JPS6258657B2 - - Google Patents
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- JPS6258657B2 JPS6258657B2 JP21160882A JP21160882A JPS6258657B2 JP S6258657 B2 JPS6258657 B2 JP S6258657B2 JP 21160882 A JP21160882 A JP 21160882A JP 21160882 A JP21160882 A JP 21160882A JP S6258657 B2 JPS6258657 B2 JP S6258657B2
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- JP
- Japan
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- mold
- fixed
- chamber
- upper mold
- resin
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Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 21
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- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
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- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、リードフレームに装着された半導
体素子部を封止する半導体素子樹脂封止体の成形
装置に関する。
体素子部を封止する半導体素子樹脂封止体の成形
装置に関する。
従来のこの種の成形装置は、第1図に正面図で
示すようになつていた。1は台わくで、内部に油
圧シリンダなどからなる押上げ装置2が配設され
ている。3は台わく1に下端部が固着され上方に
出された4本の支柱で、上端部に上定盤4を固定
している。5はこの上定盤4に対応し配置され支
柱3に上下動自在に案内された可動下定盤で、押
上げ装置2のピストン棒2aの上端に結合されて
いて上昇、下降され、常時は図のように下降位置
にある。6は上定盤4の下面に取付けられた上型
台で、下面に両側1対からなる上金型7を取付け
ている。8は下定盤5の上面に取付けられた下型
台で、上面に上金型7に対応する両側1対からな
る下金型9を取付けている。10は油圧シリンダ
からなる射出シリンダで、上定盤4上に取付けら
れてあり、ピストン棒(図示は略す)が下方に出
されている。
示すようになつていた。1は台わくで、内部に油
圧シリンダなどからなる押上げ装置2が配設され
ている。3は台わく1に下端部が固着され上方に
出された4本の支柱で、上端部に上定盤4を固定
している。5はこの上定盤4に対応し配置され支
柱3に上下動自在に案内された可動下定盤で、押
上げ装置2のピストン棒2aの上端に結合されて
いて上昇、下降され、常時は図のように下降位置
にある。6は上定盤4の下面に取付けられた上型
台で、下面に両側1対からなる上金型7を取付け
ている。8は下定盤5の上面に取付けられた下型
台で、上面に上金型7に対応する両側1対からな
る下金型9を取付けている。10は油圧シリンダ
からなる射出シリンダで、上定盤4上に取付けら
れてあり、ピストン棒(図示は略す)が下方に出
されている。
上記第1図の装置の上型部及び下型部の詳細
を、第2図に縦断面図で示す。図は下定盤5が上
昇され上金型7に下金型9が当接している状態を
示している。上型台6は次のように構成されてい
る。取付板11と上板12との間に側板13が固
着され箱形に形成されてある。
を、第2図に縦断面図で示す。図は下定盤5が上
昇され上金型7に下金型9が当接している状態を
示している。上型台6は次のように構成されてい
る。取付板11と上板12との間に側板13が固
着され箱形に形成されてある。
また、下型台8は次のように構成されている。
取付板14と下板15との間に側板16が固着さ
れ箱形に形成されてある。
取付板14と下板15との間に側板16が固着さ
れ箱形に形成されてある。
