の
強弱分布を検出するから、（ａ）１ラインの読み取り時
間が、音速とラインの長さで決定されてしまい、真に必
要な用途に合致する設計が困難、 （ｂ） １寸のイメ
ージスキャナでは、検出するラインの長さが長くなると
、ＳＡＷの伝播損失が大きくなり、たとえば、伝播損失
が１■当り１デシベルであっても、約２０国のＡ４判用
のイメージスキャナでは全体で２０デシベルもの大きさ
になり、したがってノイズの少ない品質の良い検出信号
を得ることは困芝である、などの大きな欠点があった。
本発明は上述の欠点を排除する新規なイメージスキャナ
の提供を目的とするものである。
の提供を目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、圧電性基板上に帯状電極を有する光導電性膜
を形成させ、その帯状電極を中心として対称的に、中心
周波数が表面弾性波の伝播方向と直角方向に順次変化す
る広帯域インターディジタルトランスジューサ（ＩＤＴ
）を配置し、上記光導電性膜に入射する光イメージを、
上記ＩＤＴにチャープ信号を印加することによって上記
の帯状＠極から、−次元走査信号として検出することに
より、前述した本発明の目的を達成するものである。
を形成させ、その帯状電極を中心として対称的に、中心
周波数が表面弾性波の伝播方向と直角方向に順次変化す
る広帯域インターディジタルトランスジューサ（ＩＤＴ
）を配置し、上記光導電性膜に入射する光イメージを、
上記ＩＤＴにチャープ信号を印加することによって上記
の帯状＠極から、−次元走査信号として検出することに
より、前述した本発明の目的を達成するものである。
（作 用）
本発明は、従来のイメージスキャナがＳＡＷの伝播によ
り２つのＳＡＷが出会う場所を順次移動させていたのに
対して、広帯域ＩＤＴ２つを対称に配置し、上記ＩＤＴ
を駆動する周波数によってＳＡＷが発生する場所を変化
させ、それらのＩＤＴにチャープ信号を印加することに
よりＳＡＷの発生する場所を移動させ、それに従って非
線形性によって生ずるコンボリューションの位置が順次
移動し光イメージを走査することができる。
り２つのＳＡＷが出会う場所を順次移動させていたのに
対して、広帯域ＩＤＴ２つを対称に配置し、上記ＩＤＴ
を駆動する周波数によってＳＡＷが発生する場所を変化
させ、それらのＩＤＴにチャープ信号を印加することに
よりＳＡＷの発生する場所を移動させ、それに従って非
線形性によって生ずるコンボリューションの位置が順次
移動し光イメージを走査することができる。
なお、光導電性膜と帯状電極は、そのコンボリューショ
ンの発生場所で光の強度を検出するためのもので全体と
してイメージスキャナを構成する。
ンの発生場所で光の強度を検出するためのもので全体と
してイメージスキャナを構成する。
（実施例）
以下、本発明を実施例により図面を用いて詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図（ａ）および断
面図（ｂ）である。これらの両図面において８は、たと
えばニオブ酸ナトリウムからなる透明な圧電性基板（以
下、単に基板という）、９．１０は唐傘の管状の電極指
１１．１２をもっ１．ＤＴであり、各々の電極指１１．
１２はそのピッチが連続的に変化し広いところで１周期
当り４０μｍ、狭い方で２０μｍとしである。１３．１
４は正負のバスバーで両ＩＤＴ９．１０間を並列接続し
ている。これに他に設ける図示しないスイープ発振器か
ら、ｌｏＯＭＨｚないし２００ＭＨｚのスイープ信号を
印加したところ、印加スイープ信号が１００Ｍ七の時は
ＩＤＴ９．１０の図示した下端部分で、２００Ｍ）（ｚ
のときは同じく上端部分によりＳＡＷが励振され、その
間の中間の周波数のスイープ信号ではその周波数の変化
とともに連続的にＳＡＷの励振される位置が移動した。
面図（ｂ）である。これらの両図面において８は、たと
えばニオブ酸ナトリウムからなる透明な圧電性基板（以
下、単に基板という）、９．１０は唐傘の管状の電極指
１１．１２をもっ１．ＤＴであり、各々の電極指１１．
１２はそのピッチが連続的に変化し広いところで１周期
当り４０μｍ、狭い方で２０μｍとしである。１３．１
４は正負のバスバーで両ＩＤＴ９．１０間を並列接続し
ている。これに他に設ける図示しないスイープ発振器か
ら、ｌｏＯＭＨｚないし２００ＭＨｚのスイープ信号を
印加したところ、印加スイープ信号が１００Ｍ七の時は
ＩＤＴ９．１０の図示した下端部分で、２００Ｍ）（ｚ
のときは同じく上端部分によりＳＡＷが励振され、その
間の中間の周波数のスイープ信号ではその周波数の変化
とともに連続的にＳＡＷの励振される位置が移動した。
これらのＩＤＴ９．１０の丁度中間に光導電性膜１５を
ＣｄＳ薄膜によって形成し、さらにその上面にメタルマ
スクを使用して帯状電極１６をアルミ蒸着して形成した
。
ＣｄＳ薄膜によって形成し、さらにその上面にメタルマ
スクを使用して帯状電極１６をアルミ蒸着して形成した
。
基板８の裏面には上記帯状電極１６と対向する部分にス
リット１７を形成した遮光膜１８をアルミ蒸着により形
成した。この遮光膜１８はイメージ走査する部分の光１
９だけを通過させるとともに電気的に接地電位とし、上
記帯状電極１６で得られる光を検出した電気信号の帰路
となされている。
リット１７を形成した遮光膜１８をアルミ蒸着により形
成した。この遮光膜１８はイメージ走査する部分の光１
９だけを通過させるとともに電気的に接地電位とし、上
記帯状電極１６で得られる光を検出した電気信号の帰路
となされている。
このように構成してなるイメージセンサにイメ−ジとし