次に、17は上金型8側と取付板11とにまた
がりはめ込み固定された筒状のチヤンバで、射出
シリンダ10のピストン棒10aの下端に取付け
られたプランジヤ18が下降してきて内径部に差
込まれる。19は1対の上金型7間にはめられ取
付板11に取付けられた押え体で、チヤンバ17
を固定している。上記上金型7の下面には、樹脂
封止体の上半部を成形するための複数のキヤビテ
イ20が設けられてある。上記下金型9の上面に
は、上記キヤビテイ20に対応し樹脂封止体の下
半部を成形するための複数のキヤビテイ21が設
けられてある。23は上記押え体19に対応し1
対の下金型9間にはめられ、取付板14上に取付
けられた案内体で、上面にはチヤンバ17に対応
するポツト24が設けられてある。下金型9部に
は第3図に平面図で示すように、ポツト24から
封止用樹脂を導くランナ22と、このランナから
各キヤビテイ21に連通し封止用樹脂を分配する
ゲート25がそれぞれ設けられている。31は下
金型9を下方から貫通しており、下金型9が上死
点位置では各上端が各キヤビテイ21の底面及び
ポツト24の底面にそろえられる複数本のエゼク
タピンである。
がりはめ込み固定された筒状のチヤンバで、射出
シリンダ10のピストン棒10aの下端に取付け
られたプランジヤ18が下降してきて内径部に差
込まれる。19は1対の上金型7間にはめられ取
付板11に取付けられた押え体で、チヤンバ17
を固定している。上記上金型7の下面には、樹脂
封止体の上半部を成形するための複数のキヤビテ
イ20が設けられてある。上記下金型9の上面に
は、上記キヤビテイ20に対応し樹脂封止体の下
半部を成形するための複数のキヤビテイ21が設
けられてある。23は上記押え体19に対応し1
対の下金型9間にはめられ、取付板14上に取付
けられた案内体で、上面にはチヤンバ17に対応
するポツト24が設けられてある。下金型9部に
は第3図に平面図で示すように、ポツト24から
封止用樹脂を導くランナ22と、このランナから
各キヤビテイ21に連通し封止用樹脂を分配する
ゲート25がそれぞれ設けられている。31は下
金型9を下方から貫通しており、下金型9が上死
点位置では各上端が各キヤビテイ21の底面及び
ポツト24の底面にそろえられる複数本のエゼク
タピンである。
第2図に戻り、26は上エゼクタ板で、複数の
エゼクタピン27が下方に出され取付板11、上
金型7を貫通している。28は上エゼクタ板26
を下方に押圧する圧縮ばね、29は取付板11上
に固着された複数の受止め片である。上記下定盤
5が上昇し下金型9が図のように上死点に至つた
状態では、下定盤5の上昇に連動する持上げ手段
(図示は略す)により、上エゼクタ板26は受止
め片29上から少し持上げられた状態になり、各
エゼクタピン27の下端は各キヤビテイ20の上
面にそろえられている。下定盤5が下降を始める
と、上エゼクタ板26は持上げ手段による持上げ
が解除され、圧縮ばね28により受止め片29上
に下降され、各エゼクタピン27の下端は各キヤ
ビテイ20内に突出し、成形された各樹脂封止体
(図示は略す)を下方に押下げ離型させる。30
は下エゼクタ板で、上記複数のエゼクタピン31
が上方に出されている。32は下エゼクタ板30
を下方に押圧する圧縮ばね、33は下板15上に
固着された複数の受止め片である。下定盤5が下
降すると、下エゼクタ板30は持上げ手段(図示
は略す)により受止め片33上から少し持上げら
れ、各エゼクタピン31の上端が各キヤビテイ2
1の底面より突出し、成形された各樹脂封止体
(図示は略す)を押上げ離型させる。
エゼクタピン27が下方に出され取付板11、上
金型7を貫通している。28は上エゼクタ板26
を下方に押圧する圧縮ばね、29は取付板11上
に固着された複数の受止め片である。上記下定盤
5が上昇し下金型9が図のように上死点に至つた
状態では、下定盤5の上昇に連動する持上げ手段
(図示は略す)により、上エゼクタ板26は受止
め片29上から少し持上げられた状態になり、各
エゼクタピン27の下端は各キヤビテイ20の上
面にそろえられている。下定盤5が下降を始める
と、上エゼクタ板26は持上げ手段による持上げ
が解除され、圧縮ばね28により受止め片29上
に下降され、各エゼクタピン27の下端は各キヤ
ビテイ20内に突出し、成形された各樹脂封止体
(図示は略す)を下方に押下げ離型させる。30
は下エゼクタ板で、上記複数のエゼクタピン31
が上方に出されている。32は下エゼクタ板30
を下方に押圧する圧縮ばね、33は下板15上に
固着された複数の受止め片である。下定盤5が下
降すると、下エゼクタ板30は持上げ手段(図示
は略す)により受止め片33上から少し持上げら
れ、各エゼクタピン31の上端が各キヤビテイ2
1の底面より突出し、成形された各樹脂封止体
(図示は略す)を押上げ離型させる。
上記従来の成形装置による樹脂封止体の成形
は、次のようにする。まず、押上げ装置2により
下定盤5を下降し下金型9を上金型7から下げて
間隔をあけ、多数の半導体素子が装着されたリー
ドフレーム(図示は略す)を下金型9上に載せ、
各半導体素子部が各キヤビテイ20,21に対応
する位置にする。下定盤5を上昇し下金型9と上
金型7とでリードフレームを狭み付け保持する。
このとき、上金型7部及び下金型9部は加熱して
いる。タブレツト状の封止用樹脂(図示してな
い)をA部からチヤンバ17内に装てんし、射出
シリンダ10を作動させプランジヤ18を下降す
る。チヤンバ17内の軟化した封止用樹脂はプラ
ンジヤ18により押下げられて射出され、ポツト
24、ランナ22を通り、各ゲート25を経て各
キヤビテイ20,21に圧入され、所定の形状の
樹脂封止体が成形される。成形が完了すれば、下
定盤5を下降させ下金型9を上金型7から下げる
と、リードフレームに一体に固着した各樹脂封止
体は、まず、エゼクタピン27に突下げられ、つ
づいてエゼクタピン31に突上げられて離形され
る。
は、次のようにする。まず、押上げ装置2により
下定盤5を下降し下金型9を上金型7から下げて
間隔をあけ、多数の半導体素子が装着されたリー
ドフレーム(図示は略す)を下金型9上に載せ、
各半導体素子部が各キヤビテイ20,21に対応
する位置にする。下定盤5を上昇し下金型9と上
金型7とでリードフレームを狭み付け保持する。
このとき、上金型7部及び下金型9部は加熱して
いる。タブレツト状の封止用樹脂(図示してな
い)をA部からチヤンバ17内に装てんし、射出
シリンダ10を作動させプランジヤ18を下降す
る。チヤンバ17内の軟化した封止用樹脂はプラ
ンジヤ18により押下げられて射出され、ポツト
24、ランナ22を通り、各ゲート25を経て各
キヤビテイ20,21に圧入され、所定の形状の
樹脂封止体が成形される。成形が完了すれば、下
定盤5を下降させ下金型9を上金型7から下げる
と、リードフレームに一体に固着した各樹脂封止
体は、まず、エゼクタピン27に突下げられ、つ
づいてエゼクタピン31に突上げられて離形され
る。
上記従来の装置において、チヤンバ17内径D
とプランジヤ18外径dとの差が大き過ぎると、
双方のすき間から封止用樹脂が漏れ所定の樹脂封
止体の成形ができない。このため、双方の差をで
きるだけ小さくし、0.02〜0.05mmにしてある。こ
のように双方のすき間が非常に小さいので、プラ
ンジヤ18の中心とチヤンバ17の中心とを極め
て高精度に合わせる必要がある。この心合わせが
精度高くできていないと、チヤンバ17やプラン
ジヤ18の破損などが生じ、また、所定の注入樹
脂圧力(通常50〜100Kg/cm2)が得られない。
とプランジヤ18外径dとの差が大き過ぎると、
双方のすき間から封止用樹脂が漏れ所定の樹脂封
止体の成形ができない。このため、双方の差をで
きるだけ小さくし、0.02〜0.05mmにしてある。こ
のように双方のすき間が非常に小さいので、プラ
ンジヤ18の中心とチヤンバ17の中心とを極め
て高精度に合わせる必要がある。この心合わせが
精度高くできていないと、チヤンバ17やプラン
ジヤ18の破損などが生じ、また、所定の注入樹
脂圧力(通常50〜100Kg/cm2)が得られない。
従来の装置は、成形型部を取替えなどで装着す
るごとに、上定盤4に上型台6を取付けるのに、
プランジヤ18とチヤンバ17の精密な心合わせ
をしなければならず、作業に熟練を要し、また、
多大な時間がかかり生産性を阻害していた。さら
に、A部から樹脂をチヤンバ17に投入するた
め、その分だけ射出シリンダ10の行程が長いも
のになり、上型台6の高さが大きくなり、シリン
ダ10自体も長くなり、上定盤4上の高さが大き
くなり、装置全体が非常に高いものとなり、設置
工場への搬入が面倒であつた。
るごとに、上定盤4に上型台6を取付けるのに、
プランジヤ18とチヤンバ17の精密な心合わせ
をしなければならず、作業に熟練を要し、また、
多大な時間がかかり生産性を阻害していた。さら