て光１９を照射し、１ＤＴ９．１０に１００ＭＨｚない
し４００ＭＩｈのスイープ信号を印加したところ、印加
した光１９に対応した２００Ｍ１（ｚないし４００ＭＨ
ｚの光検出信号および直流重畳成分が電気信号として検
出できた。
て光１９を照射し、１ＤＴ９．１０に１００ＭＨｚない
し４００ＭＩｈのスイープ信号を印加したところ、印加
した光１９に対応した２００Ｍ１（ｚないし４００ＭＨ
ｚの光検出信号および直流重畳成分が電気信号として検
出できた。
以上、実施例により本発明を説明したが、基板８は本発
明のようなニオブ酸ナトリウム以外の、圧電性薄膜を用
いても同様の結果が得られる。
明のようなニオブ酸ナトリウム以外の、圧電性薄膜を用
いても同様の結果が得られる。
（発明の効果）
以上、本発明によれば印加する高周波スイープ、この場
合周波数チャープの仕方により、光イメージの走査速度
が自由に制御可能であることが明らかであり、またＩＤ
Ｔから中央の帯状電極間の距離は、読み取ろうとする原
稿の寸法に関係なく短かく選定できるから、ＳＡＷの伝
播減衰を少なくすることが可能になるとともに、小形に
構成できるから用いて大いに益するところがある。
合周波数チャープの仕方により、光イメージの走査速度
が自由に制御可能であることが明らかであり、またＩＤ
Ｔから中央の帯状電極間の距離は、読み取ろうとする原
稿の寸法に関係なく短かく選定できるから、ＳＡＷの伝
播減衰を少なくすることが可能になるとともに、小形に
構成できるから用いて大いに益するところがある。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図（ａ）および断
面図（ｂ）、第２図は従来例を示す断面図である。 ８ ・・・圧電性基板、９．１０・・・ ＩＤＴ（イン
ターディジタルトランスジューサ）、 １１．１２・
・・ｍ Ｗ ｍ 、 １３ 、１４・・・バスバー、
１５・・・光導電性膜、１６・・・帯状電極、１７・・
・スリット、１８・・・遮光膜、１９・・・光。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 ９ ・ 名ン７−テパジク・し１−′７ン又“／′１−
ヅＩ９・ 尼 第２図
面図（ｂ）、第２図は従来例を示す断面図である。 ８ ・・・圧電性基板、９．１０・・・ ＩＤＴ（イン
ターディジタルトランスジューサ）、 １１．１２・
・・ｍ Ｗ ｍ 、 １３ 、１４・・・バスバー、
１５・・・光導電性膜、１６・・・帯状電極、１７・・
・スリット、１８・・・遮光膜、１９・・・光。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第１図 ９ ・ 名ン７−テパジク・し１−′７ン又“／′１−
ヅＩ９・ 尼 第２図
Claims (1)
- 圧電性基板上に、帯状電極を形成した光導電膜を設け、
その帯状電極を中心にして対称的に、中心周波数が弾性
表面波の伝播方向と直角に順次変化する広帯域インター
ディジタルトランスジューサを配置し、上記インターデ
ィジタルトランスジューサにチャープ信号を印加するこ
とにより、上記光電変換膜に入射する光イメージを、上
記帯状電極から一次元走査信号として検出することを特
徴とするイメージスキャナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60198260A JPS6258763A (ja) | 1985-09-07 | 1985-09-07 | イメ−ジスキヤナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60198260A JPS6258763A (ja) | 1985-09-07 | 1985-09-07 | イメ−ジスキヤナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258763A true JPS6258763A (ja) | 1987-03-14 |
Family
ID=16388171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60198260A Pending JPS6258763A (ja) | 1985-09-07 | 1985-09-07 | イメ−ジスキヤナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258763A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11112352B2 (en) * | 2018-04-05 | 2021-09-07 | Haesung Ds Co., Ltd. | Saw based optical sensor device and package including the same |
-
1985
- 1985-09-07 JP JP60198260A patent/JPS6258763A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11112352B2 (en) * | 2018-04-05 | 2021-09-07 | Haesung Ds Co., Ltd. | Saw based optical sensor device and package including the same |
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