に、A部から樹脂をチヤンバ17に投入するた
め、その分だけ射出シリンダ10の行程が長いも
のになり、上型台6の高さが大きくなり、シリン
ダ10自体も長くなり、上定盤4上の高さが大き
くなり、装置全体が非常に高いものとなり、設置
工場への搬入が面倒であつた。
この発明は、上記従来装置の欠点を除くために
なされたもので、射出シリンダを上型台と下型台
のいづれか一方に内蔵し、封止用樹脂を上金型と
下金型との間からチヤンバ内へ装てんできるよう
にし、射出シリンダの側周壁を水冷却して周囲の
高温から保護し、取替への成形型部を装着するの
に、従来のようなその都度の射出シリンダ側のプ
ランジヤとチヤンバとの心合わせ作業を要せず、
また、装置の高さが低くできる、半導体素子樹脂
封止体の成形装置を提供することを目的としてい
る。
なされたもので、射出シリンダを上型台と下型台
のいづれか一方に内蔵し、封止用樹脂を上金型と
下金型との間からチヤンバ内へ装てんできるよう
にし、射出シリンダの側周壁を水冷却して周囲の
高温から保護し、取替への成形型部を装着するの
に、従来のようなその都度の射出シリンダ側のプ
ランジヤとチヤンバとの心合わせ作業を要せず、
また、装置の高さが低くできる、半導体素子樹脂
封止体の成形装置を提供することを目的としてい
る。
第4図はこの発明の一実施例による半導体素子
樹脂封止体の成形装置の要部の縦断面図であり、
1〜3,5,15,20,21,27〜29,3
1,2aは上記従来装置と同一のものである。図
は可動下定盤5が下降位置状態を示す。40は支
柱3上端部に固定された上定盤、41はこの上定
盤の下面に取付けられた上型台で、次のように構
成されている。取付板42と上板43との間に側
板44が固着され箱形に形成されてある。
樹脂封止体の成形装置の要部の縦断面図であり、
1〜3,5,15,20,21,27〜29,3
1,2aは上記従来装置と同一のものである。図
は可動下定盤5が下降位置状態を示す。40は支
柱3上端部に固定された上定盤、41はこの上定
盤の下面に取付けられた上型台で、次のように構
成されている。取付板42と上板43との間に側
板44が固着され箱形に形成されてある。
また、45は可動下定盤5上に取付けられた下
型台で次のように構成されている。取付板46と
下板15との間に側板47が固着され箱形に形成
されてある。
型台で次のように構成されている。取付板46と
下板15との間に側板47が固着され箱形に形成
されてある。
次に、48は油圧シリンダからなる射出シリン
ダで、取付具51を介し取付板46の下面に取付
けられてあり、上方に出されたピストン棒49の
先端にプランジヤ50が取付けられている。52
は取付板46にはめ込まれ上端が上方に延びた筒
状のチヤンバで、内径部にプランジヤ50が入つ
ている。53は取付板42下面に取付けられた両
側1対からなる上金型で、下面に複数のキヤビテ
イ20が設けられてある。54は1対の上金型5
3間にはめられ取付板42下面に取付けられた案
内体で、下面にチヤンバ52に対応するポツト5
5が設けられてある。上金型53部には、第5図
に下面図で示すように、ポツト55から封止用樹
脂を導くランナ58と、このランナから各キヤビ
テイ20に連通し封止用樹脂を分配するゲート2
5がそれぞれ設けられている。27は上金型5
3、案内体54を上方から貫通したエゼクタピン
である。
ダで、取付具51を介し取付板46の下面に取付
けられてあり、上方に出されたピストン棒49の
先端にプランジヤ50が取付けられている。52
は取付板46にはめ込まれ上端が上方に延びた筒
状のチヤンバで、内径部にプランジヤ50が入つ
ている。53は取付板42下面に取付けられた両
側1対からなる上金型で、下面に複数のキヤビテ
イ20が設けられてある。54は1対の上金型5
3間にはめられ取付板42下面に取付けられた案
内体で、下面にチヤンバ52に対応するポツト5
5が設けられてある。上金型53部には、第5図
に下面図で示すように、ポツト55から封止用樹
脂を導くランナ58と、このランナから各キヤビ
テイ20に連通し封止用樹脂を分配するゲート2
5がそれぞれ設けられている。27は上金型5
3、案内体54を上方から貫通したエゼクタピン
である。
第4図に戻り57は上金型53に対応し取付板
48上に取付けられた両側1対からなる下金型
で、上面に複数のキヤビテイ21が設けられてあ
る。58は1対の下金型57間にはめられ、取付
板46上に取付けられた押え体で、チヤンバ52
を押え付け固定している。下金型57部の平面図
を第6図に示す。31は下金型57を下方から貫
通したエゼクタピンである。
48上に取付けられた両側1対からなる下金型
で、上面に複数のキヤビテイ21が設けられてあ
る。58は1対の下金型57間にはめられ、取付
板46上に取付けられた押え体で、チヤンバ52
を押え付け固定している。下金型57部の平面図
を第6図に示す。31は下金型57を下方から貫
通したエゼクタピンである。
再び第4図に返り、60は上エゼクタ板で、複
数のエゼクタピン27が下方に出され取付板4
2、上金型53及び案内体54を貫通している。
この上エゼクタ板60及びエゼクタピン27の作
用は上記従来装置と同様である。62は下エゼク
タ板で、複数のエゼクタピン31が上方に出され
取付板46及び下金型57を貫通している。可動
定盤5が下降位置では、図のように、下エゼクタ
板62は圧縮ばね64により押上げられ、取付板
46に固着された受止め片65に受止められ、各
エゼクタピン31の上端が各キヤビテイ21底面
から突出し、成形された各樹脂封止体を押上げ離
型させる。下定盤5が上昇し下金型57が上金型
53に押し合わされた状態では、上昇に連動する
押下げ手段(図示は略す)により、下エゼクタ板
62は受止め片65から下げられ、各エゼクタピ
ン31の上端が各キヤビテイ21の底面にそろえ
られ、封止用樹脂が充てんされる体勢になる。
数のエゼクタピン27が下方に出され取付板4
2、上金型53及び案内体54を貫通している。
この上エゼクタ板60及びエゼクタピン27の作
用は上記従来装置と同様である。62は下エゼク
タ板で、複数のエゼクタピン31が上方に出され
取付板46及び下金型57を貫通している。可動
定盤5が下降位置では、図のように、下エゼクタ
板62は圧縮ばね64により押上げられ、取付板
46に固着された受止め片65に受止められ、各
エゼクタピン31の上端が各キヤビテイ21底面
から突出し、成形された各樹脂封止体を押上げ離
型させる。下定盤5が上昇し下金型57が上金型
53に押し合わされた状態では、上昇に連動する
押下げ手段(図示は略す)により、下エゼクタ板
62は受止め片65から下げられ、各エゼクタピ
ン31の上端が各キヤビテイ21の底面にそろえ
られ、封止用樹脂が充てんされる体勢になる。
上記射出シリンダ48の詳細を第7図に拡大縦
断面図で示す。シリンダ本体66の側周壁66a
内には冷却水の流通路66bが設けられており、
入口穴67から冷却水が供給され出口穴68から
排出され、成形型部からの高温に対し水冷却によ
り保護している。69はシリンダ本体66の上端
に締付けボルト70により取付けられた端カバ
ー、71,72はOリング、73はピストンで、
上方に出されたピストン棒49の先端のねじ部4
9aにプランジヤ50をねじ込み結合している。
74,75はOリング、76,77は圧油穴で、
一方の穴から高圧油を供給し他方の穴から排出す
ることにより、プランジヤ50を上昇、下降運動
させる。
断面図で示す。シリンダ本体66の側周壁66a
内には冷却水の流通路66bが設けられており、
入口穴67から冷却水が供給され出口穴68から
排出され、成形型部からの高温に対し水冷却によ
り保護している。69はシリンダ本体66の上端
に締付けボルト70により取付けられた端カバ
ー、71,72はOリング、73はピストンで、
上方に出されたピストン棒49の先端のねじ部4
9aにプランジヤ50をねじ込み結合している。
74,75はOリング、76,77は圧油穴で、
一方の穴から高圧油を供給し他方の穴から排出す
ることにより、プランジヤ50を上昇、下降運動
させる。
上記のように構成された一実施例の成形装置に
よる作用は、次のようになる。押上げ装置2によ
り下定盤5を下降し、第4図のように下金型57
を下げる。多数の半導体素子が装着されたリード
フレーム(図示は略す)を下金型57上に載せ、
各半導体素子部が各キヤビテイ20,21に対応
する位置にする。タブレツト状の封止用樹脂をチ
ヤンバ52内に装てんする。下定盤5を上昇し下
金型57と上金型53とでリードフレームを狭み
付け保持する。このとき、上金型53部及び下金
型57部は加熱している。次に、射出シリンダ4
8を作動させてプランジヤ52を上昇し、軟化し
た封止用樹脂を押圧しチヤンバ52から射出しポ
ツト55を経てランナ56に通し各ゲート25か
ら各キヤビテイ20,21に圧入する。つづい
て、上金型53、下金型57を冷却すると、所定
の形状の樹脂封止体が成形される。成形が完了す
れば、下定盤5を下降させ下金型57を下げる
と、リードフレームに固着した各樹脂封止体は、
エゼクタピン27及び31の突下げ及び突上げに
より離形される。
よる作用は、次のようになる。押上げ装置2によ
り下定盤5を下降し、第4図のように下金型57
を下げる。多数の半導体素子が装着されたリード
フレーム(図示は略す)を下金型57上に載せ、
各半導体素子部が各キヤビテイ20,21に対応
する位置にする。タブレツト状の封止用樹脂をチ
ヤンバ52内に装てんする。下定盤5を上昇し下
金型57と上金型53とでリードフレームを狭み
付け保持する。このとき、上金型53部及び下金
型57部は加熱している。次に、射出シリンダ4
8を作動させてプランジヤ52を上昇し、軟化し
た封止用樹脂を押圧しチヤンバ52から射出しポ
ツト55を経てランナ56に通し各ゲート25か
ら各キヤビテイ20,21に圧入する。つづい
て、上金型53、下金型57を冷却すると、所定
の形状の樹脂封止体が成形される。成形が完了す
れば、下定盤5を下降させ下金型57を下げる
と、リードフレームに固着した各樹脂封止体は、
エゼクタピン27及び31の突下げ及び突上げに
より離形される。
なお、上記実施例では、射出シリンダ48を下
型台45に内蔵し、チヤンバ52を取付板46と
下金型57側とにまたがつて固定したが、射出シ
リンダを上型台に内蔵し、チヤンバを上型台の取
付板と上金型側とにまたがつて固定し、下金型側
にポツト、ランナ及びゲートを設け、タブレツト
状の封止用樹脂をポツト上にはめることにより装
てんするようにしてもよい。
型台45に内蔵し、チヤンバ52を取付板46と
下金型57側とにまたがつて固定したが、射出シ
リンダを上型台に内蔵し、チヤンバを上型台の取
付板と上金型側とにまたがつて固定し、下金型側
にポツト、ランナ及びゲートを設け、タブレツト
状の封止用樹脂をポツト上にはめることにより装
てんするようにしてもよい。
以上のように、この発明によれば、射出シリン
ダを上型台と下型台のいづれか一方に内蔵し、こ
の射出シリンダの方の型台と金型側とにまたがつ
てチヤンバをはめ込み固定し、チヤンバ内に封止
用樹脂を装てんし、射出シリンダのプランジヤに
より封止用樹脂を押付け射出し、上金型及び下金
型の各キヤビテイに圧入し成形するようにしたの
で、上金型を上型台に固着した上型部及び下金型
を下型台に固着した下型部を、取替えなどで上定
盤及び可動下定盤に装着するのに、従来のように
その都度のプランジヤとチヤンバとの高精度の心
合わせ作業を要せず、作業性を向上し、また、装
置の高さが低くなり搬入が容易となる。
ダを上型台と下型台のいづれか一方に内蔵し、こ
の射出シリンダの方の型台と金型側とにまたがつ
てチヤンバをはめ込み固定し、チヤンバ内に封止
用樹脂を装てんし、射出シリンダのプランジヤに
より封止用樹脂を押付け射出し、上金型及び下金
型の各キヤビテイに圧入し成形するようにしたの
で、上金型を上型台に固着した上型部及び下金型
を下型台に固着した下型部を、取替えなどで上定
盤及び可動下定盤に装着するのに、従来のように
その都度のプランジヤとチヤンバとの高精度の心
合わせ作業を要せず、作業性を向上し、また、装
置の高さが低くなり搬入が容易となる。
第1図は従来の成形装置の正面図、第2図は第
1図の上型部及び下型部を示す下型部が上昇状態
の拡大縦断面図、第3図は第2図の下金型の平面
図、第4図はこの発明の一実施例による成形装置
の上型部及び下型部を示す下型部が下降状態の拡
大縦断面図、第5図は第4図の上金型の下面図、
第6図は第4図の下金型の平面図、第7図は第4
図の射出シリンダの拡大縦断面図である。 図において、1……台わく、2……押上げ装
置、3……支柱、5……可動下定盤、20……キ
ヤビテイ、21……キヤビテイ、40……上定
盤、41……上型台、45……下型台、48……
射出シリンダ、49……ピストン棒、50……プ
ランジヤ、52……チヤンバ、53……上金型、
57……下金型、66……シリンダ本体、66a
……側周壁、66b……流通路。なお、図中同一
符号は同一又は相当部分を示す。
1図の上型部及び下型部を示す下型部が上昇状態
の拡大縦断面図、第3図は第2図の下金型の平面
図、第4図はこの発明の一実施例による成形装置
の上型部及び下型部を示す下型部が下降状態の拡
大縦断面図、第5図は第4図の上金型の下面図、
第6図は第4図の下金型の平面図、第7図は第4
図の射出シリンダの拡大縦断面図である。 図において、1……台わく、2……押上げ装
置、3……支柱、5……可動下定盤、20……キ
ヤビテイ、21……キヤビテイ、40……上定
盤、41……上型台、45……下型台、48……
射出シリンダ、49……ピストン棒、50……プ
ランジヤ、52……チヤンバ、53……上金型、
57……下金型、66……シリンダ本体、66a
……側周壁、66b……流通路。なお、図中同一
符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 1 台わくに固定されていて上方に出された複数
本の支柱上に固定された上定盤、下面に複数のキ
ヤビテイが設けられた上金型、この上金型を下面
に固着し上記上定盤下面に取付けられた上型台、
上記支柱に上下動可能に案内され、上記台わく内
に取付けられた押上げ装置により成形時は上昇さ
れ、成形後は下降される可動下定盤、上面に上記
上金型のキヤビテイにそれぞれ対応する複数のキ
ヤビテイが設けられた下金型、この下金型を上面
に固着し上記下定盤上面に取付けられた下型台、
上記上型台と下型台のいづれか一方に内蔵されて
おり、シリンダ本体の側周壁が水冷却され、ピス
トン棒の先端にプランジヤを結合した射出シリン
ダ、及びこのシリンダが設けられた方の型台と金
型部にまたがつてはめ込み固定され、内径部に上
記プランジヤが差込まれたチヤンバを備え、下降
された上記下金型上にリードフレームを載せ、上
金型との間からタブレツト状封止樹脂を入れ上記
チヤンバ内径部に装てんされるようにしてあり、
下金型部を上昇して上記上金型に押付け、上記射
出シリンダによりプランジヤで上記封止樹脂を押
込み、上記チヤンバから射出して上記各キヤビテ
イに圧入するようにしたことを特徴とする半導体
素子樹脂封止体の成形装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21160882A JPS59100544A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 半導体素子樹脂封止体の成形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21160882A JPS59100544A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 半導体素子樹脂封止体の成形装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59100544A JPS59100544A (ja) | 1984-06-09 |
JPS6258657B2 true JPS6258657B2 (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=16608576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21160882A Granted JPS59100544A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 半導体素子樹脂封止体の成形装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59100544A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4641418A (en) * | 1982-08-30 | 1987-02-10 | International Rectifier Corporation | Molding process for semiconductor devices and lead frame structure therefor |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP21160882A patent/JPS59100544A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59100544A (ja) | 1984-06-09 |
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